經(jīng)顱磁刺激定位帽及其標(biāo)記方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種經(jīng)顱磁刺激定位帽，包括：與人腦外形適配的殼體，所述殼體上對(duì)應(yīng)設(shè)有用于標(biāo)記兩個(gè)大腦半球、四個(gè)腦葉、腦電圖電極部位、運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)功能區(qū)以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標(biāo)記部。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的成本低，降低了患者的醫(yī)療費(fèi)用；操作方便，省時(shí)省力，提高了設(shè)備的利用率。定位帽中的多部位標(biāo)記信息使刺激部位比較精確，便于科研時(shí)的刺激部位的定位描述與重復(fù)刺激。解決了傳統(tǒng)靠目測(cè)與經(jīng)驗(yàn)刺激定位的不確定性，能提高刺激神經(jīng)的功能調(diào)制與治療效果。
【專利說(shuō)明】
經(jīng)顱磁刺激定位帽及其標(biāo)記方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及經(jīng)顱磁刺激技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種由腦葉、腦運(yùn)動(dòng)功能區(qū)分布、腦電圖電極定位系統(tǒng)組成的經(jīng)顱磁刺激定位帽及其標(biāo)記方法。
【背景技術(shù)】
[0002]經(jīng)顱磁刺激技術(shù)是一種無(wú)創(chuàng)性大腦刺激與神經(jīng)功能調(diào)制的方法，利用電磁感應(yīng)的原理，由高壓儲(chǔ)能電容充電，在極短的時(shí)間內(nèi)向刺激線圈放電，強(qiáng)大的電流在線圈周圍產(chǎn)生瞬間變化的磁場(chǎng)，可毫無(wú)損耗的穿過顱骨，在顱內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電流，刺激局部大腦神經(jīng)細(xì)胞去極化，或者影響局部電位，改變神經(jīng)代謝和腦血流的變化，產(chǎn)生一系列生理生化反應(yīng)。
[0003]經(jīng)顱磁刺激技術(shù)廣泛應(yīng)用于神經(jīng)、精神、康復(fù)、兒科臨床診斷、治療和科研領(lǐng)域。
[0004]雖然經(jīng)顱磁刺激技術(shù)在臨床得到了廣泛應(yīng)用，但在使用過程中，仍然存在很多未解決的技術(shù)問題，其中根據(jù)疾病的不同找到最佳刺激部位、在治療中每次重復(fù)刺激部位的準(zhǔn)確性一直困擾著臨床醫(yī)護(hù)人員，對(duì)經(jīng)顱磁刺激的發(fā)展與普及不利。
[0005]目前，經(jīng)顱磁刺激技術(shù)常常與腦電圖的記錄相結(jié)合，刺激部位也用腦電圖電極分部的規(guī)律來(lái)描述，創(chuàng)立了磁刺激誘發(fā)腦電圖一門學(xué)科，臨床上還可以用腦電圖的變化反饋調(diào)制磁刺激的參數(shù)，形成一門新的生物反饋治療學(xué)。
[0006]最初使用者用自己的醫(yī)學(xué)常識(shí)，根據(jù)目測(cè)與經(jīng)驗(yàn)，估計(jì)大腦功能區(qū)分布及體表投影的大概位置進(jìn)行粗略定位，需要反復(fù)移動(dòng)刺激線圈找準(zhǔn)刺激部位，比較耗時(shí)費(fèi)力，結(jié)果并不十分理想，隨著技術(shù)的發(fā)展，國(guó)外出現(xiàn)了 MRI指導(dǎo)下的無(wú)框架紅外線導(dǎo)航系統(tǒng)，機(jī)器手重復(fù)刺激定位輔助裝置、刺激定位的精度比較好，但由于成本高，操作費(fèi)時(shí)，增加了醫(yī)療成本，限制了在臨床的推廣；國(guó)內(nèi)也出現(xiàn)簡(jiǎn)單的磁刺激定位帽，但只有大腦的運(yùn)動(dòng)區(qū)的體表投影，不能滿足臨床的多病種、多部位刺激的定位需要，不能與腦電圖的實(shí)時(shí)記錄與反饋的發(fā)展趨勢(shì)相適應(yīng)，不能具體的描述刺激部位。因此，應(yīng)用價(jià)值有限。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出一種成本低、操作方便、實(shí)現(xiàn)刺激部位精確定位的經(jīng)顱磁刺激定位帽及其標(biāo)記方法。
