專利名稱：用于去除微粒的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及一種用于去除微粒的裝置，更確切地，涉及一種用于包括真空容器單元在內(nèi)的處理設(shè)備的用于去除微粒的裝置，在所述真空容器單元中，在晶片上進(jìn)行預(yù)定的工藝過程，所述晶片由傳送單元承載。作為本發(fā)明所應(yīng)用于的處理設(shè)備，有一個(gè)濺射裝置，所述濺射裝置用于制造諸如半導(dǎo)體集成電路和液晶板的電子器件。
例如，在半導(dǎo)體集成電路的制造過程中使用的濺射裝置中，在高真空水平的真空容器中產(chǎn)生惰性氣體離子并且使用通過在靶和晶片之間施加電壓而產(chǎn)生的電場(chǎng)使惰性氣體離子碰撞靶。通過碰撞從靶材料上逃逸出的原子沉積在晶片上以形成預(yù)定的薄膜。在薄膜的形成過程中，通過碰撞從靶材料上逃逸出的原子不僅沉積在晶片上，而且也沉積在用于固定晶片的夾具上或在夾具周圍。當(dāng)沉積生長(zhǎng)時(shí)，沉積在除了晶片外的部分上的靶材料通過薄膜的應(yīng)力而分離，并作為微粒在真空容器中漂浮。而且，用于安裝在真空容器中的晶片的傳送單元和其它可移動(dòng)單元引起微粒的產(chǎn)生。也存在自身粘附在晶片上并被帶入真空容器中的微粒。
如圖7所示，在日本專利未審查出版物JP-A6252066(1994)中披露了薄膜形成設(shè)備，在所述薄膜設(shè)備中使用靜電力去除微粒。薄膜形成設(shè)備包括真空容器41；安裝在真空容器中的盤支架42；微粒收集盤43；充電裝置44，用于使微粒收集盤43充電；和充電棒45，其構(gòu)成充電設(shè)備的一部分。薄膜形成設(shè)備也包括排氣端口46、反應(yīng)氣體引入線47、清潔氣體引入線48、閥49和其它元件(未出示)。
根據(jù)上述薄膜形成設(shè)備，由電導(dǎo)體材料組成的微粒收集盤43被傳送至真空容器41中并放在盤支架42的預(yù)定位置上。充電棒45然后被展開以與接觸并使微粒收集盤43充電，所述充電棒45構(gòu)成充電設(shè)備44的一部分。同時(shí)，氣體通過清潔氣體引入線47被引入真空容器41中，所述清潔氣體引入線48與反應(yīng)引入線47連接，以至于被氣體吹出的微粒通過靜電力而吸在充電微粒收集盤43上。微粒以被收集在其上的微粒收集盤43然后從真空容器41傳送出來。在設(shè)備中的微粒用上述方法消除。用于制成設(shè)備的晶片然后傳送入真空容器41中以經(jīng)受薄膜形成過程。
然而，在日本專利未審查出版物JP-A6252066(1994)中披露了薄膜形成設(shè)備中，注入氣體以把微粒吹出，這樣使微粒在整個(gè)真空容器彌散。由于充電微粒收集盤的面積與真空容器內(nèi)表面的面積相比較小，因此僅使用微粒收集盤來消除整個(gè)彌散的微粒是不夠的。而且，由于東佃充電電極與微粒收集盤接觸以充電，因此微粒收集盤的表面由于劃傷而損壞，導(dǎo)致附加的微粒產(chǎn)生。
此外，由于移動(dòng)充電棒的機(jī)構(gòu)通過真空容器的壁而安裝，因此使微粒收集盤充電的裝置是復(fù)雜并巨大的，而且需要高的裝配花費(fèi)。而且，由于使用用于幫助燃燒的昂貴氣體來干燥清潔，因此操作成本較高。
此外，由于當(dāng)微粒收集盤吸收微粒時(shí)，薄膜制備過程必須停止很長(zhǎng)時(shí)間，因此運(yùn)行率降低。
為了達(dá)到上述目的，提供一種用于處理設(shè)備的用于去除微粒的裝置，所述處理設(shè)備包括真空容器單元，所述真空容器單元具有多個(gè)腔室，在所述腔室中，在由大氣中的傳送單元送入的晶片上進(jìn)行預(yù)定處理。根據(jù)本發(fā)明的裝置包括電荷中和裝置，用于中和在晶片表面上產(chǎn)生的電荷，所述電荷中和裝置安裝在等待-容納單元中，所述等待-容納單元組成傳送單元的一部分；和充電裝置，用于通過靜電力吸收在真空容器單元中的微粒，所述充電設(shè)備安裝在真空容器單元中。
