一種抑制飽和帶偽影方法及系統(tǒng)的制作方法【專利摘要】本發(fā)明提供一種抑制飽和帶偽影方法及系統(tǒng)，在曝光結(jié)束后，檢測平板探測器的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs，當檢測到平板探測器的柵源電壓Vgs小于預(yù)設(shè)的薄膜晶體管的閾值電壓VT時，不改變掃描方向，按照默認掃描方向進入讀出階段；當檢測到薄膜晶體管的柵源電壓Vgs大于等于薄膜晶體管的閾值電壓VT時，自動切換掃描方向，切換后的掃描方向為從過飽和區(qū)域到非飽和區(qū)域，進入讀出階段。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中臨床拍攝圖像中出現(xiàn)飽和帶偽影的問題?！緦＠f明】一種抑制飽和帶偽影方法及系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域：
[0001]本發(fā)明屬于X射線平板探測器領(lǐng)域和數(shù)字X射線系統(tǒng)領(lǐng)域，特別涉及一種抑制飽和帶偽影方法及系統(tǒng)?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]隨著醫(yī)療技術(shù)水平的發(fā)展，X射線平板探測器在臨床上的普及率提高。臨床醫(yī)生對平板探測器系統(tǒng)得到的圖像的要求也越來越嚴苛。[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，X射線平板探測器的工作原理如下:[0004]第一步:復(fù)位，掃描線施加正向脈沖將薄膜晶體管(TFT)打開，使像素電極Vs與數(shù)據(jù)線的電位相等，然后薄膜晶體管恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。[0005]第二步:曝光，當光照后，光電二極管(PD)將入射光轉(zhuǎn)換為光電荷，在光電二極管兩端電壓的電場作用下，電荷向像素電極移動，并存儲到自身的電容當中，像素電極由于負電荷的累積而降低，直到降至與公共電極同等電位。[0006]第三步:讀出，掃描線施加正向脈沖將薄膜晶體管打開，光電二極管產(chǎn)生的光電荷通過數(shù)據(jù)線流到外部電路，完成一行數(shù)據(jù)讀出，薄膜晶體管關(guān)閉。[0007]臨床上，通常病人的投照方向為縱向沿著球管軸方向，上肢端(頭部)靠近球管陰極端，下肢端靠近球管陽極端。當醫(yī)生在拍攝骨盆或腰椎正位時，在大腿與骨盆之間會形成一個U型飽和區(qū)域。如圖1所示，當平板探測器在臨床使用時，平板探測器面板一部分區(qū)域被人體部位遮擋，該遮擋區(qū)域的光電二極管感受入射光比較弱，為非飽和區(qū)域a。另一部分區(qū)域未被體位遮擋，未遮擋區(qū)域的光電二極管感受入射光很強，通常會過飽和，為過飽和區(qū)域bo[0008]圖像采集從上肢端(頭部)往下肢端方向掃描時且過飽和區(qū)域與非飽和區(qū)域共數(shù)據(jù)線，在非飽和區(qū)域(沿著腹部區(qū)域的脊柱方向)的低灰度圖像上會形成亮條，也就是飽和帶偽影0，會影響臨床診斷甚至導(dǎo)致誤診。【
發(fā)明內(nèi)容】[0009]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種抑制飽和帶偽影方法及系統(tǒng)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中臨床拍攝圖像中出現(xiàn)飽和帶偽影的問題。