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一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片的制作方法

文檔序號:8655900閱讀:607來源:國知局
一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于醫(yī)療器械領(lǐng)域,尤其涉及一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片。
技術(shù)背景
[0002]無張力疝修補(bǔ)術(shù)是臨床治療疝病的主流術(shù)式,使用疝修補(bǔ)材料以聚丙烯材料為主,具有良好的抗張力和抗折疊性能。聚丙烯疝修補(bǔ)補(bǔ)片存在以下問題:聚丙烯材料親水性較差、柔韌性差,醫(yī)師用腹腔鏡手術(shù)操作不便。材料表面比較粗超,高疏水性,腸管直接接觸會發(fā)生較嚴(yán)重的腸粘連,甚至導(dǎo)致腸瘺,一旦發(fā)生上述問題,需要將補(bǔ)片取出,手術(shù)較繁瑣。
[0003]近年來,納米技術(shù)已被廣泛應(yīng)用在醫(yī)療、食品、影像等科學(xué)技術(shù)中。納米顆粒極其微小,比表面積較大,使其具有良好的表面效應(yīng)和量子尺寸。據(jù)研宄表明,納米二氧化鈦可與基體形成牢固的界面結(jié)合,可改善基體表面柔韌性差的缺點(diǎn),納米二氧化鈦具有良好的生物相容性,還具有超潤濕性能,優(yōu)異的血液相容性,和耐磨損耐腐蝕性,可作為植入人體的材料。本實(shí)用新型專利中將納米鈦負(fù)載在網(wǎng)片上,基于納米鈦具有良好親水性,解決網(wǎng)片片表面粗糙、低親水性、柔韌性差的缺點(diǎn),獲得良好的生物活性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的是在于針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題,提供了一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,解決現(xiàn)有補(bǔ)片表面粗糙、低親水性、柔韌性差的不足。
[0005]本實(shí)用新型主要是通過下述技術(shù)方案進(jìn)行解決的:
[0006]一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,包括網(wǎng)片基層和設(shè)置在網(wǎng)片基層上納米二氧化鈦層O
[0007]如上所述的網(wǎng)片基層為聚丙烯、聚乙烯、聚酯、聚四氟乙烯、聚乙交酯、聚乙丙交酯、聚羥基乙酸、聚乳酸羥基乙酸的一種或幾種。
[0008]如上所述的網(wǎng)片基層上納米二氧化鈦層的負(fù)載量為0.1-3.0mg/cm2。
[0009]如上所述的納米二氧化鈦層中的二氧化鈦的粒徑為5-60nm。
[0010]如上所述的網(wǎng)片基層的孔徑為0.5-2.0mm,網(wǎng)片基層的厚度為0.1-2.0mm。
[0011]如上所述的網(wǎng)片基層的頂破強(qiáng)力彡200N,網(wǎng)片基層的斷裂強(qiáng)度彡30N/cm。
[0012]如上所述的網(wǎng)片基層為方形或者圓形或者盾形。
[0013]如上所述的方形的網(wǎng)片基層的長為I?40cm,方形的網(wǎng)片基層的寬為I?40cm。
[0014]如上所述的圓形的網(wǎng)片基層的直徑為I?40cm。
[0015]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果:
[0016](I)工藝簡單,操作可行。補(bǔ)片采用成熟的編織工藝,后將鈦涂層負(fù)載在網(wǎng)片上。
[0017](2)選用的材料納米二氧化鈦是生物安全性材料,具有較高的生物活性。
[0018](3)產(chǎn)品表面光滑、親水性良好、柔韌性良好,利于臨床醫(yī)師進(jìn)行疝修補(bǔ)手術(shù)。
【附圖說明】
[0019]圖1本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖中,1-網(wǎng)片基層;2-納米二氧化鈦層。
【具體實(shí)施方式】
[0021]下面通過實(shí)施例,并結(jié)合附圖,對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說明。
[0022]實(shí)施例1
[0023]一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,包括網(wǎng)片基層和設(shè)置在網(wǎng)片基層上納米二氧化鈦層O
[0024]網(wǎng)片基層為聚丙烯、聚乙烯、聚酯、聚四氟乙烯、聚乙交酯、聚乙丙交酯、聚羥基乙酸、聚乳酸羥基乙酸的一種或幾種。
[0025]網(wǎng)片基層上納米二氧化鈦層的負(fù)載量為0.1-3.0mg/cm2。
[0026]納米二氧化鈦層中的二氧化鈦的粒徑為5_60nm。
[0027]網(wǎng)片基層的孔徑為0.5-2.0mm,網(wǎng)片基層的厚度為0.1-2.0mm。