根據(jù)本發(fā)明的裝置，在晶片表面上產(chǎn)生的電荷被在等待-容納單元中的電荷中和裝置所中和，所述等待-容納單元構(gòu)成傳送單元的一部分。因此，當(dāng)晶片被傳送至真空容器單元內(nèi)時(shí)，有效地防止真空容器中存在的微粒通過靜電力粘附至晶片表面。此外，在真空容器單元中，存在于真空容器單元中的微粒通過靜電力被吸收至充電設(shè)備上以有效地去除漂浮在真空容器單元中的微粒。另外，通過電荷中和裝置晶片表面的中和及通過充電設(shè)備微粒的吸收在沒有于接觸晶片的情況下進(jìn)行。這防止在晶片表面上任何附加微粒的產(chǎn)生。因此，在真空容器單元中漂浮的微粒數(shù)量保持在較低水平。因此，使用晶片的生產(chǎn)率(原料與產(chǎn)品的比率)也比傳統(tǒng)技術(shù)高。
在根據(jù)本發(fā)明的用于去除微粒的裝置中，電荷中和裝置安裝在等待-容納單元內(nèi)，所述等待-容納單元構(gòu)成傳送單元的一部分，也就是在大氣壓下。另一方面，由于充電裝置通過靜電力吸收真空容器單元中的微粒，因此充電裝置能夠用例如帶電金屬盤來實(shí)施，并且不需要任何可移動(dòng)零件。因此，根據(jù)本發(fā)明的用于去除微粒的裝置能夠簡(jiǎn)單而廉價(jià)地實(shí)施。所以，安裝費(fèi)用低。此外，根據(jù)本發(fā)明的用于去除微粒的裝置不消耗象用于去除微粒的清潔氣體材料，導(dǎo)致與傳統(tǒng)裝置比較更少的運(yùn)行費(fèi)用。
此外，當(dāng)進(jìn)行處理設(shè)備的固有過程時(shí)能夠同時(shí)通過電荷中和裝置進(jìn)行晶片表面的中和和通過充電裝置進(jìn)行微粒吸收。即，通過傳送單元傳送晶片，當(dāng)在晶片上進(jìn)行預(yù)定過程時(shí)，所述晶片通過在真空容器單元中的傳送單元傳送，能夠進(jìn)行晶片表面的中和和微粒的吸收。因此，處理設(shè)備的固有過程不需要停止來去除微粒。所以，根據(jù)本發(fā)明的用于去除微粒的裝置，處理設(shè)備的運(yùn)行率沒有降低。
在用于去除微粒的裝置的實(shí)施方案中，電荷中和裝置通過從遠(yuǎn)離晶片安裝的電極上放電進(jìn)行晶片上產(chǎn)生的電荷的中和。
根據(jù)本實(shí)施方案的用于去除微粒的裝置，沒有與晶片接觸通過電荷中和裝置進(jìn)行中和晶片表面上產(chǎn)生的電荷。因此，從晶片表面不產(chǎn)生任何額外的微粒。此外，從電極排放出的電荷數(shù)量(正離子或負(fù)離子的數(shù)量)能夠調(diào)節(jié)至完全中和晶片表面上的電荷。
在用于去除微粒的裝置的一個(gè)實(shí)施方案中，充電裝置包括金屬盤，其與晶片分離地安裝，所述晶片在真空容器單元內(nèi)傳送，并通過給金屬盤充電吸收微粒。
根據(jù)本實(shí)施方案的用于去除微粒的裝置，沒有與晶片接觸而通過充電裝置進(jìn)行微粒的吸收。因此，沒有任何額外的微粒從晶片表面產(chǎn)生。此外，極性(正或負(fù))或金屬盤的電荷數(shù)量完全調(diào)節(jié)至有效地吸收真空容器中的微粒。
此外，提供一種用于處理設(shè)備的去除微粒的優(yōu)選方法，所述處理設(shè)備包括真空容器單元，所述真空容器單元具有多個(gè)腔室，在所述腔室中，在通過在大氣中的傳送單元送入的晶片上進(jìn)行預(yù)定處理。這種方法包括中和在等待-容納單元中的晶片表面上產(chǎn)生的電荷的步驟，所述等待-容納單元構(gòu)成傳送單元的一部分；和通過靜電力吸收存在于真空容器中的微粒的步驟。
圖7是說明在傳統(tǒng)薄膜形成設(shè)備中去除微粒的方法的圖表。


圖1是示意地說明濺射裝置的構(gòu)造平面圖，所述濺射裝置包括根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的用于去除微粒的裝置。