[0010]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種抑制飽和帶偽影方法包括以下步驟:[0011]復(fù)位階段:清除像素單元中的殘余信號；[0012]曝光階段:像素單元中的光電二極管將入射的光子轉(zhuǎn)換為光電子，電荷被存儲于所述光電二極管的電容中；[0013]掃描檢測階段:曝光結(jié)束后，檢測平板探測器的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs，當檢測到平板探測器的柵源電壓Vgs小于預(yù)設(shè)的薄膜晶體管的閾值電壓Vt時，不改變掃描方向，按照默認掃描方向進入讀出階段；當檢測到薄膜晶體管的柵源電壓Vgs大于等于薄膜晶體管的閾值電壓Vt時，自動切換掃描方向，切換后的掃描方向為從過飽和區(qū)域到非飽和區(qū)域，進入讀出階段；[0014]讀出階段:依據(jù)掃描方向?qū)⒋鎯υ谒龉怆姸O管的電容中的電荷進行讀出。[0015]優(yōu)選地，逐行檢測平板探測器的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs，并通過開關(guān)元件將存儲在所述光電二極管的電容中的電荷進行逐行讀出。[0016]優(yōu)選地，所述復(fù)位階段前，還包括判斷階段:判斷拍攝圖像是否存在U型飽和帶區(qū)域。[0017]優(yōu)選地，所述默認掃描方向為從X射線管陰極端到X射線管陽極端方向，且所述默認掃描方向與平板探測器的數(shù)據(jù)線方向平行。[0018]優(yōu)選地，所述過飽和區(qū)域與所述非飽和區(qū)域共數(shù)據(jù)線。[0019]優(yōu)選地，所述閾值電壓Vt為薄膜晶體管漏電流增大的臨界電壓。[0020]本發(fā)明還提供一種抑制飽和帶偽影系統(tǒng)包括:復(fù)位模塊，用于清除像素單元中的殘余信號；曝光模塊，用于將入射的光子轉(zhuǎn)換為光電子，將電荷存儲于光電二極管的電容中；檢測模塊，用于實時檢測平板探測器面板上的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs;掃描模塊，根據(jù)所述薄膜晶體管的柵源電壓Vgs與預(yù)設(shè)的閾值電壓Vt之間的關(guān)系來觸發(fā)掃描模塊，自動切換平板探測器的掃描方向，切換后的掃描方向為從過飽和區(qū)域往非飽和區(qū)域掃描;讀出模塊，用于將存儲在所述光電二極管的電容中的電荷依據(jù)掃描方向逐行讀出。[0021]優(yōu)選地，還包括X射線球管軸及位于所述X射線球管軸下方的平板探測器，所述平板探測器的數(shù)據(jù)線方向與X射線球管長軸方向平行。[0022]優(yōu)選地，所述過飽和區(qū)域與所述非飽和區(qū)域共數(shù)據(jù)線。[0023]優(yōu)選地，所述閾值電壓Vt為薄膜晶體管漏電流增大的臨界電壓。[0024]如上所述，本發(fā)明的抑制飽和帶偽影方法及系統(tǒng)，具有以下有益效果:[0025]1.本發(fā)明可減小和避免圖像中出現(xiàn)飽和帶偽影，從而使圖像滿足臨床要求。[0026]2.本發(fā)明可實現(xiàn)薄膜晶體管柵源電壓Vgs的實時監(jiān)控。[0027]3.本發(fā)明可獲得薄膜晶體管柵源電壓Vgs與薄膜晶體管漏電流增大的臨界電壓之間的關(guān)系。[0028]4.本發(fā)明可定位過飽和區(qū)域薄膜晶體管的坐標位置。[0029]5.本發(fā)明可自動調(diào)整掃描時序，并改變平板探測器的掃描方向讀出面板圖像?！靖綀D說明】[0030]圖1顯示為(現(xiàn)有技術(shù)中)的飽和帶偽影現(xiàn)象。[0031]圖2顯示為本發(fā)明的單個通道上電路原理示意圖。[0032]圖3顯示為本發(fā)明的薄膜晶體管的漏電流特性曲線示意圖。[0033]圖4顯示為(現(xiàn)有技術(shù)中)的探測器掃描方向示意圖。[0034]圖5顯示為本發(fā)明的X射線成像系統(tǒng)示意圖。[0035]圖6顯示為本發(fā)明的探測器內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。