人工耳蝸微彎電極的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及人工器官植入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種人工耳蝸微彎電極。
【背景技術(shù)】
[0002]人工耳蝸是利用聲電換能裝置取代聾人耳蝸內(nèi)喪失功能的毛細(xì)胞，直接刺激聽覺神經(jīng)使聾人產(chǎn)生聽覺。人工耳蝸包括體外裝置(主要包括言語處理器)和體內(nèi)植入裝置兩部分，體外裝置和體內(nèi)植入裝置之間的信號(hào)傳輸通過電磁感應(yīng)完成，二者之間為皮膚相隔，沒有導(dǎo)線連接。在整個(gè)人工耳蝸系統(tǒng)中，體內(nèi)植入裝置是最關(guān)鍵的部分，體外裝置只有通過它才能實(shí)現(xiàn)聽覺的恢復(fù)，電極陣列是體內(nèi)植入裝置最為重要的一個(gè)組成部分。
[0003]目前，人工耳蝸植入裝置電極陣聯(lián)主要有兩種結(jié)構(gòu)形式，一種是直電極陣聯(lián)，另一種是預(yù)彎(也叫全彎)電極陣聯(lián)，由于植入體的結(jié)構(gòu)不同，因此功能方面也各有差異。對(duì)于正常的耳蝸結(jié)構(gòu)，直電極陣聯(lián)與耳蝸的螺旋形狀不能較好的吻合，并且由于電極自身的彈性，整個(gè)電極陣聯(lián)偏向耳蝸外圍，造成刺激電流擴(kuò)散，功耗大，影響刺激效果。直電極陣聯(lián)通常采用環(huán)電極，使得電極陣聯(lián)表面不光滑，植入插入時(shí)與耳蝸外側(cè)壁摩擦阻力大，容易擠壓耳蝸組織，對(duì)耳蝸造成損傷。而預(yù)彎電極陣聯(lián)原始狀態(tài)是螺旋狀，它更接近耳蝸的螺旋神經(jīng)節(jié)細(xì)胞，刺激更集中，能提高語言的分辨能力，而且功耗小，但是它不能方便手術(shù)時(shí)直接插入耳蝸內(nèi)。
[0004]目前，有利用輔助器械幫助手術(shù)時(shí)進(jìn)行電極插入的，也有在電極陣聯(lián)中預(yù)埋支撐內(nèi)芯，手術(shù)時(shí)邊插入邊抽出支撐內(nèi)芯的方法，這種邊插邊抽出的方法需要專門培訓(xùn)和訓(xùn)練，操作難度大，一旦操作失誤，不能重復(fù)插入，需要更換整個(gè)植入體，風(fēng)險(xiǎn)大。采用在電極陣聯(lián)中預(yù)埋支撐內(nèi)芯，它在電極陣聯(lián)封裝體的背向硅膠體內(nèi)設(shè)置一個(gè)與電極陣聯(lián)一樣長的圓柱孔，通過向圓柱孔內(nèi)插設(shè)支撐鋼芯達(dá)到使預(yù)彎電極陣聯(lián)順直的目的。由于支撐鋼芯要插入的圓柱孔比較長，又非常細(xì)，而且大部分操作過程都處于目視效果不是很好的狀態(tài)，使得插入過程比較困難，支撐鋼芯容易折彎導(dǎo)致插入失敗，也容易刺破電極陣聯(lián)的封裝體硅膠，破壞各電極之間的絕緣涂層而影響使用效果，使用起來很不方便。
[0005]因此，需要一種易于插入耳蝸內(nèi)，且插入后使用效果好的人工耳蝸電極陣聯(lián)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種人工耳蝸微彎電極，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中人工耳蝸電極不易插入使用的問題。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種人工耳蝸微彎電極，其包括通過電極絲依次相連的電極緩沖段、電極過渡段和電極陣聯(lián)段，所述電極緩沖段、電極過渡段為直線形，所述電極陣聯(lián)段為弧線形，電極陣聯(lián)段分為兩段，一段為靠近所述電極過渡段的由至少一個(gè)橢圓環(huán)電極構(gòu)成的橢圓電極段，一段為由多個(gè)由環(huán)形電極壓制成的半圓電極串接而成的半圓電極段，位于所述半圓電極段的電極陣聯(lián)段內(nèi)側(cè)為外露的所述半圓電極，位于所述半圓電極段的電極陣聯(lián)段外側(cè)為包裹半圓電極的硅膠體。
[0008]優(yōu)選的，所述電極絲在所述半圓電極段位于所述半圓電極自身形成的凹槽內(nèi)，在所述橢圓電極段位于所述橢圓環(huán)電極內(nèi)部。
[0009]優(yōu)選的，所述電極絲與不同的所述半圓電極焊接位置不同。
[0010]優(yōu)選的，所述電極絲焊接在所述橢圓環(huán)電極的內(nèi)壁上。
[0011]優(yōu)選的，所述電極過渡段設(shè)有三個(gè)標(biāo)識(shí)位，分別為最小植入標(biāo)識(shí)位、推薦植入標(biāo)識(shí)位、極限植入標(biāo)識(shí)位，最小植入標(biāo)識(shí)位與所述電極陣聯(lián)段相連，極限植入標(biāo)識(shí)位與所述電極緩沖段相連。
