一種鉑納米線修飾的微電極陣列及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種鉑納米線修飾的微電極陣列，所述微電極陣列的電極表面設(shè)置有鉑納米線修飾層。該微電極陣列以鉑納米線為表面修飾層，修飾層與微電極基底的結(jié)合力強(qiáng)，不容易脫落導(dǎo)致電極失效，并且修飾后的微電極表面積極大地增加，其電化學(xué)阻抗明顯降低，電極電荷注入容量和電荷存儲能力大大增加，這有利于降低植入的系統(tǒng)功耗，改善電刺激效果，同時(shí)修飾層具有良好的生物相容性，使其在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用大大增加。本發(fā)明還提供了一種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法。
【專利說明】
一種鉑納米線修飾的微電極陣列及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及微電極表面修飾技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種鈾納米線修飾的微電極陣列及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]神經(jīng)刺激/記錄電極作為最重要的植入式微器件之一，用以刺激神經(jīng)組織或者記錄神經(jīng)電信號(心電、腦電、皮層電信號等等)，廣泛用在腦機(jī)接口、神經(jīng)生理、腦科學(xué)研究等生命科學(xué)領(lǐng)域，是非常重要的研究和診療工具。
[0003]為了減小植入創(chuàng)傷，同時(shí)給臨床提供更多的刺激模式以及提高電刺激或記錄的分辨率，神經(jīng)刺激電極/記錄正在朝著微型化以及陣列化方向發(fā)展一一微電極陣列。然而，電極尺寸減小隨著則帶來電極阻抗增加的問題，并最終影響電極的刺激效率。目前，在不增加電極的幾何尺寸的情況下，主要是通過表面修飾的方式增加電極的實(shí)際表面積，并改善電極的電化學(xué)性能。
[0004]具體地，目前微電極陣列表面修飾的方法大致有以下幾種:1、在電極表面修飾一層鉑黑(Anal.Chem.1987,59,217-218)，這種方式能使電極的電化學(xué)阻抗減小至少一個(gè)數(shù)量級，但其機(jī)械穩(wěn)定性非常差，同時(shí)其修飾層中含有鉛等有毒物質(zhì)，使其不適用于生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用；2、在電極表面修飾一層鉑灰(US Patent 6974533，2005)，這種涂層具有很好的機(jī)械穩(wěn)定性且無毒，但其表面粗糙度不夠大，使其在超高分辨率電極的表面修飾受到一定的限制；3、經(jīng)氧化銥(Eng.Med.B1l.So c.2004，41 5 3-41 56 )或者導(dǎo)電聚合物(J.B1med.Mater.Res.2001,56,261-272)修飾的微電極具有極好的電化學(xué)性能(如高的電荷注入能力)，但這些材料的粘附力較差，在刺激過程中，很容易從電極表面脫落下來。
[0005]另外，值得提出的是，以上方法均是采用電化學(xué)的修飾方法，修飾時(shí)需要用到相應(yīng)的電化學(xué)設(shè)備，同時(shí)這種方法對環(huán)境要求較高，也相對耗時(shí)、花費(fèi)昂貴。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于此，本發(fā)明旨在提供一種以鉑納米線為表面修飾層的微電極陣列，該修飾層與微電極基底的結(jié)合力好，微電極表面積大，表面粗糙度大，且綠色無毒。
[0007]具體地，本發(fā)明第一方面提供了一種鉑納米線修飾的微電極陣列，所述微電極陣列的電極表面設(shè)置有鉑納米線修飾層。
[0008]本發(fā)明中，所述鈾納米線修飾層的厚度為10nm?2μηι。不同的厚度會使微電極具有不同大小的表面積ο鈾納米線直徑在2nm?I Onm范圍。
[0009]本發(fā)明中，所述鉑納米線修飾層具有三維納米多孔結(jié)構(gòu)。由于微電極表面具有大量的鉑納米線，從而鉑納米線與微電極表面構(gòu)成三維納米多孔結(jié)構(gòu)，三維納米多孔結(jié)構(gòu)可極大地增大微電極的表面積。
[0010]本發(fā)明中，所述鉑納米線修飾層通過電沉積的方式設(shè)置。通過化學(xué)沉積方式設(shè)置在電極表面的修飾層與電極表面的結(jié)合力強(qiáng)，不易脫落。
[0011]本發(fā)明第一方面提供的鉑納米線修飾的微電極陣列，以鉑納米線為表面修飾層，該修飾層與微電極基底的結(jié)合力強(qiáng)，不容易脫落導(dǎo)致電極失效，并且修飾后的微電極表面積極大地增加，其電化學(xué)阻抗明顯降低，電極電荷注入容量和電荷存儲能力大大增加，這有利于降低植入的系統(tǒng)功耗，改善電刺激效果，同時(shí)該修飾層具有良好的生物相容性，使其在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用大大增加。
[0012]第二方面，本發(fā)明提供了一種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0013](I)提供鉑鹽溶液，在所述鉑鹽溶液中加入適量的弱還原劑，混合混勻，得到化學(xué)沉積溶液；
[0014](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存12-48小時(shí)，通過化學(xué)沉積的方式在微電極表面沉積大量的鉑納米線；
[0015](3)將沉積有鉑納米線的微電極置于水中超聲1min?50min，除去粘附力較差的鉑納米線，得到鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0016]本發(fā)明中，所述鉑鹽溶液為硝酸鉑、氯化鉑、氯鉑酸、六氯鉑酸銨、氯鉑酸鈉、六氯鉑酸鉀和氯亞鉑酸鉀中的一種或多種。
[0017]本發(fā)明中，加入的弱還原劑可與鉑鹽發(fā)生反應(yīng)，將鉑離子還原成鉑單質(zhì)，由于還原性很弱，導(dǎo)致反應(yīng)速率很慢，從而生長出大量細(xì)長的鉑納米線并在基質(zhì)表面形成更為多孔的結(jié)構(gòu)。所述弱還原劑為甲酸、鹽酸羥胺、檸檬酸、檸檬酸鹽、抗壞血酸、抗壞血酸鹽、對苯二酚、鄰苯三酚及I，2，4苯三酚中的一種或多種。
