專利名稱：芯片洗凈裝置和方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種芯片洗凈裝置和方法，特別是一種有關于由監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質，而在線上直接監(jiān)測芯片的潔凈度的芯片洗凈裝置和方法。
目前使用的洗凈技術，可大致分為濕式化學洗凈技術和物理洗凈技術兩種。濕式化學洗凈技術中以RCA化學洗凈技術制程最為常用，其洗凈程式為以SC1配方洗凈→QDR(quick dump rinse；快速沖洗)→以SC2配方洗凈→QDR→最后沖洗(final rinse)。
物理洗凈技術則主要是以物理作用來清洗芯片，而不使用任何化學品。芯片經(jīng)由真空吸盤(vacuum chuck)被固定在刷洗機內，以刷子在高速旋轉的芯片表面上來回刷洗，同時有去離子水噴洗芯片表面，主要可去除微粒的污染。
在上述芯片的洗凈制程中，都有使用去離子水沖洗或噴洗芯片的程序。傳統(tǒng)上都是以時間來控制芯片的潔凈度，即以去離子水沖洗或噴洗芯片一段固定時間。因此有可能會發(fā)生洗凈不足或過度洗凈的情況。洗凈不足則無法達到預期的潔凈度，過度洗凈則會造成成本上的浪費。
為了完成本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供一種芯片洗凈裝置，其中包括一第一臂和一第二臂；一供水裝置，用以將水經(jīng)由該第二臂供應至一芯片的表面，以清洗芯片的表面；一電性質監(jiān)測裝置，用以連續(xù)偵測已用作清洗后的水的電性質，而送出一電性質信號；一信號傳送裝置，用以接收該電性質信號，當該電性質信號未達到一既定值時，送出一繼續(xù)清洗芯片信號至該供水裝置，當該電性質信號達到一既定值時，送出一停止清洗芯片信號至該供水裝置；以及一刷洗裝置，設置于該第一臂上，用以在以水清洗該芯片的表面時，刷洗該芯片。
其中包括一噴洗頭，設置于該第二臂上，與該供水裝置連接。
其中包括一高音速噴嘴，設置于該第二臂上，與該供水裝置連接。
其中包括一震蕩器，設置于該第二臂上且與該高音速噴嘴連接；以及一高音速控制器，與該震蕩器連接。
其中該水為去離子水。
其中該電性質為導電度。
其中該電性質為電阻值。
本發(fā)明還提供一種芯片洗凈方法，其中包括以水清洗一芯片的表面；以及連續(xù)監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質，當該電性質未達到一既定值時，繼續(xù)清洗芯片，而當該電性質達到一既定值時，停止清洗芯片當以水清洗該芯片的表面時，同時以一刷洗裝置刷洗該芯片。
該水為去離子水。
該電性質為導電度。
該電性質為電阻值。
本發(fā)明的優(yōu)點和特點是本發(fā)明提供的芯片洗凈裝置和方法與現(xiàn)有技術相比，不僅可以有效地清洗芯片，而且，在使用去離子水沖洗或噴洗芯片的程序中，克服以時間來控制芯片的潔凈度，即以去離子水沖洗或噴洗芯片一段固定時間的方式帶來的缺陷，避免發(fā)生洗凈不足或過度洗凈的情況。可達到預期的潔凈度，節(jié)約成本。本發(fā)明的芯片洗凈裝置結構簡單，方法可靠有效。
附圖的標號說明10、洗凈槽12、真空吸盤 14、轉軸 16、刷洗裝置 20、芯片30、供水裝置 32、噴洗頭 40、電性質監(jiān)測裝置 50、信號傳送裝置61、右臂 62、左臂 71、震蕩器 72、高音速噴嘴 73、高音速控制器80、基座 100、200、芯片洗凈裝置 S、電性質信號 R1、繼續(xù)清洗芯片信號R2、停止清洗芯片信號具體實施方式
為了使本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選的實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。第一實施例請參閱

圖1、2，它們表示本發(fā)明的芯片洗凈裝置100的第一實施例的示意圖。其中圖1顯示本實施例的芯片洗凈裝置100的外觀示意圖，而圖2顯示本實施例的芯片洗凈裝置100的內部示意圖。
參考圖1、2，標號80代表一基座，在基座80內可設置芯片洗凈裝置100的元件；洗凈槽10設置于基座80內，而在洗凈槽10內設有一真空吸盤(vacuumchuck)12、一轉軸14(如圖2所示)，轉軸14與真空吸盤12連接，真空吸盤12上可放置一芯片20，藉由轉軸14的高速旋轉以使芯片20在真空吸盤12上高速旋轉。
