專利名稱：鉭阻擋層去除溶液的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片材料的化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)且更具體地，本發(fā)明涉及用于在存在下層電介質(zhì)的情況下去除半導(dǎo)體晶片阻擋層材料的CMP組合物和方法。
典型地，半導(dǎo)體晶片具有硅晶片和包含多重溝槽的電介質(zhì)層，該溝槽在電介質(zhì)層內(nèi)排列形成電路互連圖案。這些圖案的排列通常具有金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)或雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)。利用阻擋層覆蓋該具有圖案的電介質(zhì)層而用金屬層覆蓋該阻擋層。該金屬層具有至少足夠的厚度以便使金屬充滿該圖案化的溝槽從而形成電路互連。
CMP工藝通常包括多個平坦化步驟。例如，第一步從下面的阻擋電介質(zhì)層上除去金屬層。該第一步拋光可去除金屬層，并在晶片上留下具有充滿金屬的溝槽的光滑平坦表面，該溝槽可提供與該拋光表面平齊的電路互連。該第一步拋光步驟傾向于以相對高的速率去除過剩的互連金屬例如銅。例如，Lee等人在歐洲專利公開1 072 662A1中公開了使用胍作為研磨加速劑用于提高研磨劑組合物的電介質(zhì)去除速率。該第一步去除之后，第二步拋光能夠除去殘留在該半導(dǎo)體晶片上的阻擋層。第二步拋光可從半導(dǎo)體晶片的下層電介質(zhì)層上除去該阻擋層從而在該電介質(zhì)層上提供平坦的拋光表面。
遺憾的是，CMP工藝通常會導(dǎo)致不需要的金屬從電路互連上的過度去除或凹陷。這種凹陷既可以由第一步拋光產(chǎn)生也可以由第二步拋光產(chǎn)生。超過許可水平的凹陷會在電路互連中引起尺度損失。電路互連中的這些薄弱區(qū)域會減弱電信號并損害后續(xù)的雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)的加工。
阻擋層典型為金屬，金屬合金或金屬間化合物，例如鉭或氮化鉭。該阻擋層形成可阻止晶片內(nèi)各層之間的遷移和擴(kuò)散的層。例如，阻擋層可防止互連金屬例如銅或銀擴(kuò)散到臨近的電介質(zhì)中。阻擋層材料必需能抵抗大多數(shù)酸的腐蝕，從而可以抵抗用于CMP的流體拋光組合物的溶解作用。此外，這些阻擋層表現(xiàn)出一定的韌性，可抵抗CMP漿料中的研磨顆粒和固定掩模墊的研磨去除。
侵蝕是指通過CMP工藝去除一些電介質(zhì)層時在電介質(zhì)層的表面上產(chǎn)生的不良凹陷。發(fā)生在溝槽中的金屬附近的侵蝕會在電路互連中產(chǎn)生尺度缺陷。以類似于凹陷的方式，這些缺陷會造成電路互連所傳輸?shù)碾娦盘柕臏p弱并損害隨后的雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)的加工。阻擋層的去除速率與金屬互連或電介質(zhì)層的去除速率的比值被稱為選擇比。