[0018]所述化學(xué)沉積溶液中，鉑鹽的濃度為ImmoI/L?20mmoI/L，弱還原劑的濃度為lmmol/L?20mmol/Lo
[0019]本發(fā)明中，步驟(2)的化學(xué)沉積過程可在避光條件下進(jìn)行。
[0020]本發(fā)明中，超聲過程的功率為600W，頻率為40KHz。
[0021 ] 本發(fā)明中，所述鈾納米線修飾層的厚度為10nm?2μηι，鈾納米線直徑在2nm?1nm范圍。
[0022]本發(fā)明中，所述鉑納米線修飾層具有三維納米多孔結(jié)構(gòu)。
[0023]本發(fā)明中，待修飾的微電極可以是平面微電極、針式微電極等。
[0024]本發(fā)明第二方面提供的鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，該方法是以化學(xué)沉積的方式在微電極表面沉積制備鉑納米線修飾層，該方法溶液配制簡單，且無其他有毒物質(zhì)(如鉛等添加劑)，條件溫和、簡單易行，能夠快速在微電極陣列表面修飾三維的鉑納米線層，且修飾層與微電極基底的結(jié)合力強(qiáng)，能快速的增加微電極的表面粗糙度，極大地增加微電極表面積，使其具有非常優(yōu)越的電化學(xué)性能，因而大大地拓展了微電極陣列在神經(jīng)刺激領(lǐng)域的應(yīng)用。
[0025]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)將會在下面的說明書中部分闡明，一部分根據(jù)說明書是顯而易見的，或者可以通過本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施而獲知。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1制備的鉑納米線修飾層(放大10000倍)的掃描電子顯微鏡(SEM)圖;
[0027]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1制備的鉑納米線修飾層(放大15000倍)的掃描電子顯微鏡(SEM)圖;
[0028]圖3為本發(fā)明實(shí)施例1制備的鉑納米線修飾層(放大20000倍)的掃描電子顯微鏡(SEM)圖;
[0029]圖4為本發(fā)明實(shí)施例1制備的鉑納米線修飾的微電極陣列與未修飾的微電極的循環(huán)伏安(CV)對比圖；
[0030]圖5為本發(fā)明實(shí)施例1制備的鉑納米線修飾的微電極陣列與未修飾的微電極的電化學(xué)阻抗(EIS)對比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]以下所述是本發(fā)明實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明實(shí)施例原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)范圍。
[0032]實(shí)施例1
[0033]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0034](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、Immol的氯化鈾(PtCl 4)和6mmo I甲酸(HCOOH)，輕輕搖晃混勻，形成化學(xué)沉積溶液；
[0035](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存36小時(shí)后，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲30min，除去與電極基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0036]圖1，圖2以及圖3為本實(shí)施例鉑納米線修飾層在不同放大倍率下的掃描電子顯微鏡(SEM)圖。從圖1可以看出，所得的鉑納米線修飾層形貌均一，表面沒有其他雜質(zhì);從圖2可以看出，所得的鉑納米線修飾層表面極為的粗糙多孔，表面積很大;從圖3可以看出，所得的鈾納米線形貌均一，直徑約為8nm。圖4為本實(shí)施例鈾納米線修飾的微電極陣列與未修飾的微電極的循環(huán)伏安(CV)對比圖，圖中，曲線I為未修飾的微電極的循環(huán)伏安曲線，曲線2為本實(shí)施例鉑納米線修飾的微電極陣列的循環(huán)伏安曲線，從圖4中可以看出，相比未修飾的微電極，鉑納米線修飾層的CV面積更大，表明其具有更為優(yōu)越的電荷存儲能力。圖5為本實(shí)施例鉑納米線修飾的微電極陣列與未修飾的微電極的電化學(xué)阻抗(EIS)對比圖，圖中，曲線I為未修飾的微電極的電化學(xué)阻抗曲線，曲線2為本實(shí)施例鉑納米線修飾的微電極陣列的電化學(xué)阻抗曲線，從圖5中可以看出，相比未修飾的微電極，鉑納米線修飾層具有更低的電化學(xué)阻抗，其在IKHz時(shí)的電化學(xué)阻抗能低至IkQ。
[0037]實(shí)施例2
[0038]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0039](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、2mmol的硝酸鉑(Pt(NO3)4)和8mmol甲酸(HCOOH)，輕輕搖晃混勻，形成化學(xué)沉積溶液；
[0040](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中避光保存36小時(shí)后，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲50min，除去與電極基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0041 ] 實(shí)施例3
