正電子發(fā)射斷層掃描儀深度效應(yīng)校正方法及其系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及核醫(yī)學探測成像領(lǐng)域,具體而言,涉及一種正電子發(fā)射斷層掃描儀深 度效應(yīng)校正方法及其系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 正電子發(fā)射斷層掃描儀(positronemissiontomography,PET)在核醫(yī)學領(lǐng)域是 重要的斷層成像設(shè)備,現(xiàn)已廣泛的應(yīng)用于醫(yī)學領(lǐng)域的診斷和研究。PET可以有效的探測到注 入生物體內(nèi)的標記了放射性示蹤原子藥物的時空分布。
[0003] PET中的主要元件探測器由閃爍晶體,光電倍增管和前端電子學部分組成。在PET 中,將帶有放射性核素的藥物注入人體,帶有放射性核素的藥物在人體內(nèi)發(fā)生衰變產(chǎn)生正 電子,正電子與人體中的負電子發(fā)生湮滅反應(yīng),產(chǎn)生兩個背對背的γ光子。正負電子湮滅 產(chǎn)生的兩個γ光子入射到探測器的晶體表面,由于γ光子具有較高能量,入射光子會穿過 晶體一定深度后,與晶體發(fā)生相互作用產(chǎn)生大量低能閃爍光子,pet探測器通過探測這些閃 爍光子來確定響應(yīng)線(LineOfResponse,L0R),然后通過數(shù)據(jù)處理得到重建圖像。然而, 由于L0R定位的不準確,造成重建圖像的分辨率降低,這就是PET中的深度效應(yīng)(Depthof interaction,D0I)〇
[0004] 圖1A所示為D0I產(chǎn)生的示意圖。PET探測器通過探測入射光子與晶體相互作用產(chǎn) 生的大量閃爍光子來確定L0R,即由產(chǎn)生閃爍光子的兩個晶體條的端面中心點的連線來確 定L0R,如圖1A中所示的直線AB和EF。但這時L0R的定位實際上是錯誤的。由于γ光子 具有較高能量,入射光子是穿過晶體一定深度后,與晶體發(fā)生相互作用產(chǎn)生大量低能閃爍 光子,而非在晶體表面的中心點產(chǎn)生閃爍光子。如果放射源在視野(Fieldofview,F0V) 中心(如a點),正確的L0R應(yīng)是直線⑶而不是直線AB;如果放射源在遠離F0V中心的點 (如b點),正確的L0R應(yīng)是直線GH而不是直線EF。從圖1A中可以看出,偏離F0V中心越 遠,D0I越嚴重。
[0005] D0I效應(yīng)可以在各個方向上產(chǎn)生。以圓柱體為例,如圖1B中的(a)和(b)所示, 一般可將其分為徑向(圓柱上下底面的半徑方向)、切向(圓柱上下底面的切線方向)、軸 向(圓柱的中心軸方向)三個方向進行研究。探測器的L0R是由產(chǎn)生閃爍光子的兩個晶體 條的內(nèi)表面中心點的連線來定位的,而實際γ光子與晶體相互作用的位置在徑向上并不 是晶體內(nèi)表面,在切向和軸向不一定是晶體表面中心點,這就分別產(chǎn)生了徑向、切向和軸向 D0I效應(yīng)。
[0006] 目前,D0I校正的方法主要分為硬件校正和軟件校正兩種。硬件校正是主要通過改 變探測器的設(shè)計來獲得晶體條中射線入射的準確位置,包括:晶體條分層法和把兩個不同 的光電轉(zhuǎn)換裝置耦合到晶體陣列兩端的方法。盡管通過硬件設(shè)計可以較好的校正PET系統(tǒng) 的D0I效應(yīng),但這種方法增加了儀器的制造成本和復(fù)雜度。另外,當采用硬件設(shè)計獲取D0I 信息時,圖像重建遇到了一些新的問題。針對這些新問題,需要對傳統(tǒng)的軟件算法做一些改 進。因此,對于已經(jīng)完成使用的儀器,軟件系統(tǒng)和硬件系統(tǒng)都需要大幅度的修改,因此這種 方法就有很大的局限性。
[0007] 軟件校正主要是通過對獲得的投影數(shù)據(jù)在投影空間或者圖像空間進行數(shù)據(jù)處理, 通過利用模擬和概率分布、系統(tǒng)響應(yīng)函數(shù)等技術(shù)來獲得較為準確的各個方向的深度信息。 它主要包括兩種方法:基于模擬和概率分布的校正方法和利用點擴展函數(shù)(PointSpread Function,PSF)進行校正的方法。但是這些軟件實現(xiàn)的方法也都存在諸如計算成本高、迭代 次數(shù)穩(wěn)定性不好或?qū)τ谇邢蚍直媛矢纳撇畹热秉c。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 本發(fā)明提供一種正電子發(fā)射斷層掃描儀深度效應(yīng)校正方法及其系統(tǒng),能夠在不改 變探測器硬件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,獲得與晶體分層方法基本相同的校正效果。