濺射裝置1包括用于傳送晶片的傳送單元11；壓力緩沖單元12和處理腔室13。壓力緩沖單元12和處理腔室13構(gòu)成真空容器單元10。濺射裝置1也包括控制單元，其對(duì)整個(gè)裝置進(jìn)行控制；真空排放系統(tǒng)；電源單元和其它組件，雖然未在圖中出示，因?yàn)樗麄儾皇侵苯优c本發(fā)明有關(guān)。
傳送單元11把用于薄膜形成的晶片沿虛線所示的箭頭A傳送至真空容器單元10。在薄膜形成之后，傳送單元11沿虛線所示的箭頭B把晶片傳送出真空容器單元10之外。具體地，如圖1所示，從左至右，傳送單元11包括盒裝載單元111，在所述盒裝載單元111上，放置有包括安裝在其內(nèi)的晶片(器件晶片)的盒；傳送帶單元112，其沿箭頭A或箭頭B所示的方向傳送晶片；和等待-容納單元113，晶片在被傳送至真空容器單元10之前臨時(shí)容納在所述等待-容納單元113中。離子發(fā)生器114，其用作中和晶片表面上的電荷的電荷中和裝置，安裝在等待-容納單元113的上面。傳送單元11的零件全部在大氣壓下。離子發(fā)生器114將在后面詳細(xì)說明。
壓力緩沖單元12在大氣壓下設(shè)置在傳送單元11(等待-容納單元113)和真空下處理腔室1 3之間。壓力緩沖單元12包括通過門(未出示)依次排列的載荷鎖定腔室(LOC)121、緩沖腔室(BUC)122和清潔腔室(CLC)123。去除微粒的充電裝置124安裝在腔室121、122、123的每一個(gè)之中，所述腔室121、122、123構(gòu)成了壓力緩沖單元12。充電裝置124將在后面詳細(xì)說明。
載荷鎖定腔室121通過開啟安裝在具有等待-容納單元113的邊界處的門(未出示)加載晶片，并且使用真空排放系統(tǒng)(未出示)增加具有裝載在其中的晶片的真空度。用這種方法，晶片能夠加載到具有維持在處理腔室13中的高真空度的真空容器單元10中。緩沖腔室122容納晶片直到在緩沖腔室122中的晶片數(shù)量達(dá)到預(yù)定的數(shù)量，所述預(yù)定的數(shù)量能夠在處理腔室13中的成批處理。清潔腔室123具有侵蝕功能，在所述清潔腔室123中，晶片表面被侵蝕以在薄膜形成過程之前清潔。
處理腔室13容納四個(gè)晶片固定器(No.1-No.4)，在此實(shí)施方案中，四個(gè)晶片固定器放置在四個(gè)位置。當(dāng)晶片從第一固定器移至第四固定器時(shí)，放置在處理腔室13的晶片經(jīng)受用于薄膜形成的濺射處理。在薄膜形成過程之后，晶片被傳送至壓力緩沖單元12。
圖2示意地說明圖1的離子發(fā)生器114和包括于濺射裝置中的等待-容納單元113的構(gòu)造側(cè)面圖。離子發(fā)生器114包括多個(gè)用于產(chǎn)生離子的離子產(chǎn)生電極31；水平延伸離子發(fā)生器棒(棒形電極)32，離子產(chǎn)生電極31連接至所述離子發(fā)生器棒32上；和支撐棒33，其把離子發(fā)生器棒32連接至離子發(fā)生器外殼上(未詳細(xì)出示)。每一個(gè)離子產(chǎn)生電極31都以預(yù)定距離與放置在等待-容納單元113內(nèi)的晶片面對(duì)。離子發(fā)生器114也包括非接觸型電荷測(cè)量裝置(未出示)，其通常被稱為靜電測(cè)試器。使用非接觸型電荷測(cè)量裝置，沒有任何接觸能夠測(cè)量晶片表面的電荷數(shù)量。將被輻射的離子劑量基于測(cè)量的電荷的數(shù)量而確定。由每一個(gè)離子產(chǎn)生電極31產(chǎn)生的離子被輻射到晶片34的整個(gè)表面上。因此在晶片表面上的電荷被中和，即，沒有與晶片接觸而消除。