[0036]圖7顯示為本發(fā)明的探測器與球管的對應(yīng)關(guān)系示意圖。[0037]圖8顯示為本發(fā)明的一種抑制飽和帶偽影方法流程示意圖。[0038]圖9顯示為本發(fā)明的探測器掃描方向示意圖。[0039]元件標號說明[0040]O飽和帶偽影a非飽和區(qū)域[0041]IX射線球管b過飽和區(qū)域[0042]2X射線束光器Vg薄膜晶體管的柵極電位[0043]3X射線Vs像素電極的電位[0044]4攝影床Vd薄膜晶體管的源極電位[0045]5濾線柵Vcom公共電極的電位[0046]6平板探測器Vt閾值電壓[0047]601像素單元TFT薄膜晶體管[0048]602數(shù)據(jù)線PD光電二極管[0049]603掃描線SI?S5,步驟[0050]604公共電極S401?S403【具體實施方式】[0051]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。[0052]請參閱圖2?圖9。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。[0053]如圖2所示，由于過飽和區(qū)域b(未遮擋區(qū)域)的光電二極管在過飽和狀態(tài)下，使得像素電極的電位Vs低于Vcom電壓，像素電極的電位Vs達到-1OV甚至更低，這時柵源電壓Vgs電壓為OV甚至為正電壓(通常在薄膜晶體管關(guān)閉狀態(tài)下，薄膜晶體管截止時的柵極電壓Vge為-10V)。過飽和區(qū)域b(未遮擋區(qū)域)的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs比非飽和區(qū)域a(遮擋區(qū)域)的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs大很多。由于薄膜晶體管漏電流Ids隨著柵源電壓Vgs的增大而增大。如圖3所示，從薄膜晶體管漏電流特性曲線上可以看出，當柵源電壓Vgs(Vcs)增大到某個閾值電壓Vt時，薄膜晶體管漏電流Ids增加很大，所以過飽和區(qū)域b(未遮擋區(qū)域)容易出現(xiàn)很大的薄膜晶體管漏電流Ids。如圖4所示，當非飽和區(qū)域a和過飽和區(qū)是共數(shù)據(jù)線時，平板探測器6從非飽和區(qū)域a往過飽和區(qū)域b依次掃描讀出，數(shù)據(jù)線602(dataline)方向上一部分處于過飽和狀態(tài)，另一部分處于非飽和低灰度狀態(tài)，來自過飽和區(qū)域b的薄膜晶體管的漏電流Ids比較大，會漏到數(shù)據(jù)線602上，并沿著數(shù)據(jù)線602向相鄰像素單元601流出，干擾同數(shù)據(jù)線602上的非飽和區(qū)域a信號，使其呈現(xiàn)亮帶偽影，也就是飽和帶偽影O。飽和帶狀偽影O是由于薄膜晶體管漏電流造成的，通常是一條亮帶，寬度與其共數(shù)據(jù)線602的飽和區(qū)域的寬度相等。[0054]本發(fā)明通過實時監(jiān)控平板探測器6面板上薄膜晶體管的柵源電壓Vgs與薄膜晶體管漏電流Ids增大的臨界電壓之間的關(guān)系，定位過飽和薄膜晶體管的坐標位置，探測掃描時序，并自動改變平板探測器6的掃描方向讀出面板圖像，來減小和避免圖像中出現(xiàn)飽和帶偽影O，從而使圖像滿足臨床要求。[0055]實施例一[0056]—種抑制飽和帶偽影系統(tǒng)包括復(fù)位模塊，曝光模塊，檢測模塊，掃描模塊，讀出模塊以及抑制飽和帶偽影控制裝置。[0057]復(fù)位模塊，用于清除像素單元601中的殘余信號。[0058]曝光模塊，用于將入射的將入射的光子轉(zhuǎn)換為光電子，將電荷存儲于所述光電二極管的電容中。[0059]檢測模塊，用于實時檢測平板探測器6面板上的薄膜晶體的管柵源電壓Vgs。[0060]掃描模塊，根據(jù)薄膜晶體管的柵源電壓Vgs與預(yù)設(shè)的閾值電壓Vt之間的關(guān)系來觸發(fā)掃描模塊，自動切換平板探測器6的掃描方向，切換后的掃描方向為從過飽和區(qū)域b往非飽和區(qū)域a掃描。