[0042]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0043](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、5mmol的六氯鉑酸銨((NH4)2PtCl6)和1mmol檸檬酸鈉(Na3C6H5O7)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0044](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存36小時(shí)后，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲lOmin，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0045]實(shí)施例4
[0046]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0047](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、14mmol的氯鈾酸(H2PtCl6)和Immol甲酸(HCOOH)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0048](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存12小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲20min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0049]實(shí)施例5
[0050]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0051 ] (I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、1mmol的氯鈾酸鈉(Na2PtCl6)和5mmol梓檬酸(C6H8O7)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0052](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存24小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲30min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0053]實(shí)施例6
[0054]一種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0055](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、8mmol的氯鉑酸(H2PtCl6)和8mmol鹽酸羥胺(NH2OH.HCl)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0056](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存36小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲30min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0057]實(shí)施例7
[0058]一種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0059](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、20mmol的氯亞酸鉀(K2PtCl4)和20mmol甲酸(HCOOH)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0060](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存36小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲30min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0061 ] 實(shí)施例8
[0062]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0063](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、Immol的氯亞酸鉀(K2PtCl4)和Immol抗壞血酸(C6H8O6)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0064](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存36小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲30min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0065]實(shí)施例9
[0066]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0067](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、15mmol的氯鈾酸鉀(K2PtCl6)和Immol梓檬酸(C6H8O7)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0068](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存36小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲30min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0069]實(shí)施例10