[0008]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種經(jīng)顱磁刺激定位帽，包括:與人腦外形適配的殼體，所述殼體上對(duì)應(yīng)設(shè)有用于標(biāo)記兩個(gè)大腦半球、四個(gè)腦葉、腦電圖電極部位、運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)功能區(qū)以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標(biāo)記部。
[0009]優(yōu)選地，所述標(biāo)記兩個(gè)大腦半球的標(biāo)記部為區(qū)分兩側(cè)大腦半球的中線。
[0010]優(yōu)選地，所述四個(gè)腦葉分別為額葉、頂葉、顳葉和枕葉。
[0011]優(yōu)選地，所述腦電圖電極部位對(duì)應(yīng)的標(biāo)記部包括標(biāo)記左右大腦半球的前后矢狀線、從左耳前點(diǎn)通過中央點(diǎn)至右耳前的橫位線，以及側(cè)位線。
[0012]優(yōu)選地，各標(biāo)記部以絲印層的方式設(shè)置在所述殼體上。
[0013]本發(fā)明還提出一種定位帽標(biāo)記方法，包括:
[0014]根據(jù)大腦功能區(qū)分布及大腦解剖學(xué)體表投影，在定位帽上標(biāo)出區(qū)分兩側(cè)大腦半球的中線，標(biāo)明額葉、頂葉、顳葉、枕葉的4個(gè)腦葉；
[0015]利用國(guó)際腦電圖學(xué)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電極放置法制成定位標(biāo)記點(diǎn)。
[0016]優(yōu)選地，奇數(shù)表示左側(cè)，偶數(shù)表示右側(cè)，所述利用國(guó)際腦電圖學(xué)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電極放置法制成定位標(biāo)記點(diǎn)的步驟包括:
[0017]前后矢狀線標(biāo)記左右大腦半球:從鼻根至枕外粗隆取一連線，在此線上，由前至后依次標(biāo)出5個(gè)點(diǎn)，額極中點(diǎn)(Fpz)、額中點(diǎn)(Fz)、中央點(diǎn)(Cz)、頂點(diǎn)(Pz)、枕點(diǎn)(Oz);額極中點(diǎn)至鼻根的距離和枕點(diǎn)至枕外粗隆的距離各占此連線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)均以此連線全長(zhǎng)的20%相隔；
[0018]橫位:從左耳前點(diǎn)通過中央點(diǎn)(Cz)至右耳前做一連線，在此連線上，從左到右依次標(biāo)出左顳中(T3)、左中央(C3)、右中央(C4)、右顳中(T4) ;T3、T4點(diǎn)與耳前點(diǎn)的距離占此線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)(包括Cz點(diǎn))均以此連線全長(zhǎng)的20%相隔；
[0019]側(cè)位:從Fpz點(diǎn)向后通過Τ3、Τ4點(diǎn)至枕點(diǎn)分別取左右側(cè)連線，在左右側(cè)連線上由前至后對(duì)稱地標(biāo)出左額極(Fpl)、右額極(Fp2)、左前顳(F7)、右前顳(F8)、左后顳(T5)、右后顳(T6)、左枕(01)、右枕(02)各點(diǎn);Fpl、Fp2點(diǎn)至額極中點(diǎn)(Fpz)的距離與01、02點(diǎn)至Oz點(diǎn)的距離各占此連線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)均以此連線的20%相隔；
[0020]左額(F3)位于Fp I與C3點(diǎn)的中間，右額(F4)位于Fp2與C4點(diǎn)的中間；左頂(P3)位于C3與01點(diǎn)的中間，右頂(P4)位于C4與02點(diǎn)的中間。
[0021]本發(fā)明提出的一種經(jīng)顱磁刺激定位帽及其標(biāo)記方法，實(shí)現(xiàn)的成本低，降低了患者的醫(yī)療費(fèi)用；操作方便，省時(shí)省力，提高了設(shè)備的利用率。定位帽中的多部位標(biāo)記信息使刺激部位比較精確，便于科研時(shí)的刺激部位的定位描述與重復(fù)刺激。解決了傳統(tǒng)靠目測(cè)與經(jīng)驗(yàn)刺激定位的不確定性，能提高刺激神經(jīng)的功能調(diào)制與治療效果。