大多數(shù)阻擋層材料難于通過CMP去除，因為該阻擋層可抵抗研磨和溶解的去除。典型的阻擋層去除漿料要求在流體拋光組合物中具有高的研磨劑濃度，例如至少7.5重量百分比，以便除去阻擋層材料。但是具有這些高研磨劑濃度的漿料會對該電介質(zhì)層造成有害的侵蝕并產(chǎn)生銅互連的凹陷，侵蝕和劃痕。除此之外，高的研磨劑濃度會導(dǎo)致低k電介質(zhì)層從半導(dǎo)體晶片上的剝落或分層。
對于可選擇性去除鉭阻擋層材料的改良CMP組合物存在尚未滿足的需求。特別的，存在對可選擇性去除鉭阻擋層材料同時具有減小的電介質(zhì)侵蝕和減少的金屬互連凹陷，侵蝕和劃痕的CMP組合物的需求。此外，希望去除鉭阻擋層材料而不會使低k電介質(zhì)層從半導(dǎo)體晶片上剝落。
發(fā)明綜述本發(fā)明提供了用于去除鉭阻擋層材料的化學(xué)機(jī)械平坦化溶液，該溶液包含0至25重量百分比的氧化劑，0至15重量百分比的非鐵金屬抑制劑，0至20重量百分比的非鐵金屬配位劑，0.01至12重量百分比選自甲脒，甲脒鹽，甲脒衍生物，胍衍生物，胍鹽和它們的混合物的鉭去除劑，0至5重量百分比的研磨劑，0至15重量百分比選自聚合物顆粒和聚合物包覆顆粒的全部顆粒，和余量的水，而且該溶液具有至少3比1的氮化鉭相對TEOS的選擇性，如使用垂直于晶片測量的小于20.7kPa(3psi)的微孔聚氨酯拋光墊壓力所測。
此外，本發(fā)明提供了用于從半導(dǎo)體晶片上去除鉭阻擋層材料的化學(xué)機(jī)械平坦化方法，該方法包括使晶片襯底與拋光溶液接觸，該晶片襯底包含鉭阻擋層材料和電介質(zhì)，該拋光溶液包含選自甲脒，甲脒鹽，甲脒衍生物，胍衍生物，胍鹽和它們的混合物的鉭試劑；和使用拋光墊對該晶片襯底進(jìn)行拋光以便以一定去除速率從該晶片襯底上除去鉭阻擋層材料，該去除速率大于對電介質(zhì)的去除速率并以埃每分鐘表示。
發(fā)明詳述對于去除鉭阻擋層材料該溶液和方法提供了意想不到的選擇性。該溶液依靠選自甲脒，甲脒鹽，甲脒衍生物，例如胍，胍衍生物，胍鹽和它們的混合物的鉭阻擋層去除劑來選擇性去除鉭阻擋層材料。該溶液可選擇性去除阻擋層材料同時具有減小的電介質(zhì)侵蝕和減小的金屬互連例如銅的凹陷，侵蝕和劃痕。此外，該溶液可除去鉭阻擋層材料而不會使低k電介質(zhì)層從半導(dǎo)體晶片上剝落或分層。
該溶液依靠阻擋層去除劑來除去鉭阻擋層材料。對本說明書而言，鉭阻擋層指鉭，含鉭合金，鉭基合金和鉭金屬間化合物。對于鉭，鉭基合金和鉭金屬間化合物，例如鉭的碳化物，氮化物和氧化物，該溶液具有特別的效力。對于從具有圖案的半導(dǎo)體晶片上去除鉭阻擋層該漿料最為有效。
該鉭阻擋層去除劑可以是甲脒，甲脒鹽，甲脒衍生物例如胍，胍衍生物，胍鹽或它們的混合物。這些鉭去除劑顯出對鉭阻擋層材料具有強(qiáng)烈的親合力。這種對鉭的親合力可以在使用有限的研磨劑或(可選的)無需使用任何研磨劑的情況下提高該阻擋層的去除速率。這種有限的研磨劑使用允許該拋光以大于對電介質(zhì)和金屬互連的速率去除該鉭阻擋層。特別有效的胍衍生物和鹽包括鹽酸胍，硫酸胍，鹽酸氨基胍，乙酸胍，碳酸胍，硝酸胍，甲脒，甲脒亞磺酸，甲脒乙酸鹽和它們的混合物。優(yōu)選地，該溶液包含0.01至12重量百分比的鉭去除劑。本說明以重量百分比表示所有的濃度。最優(yōu)選地，該溶液包含0.1至10重量百分比的鉭去除劑并且對于大多數(shù)應(yīng)用，介于0.2至6重量百分比之間的鉭去除劑的濃度可提供足夠的阻擋層去除速率。