[0070]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0071](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、20mmol的氯鉑酸(H2PtCl6)和15mmol甲酸(HCOOH)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0072](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存36小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲30min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0073]實(shí)施例11
[0074]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0075](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、20mmol的氯鉬酸(H2PtCl6)和20mmol抗壞血酸(C6H8O6)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0076](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存36小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲30min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0077]實(shí)施例12
[0078]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0079](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、1mmol的氯鉑酸鉀(K2PtCl6)和5mmol甲酸(HCOOH)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0080](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存24小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲30min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0081 ] 實(shí)施例13
[0082]—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，包括以下步驟:
[0083](I)在室溫環(huán)境下，在容器中加入IL水、20mmol的氯亞酸鉀(K2PtCl4)和1mmol檸檬酸(C6H8O7)，輕輕搖晃混勻，化學(xué)沉積溶液；
[0084](2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存36小時(shí)，將微電極置于水中，在功率為600W，頻率為40KHz的條件下，超聲50min，除去與基底粘附力較差的鉑納米線，微電極表面則形成一層生物相容性好、表面積大以及結(jié)合力好的鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。
[0085]采用與實(shí)施例1中相同的測試方法對上述實(shí)施例2-13制備獲得的鉑納米線修飾的微電極陣列進(jìn)行測試，測試結(jié)果表明所制得的鉑納米線修飾層與微電極基底的結(jié)合力較好，電化學(xué)阻抗低，電荷注入及存儲能力大、生物相容性好，在神經(jīng)刺激領(lǐng)域具有很好的發(fā)展?jié)摿Α?br>[0086]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種鉑納米線修飾的微電極陣列，其特征在于，所述微電極陣列的電極表面設(shè)置有鈾納米線修飾層。2.如權(quán)利要求1所述的鈾納米線修飾的微電極陣列，其特征在于，所述鈾納米線修飾層的厚度為I OOnm?2μηι，鈾納米線的直徑在2nm?I Onm范圍。3.如權(quán)利要求1所述的鈾納米線修飾的微電極陣列，其特征在于，所述鈾納米線修飾層具有三維納米多孔結(jié)構(gòu)。4.如權(quán)利要求1所述的鈾納米線修飾的微電極陣列，其特征在于，所述鈾納米線修飾層通過化學(xué)沉積的方式設(shè)置。5.—種鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)提供鉑鹽溶液，在所述鉑鹽溶液中加入適量的弱還原劑，混合混勻，得到化學(xué)沉積溶液； (2)將待修飾的微電極置于上述化學(xué)沉積溶液中，在室溫環(huán)境中保存12-48小時(shí)，通過化學(xué)沉積的方式在微電極表面沉積大量的鉑納米線； (3)將沉積有鉑納米線的微電極置于水中超聲1min?50min，除去粘附力較差的鉑納米線，得到鉑納米線修飾層，即得到鉑納米線修飾的微電極陣列。6.如權(quán)利要求5所述的鈾納米線修飾的微電極陣列的制備方法，其特征在于，所述鈾鹽溶液為硝酸鉑、氯化鉑、氯鉑酸、六氯鉑酸銨、氯鉑酸鈉、六氯鉑酸鉀和氯亞鉑酸鉀中的一種或多種。7.如權(quán)利要求5所述的鉑納米線修飾的微電極陣列的制備方法，其特征在于，所述弱還原劑為甲酸、鹽酸羥胺、檸檬酸、檸檬酸鹽、抗壞血酸、抗壞血酸鹽、對苯二酚、鄰苯三酚及I，2，4苯三酚中的一種或多種。8.如權(quán)利要求5所述的鈾納米線修飾的微電極陣列的制備方法，其特征在于，所述化學(xué)沉積溶液中，所述鈾鹽的濃度為11111]101/1^?201111]101凡，所述弱還原劑的濃度為11111]101/1^?20mmol/L。9.如權(quán)利要求5所述的鈾納米線修飾的微電極陣列的制備方法，其特征在于，所述鈾納米線修飾層的厚度為10nm?2μηι，鈾納米線的直徑在2nm?1nm范圍。10.如權(quán)利要求5所述的鈾納米線修飾的微電極陣列的制備方法，其特征在于，所述鈾納米線修飾層具有三維納米多孔結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】A61N1/05GK106037719SQ201610486521
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月28日
【發(fā)明人】夏凱, 吳天準(zhǔn), 孫濱, 曾齊
【申請人】中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院