[0012]優(yōu)選的，所述極限植入標(biāo)識(shí)位具有頂設(shè)電極叉用的突出部。
[0013]優(yōu)選的，所述電極過渡段內(nèi)設(shè)有包裹在硅膠體內(nèi)的加強(qiáng)環(huán)。
[0014]優(yōu)選的，所述加強(qiáng)環(huán)為具有生物相容性的金屬。
[0015]優(yōu)選的，所述電極緩沖段內(nèi)的所有電極絲一起纏繞成錐形彈簧狀。
[0016]如上所述，本實(shí)用新型的人工耳蝸微彎電極，具有以下有益效果:其采用將電極陣聯(lián)段作成弧線形，且電極陣聯(lián)段分成半圓電極段和橢圓電極段，而橢圓電極段很短，半圓電極段較長，這樣使電極陣聯(lián)段的外側(cè)為包裹半圓電極的光滑硅膠體，減少植入時(shí)的插入阻力；而半圓電極段采用半圓電極，半圓電極具有接觸電阻小，功耗低，刺激集中的優(yōu)點(diǎn)，橢圓電極段采用橢圓環(huán)電極，橢圓環(huán)電極位于電極陣聯(lián)段靠近電極過渡段處，橢圓環(huán)電極截面為橢圓狀，其符合耳蝸的生理結(jié)構(gòu)，橢圓環(huán)電極與耳蝸神經(jīng)接觸面積大，電刺激方向?yàn)槿较?，能夠確保耳蝸神經(jīng)得到有效電刺激。
【附圖說明】
[0017]圖1顯示為本實(shí)用新型的人工耳蝸微彎電極示意圖。
[0018]圖2顯示為本實(shí)用新型的半圓電極與電極絲相固定示意圖。
[0019]圖3顯示為本實(shí)用新型的所述電極絲在半圓電極內(nèi)的固定位置示意圖。
[0020]圖4顯示為本實(shí)用新型的所述半圓電極段的截面圖。
[0021]圖5顯示為本實(shí)用新型的所述橢圓電極段的截面圖。
[0022]圖6顯示為本實(shí)用新型的所述電極絲在半圓電極內(nèi)的固定位置示意圖。
[0023]圖7顯示為本實(shí)用新型的所述加強(qiáng)環(huán)處的截面圖。
[0024]圖8顯示為本實(shí)用新型的人工耳蝸微彎電極插入耳蝸示意圖。
[0025]元件標(biāo)號(hào)說明
[0026]I 電極陣聯(lián)段
[0027]11硅膠體
[0028]12橢圓環(huán)電極
[0029]13半圓電極
[0030]2 電極過渡段
[0031]21最小植入標(biāo)識(shí)位
[0032]22推薦植入標(biāo)識(shí)位
[0033]23極限植入標(biāo)識(shí)位
[0034]231突出部
[0035]24加強(qiáng)環(huán)
[0036]3電極緩沖段
[0037]4電極絲
[0038]5耳蝸
【具體實(shí)施方式】
[0039]以下由特定的具體實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0040]請(qǐng)參閱圖1至圖8。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容所能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。
[0041]如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種人工耳蝸微彎電極，其包括通過電極絲4依次相連的電極緩沖段3、電極過渡段2和電極陣聯(lián)段1，所述電極緩沖段3、電極過渡段2為直線形，所述電極陣聯(lián)段3為弧線形，電極陣聯(lián)段I分為兩段，一段為靠近所述電極過渡段2的由至少一個(gè)橢圓環(huán)電極12構(gòu)成的橢圓電極段，一段為由多個(gè)由環(huán)形電極壓制成的半圓電極13(見圖2及圖3所示)串接而成的半圓電極段，位于所述半圓電極段的電極陣聯(lián)段內(nèi)側(cè)為外露的所述半圓電極13，位于所述半圓電極段的電極陣聯(lián)段外側(cè)為包裹半圓電極13的硅膠體11。本實(shí)用新型只將電極陣聯(lián)段I做成弧形，且電極陣聯(lián)段I主要由半圓電極13構(gòu)成，這使電極陣聯(lián)段I的內(nèi)側(cè)為半圓電極13，外側(cè)為光滑硅膠體11，減少植入時(shí)的插入阻力；半圓電極13具有接觸電阻小，功耗低，刺激集中的優(yōu)點(diǎn)；而在電極陣聯(lián)段I靠近電極過渡段2設(shè)為橢圓環(huán)電極12，是因?yàn)闄E圓環(huán)電極12為扁平橢圓狀，符合耳蝸的生理結(jié)構(gòu)，其與耳蝸神經(jīng)接觸面積大，電刺激方向?yàn)槿较?，能夠確保耳蝸神經(jīng)得