參照?qǐng)D2，離子發(fā)生器114具有多個(gè)(+)、(-)電極。每一個(gè)電極重復(fù)電暈放電以至于(+)電極產(chǎn)生(+)電荷而(-)電極產(chǎn)生(-)電荷。因此，在離子發(fā)生器114下面的晶片表面上的電荷由電極產(chǎn)生的(+)(-)電荷而抵消以中和。而且，離子發(fā)生器114具有響應(yīng)晶片表面上的電荷的狀態(tài)而調(diào)節(jié)(+)(-)電荷的功能。
在圖2中，說明了多個(gè)離子產(chǎn)生電極31交替產(chǎn)生正和負(fù)離子。然而，這僅僅是離子發(fā)生器的構(gòu)造的一個(gè)實(shí)例，產(chǎn)生離子的方法不限于此實(shí)例。從每一個(gè)離子產(chǎn)生電極31所產(chǎn)生的正和負(fù)離子的數(shù)量能夠完全被調(diào)節(jié)至中和晶片表面上的電荷。
圖3是示意地說明充電裝置124的平面圖，所述充電裝置124安裝在圖1的壓力緩沖單元12內(nèi)。壓力緩沖單元12包括由絕緣體(例如石英玻璃)組成的側(cè)壁12A和12B，其構(gòu)成了腔室121、122和123。側(cè)壁12A和12B的外部處于大氣壓下而其內(nèi)部在真空下。
充電裝置124包括內(nèi)部盤電極85B和86B，它們由沿腔室側(cè)壁12A和12B的內(nèi)側(cè)安裝的金屬盤組成；外部盤電極85A和86A，它們由沿腔室側(cè)壁12A和12B的外側(cè)安裝的金屬盤組成以與內(nèi)部盤電極85B和86B相對(duì)；DC(直流)電源81和82；線路83A和84A，它們分別用外部盤電極85A和86A連接電源81和82的正端子；和線路83B和84B，它們分別用內(nèi)部盤電極85B和86B連接電源81和82的負(fù)端子。線路83B和84B通過氣密地穿透腔室壁而安裝。
圖3所示的充電裝置是電容器，通過它們之間的腔室側(cè)壁，外部盤電極85A和86A被充上正電荷，內(nèi)部盤電極85B和86B被充上負(fù)電荷。因此，在腔室內(nèi)帶正電微粒被收集在帶負(fù)電的內(nèi)部盤電極上。
電容存在內(nèi)部盤電極85B和86B和外部盤電極85A和86A之間。因此，一旦DC電壓施加在內(nèi)部盤電極85B和86B和外部盤電極85A和86A之間，則除非通過放電消失，否則內(nèi)部盤電極85B和86B的電荷數(shù)量能夠保持。因此，充電裝置124不需要高的動(dòng)力來運(yùn)行。
根據(jù)此實(shí)施方案，構(gòu)成壓力緩沖單元12的載荷鎖定腔室121、緩沖腔室122和清潔腔室123分別包括充電裝置124。然而，充電裝置124可以安裝在腔室121、122和123中的至少一個(gè)內(nèi)。在充電裝置124和每一個(gè)腔室121、122和123之間的結(jié)構(gòu)關(guān)系如圖4所示。
如上所述，離子發(fā)生器114安裝在等待-容納單元113的內(nèi)，也就是在大氣壓下。另一方面，充電裝置124不需要可移動(dòng)件。因此，包括這些組件的用于去除微粒的裝置能夠簡(jiǎn)單而廉價(jià)地實(shí)施。所以，安裝費(fèi)用是低的。此外，不需要使用象清潔氣體的材料，與傳統(tǒng)裝置比較，這減少了運(yùn)行花費(fèi)。
說明在濺射裝置中的器件晶片處理和微粒收集處理的流程圖分別如圖5(A)和5(B)所示。
(a)首先，圖5(A)所示的說明器件晶片處理的流程圖將參照?qǐng)D1來說明。在此實(shí)施方案中，作為一個(gè)實(shí)例，具有8英尺(大約200毫米)直徑的硅晶片被用作器件晶片以制造半導(dǎo)體集成電路。預(yù)定數(shù)量的晶片，例如，25個(gè)晶片，被清潔，然后被加載在晶片盒內(nèi)。晶片盒設(shè)置在濺射裝置的盒裝載單元111上。當(dāng)提示處理開始命令時(shí)，處于真空的壓力緩沖單元12的載荷鎖定腔室(LOC)121內(nèi)的壓力增加至大氣壓力。在壓力增加過程中，晶片設(shè)定待在盒裝載單元111上。