在包含余量的水的溶液中該鉭去除劑可在寬的pH范圍上提供效力。該溶液有用的pH范圍可以至少為2至12。此外，該溶液最優(yōu)選的依靠余量的去離子水來限制附帶的雜質(zhì)。
可選地，該溶液可包含0至25重量百分比的氧化劑。優(yōu)選地，該可選的氧化劑為0至15重量百分比。該氧化劑在幫助該溶液去除酸性pH水平可能形成的鉭氧化物膜時特別有效，特別地，這些膜可以在5或者5以下的pH水平形成。該氧化劑可以是許多氧化劑中的至少一種，例如過氧化氫(H2O2)，單過硫酸鹽，碘酸鹽，過鄰苯二甲酸鎂，過乙酸和其它過酸，過硫酸鹽，溴酸鹽，高碘酸鹽，硝酸鹽，鐵鹽，鈰鹽，Mn(III)，Mn(IV)和Mn(VI)鹽，銀鹽，Cu鹽，鉻鹽，鈷鹽，鹵素，次氯酸鹽和它們的混合物。此外，通常優(yōu)選使用氧化劑化合物的混合物。優(yōu)選的阻擋層金屬拋光漿料包含過氧化氫氧化劑。當(dāng)該拋光漿料包含不穩(wěn)定氧化劑例如過氧化氫時，通常最優(yōu)選在使用時將該氧化劑混入漿料。
典型的非鐵金屬互連包括銅，銅基合金，銀和銀基合金。可選地，該溶液可包含0至15重量百分比的抑制劑以便控制靜態(tài)侵蝕或其它去除機(jī)制對互連的去除速率。調(diào)節(jié)抑制劑的濃度通過保護(hù)金屬不受靜態(tài)侵蝕可調(diào)整該互連金屬的去除速率。優(yōu)選地，該溶液包含可選的0至10重量百分比的抑制劑。該抑制劑可以由抑制劑的混合物組成。唑類抑制劑對銅和銀互連特別有效。典型的唑類抑制劑包括苯并三唑(BTA)，甲苯三唑，咪唑和其它唑類化合物。最優(yōu)選地，該漿料包含0.02至5重量百分比的全部的唑類以便抑制銅或銀互連的靜態(tài)侵蝕。對于銅和銀BTA是特別有效的抑制劑。
除抑制劑以外，該溶液可以包含0至20重量百分比的非鐵金屬的配位劑。當(dāng)其存在時，該配位劑可通過溶解該非鐵金屬互連來阻止形成的金屬離子的沉淀。最優(yōu)選地，該溶液包含0至10重量百分比的非鐵金屬的配位劑。配位劑的實例包括乙酸，檸檬酸，乙酰乙酸乙酯，羥基乙酸，乳酸，蘋果酸，草酸，水揚(yáng)酸，二乙基二硫代氨基甲酸鈉，丁二酸，酒石酸，巰基乙酸，甘氨酸，丙氨酸，天冬氨酸，乙二胺，三甲基二胺，丙二酸，谷氨酸(gluteric acid)，3-羥基丁酸，丙酸，鄰苯二甲酸，間苯二甲酸，3-羥基水楊酸，3，5-二羥基水楊酸，棓酸，葡萄糖酸，鄰苯二酚，連苯三酚，丹寧酸，它們的鹽和混合物。優(yōu)選地，該配位劑選自乙酸，檸檬酸，乙酰乙酸乙酯，羥基乙酸，乳酸，蘋果酸，草酸和它們的混合物。最優(yōu)選地，該配位劑是檸檬酸。
鉭去除劑的使用有利于使用低研磨劑濃度如低于5重量百分比的拋光。對于包含小于5重量百分比研磨劑的拋光溶液，該拋光可以容易地以比電介質(zhì)的去除速率大至少三倍的速率(以埃每分鐘表示)去除鉭阻擋層材料。對于包含小于1重量百分比研磨劑的拋光溶液，該拋光可以容易地以比該電介質(zhì)的去除速率(以埃每分鐘表示)大至少五倍的速率去除鉭阻擋層材料。典型的研磨劑包括金剛石顆粒和金屬氧化物，硼化物，碳化物，氮化物和它們的混合物。最優(yōu)選地，如果存在，該研磨劑則選自氧化鋁，氧化鈰和二氧化硅以及它們的混合物。為得到極度減小的電介質(zhì)侵蝕速率，該溶液優(yōu)選包含小于0.09重量百分比的研磨劑且最優(yōu)選包含小于0.05重量百分比的研磨劑。雖然該溶液在包含零濃度水平的研磨劑時仍有效，但是少量的研磨劑有利于拋光碎屑的去除。為減少劃痕，該溶液優(yōu)選包含平均顆粒尺寸小于200nm，且最優(yōu)選小于100nm的研磨劑。