基座80內分別設有一右臂61和一左臂62，在右臂61前端有一刷洗裝置16，刷洗裝置16可如箭頭E般轉動，而與設置于真空吸盤12上的芯片20接觸，用以來回刷洗芯片20的表面。且在右臂61內藏有步進馬達、可調整的彈簧機構和汽缸(未圖示)，刷洗裝置16與未圖示的步進馬達、可調整的彈簧機構和汽缸聯(lián)接，且籍由此未圖示的步進馬達、可調整的彈簧機構和汽缸而可自由地移動和轉動。
一噴洗頭32設置于左臂62前端，且在左臂62內藏有步進馬達(未圖示)，由此未圖示的步進馬達在箭頭D方向(如圖1所示)上轉動左臂62以及設置于左臂62上的噴洗頭32。
一供水裝置30可將去離子水供應至噴洗頭32，然后噴洗頭32中噴出的去離子水以箭頭A、B(如圖2所示)的方向行進，以噴洗芯片20的表面。在洗凈槽10內，高速旋轉的芯片20同時被去離子水噴洗以及被刷洗裝置16刷洗。
如圖2所示，本實施例的芯片洗凈裝置100包括上述的供水裝置30，一電性質監(jiān)測裝置40，以及一信號傳送裝置50。電性質監(jiān)測裝置40設于洗凈槽10的下方。已用作清洗芯片20后的水可沿著箭頭C的方向由洗凈槽10的下方排出，而到達電性質監(jiān)測裝置40。電性質監(jiān)測裝置40可連續(xù)監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質，而送出一電性質信號S。信號傳送裝置50則可接收電性質信號S，當電性質信號S未達到一既定值時，送出一繼續(xù)清洗芯片信號R1至供水裝置30，當電性質信號S達到一既定值時，送出一停止清洗芯片信號R2至供水裝置30。
圖3顯示本實施例的芯片洗凈方法的流程圖。首先將芯片輸入。接著以水清洗芯片的表面，連續(xù)監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質。當電性質未達到一既定值時，則沿著“不足”(FAIL)的路線，繼續(xù)清洗芯片。而當電性質達到一既定值時，則沿著“通過”(PASS)的路線，停止清洗芯片，將芯片輸出。
本實施例由監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質，以監(jiān)測芯片的潔凈度的原理，污染程度不同的水會具有不同的電性質。適合用作監(jiān)測的電性質并沒有一定限制，只要是污染程度大和污染程度小的水，其電性質有差異即可。例如可監(jiān)測水的導電度和電阻值。
上述實施例為一般物理洗凈技術程序，所欲去除的污染物一般是微粒。由于水中含有微粒的多少，會造成其電性質的不同，因此，若設定一既定值，監(jiān)測已用作清洗的水的電性質是否達到該既定值，即可由此判定水中含有的微粒是否達到要求，因而可得知芯片表面上的微粒數(shù)是否達到要求，而可知芯片的潔凈度。
一般濕式化學洗凈技術中，使用水洗凈芯片的步驟是在使用化學品洗凈芯片之后進行的，以除去芯片上殘留的化學品。依據(jù)上述類似的原理，水中含有化學品濃度的多少，會造成電性質的不同。因此，若設定一既定值，監(jiān)測已用作清洗的水的電性質是否達到該既定值，即可由此判定水中含有化學品的濃度是否達到要求，因而可得知芯片表面上的化學品濃度是否達到要求，而可知芯片的潔凈度。藉由本實施例的芯片清洗方法和裝置，由于加裝了電性質監(jiān)測裝置和信號傳送裝置，可連續(xù)監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質，并將電性質信號反饋(feedback)到供水裝置，以決定是否繼續(xù)供水以清洗芯片，或者停止供水并停止清洗芯片。如此，本實施例籍由監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質，可在線上直接監(jiān)測芯片的潔凈度。以此方式，可避免芯片發(fā)生洗凈不足或過度洗凈的情況，可達到最高的經(jīng)濟效益。第二實施例圖4顯示本發(fā)明的芯片洗凈裝置200的第二實施例的外觀示意圖，其中本實施例中的洗凈槽10、真空吸盤12、轉軸14、刷洗裝置16、芯片20、供水裝置30、電性質監(jiān)測裝置40、信號傳送裝置50、右臂61、左臂62、基座80等元件的構成與設置方式均與第一實施例相同，在此標以相同的符號且省略其說明。
本實施例與第一實施例不同處在于增設一震蕩器(oscillator)71、一高音速噴嘴(megasonic nozzle)72以及一高音速控制器(megasoniccontroller)73。