[0022]本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽相比傳統(tǒng)的輔助定位裝置具有如下有益效果:
[0023]1、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作方便，降低設(shè)備成本及患者的醫(yī)療成本，不用使用導(dǎo)航，增加額外的醫(yī)療費(fèi)用。
[0024]2、操作方便，省時(shí)省力，最大限度地提高了醫(yī)護(hù)人員的工作效率。
[0025]3、劃分了大腦功能區(qū)，每個(gè)功能區(qū)的定位點(diǎn)，結(jié)合疾病的特點(diǎn)，指導(dǎo)醫(yī)護(hù)人員定點(diǎn)刺激。
[0026]4、加快了經(jīng)顱磁刺激技術(shù)的發(fā)展，推動(dòng)經(jīng)顱磁刺激技術(shù)在國(guó)內(nèi)的推廣，在更多更廣的領(lǐng)域?yàn)槿祟惙?wù)。
[0027]5、刺激部位精確，針對(duì)性更強(qiáng)，在最短的時(shí)間達(dá)到最佳的治療效果，同時(shí)減少了患者的治療周期及治療費(fèi)用。
【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽的立體結(jié)構(gòu)框圖；
[0029]圖2是本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽的左視圖；
[0030]圖3是本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽的右視圖；
[0031]圖4是本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽的主視圖；
[0032]圖5是本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽的后視圖；
[0033]圖6是本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽的俯視圖。
[0034]為了使本發(fā)明的技術(shù)方案更加清楚、明了，下面將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳述。
【具體實(shí)施方式】
[0035]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0036]如圖1-圖6所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例提出的一種經(jīng)顱磁刺激定位帽，包括:與人腦外形適配的殼體1，所述殼體I上對(duì)應(yīng)設(shè)有用于標(biāo)記兩個(gè)大腦半球、四個(gè)腦葉、腦電圖電極部位、運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)功能區(qū)以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標(biāo)記部。
[0037]其中，所述標(biāo)記兩個(gè)大腦半球的標(biāo)記部為區(qū)分兩側(cè)大腦半球的中線。
[0038]所述四個(gè)腦葉分別為額葉、頂葉、顳葉和枕葉。
[0039]所述腦電圖電極部位對(duì)應(yīng)的標(biāo)記部包括標(biāo)記左右大腦半球的前后矢狀線、從左耳前點(diǎn)通過中央點(diǎn)至右耳前的橫位線，以及側(cè)位線。
[0040]各標(biāo)記部以絲印層的方式設(shè)置在所述殼體I上。
[0041]本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽是把大腦皮質(zhì)復(fù)雜功能結(jié)構(gòu)在頭顱表面做若干個(gè)投影點(diǎn)，基于常用的腦電圖電極定位10-20系統(tǒng)或者10-10系統(tǒng)，把腦葉、腦電圖電極部位，耳孔與枕后粗隆的部位作為記號(hào)絲印到具有彈性的帽子上，戴帽子時(shí)對(duì)準(zhǔn)雙側(cè)耳孔和枕后粗隆的標(biāo)記3點(diǎn)可以定出一個(gè)立體面，作為帶帽的基準(zhǔn)。