為了去除碎屑，該溶液可包含總量為0至15重量百分比的聚合物或聚合物包覆顆粒。這些“聚合物”顆?？纱龠M(jìn)碎屑的去除而不會產(chǎn)生電介質(zhì)侵蝕或互連的磨損，凹陷或侵蝕的有害影響。最優(yōu)選地，該溶液包含總量為0到10重量百分比的聚合物或聚合物包覆顆粒。表面活性劑或聚合物例如聚乙烯吡咯烷酮可以與研磨劑結(jié)合來提供該聚合物包覆顆粒。
該拋光溶液還可以包含均平劑如氯化銨來控制該互連金屬的表面光潔度。除此之外，該溶液可選包含殺菌劑以便限制生物污染。例如NeoloneTMM-50殺菌劑丙二醇中的2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮(Rohmand Haas Company)對于許多應(yīng)用提供了有效的殺菌劑。
如使用小于20.7kPa的垂直于晶片測量的微孔聚氨酯拋光墊壓力所測，該溶液提供了至少3比1的氮化鉭相對TEOS的選擇性。適合于測定選擇性的特定拋光墊是Politex的微孔聚氨酯拋光墊。優(yōu)選地，該溶液可提供至少5比1的氮化鉭相對TEOS的選擇性，如使用小于20.7kPa的垂直于晶片測量的微孔聚氨酯拋光墊壓力所測；且最優(yōu)選地，該范圍是至少10比1。而且該溶液可提供超過100比1的氮化鉭相對TEOS的選擇性。調(diào)節(jié)pH，氧化劑濃度和鉭去除劑的濃度可調(diào)整鉭阻擋層的去除速率。調(diào)節(jié)抑制劑，氧化劑，配位劑以及均平劑的濃度可以調(diào)整互連金屬的刻蝕速率。
實施例在實施例中數(shù)字代表本發(fā)明的實施例而字母代表對照實施例。此外，所有的示例溶液均包含0.01重量百分比的NeoloneTMM-50殺菌劑丙二醇中的2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮和0.01重量百分比的氯化銨光亮劑。
實施例1這個試驗測量了下列層的去除速率TaN阻擋層，Ta阻擋層，TEOS電介質(zhì)層，通過處理原硅酸四乙酯前體得到的低k電介質(zhì)形式的二氧化硅，和銅。特別地，該試驗測定了特定的鉭去除劑，氧化劑和抑制劑在第二步拋光操作中的效果。使用Strausbaugh拋光機(jī)利用Politex聚氨酯拋光墊(Rodel，Inc.)在約3psi(20.7kPa)的下壓力條件和200cc/min的拋光液流速，120RPM的工作臺轉(zhuǎn)速和114RPM的托架轉(zhuǎn)速下對試樣進(jìn)行平坦化。使用KOH或HNO3將該拋光溶液的pH調(diào)節(jié)至9且所有的溶液均包含去離子水。此外，拋光溶液包含1重量百分比平均顆粒尺寸為50nm的二氧化硅研磨劑。
表1