[0028]網(wǎng)片基層的頂破強(qiáng)力彡200N,網(wǎng)片基層的斷裂強(qiáng)度彡30N/cm。
[0029]網(wǎng)片基層為方形或者圓形或者盾形。
[0030]方形的網(wǎng)片基層的長為I?40cm,方形的網(wǎng)片基層的寬為I?40cm。
[0031]圓形的網(wǎng)片基層的直徑為I?40cm。
[0032]一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片的制備方法:
[0033]步驟1、將網(wǎng)片基層浸入乙醇溶液中,通過超聲震蕩的方法對網(wǎng)片基層進(jìn)行預(yù)處理;
[0034]步驟2、將l-5g納米二氧化鈦和0.2-2g分散劑多聚磷酸鈉懸浮于100-500ml水中,通過超聲震蕩30-100min的方法制備納米二氧化鈦乳液。
[0035]步驟3、將預(yù)處理好的網(wǎng)片基層,浸泡納米二氧化鈦乳液中,然后利用壓軋裝置進(jìn)行壓軋,軋車車速為8-20轉(zhuǎn)/分鐘,乳輥壓力為0.1-0.4MPa,經(jīng)過1_5次浸漬和壓軋后納米二氧化鈦乳液負(fù)載在網(wǎng)片基層上,后在烘焙機(jī)中60-80°C烘焙10-60min,后純化水洗滌2次并烘干。
[0036]本文中所描述的具體實(shí)施例僅僅是對本實(shí)用新型精神作舉例說明。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實(shí)施例做修改或補(bǔ)充,或采用類似的方式替代,但并不會偏離本實(shí)用新型的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,其特征在于,包括網(wǎng)片基層和設(shè)置在網(wǎng)片基層上納米二氧化鈦層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,其特征在于,所述的網(wǎng)片基層為聚丙烯、聚乙烯、聚酯、聚四氟乙烯、聚乙交酯、聚乙丙交酯、聚羥基乙酸、聚乳酸羥基乙酸的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,其特征在于,所述的網(wǎng)片基層上納米二氧化鈦層的負(fù)載量為0.1-3.0mg/cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含納米鈦的沛修補(bǔ)補(bǔ)片,其特征在于,所述的納米二氧化鈦層中的二氧化鈦的粒徑為5-60nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,其特征在于,所述的網(wǎng)片基層的孔徑為0.5-2.0mm,網(wǎng)片基層的厚度為0.1-2.0mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,其特征在于,所述的網(wǎng)片基層的頂破強(qiáng)力彡200N,網(wǎng)片基層的斷裂強(qiáng)度彡30N/cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4或5或6所述的一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,其特征在于,所述的網(wǎng)片基層為方形或者圓形或者盾形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,其特征在于,所述的方形的網(wǎng)片基層的長為I?40cm,方形的網(wǎng)片基層的寬為I?40cm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,其特征在于,所述的圓形的網(wǎng)片基層的直徑為I?40cm。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種含納米鈦的疝修補(bǔ)補(bǔ)片,包括網(wǎng)片基層和設(shè)置在網(wǎng)片基層上納米二氧化鈦層。網(wǎng)片基層為聚丙烯、聚乙烯、聚酯、聚四氟乙烯、聚乙交酯、聚乙丙交酯、聚羥基乙酸、聚乳酸羥基乙酸的一種或幾種。網(wǎng)片基層上納米二氧化鈦層的負(fù)載量為0.1-3.0mg/cm2。納米二氧化鈦層中的二氧化鈦的粒徑為5-60nm。網(wǎng)片基層的孔徑為0.5-2.0mm。網(wǎng)片基層厚度為片0.1-2.0mm?;鶎訛榉叫位蛘邎A形或者盾形。本實(shí)用新型采用成熟的編織工藝,后將鈦涂層負(fù)載在網(wǎng)片上;選用的材料納米二氧化鈦是生物安全性材料,具有較高的生物活性;產(chǎn)品表面光滑、親水性良好、柔韌性良好,利于臨床醫(yī)師進(jìn)行疝修補(bǔ)手術(shù)。
【IPC分類】A61L27-16, A61L27-02, A61F2-02, A61L27-18
【公開號】CN204364173
【申請?zhí)枴緾N201420859353
【發(fā)明人】沈喬, 李輝
【申請人】武漢藍(lán)普醫(yī)品有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2014年12月30日
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