[0042]具體實(shí)現(xiàn)方案如下:
[0043]本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽根據(jù)大腦功能區(qū)分布及大腦解剖學(xué)體表投影，標(biāo)出區(qū)分兩側(cè)大腦半球的中線，標(biāo)明額葉、頂葉、顳葉、枕葉的4個(gè)腦葉，用藍(lán)線標(biāo)識(shí)，方便醫(yī)護(hù)人員根據(jù)定位帽的視覺化區(qū)分和腦電圖(10-20)(10-10)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)部位，更快更準(zhǔn)地找到最佳刺激部位。
[0044]利用國(guó)際腦電圖10-20(10-10)系統(tǒng)電極放置法即國(guó)際腦電圖學(xué)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電極放置法制成定位標(biāo)記點(diǎn)，奇數(shù)表示左側(cè)，偶數(shù)表示右側(cè)。具體方法如下:
[0045]①、前后矢狀線標(biāo)記左右大腦半球:從鼻根至枕外粗隆取一連線，在此線上，由前至后依次標(biāo)出5個(gè)點(diǎn)，額極中點(diǎn)(Fpz)、額中點(diǎn)(Fz)、中央點(diǎn)(Cz)、頂點(diǎn)(Pz)、枕點(diǎn)(Oz)。額極中點(diǎn)至鼻根的距離和枕點(diǎn)至枕外粗隆的距離各占此連線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)均以此連線全長(zhǎng)的20%相隔。
[0046]②、橫位:從左耳前點(diǎn)(耳屏前顴弓根凹陷處)通過中央點(diǎn)(Cz)至右耳前做一連線，在此連線上，從左到右依次標(biāo)出左顳中(T3)、左中央(C3)、右中央(C4)右顳中(T4KT3、T4點(diǎn)與耳前點(diǎn)的距離占此線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)(包括Cz點(diǎn))均以此連線全長(zhǎng)的20%相隔。
[0047]③、側(cè)位:從Fpz點(diǎn)向后通過T3、T4點(diǎn)至枕點(diǎn)分別取左右側(cè)連線，在左右側(cè)連線上由前至后對(duì)稱地標(biāo)出左額極(Fpl)、右額極(Fp2)、左前顳(F7)、右前顳(F8)、左后顳(T5)、右后顳(T6)、左枕(01)、右枕(02)各點(diǎn)。FpKFp2點(diǎn)至額極中點(diǎn)(Fpz)的距離與01、02點(diǎn)至Oz點(diǎn)的距離各占此連線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)(包括T3、T4)均以此連線的20%相隔。
[0048]④、左額(F3)位于Fpl與C3點(diǎn)的中間，右額(F4)位于Fp2與C4點(diǎn)的中間；左頂(P3)位于C3與01點(diǎn)的中間，右頂(P4)位于C4與02點(diǎn)的中間。
[0049]刺激帽根據(jù)腦電圖電極與大腦皮質(zhì)分葉和溝回之間的解剖關(guān)系，在定位帽上標(biāo)定出雙側(cè)大腦皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)功能區(qū)的部位，因?yàn)檫\(yùn)動(dòng)區(qū)的定位是磁刺激引起靶肌動(dòng)作最基礎(chǔ)的刺激點(diǎn)。
[0050]經(jīng)顱磁刺激首先要個(gè)體化的確定閾刺激，要找準(zhǔn)運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)拇指部位，以引出拇短展肌發(fā)生運(yùn)動(dòng)的最小刺激強(qiáng)度作為閾刺激強(qiáng)度，用閾強(qiáng)度的百分比來(lái)確定刺激強(qiáng)度，所以快速找出拇指的皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)區(qū)是實(shí)施經(jīng)顱磁刺激技術(shù)的基礎(chǔ)。