高音速控制器73用以在去離子水洗凈芯片20表面時，激發(fā)去離子水的分子而可進行超音波清洗(ultrasonic cleaning)；震蕩器71設置于左臂62上，其作為高音速噴嘴72與高音速控制器73的震蕩傳遞裝置；高音速噴嘴72代替第一實施例中的噴洗頭32，其設置于左臂62上且經(jīng)由震蕩器71與高音速控制器73連接。
藉由上述構成，從高音速噴嘴72噴出的去離子水，可對芯片20表面進行超音波洗凈；由于本實施例的其他構成均與第一實施例相同，因此已用作清洗芯片20后的水可由洗凈槽10的下方排出，而到達電性質監(jiān)測裝置40。電性質監(jiān)測裝置40可連續(xù)偵測已用作清洗后的水的電性質，而如第一實施例般，送出一電性質信號S。信號傳送裝置50則可接收電性質信號S，當電性質信號S未達到一既定值時，送出一繼續(xù)清洗芯片信號R1至供水裝置30，當電性質信號S達到一既定值時，送出一停止清洗芯片信號R2至供水裝置30。
本實施例的芯片洗凈方法與第一實施例相同，如圖3所示，在此省略其說明。
如上述，本實施例也可達到第一實施例的功效。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例說明如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域普通專業(yè)技術人員，在不脫離本發(fā)明的構思和范圍內，當可作更動與修飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權利要求書所界定的范圍為準。
權利要求
1.一種芯片洗凈裝置，其特征在于包括一第一臂和一第二臂；一供水裝置，用以將水經(jīng)由該第二臂供應至一芯片的表面，以清洗芯片的表面；一電性質監(jiān)測裝置，用以連續(xù)偵測已用作清洗后的水的電性質，而送出一電性質信號；一信號傳送裝置，用以接收該電性質信號，當該電性質信號未達到一既定值時，送出一繼續(xù)清洗芯片信號至該供水裝置，當該電性質信號達到一既定值時，送出一停止清洗芯片信號至該供水裝置；以及一刷洗裝置，設置于該第一臂上，用以在以水清洗該芯片的表面時，刷洗該芯片。
2.如權利要求1所述的芯片洗凈裝置，其特征在于其中包括一噴洗頭，設置于該第二臂上，與該供水裝置連接。
3.如權利要求1所述的芯片洗凈裝置，其特征在于其中包括一高音速噴嘴，設置于該第二臂上，與該供水裝置連接。
4.如權利要求3所述的芯片洗凈裝置，其特征在于其中包括一震蕩器，設置于該第二臂上且與該高音速噴嘴連接；以及一高音速控制器，與該震蕩器連接。
5.如權利要求1所述的芯片洗凈裝置，其特征在于其中該水為去離子水。
6.如權利要求1所述的芯片洗凈裝置，其特征在于其中該電性質為導電度。
7.如權利要求1所述的芯片洗凈裝置，其特征在于其中該電性質為電阻值。
8.一種芯片洗凈方法，其特征是包括以水清洗一芯片的表面；以及連續(xù)監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質，當該電性質未達到一既定值時，繼續(xù)清洗芯片，而當該電性質達到一既定值時，停止清洗芯片。
9.如權利要求8所述的芯片洗凈方法，其特征在于當以水清洗該芯片的表面時，同時以一刷洗裝置刷洗該芯片。
10.如權利要求8所述的芯片洗凈方法，其特征在于該水為去離子水。
11.如權利要求8所述的芯片洗凈方法，其特征在于該電性質為導電度。
12.如權利要求8所述的芯片洗凈方法，其特征在于該電性質為電阻值。
全文摘要
一種芯片洗凈裝置和方法，其目的在于通過連續(xù)監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質，而在線上監(jiān)測芯片的潔凈度，該芯片洗凈裝置包括供水裝置、電性質監(jiān)測裝置以及信號傳送裝置，供水裝置用以將水供應至芯片的表面；電性質監(jiān)測裝置則用以連續(xù)偵測已用作清洗后的水的電性質，而送出電性質信號；信號傳送裝置用以接收電性質信號。當電性質信號未達到既定值時，送出繼續(xù)清洗芯片信號至供水裝置，當電性質信號達到既定值時，送出停止清洗芯片信號至供水裝置。由監(jiān)測已用作清洗后的水的電性質。本發(fā)明可在線上直接監(jiān)測芯片的潔凈度，避免芯片發(fā)生洗凈不足或過度洗凈的情況，可達到最高的經(jīng)濟效益。
文檔編號B08B1/00GK1400637SQ0112401
公開日2003年3月5日 申請日期2001年8月6日 優(yōu)先權日2001年8月6日
發(fā)明者蔡榮輝, 曾素玲, 莊娟茹 申請人:矽統(tǒng)科技股份有限公司