其中，所述過飽和區(qū)域與所述非飽和區(qū)域共數(shù)據(jù)線。所述閾值電壓Vt為薄膜晶體管漏電流增大的臨界電壓。[0061]讀出模塊，用于將存儲在所述光電二極管的電容中的電荷逐行讀出。[0062]如圖5所示，所述抑制飽和帶偽影控制裝置包括X射線球管I，位于X射線球管I下方且與X射線球管I連接的X射線束光器2，位于X射線束光器2正下方的攝影床4(table)，位于攝影床4下方的濾線柵5(grid)，位于濾線柵5下方的平板探測器6(Flatpaneldetector)。[0063]如圖6所示，所述平板探測器6包括以二維陣列形式排布的像素單元601。具體的，其內(nèi)部是一個像素矩陣MXN，這里M，N為整數(shù)。在本實施例中，所述像素單元601構(gòu)成4行4列的陣列。所述像素單元601包括開關(guān)元件和電荷存儲電容以及光電二極管PD(PhotoD1de)。在本實施例中，所述開關(guān)元件為薄膜晶體管TFT(ThinFilmTransistor)。所述光電二極管的陰極連接于所述薄膜晶體管的源極，作為像素電極;位于同一行的所述薄膜晶體管的柵極連接同一掃描線603，位于同一列的所述薄膜晶體管的漏極連接同一數(shù)據(jù)線602(dataline);各光電二極管的陽極連接公共電極604，所述公共電極604用于提供所述光電二極管電壓。[0064]具體的，X射線球管I在高壓激發(fā)后發(fā)射出X射線3光子束透過被拍攝物體后到達平板探測器6表面，平板探測器6通過里面的閃爍體層將衰減后X射線3光子轉(zhuǎn)換為特征波長的可見熒光。然后通過薄膜晶體管玻璃面板上的光電二極管矩陣將熒光轉(zhuǎn)換光電子信號，再經(jīng)電路進行信號采集并AD轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，數(shù)字信號再經(jīng)傳輸?shù)焦ぷ髡?，通過顯示屏顯示醫(yī)生需要的圖像。[0065]所述平板圖像傳感器采用的是逐行讀出。即處于同一行的所有所述薄膜晶體管TFT的柵極全部電性相連，處于同一列的所有所述薄膜晶體管的漏極電性相連。當曝光結(jié)束后，將第I行的所有像素同時打開，經(jīng)各自的數(shù)據(jù)線602讀出，關(guān)閉本行，再進行下第2行的讀出，以此類推，完成所有像素的讀出。[0066]如圖7所示，所述平板探測器6正面向上與水平面平行設(shè)置，平板探測器6的數(shù)據(jù)線602方向與X射線球管I長軸方向平行，可以避免X射線球管I的足跟效應(yīng)(Heeleffect)帶來的通道差異加劇。其中，所述X射線球管I長軸方向就是陽極端與陰極端連線的方向。足跟效應(yīng)又稱X射線陽極端效應(yīng)，是指在平行于X射線球管I長軸方向上，靠近X射線管陽極端之光子，會較近陰極端之光子強度較低，越靠近陽極X射線輻射強度下降越多的現(xiàn)象。本實施例中，臨床上投照方向為頭部靠球管陰極一端，下肢端靠近球管陽極一端。[0067]為了形成大面積的二維的圖像傳器，通常所述薄膜晶體管及所述光電二極管的有源半導(dǎo)體層都采用非晶硅材料。非晶硅材料可以大面積成膜，可以達到數(shù)十厘米或更大，同時，非晶硅材料對可見光非常靈敏。當然，本發(fā)明不僅限于非晶硅平板探測器。[0068]實施例二[0069]如圖8所示，本發(fā)明提供一種抑制飽和帶偽影方法，所述抑制飽和帶偽影方法包括以下步驟:[0070]步驟S1:判斷拍攝圖像是否存在U型飽和帶區(qū)域。[0071]具體的，醫(yī)院進行放射攝影檢查時，醫(yī)院放射科信息系統(tǒng)需要通過worklist軟件將病人要拍攝部位進行圖像拍攝并登記，登記信息通過網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)綌?shù)字攝影系統(tǒng)軟件上并通過臨床軟件APR程序(自動解剖攝影程序)判斷拍攝圖像是否存在U型飽和帶區(qū)域，是，進入步驟S2;否，采用現(xiàn)有技術(shù)中的X射線平板探測器以及驅(qū)動方法。