[0051 ] 臨床適應(yīng)癥中很多疾病都引起運(yùn)動(dòng)功能障礙，如腦卒中運(yùn)動(dòng)障礙、脊髓損傷、帕金森病等，大腦皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)中樞是軀體運(yùn)動(dòng)的最高級(jí)中樞，位于大腦皮質(zhì)中央前回的4區(qū)和6區(qū)，依照解剖學(xué)位置及大腦皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)區(qū)對(duì)軀體運(yùn)動(dòng)的調(diào)節(jié)特點(diǎn)，經(jīng)顱磁刺激定位帽標(biāo)識(shí)了軀體運(yùn)動(dòng)中樞，包括頭面部、手指、軀干、四肢，一側(cè)運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)支配另一側(cè)軀體肌肉的活動(dòng)；特定的皮質(zhì)功能區(qū)域支配對(duì)側(cè)的靶肌，使用刺激帽具有幫助精細(xì)的功能區(qū)定位。
[0052]本技術(shù)在定位帽上反映出人的2個(gè)大腦半球、4個(gè)腦葉、常用腦電圖電極部位、運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)功能區(qū)以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆標(biāo)記點(diǎn)，所含信息多，便于操作、便于多次治療能夠在同一部位的重復(fù)準(zhǔn)確刺激。
[0053]本技術(shù)實(shí)現(xiàn)的成本低，降低了患者的醫(yī)療費(fèi)用；操作方便，省時(shí)省力，提高了設(shè)備的利用率。定位帽中的多部位標(biāo)記信息使刺激部位比較精確，便于科研時(shí)的刺激部位的定位描述與重復(fù)刺激。解決了傳統(tǒng)靠目測(cè)與經(jīng)驗(yàn)刺激定位的不確定性，能提高刺激神經(jīng)的功能調(diào)制與治療效果。
[0054]本發(fā)明經(jīng)顱磁刺激定位帽相比傳統(tǒng)的輔助定位裝置，具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0055]1、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作方便，降低設(shè)備成本及患者的醫(yī)療成本，不用使用導(dǎo)航，增加額外的醫(yī)療費(fèi)用。
[0056]2、操作方便，省時(shí)省力，最大限度地提高了醫(yī)護(hù)人員的工作效率。
[0057]3、劃分了大腦功能區(qū)，每個(gè)功能區(qū)的定位點(diǎn)，結(jié)合疾病的特點(diǎn)，指導(dǎo)醫(yī)護(hù)人員定點(diǎn)刺激。
[0058]4、加快了經(jīng)顱磁刺激技術(shù)的發(fā)展，推動(dòng)經(jīng)顱磁刺激技術(shù)在國(guó)內(nèi)的推廣，在更多更廣的領(lǐng)域?yàn)槿祟惙?wù)。
[0059]5、刺激部位精確，針對(duì)性更強(qiáng)，在最短的時(shí)間達(dá)到最佳的治療效果，同時(shí)減少了患者的治療周期及治療費(fèi)用。
[0060]此外，本發(fā)明還提出一種定位帽標(biāo)記方法，包括:
[0061]步驟1，根據(jù)大腦功能區(qū)分布及大腦解剖學(xué)體表投影，在定位帽上標(biāo)出區(qū)分兩側(cè)大腦半球的中線，標(biāo)明額葉、頂葉、顳葉、枕葉的4個(gè)腦葉；
[0062]步驟2，利用國(guó)際腦電圖學(xué)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電極放置法制成定位標(biāo)記點(diǎn)。
[0063]具體地，奇數(shù)表示左側(cè)，偶數(shù)表示右側(cè)，所述利用國(guó)際腦電圖學(xué)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電極放置法制成定位標(biāo)記點(diǎn)的步驟包括:
[0064]前后矢狀線標(biāo)記左右大腦半球:從鼻根至枕外粗隆取一連線，在此線上，由前至后依次標(biāo)出5個(gè)點(diǎn)，額極中點(diǎn)(Fpz)、額中點(diǎn)(Fz)、中央點(diǎn)(Cz)、頂點(diǎn)(Pz)、枕點(diǎn)(Oz);額極中點(diǎn)至鼻根的距離和枕點(diǎn)至枕外粗隆的距離各占此連線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)均以此連線全長(zhǎng)的20%相隔；