[0009] 本發(fā)明的其他特性和優(yōu)點將通過下面的詳細描述變得顯然,或部分地通過本發(fā)明 的實踐而習得。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供了一種正電子發(fā)射斷層掃描儀深度效應(yīng)校正方法,包 括:建立多層晶體響應(yīng)線模型;獲取PET探測器輸出的實際符合事例數(shù)據(jù);根據(jù)所述多層晶 體響應(yīng)線模型,對所述實際符合事例數(shù)據(jù)進行擴展,生成擴展響應(yīng)線數(shù)據(jù);以及根據(jù)所述擴 展響應(yīng)線數(shù)據(jù),確定校正響應(yīng)線數(shù)據(jù)。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,其中建立多層晶體響應(yīng)線模型包括:獲得多層晶體設(shè) 計下的模擬符合事例數(shù)據(jù);以及根據(jù)所述模擬符合事例數(shù)據(jù),建立所述多層晶體響應(yīng)線模 型。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,其中根據(jù)模擬符合事例數(shù)據(jù),建立所述多層晶體響應(yīng) 線模型包括:對所述模擬符合事例數(shù)據(jù)中的模擬符合事例進行統(tǒng)計,獲得所述兩個晶體的 m*m種模擬響應(yīng)線各自的計數(shù);計算m*m種所述模擬響應(yīng)線的計數(shù)的加和總數(shù);以及分別計 算每種模擬響應(yīng)線的計數(shù)占所述加和總數(shù)的比例;其中m為所述多層晶體響應(yīng)線模型中的 晶體層數(shù),且m為大于1的正整數(shù)。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,其中生成擴展響應(yīng)線數(shù)據(jù)包括:對所述實際符合事例 數(shù)據(jù)中的實際符合事例進行統(tǒng)計,獲得所述兩個晶體的實際響應(yīng)線數(shù)目;以及根據(jù)所述多 層晶體響應(yīng)線模型,對所述實際響應(yīng)線數(shù)目進行分解,獲得m*m種所述模擬響應(yīng)線各自的 統(tǒng)計數(shù)目,從而生成所述擴展響應(yīng)線數(shù)據(jù)。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,其中所述校正響應(yīng)線數(shù)據(jù)為正弦直方圖數(shù)據(jù)。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,其中根據(jù)所述擴展響應(yīng)線數(shù)據(jù),確定校正響應(yīng)線數(shù)據(jù) 包括:獲取所述PET探測器輸出的實際正弦直方圖數(shù)據(jù);以及使用線性插值法將所述擴展 響應(yīng)線數(shù)據(jù)插入到所述實際正弦直方圖數(shù)據(jù)中最鄰近的響應(yīng)線中,以獲得所述校正響應(yīng)線 數(shù)據(jù);其中所述擴展響應(yīng)線數(shù)據(jù)為正弦直方圖數(shù)據(jù)。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,其中獲取PET探測器輸出的實際符合事例數(shù)據(jù)包括: 獲取所述PET探測器的輸出數(shù)據(jù);以及對所述輸出數(shù)據(jù)進行格式轉(zhuǎn)換,以獲取所述實際符 合事例。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,上述校正方法還包括:根據(jù)所述校正響應(yīng)線數(shù)據(jù),進行 圖像重建。