[0072]其中，APR程序可以根據(jù)攝影部位、投照方式的不同，自動完成檢查參數(shù)設(shè)定，并自動選擇后處理方式優(yōu)化和個性化影像顯示質(zhì)量。[0073]步驟S2，復(fù)位階段:開關(guān)元件打開，清除像素單元601中的殘余信號，開關(guān)元件關(guān)閉。其中，所述開關(guān)元件為薄膜晶體管TFT。[0074]具體地，通過各掃描線603設(shè)置所述薄膜晶體管的柵極電位Vg，使各行各列的所有薄膜晶體管均處于關(guān)閉狀態(tài)。當接到準備曝光指令后，所述薄膜晶體管打開，所述像素電極中的殘余電荷被釋放掉。待復(fù)位結(jié)束后，所述薄膜晶體管的柵極電位Vg恢復(fù)至關(guān)斷時候的電位，關(guān)閉TFT準備接收曝光。在本實施例中，所述薄膜晶體管可以為N型薄膜晶體管TFT，也可以為P型薄膜晶體管。[0075]在所述復(fù)位階段，逐行打開所述開關(guān)元件，對所述像素單元601進行復(fù)位，不進行復(fù)位的像素單元601中的各開關(guān)元件的漏電流處于最低狀態(tài)。[0076]步驟S3，曝光階段:X射線3照射到像素單元601上，像素單元601中的光電二極管將入射的光子轉(zhuǎn)換為光電子，電荷被存儲于所述光電二極管的電容中，各開關(guān)元件關(guān)閉。[0077]具體的，首先將所述開關(guān)元件薄膜晶體管的柵極電位Vg升高至設(shè)定柵極電位，所述設(shè)定柵極電位高于所述公共電極的電位Vcom，此時所述開關(guān)元件仍處于關(guān)閉狀態(tài)。其中，所述設(shè)定柵極電位根據(jù)需要預(yù)先設(shè)置，并高于所述公共電極的電位Vcom。然后，將X射線3照射到所述像素單元601上，所述光電二極管將入射的光子轉(zhuǎn)換為光電子，所述光電子在電場作用下向所述像素電極移動，所述像素電極的電位Vs逐漸降低;若所述像素電極的電位Vs高于所述設(shè)定柵極電位，所述開關(guān)元件處于關(guān)閉狀態(tài)，電荷被存儲于所述光電二極管的電容中；若所述像素電極的電位Vs小于所述設(shè)定柵極電位，所述開關(guān)元件打開，所述光電子從所述開關(guān)元件漏出，直至所述像素電極的電位Vs高于所述設(shè)定柵極電位，所述開關(guān)元件關(guān)閉。[0078]步驟S4，掃描檢測階段:曝光結(jié)束后，檢測平板探測器6的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs，當檢測到平板探測器6的柵源電壓Vgs小于預(yù)設(shè)的薄膜晶體管的閾值電壓Vt時，不改變掃描方向，按照默認掃描方向進入讀出階段;當檢測到薄膜晶體管的柵源電壓Vgs大于等于薄膜晶體管的閾值電壓Vt時，自動切換掃描方向，所述掃描方向為從過飽和區(qū)域b到非飽和區(qū)域a，進入讀出階段。[0079]具體的，平板探測器6掃描讀出電荷時，從靠X射線球管I陰極端一側(cè)開始直接掃描，且過飽和區(qū)域b與非飽和區(qū)域a共數(shù)據(jù)線602。本發(fā)明在曝光結(jié)束后，讀出階段前，進入步驟S401，逐行檢測平板探測器6的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs，判斷平板探測器6的柵源電壓Vgs是否大于等于預(yù)設(shè)的薄膜晶體管的閾值電壓VT。當檢測到平板探測器6的每行柵源電壓Vgs均小于預(yù)設(shè)的薄膜晶體管的閾值電壓Vt時，進入步驟S402，不改變默認掃描方向，按照默認程序從靠X射線球管I陰極端一側(cè)開始直接掃描，進入讀出階段。