當(dāng)載荷鎖定腔室121的壓力達(dá)到大氣壓力時(shí)，器件晶片通過傳送帶單元112沿箭頭A的方向一次一個(gè)晶片地被傳送至等待-容納單元113。然后當(dāng)安裝在等待-容納單元113上面的離子發(fā)生器114輻射預(yù)定數(shù)量的離子且沒有接觸器件晶片以便中和在晶片的表面上所帶的電荷時(shí)，等待-容納單元113執(zhí)行在等待-容納單元113內(nèi)的器件晶片的位置確定調(diào)整。
其后，中和了的器件晶片被傳送至載荷鎖定腔室121。例如，當(dāng)全部的器件晶片被容納于載荷鎖定腔室121中時(shí)，載荷鎖定腔室121的壓力從大氣壓減小至預(yù)定值，如2×10-5Pa。當(dāng)壓力達(dá)到預(yù)定值時(shí)，器件晶片依次從載荷鎖定腔室121傳送至緩沖腔室(BUC)122。在緩沖腔室122內(nèi)容納的器件晶片通過清潔腔室123被清潔。器件晶片然后經(jīng)過在處理腔室13中的第一-第四固定器并經(jīng)過清潔腔室123然后送回至緩沖腔室122。當(dāng)器件晶片經(jīng)過第一-第四固定器時(shí)，通過濺射方法在器件晶片的表面沉積預(yù)定金屬薄膜。
在完成金屬薄膜的形成過程并且所有的器件晶片都被送回至緩沖腔室122之后，器件晶片被傳送至載荷鎖定腔室121。其后，在載荷鎖定腔室121內(nèi)的壓力從真空升至大氣壓。當(dāng)載荷鎖定腔室121內(nèi)的壓力達(dá)到大氣壓時(shí)，器件晶片被傳送至等待-容納單元113，然后通過傳送帶單元112沿箭頭B的方向送回至設(shè)在盒裝載單元111內(nèi)的晶片盒。
這通過濺射裝置完成了器件晶片處理。由于每一個(gè)過程的條件實(shí)質(zhì)上與通常半導(dǎo)體集成電路制造過程是相同的，因此沒有詳細(xì)說明每一個(gè)過程的條件。
(b)第二，將說明如圖5(B)所示的說明微粒收集處理的流程圖。
在濺射處理過程中大量的金屬微粒從靶上產(chǎn)生。通常，金屬微粒在真空下傾向于具有正電荷。
根據(jù)濺射裝置，如圖3所示，由金屬盤組成的內(nèi)部盤電極85B和86B沿壓力緩沖單元12的側(cè)壁12A和12B的內(nèi)部側(cè)面安裝。內(nèi)部盤電極85B和86B總是帶負(fù)電荷載。因此，由于施加在微粒90上的來自內(nèi)部盤電極85B和86B的靜電力，大多數(shù)漂浮在壓力緩沖單元12的腔室121、122和123的微粒90被吸收至內(nèi)部盤電極85B和86B上。所以，有效地防止微粒粘附于沿路徑A和B被傳送的器件晶片上。
另一方面，內(nèi)部盤電極85B和86B的電荷數(shù)量，也就是，在內(nèi)部盤電極85B和86B和外部盤電極85A和86A之間所施加的電壓值依賴于處理設(shè)備和離子的類型來確定。
然而，如上所述，當(dāng)使用等待-容納單元113內(nèi)的離子發(fā)生器114中和裝置晶片的表面電荷時(shí)，被正傳送至壓力緩沖單元12上的器件晶片表面電荷數(shù)量幾乎是零。因此，與當(dāng)不使用離子發(fā)生器時(shí)相比，可有效地防止由于靜電力而使在真空容器單元10中存在的微粒粘附至器件晶片表面。粘附于真空容器單元10內(nèi)的晶片表面的微粒數(shù)量能夠少于一半。此外，由于總是通過壓力緩沖單元12內(nèi)的充電裝置124收集微粒，因此有效地消除真空容器單元10(壓力緩沖單元12)內(nèi)漂浮的微粒。另外，可在沒有與晶片有任何接觸下，通過離子發(fā)生器114進(jìn)行晶片表面的中和和通過充電裝置124進(jìn)行微粒吸收。因此，在晶片表面不產(chǎn)生額外的微粒。所以，在真空容器單元10內(nèi)漂浮的微粒數(shù)量保持在低水平，并且使粘附于器件晶片的真空容器單元10的額外微粒減到最小。因此，例如，當(dāng)每一個(gè)晶片微粒允許的數(shù)量少于20時(shí)，裝置能夠運(yùn)行時(shí)間長(zhǎng)于傳統(tǒng)的裝置。與使用傳統(tǒng)裝置情況相比，使用晶片的生產(chǎn)率(原材料與產(chǎn)品的比率)也被提高。