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種正電子發(fā)射斷層掃描儀深度效應(yīng)校正系統(tǒng), 包括:模型建立模塊,用于建立多層晶體響應(yīng)線模型;實際數(shù)據(jù)獲取模塊,用于獲取PET探 測器輸出的實際符合事例數(shù)據(jù);擴展數(shù)據(jù)生成模塊,用于根據(jù)所述多層晶體響應(yīng)線模型,對 所述實際符合事例數(shù)據(jù)進行擴展,生成擴展響應(yīng)線數(shù)據(jù);以及校正數(shù)據(jù)生成模塊,用于根據(jù) 所述擴展響應(yīng)線數(shù)據(jù),確定校正響應(yīng)線數(shù)據(jù)。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,上述校正系統(tǒng)還包括:圖像重建模塊,用于根據(jù)所述校 正響應(yīng)線數(shù)據(jù),進行圖像重建。
[0020] 通過本發(fā)明的深度效應(yīng)校正方法,對探測器為單層晶體或較少晶體層數(shù)的PET數(shù) 據(jù)進行深度效應(yīng)校正后,重建出的圖像空間位置定位更準確,圖像徑向和切向空間分辨率 都有了很大提高,圖像質(zhì)量明顯改善,并且可以達到與硬件上為多層晶體的PET數(shù)據(jù)基本 相同的重建效果。
[0021] 應(yīng)當理解的是,以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的,并不能限制本 發(fā)明。
【附圖說明】
[0022] 通過參照附圖詳細描述其示例實施例,本發(fā)明的上述和其它目標、特征及優(yōu)點將 變得更加顯而易見。
[0023] 圖1A示出深度效應(yīng)的示意圖。
[0024] 圖1B示出圓柱形探測器的徑向、切向和軸向示意圖。
[0025] 圖2示出根據(jù)一示例實施方式的PET深度效應(yīng)校正方法的流程圖。
[0026] 圖3示出根據(jù)另一示例實施方式的PET深度效應(yīng)校正方法的流程圖。
[0027] 圖4A示出模擬徑向上采用雙層晶體PET探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028] 圖4B示出模擬徑向上采用三層晶體PET探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029] 圖4C示出實際單層晶體PET探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030] 圖4D示出模擬切向上采用三層晶體PET探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031] 圖4E示出模擬軸向上采用三層晶體PET探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032] 圖5示出根據(jù)一示例實施方式的PET深度效應(yīng)校正系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
[0033] 圖6A示出根據(jù)一示例實施方式的模型建立模塊的結(jié)構(gòu)圖。
[0034] 圖6B示出根據(jù)一示例實施方式的實際數(shù)據(jù)獲取模塊的結(jié)構(gòu)圖。
[0035] 圖6C示出根據(jù)一示例實施方式的擴展數(shù)據(jù)生產(chǎn)模塊的結(jié)構(gòu)圖。
[0036] 圖6D示出根據(jù)一示例性方式的校正數(shù)據(jù)生成模塊的結(jié)構(gòu)圖。
[0037] 圖7A和圖7B分別示出了采用本發(fā)明校正方法前后的重建圖像。
【具體實施方式】
[0038] 現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而,示例實施方式能夠以多種形 式實施,且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的范例;相反,提供這些實施方式使得本發(fā)明將更加 全面和完整,并將示例實施方式的構(gòu)思全面地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。附圖僅為本發(fā)明 的示意性圖解,并非一定是按比例繪制。圖中相同的