當檢測到有第η行的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs大于等于薄膜晶體管的閾值電壓Vt時，進入步驟S403，自動切換掃描方向，從第η行開始所述掃描方向為從過飽和區(qū)域b到非飽和區(qū)域a，進入讀出階段。其中，第η行前采取默認的掃描方向。如圖9所示，平板探測器6內(nèi)部自動切換掃描方向，使探測器從過飽和區(qū)域b往非飽和區(qū)域a依次掃描讀出，從而抑制飽和帶偽影O出現(xiàn)。本發(fā)明從存在柵源電壓Vgs大于等于薄膜晶體管的閾值電壓Vt的區(qū)域開始掃描直到整個探測器面板都掃描讀出為止，這樣就避免了過飽和區(qū)域b上薄膜晶體管的漏電流帶來的飽和帶偽影O。[0080]其中，本實施例根據(jù)薄膜晶體管的漏電流特性曲線，精準的設(shè)定不同的閾值電壓Vt，保證薄膜晶體管的漏電流在圖像讀出時達到最低的狀態(tài)，將圖像飽和帶偽影O降到最低。[0081]步驟S5，讀出階段:關(guān)閉各開關(guān)元件，逐行打開所述開關(guān)元件，依據(jù)掃描方向?qū)⒋鎯υ谒龉怆姸O管的電容中的電荷進行讀出。[0082]具體地，所述開關(guān)元件為薄膜晶體管，待曝光結(jié)束后，通過掃描線603將所述薄膜晶體管的柵極電位Vg降低，此時，各薄膜晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。然后逐行升高所述薄膜晶體管的柵極電位Vg使各薄膜晶體管處于打開狀態(tài)。存儲于所述光電二極管電容中的電荷通過數(shù)據(jù)線602被輸出并讀取，所述像素電極的電位Vs逐漸升高，直至與參考電壓一致，本實施例中，參考電壓為OV時，讀取結(jié)束。進行讀出的所述像素單元601中的薄膜晶體管處于開啟狀態(tài);不進行讀出的所述像素單元601中的薄膜晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)，且各薄膜晶體管的漏電流處于最低狀態(tài)，因此，讀出一行像素信號的時候，通過調(diào)節(jié)柵極電壓使其他行的薄膜晶體管的漏電流處于最低狀態(tài)，對當前讀出的像素信號的串擾大大減小。在所述讀出階段，不進行讀出的像素單元601中的各開關(guān)元件的漏電流處于最低狀態(tài)。[0083]本實施例中，平板探測器6可以逐行檢測平板探測器6的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs后，根據(jù)每一行的檢測結(jié)果，實時調(diào)整掃描方向并直接掃描讀出；也可以逐行檢測全部平板探測器6的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs后，根據(jù)全部檢測結(jié)果，調(diào)整掃描方向并從重新掃描讀出。[0084]綜上所述，本發(fā)明的抑制飽和帶偽影方法及系統(tǒng)，具有以下有益效果:[0085]1.本發(fā)明可減小和避免圖像中出現(xiàn)飽和帶偽影，從而使圖像滿足臨床要求。[0086]2.本發(fā)明可實現(xiàn)薄膜晶體管柵源電壓Vgs的實時監(jiān)控。[0087]3.本發(fā)明可獲得薄膜晶體管柵源電壓Vgs與薄膜晶體管漏電流增大的臨界電壓之間的關(guān)系。[0088]4.本發(fā)明可定位過飽和區(qū)域薄膜晶體管的坐標位置。[0089]5.本發(fā)明可自動調(diào)整掃描時序，并改變平板探測器的掃描方向讀出面板圖像。[0090]所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。[0091]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。【主權(quán)項】1.