根據(jù)本發(fā)明，由于壓力緩沖單元12內(nèi)的微粒不變地被充電裝置收集，因此，微粒收集過程不需要停止器件晶片的處理。此外，等待-容納單元113的離子發(fā)生器114保持愛中和模式以中和裝置晶片的表面電荷以至于不需要模式的變化。所以，實(shí)質(zhì)上提高了設(shè)備的處理能力(運(yùn)行率)。
將更詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的用于去除微粒的裝置的載荷鎖定腔室和充電裝置。
圖6是說明通過其移動(dòng)晶片的腔室的壓力狀態(tài)的圖表。如圖6所示，載荷鎖定腔室121作為把晶片從大氣壓狀態(tài)送入真空狀態(tài)并晶片從真空狀態(tài)送回至大氣壓狀態(tài)的壓力緩沖部分。參照?qǐng)D6，等待-容納單元113處于大氣壓下。在載荷鎖定腔室121的前面直接地放置等待-容納單元113，并且離子發(fā)生器114放置在等待-容納單元113上以至于離子發(fā)生器正常地運(yùn)行以使晶片表面總是處于中和狀態(tài)下(它相應(yīng)于圖5(A)的流程)。
而且，圖3所示的充電裝置分別放置在處于真空狀態(tài)的載荷鎖定腔室121、緩沖腔室122和清潔腔室123內(nèi)或上，并且在真空腔室內(nèi)收集微粒以至于一段晶片總是處于清潔的狀態(tài)(它相應(yīng)于圖5(B)的流程)。
即，在等待-容納單元113中，晶片表面被離子發(fā)生器114所中和以處于清潔狀態(tài)下，其中微粒不因?yàn)殪o電力等而粘附。同時(shí)，真空腔室的內(nèi)部通常被圖3所示的充電裝置保持在清潔狀態(tài)下，并且中和了的清潔晶片經(jīng)過被清潔的真空腔室(雙清潔效果)。圖5(A)和圖5(B)的流程同時(shí)進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于微粒收集過程不需要特別的操作。由于不需要在傳統(tǒng)技術(shù)中微粒收集所使用的晶片，因此能夠完全消除購(gòu)買用于微粒收集的晶片的費(fèi)用和操縱用于微粒收集的晶片的時(shí)間和費(fèi)用。
在本發(fā)明的實(shí)施方案中，充電裝置124的內(nèi)部盤電極85B和86B分別用一個(gè)盤(見圖3)來說明。然而，內(nèi)部盤電極85B和86B能夠被分成多段并且只要它們不接觸器件晶片，其安排沒有任何限制。充電裝置124的內(nèi)部盤電極85B和86B的電荷極性和數(shù)量可以基于微粒的特性來確定以被消除。
此外，當(dāng)充電裝置124的內(nèi)部盤電極85B和86B安裝成具有多個(gè)段時(shí)，各自的段的電荷的極性和數(shù)量能夠彼此獨(dú)立或非獨(dú)立地設(shè)定。
而且，在本發(fā)明的實(shí)施方案中，充電裝置124安裝在真空容器單元10的壓力緩沖單元12內(nèi)。然而，本發(fā)明的范圍并不限于此。充電裝置124能夠安裝在處理腔室13內(nèi)代替壓力緩沖單元12或即能夠安裝在壓力緩沖單元12又能夠安裝在處理腔室13內(nèi)。只要充電裝置124不與器件晶片接觸，充電裝置124的數(shù)量和安排沒有具有任何特別限制。
在此實(shí)施方案中，已經(jīng)說明了本發(fā)明的用于去除微粒的裝置，所述用于去除微粒的裝置應(yīng)用于濺射裝置。然而，本發(fā)明的用于去除微粒的裝置能夠應(yīng)用于其它包括真空容器單元的處理設(shè)備，例如減壓CVD設(shè)備、蝕刻設(shè)備或離子注射設(shè)備，并提供相同的作用。本發(fā)明的用于去除微粒的裝置的使用不限制于半導(dǎo)體集成電路制造過程。用于去除微粒的裝置也能夠應(yīng)用于包括真空容器單元的處理設(shè)備，所述真空容器單元用在化學(xué)合成物半導(dǎo)體制造過程和LCD板制造過程，并且提供相同的作用。