[0065]橫位:從左耳前點(diǎn)通過中央點(diǎn)(Cz)至右耳前做一連線，在此連線上，從左到右依次標(biāo)出左顳中(T3)、左中央(C3)、右中央(C4)、右顳中(T4) ;T3、T4點(diǎn)與耳前點(diǎn)的距離占此線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)(包括Cz點(diǎn))均以此連線全長(zhǎng)的20%相隔；
[0066]側(cè)位JJvFpz點(diǎn)向后通過T3、T4點(diǎn)至枕點(diǎn)分別取左右側(cè)連線，在左右側(cè)連線上由前至后對(duì)稱地標(biāo)出左額極(Fpl)、右額極(Fp2)、左前顳(F7)、右前顳(F8)、左后顳(T5)、右后顳(T6)、左枕(01)、右枕(02)各點(diǎn);Fpl、Fp2點(diǎn)至額極中點(diǎn)(Fpz)的距離與01、02點(diǎn)至Oz點(diǎn)的距離各占此連線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)均以此連線的20%相隔；
[0067]左額(F3)位于Fp I與C3點(diǎn)的中間，右額(F4)位于Fp2與C4點(diǎn)的中間；左頂(P3)位于C3與01點(diǎn)的中間，右頂(P4)位于C4與02點(diǎn)的中間。
[0068]刺激帽根據(jù)腦電圖電極與大腦皮質(zhì)分葉和溝回之間的解剖關(guān)系，在定位帽上標(biāo)定出雙側(cè)大腦皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)功能區(qū)的部位，因?yàn)檫\(yùn)動(dòng)區(qū)的定位是磁刺激引起靶肌動(dòng)作最基礎(chǔ)的刺激點(diǎn)。
[0069]經(jīng)顱磁刺激首先要個(gè)體化的確定閾刺激，要找準(zhǔn)運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)拇指部位，以引出拇短展肌發(fā)生運(yùn)動(dòng)的最小刺激強(qiáng)度作為閾刺激強(qiáng)度，用閾強(qiáng)度的百分比來(lái)確定刺激強(qiáng)度，所以快速找出拇指的皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)區(qū)是實(shí)施經(jīng)顱磁刺激技術(shù)的基礎(chǔ)。
[0070]臨床適應(yīng)癥中很多疾病都引起運(yùn)動(dòng)功能障礙，如腦卒中運(yùn)動(dòng)障礙、脊髓損傷、帕金森病等，大腦皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)中樞是軀體運(yùn)動(dòng)的最高級(jí)中樞，位于大腦皮質(zhì)中央前回的4區(qū)和6區(qū)，依照解剖學(xué)位置及大腦皮質(zhì)運(yùn)動(dòng)區(qū)對(duì)軀體運(yùn)動(dòng)的調(diào)節(jié)特點(diǎn)，經(jīng)顱磁刺激定位帽標(biāo)識(shí)了軀體運(yùn)動(dòng)中樞，包括頭面部、手指、軀干、四肢，一側(cè)運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)支配另一側(cè)軀體肌肉的活動(dòng)；特定的皮質(zhì)功能區(qū)域支配對(duì)側(cè)的靶肌，使用刺激帽具有幫助精細(xì)的功能區(qū)定位。
[0071]本技術(shù)在定位帽上反映出人的2個(gè)大腦半球、4個(gè)腦葉、常用腦電圖電極部位、運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)功能區(qū)以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆標(biāo)記點(diǎn)，所含信息多，便于操作、便于多次治療能夠在同一部位的重復(fù)準(zhǔn)確刺激。