一種抑制飽和帶偽影方法，其特征在于，所述抑制飽和帶偽影方法包括以下步驟:復(fù)位階段:清除像素單元中的殘余信號；曝光階段:所述像素單元中的光電二極管將入射的光子轉(zhuǎn)換為光電子，電荷被存儲于所述光電二極管的電容中；掃描檢測階段:曝光結(jié)束后，檢測平板探測器的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs，當檢測到所述薄膜晶體管的柵源電壓Vgs小于預(yù)設(shè)的薄膜晶體管的閾值電壓Vt時，不改變掃描方向，按照默認掃描方向進入讀出階段；當檢測到所述薄膜晶體管的柵源電壓Vgs大于等于薄膜晶體管的閾值電壓Vt時，自動切換掃描方向，切換后的掃描方向為從過飽和區(qū)域到非飽和區(qū)域，進入讀出階段；讀出階段:依據(jù)掃描方向?qū)⒋鎯υ谒龉怆姸O管的電容中的電荷進行讀出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制飽和帶偽影方法，其特征在于:所述掃描檢測階段，逐行檢測所述平板探測器的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs，并通過開關(guān)元件將存儲在所述光電二極管的電容中的電荷進行逐行讀出。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制飽和帶偽影方法，其特征在于:所述復(fù)位階段前，還包括判斷階段:判斷拍攝圖像是否存在U型飽和帶區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制飽和帶偽影方法，其特征在于:所述默認掃描方向為從X射線管陰極端到X射線管陽極端方向，且所述默認掃描方向與平板探測器的數(shù)據(jù)線方向平行。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制飽和帶偽影方法，其特征在于:所述過飽和區(qū)域與所述非飽和區(qū)域共數(shù)據(jù)線。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制飽和帶偽影方法，其特征在于:所述閾值電壓Vt為薄膜晶體管漏電流增大的臨界電壓。7.一種抑制飽和帶偽影系統(tǒng)，其特征在于，所述抑制飽和帶偽影系統(tǒng)包括:復(fù)位模塊，用于清除像素單元中的殘余信號；曝光模塊，用于將入射的光子轉(zhuǎn)換為光電子，將電荷存儲于光電二極管的電容中；檢測模塊，用于實時檢測平板探測器面板上的薄膜晶體管的柵源電壓Vgs;掃描模塊，根據(jù)所述薄膜晶體管的柵源電壓Vgs與預(yù)設(shè)的閾值電壓Vt之間的關(guān)系來觸發(fā)掃描模塊，自動切換平板探測器的掃描方向，切換后的掃描方向為從過飽和區(qū)域往非飽和區(qū)域掃描；讀出模塊，用于將存儲在所述光電二極管的電容中的電荷依據(jù)掃描方向逐行讀出。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抑制飽和帶偽影系統(tǒng)，其特征在于:還包括X射線球管軸及位于所述X射線球管軸下方的平板探測器，所述平板探測器的數(shù)據(jù)線方向與X射線球管長軸方向平行。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抑制飽和帶偽影系統(tǒng)，其特征在于:所述過飽和區(qū)域與所述非飽和區(qū)域共數(shù)據(jù)線。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抑制飽和帶偽影系統(tǒng)，其特征在于:所述閾值電壓Vt為薄膜晶體管漏電流增大的臨界電壓?！疚臋n編號】A61B6/00GK105962961SQ201610293367【公開日】2016年9月28日【申請日】2016年5月5日【發(fā)明人】黃細平,金利波【申請人】上海奕瑞光電子科技有限公司