如上述，根據(jù)本發(fā)明的用于去除微粒的裝置，沒有降低處理設(shè)備的運(yùn)行率能夠有效地消除真空容器單元的微粒。此外，本發(fā)明的用于去除微粒的裝置能夠簡(jiǎn)單而廉價(jià)地實(shí)施。
本發(fā)明已被以圖解的方式說明了，應(yīng)該理解所使用的術(shù)語(yǔ)旨在具有說明的作用而不是為了限制本發(fā)明。根據(jù)上述說明，本發(fā)明的許多修改和變化是可能的。因此，應(yīng)該理解在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，除了象具體說明的實(shí)施本發(fā)明外，也可以實(shí)施本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種用于處理設(shè)備的用于去除微粒的裝置，所述處理設(shè)備包括真空容器單元，所述真空容器單元具有多個(gè)腔室，在所述腔室中在由處于大氣壓下的傳送單元送入的晶片上執(zhí)行預(yù)定處理，所述裝置包括電荷中和裝置，用于中和在晶片表面上產(chǎn)生的電荷，所述電荷中和裝置安裝在等待-容納單元中，所述等待-容納單元組成傳送單元的一部分；和充電裝置，用于通過靜電力吸收真空容器單元中的微粒，所述充電設(shè)備安裝在真空容器單元中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中電荷中和裝置通過從電極放電執(zhí)行在晶片表面上所產(chǎn)生的電荷的中和，所述電極安裝的與晶片離開預(yù)定距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中充電裝置包括金屬盤并通過使金屬盤充電吸收微粒，所述金屬盤安裝的與晶片離開，所述晶片在真空容器單元內(nèi)移動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中金屬盤包括沿腔室側(cè)壁的內(nèi)側(cè)安裝的內(nèi)部盤電極；和沿腔室側(cè)壁的外側(cè)安裝以與內(nèi)部盤電極相對(duì)的外部盤電解。
5.一種用于處理設(shè)備的去除微粒的方法，所述處理設(shè)備包括真空容器單元，所述真空容器單元具有多個(gè)腔室，在所述腔室中在由大氣壓下的傳送單元送入的晶片上執(zhí)行預(yù)定處理，所述方法包括如下步驟中和在等待-容納單元中的晶片的表面上產(chǎn)生的電荷，所述等待-容納單元構(gòu)成傳送單元的一部分；和通過靜電力吸收存在于真空容器中的微粒。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于處理設(shè)備的用于去除微粒的裝置，所述處理設(shè)備包括真空容器單元，所述真空容器單元具有多個(gè)腔室，在所述腔室中在由處于大氣壓下的傳送單元送入的晶片上執(zhí)行預(yù)定處理，所述裝置包括電荷中和裝置，用于中和在晶片表面上產(chǎn)生的電荷，所述電荷中和裝置安裝在等待－容納單元中，所述等待－容納單元組成傳送單元的一部分；和充電裝置，用于通過靜電力吸收真空容器單元中的微粒，所述充電設(shè)備安裝在真空容器單元中，本發(fā)明裝置沒有降低處理設(shè)備的運(yùn)行率的情況下有效地消除了真空容器單元中的微粒，且能夠簡(jiǎn)單而廉價(jià)地實(shí)施。
文檔編號(hào)B08B6/00GK1472774SQ0317844
公開日2004年2月4日 申請(qǐng)日期2003年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月18日
發(fā)明者佐佐木博司 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社