[0072]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種經(jīng)煩磁刺激定位帽，其特征在于，包括:與人腦外形適配的殼體，所述殼體上對(duì)應(yīng)設(shè)有用于標(biāo)記兩個(gè)大腦半球、四個(gè)腦葉、腦電圖電極部位、運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)功能區(qū)以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的標(biāo)記部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)顱磁刺激定位帽，其特征在于，所述標(biāo)記兩個(gè)大腦半球的標(biāo)記部為區(qū)分兩側(cè)大腦半球的中線。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)顱磁刺激定位帽，其特征在于，所述四個(gè)腦葉分別為額葉、頂葉、顳葉和枕葉。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)顱磁刺激定位帽，其特征在于，所述腦電圖電極部位對(duì)應(yīng)的標(biāo)記部包括標(biāo)記左右大腦半球的前后矢狀線、從左耳前點(diǎn)通過中央點(diǎn)至右耳前的橫位線，以及側(cè)位線。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的經(jīng)顱磁刺激定位帽，其特征在于，各標(biāo)記部以絲印層的方式設(shè)置在所述殼體上。6.一種定位帽標(biāo)記方法，其特征在于，包括: 根據(jù)大腦功能區(qū)分布及大腦解剖學(xué)體表投影，在定位帽上標(biāo)出區(qū)分兩側(cè)大腦半球的中線，標(biāo)明額葉、頂葉、顳葉、枕葉的4個(gè)腦葉； 利用國(guó)際腦電圖學(xué)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電極放置法制成定位標(biāo)記點(diǎn)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位帽標(biāo)記方法，其特征在于，奇數(shù)表示左側(cè)，偶數(shù)表示右側(cè)，所述利用國(guó)際腦電圖學(xué)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)電極放置法制成定位標(biāo)記點(diǎn)的步驟包括: 前后矢狀線標(biāo)記左右大腦半球:從鼻根至枕外粗隆取一連線，在此線上，由前至后依次標(biāo)出5個(gè)點(diǎn)，額極中點(diǎn)(Fpz)、額中點(diǎn)(Fz)、中央點(diǎn)(Cz)、頂點(diǎn)(Pz)、枕點(diǎn)(Oz);額極中點(diǎn)至鼻根的距離和枕點(diǎn)至枕外粗隆的距離各占此連線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)均以此連線全長(zhǎng)的20%相隔； 橫位:從左耳前點(diǎn)通過中央點(diǎn)(Cz)至右耳前做一連線，在此連線上，從左到右依次標(biāo)出左顳中(T3)、左中央(C3)、右中央(C4)、右顳中(T4) ;T3、T4點(diǎn)與耳前點(diǎn)的距離占此線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)(包括Cz點(diǎn))均以此連線全長(zhǎng)的20%相隔； 側(cè)位JAFpz點(diǎn)向后通過Τ3、Τ4點(diǎn)至枕點(diǎn)分別取左右側(cè)連線，在左右側(cè)連線上由前至后對(duì)稱地標(biāo)出左額極(Fpl)、右額極(Fp2)、左前顳(F7)、右前顳(F8)、左后顳(T5)、右后顳(T6)、左枕(01)、右枕(02)各點(diǎn);Fpl、Fp2點(diǎn)至額極中點(diǎn)(Fpz)的距離與01、02點(diǎn)至Oz點(diǎn)的距離各占此連線全長(zhǎng)的10%，其余各點(diǎn)均以此連線的20%相隔； 左額(F3)位于Fpl與C3點(diǎn)的中間，右額(F4)位于Fp2與C4點(diǎn)的中間；左頂(P3)位于C3與01點(diǎn)的中間，右頂(P4)位于C4與02點(diǎn)的中間。
【文檔編號(hào)】A61N2/04GK105879231SQ201510010611
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2015年1月4日
【發(fā)明人】楊亦錚
【申請(qǐng)人】深圳英智科技有限公司