GAA＝乙酸胍，GS＝硫酸胍，GHCL＝鹽酸胍，AGHCL＝氨基鹽酸胍，BTA＝苯并三唑，TaN＝氮化鉭，TEOS＝原硅酸四乙酯(電介質(zhì))，Cu＝銅(金屬)，Ta＝鉭阻擋層，F(xiàn)S＝甲脒亞磺酸而FA＝甲脒乙酸鹽。
上表顯示胍和甲脒化合物可提供鉭阻擋層材料相對于電介質(zhì)和互連金屬的高的去除選擇性。此外，該測試證實了當(dāng)使用相同的拋光溶液進(jìn)行拋光時Ta和TaN的去除速率的大小接近——參見溶液2，7，8和10。然而溶液4至6的過氧化氫氧化劑在該測試的pH下可減小TaN的去除速率。然而該速率遠(yuǎn)大于使用不含胍或甲脒化合物的對照溶液A獲得的去除速率。
該數(shù)據(jù)說明該胍和甲脒阻擋層去除劑可以在所有的情形下提供至少1000埃每分鐘的TaN阻擋層去除速率。表1中所記錄的溶液7和10證明腐蝕抑制劑BTA可提高阻擋層的去除速率。具體地，當(dāng)BTA的濃度從0.05重量百分比增加到0.8重量百分比時，TaN的去除速率從1221埃每分鐘提高到2200埃每分鐘。
實施例2實施例2的測試使用實施例1的溶液和設(shè)備，但該溶液不含任何二氧化硅研磨劑添加物。
表2
上面的數(shù)據(jù)表明從溶液中去除研磨劑后可以將電介質(zhì)的去除速率減小到無法檢測出的去除速率水平。這些溶液具有至少100比1的TaN相對TEOS的選擇性。
實施例3實施例3的測試使用實施例1的溶液和設(shè)備，但該溶液包含不同的pH水平。
表3
這些數(shù)據(jù)說明了該拋光溶液在高pH水平下的效用。在低pH水平下，該溶液需要添加氧化劑，如下面的實施例4所示。
實施例4
該實施例說明了向低pH溶液中加入氧化劑后的效力。具體地，該測試依靠2psi(13.8kPa)的下壓力，120RPM的工作臺轉(zhuǎn)速，114RPM的托架轉(zhuǎn)速和200cc/min的漿料流速，包含0.6重量百分比H2O2且pH為3至5的溶液。
表4
上面的數(shù)據(jù)說明通過向該低pH溶液中添加氧化劑H2O2可以顯著提高去除速率。
實施例5實施例5的測試使用實施例1的溶液和設(shè)備，但使用表5中所制定的拋光條件。該溶液的pH為8.0，包含水，0.20％BTA，1％GHCL，0.5％檸檬酸，0.01％Neolone M50和0.01％平均顆粒尺寸為12nm的膠態(tài)二氧化硅。
表5
表4中所記錄的試驗表明在使用1psi至3psi(6.9至20.7kPa)的低的下壓力下，胍化合物能以足夠的去除速率和選擇性去除金屬，TaN，和已知的阻擋層金屬。此外，0.01重量百分比的膠態(tài)二氧化硅會產(chǎn)生不顯著的去除速率變化，但會清除殘存的TaN殘留物以便減少TaN表面層的不均勻去除。
對本說明書而言，術(shù)語電介質(zhì)是指介電常數(shù)為k的半導(dǎo)體材料，且該材料包括低k和超低k電介質(zhì)材料。該工藝可去除鉭阻擋層材料而對通常的電介質(zhì)和低k電介質(zhì)材料影響很小。由于該溶液在包含少量或不含研磨劑時可在低的壓力(即小于21.7kPa)下提供有效的阻擋層去除速率和高的鉭選擇性，這有利于使用低電介質(zhì)侵蝕速率的拋光。該溶液和方法對于阻止包括如下的多個晶片組分的侵蝕是非常好的多孔或無孔低k電介質(zhì)，有機(jī)和無機(jī)低k電介質(zhì)，以化學(xué)記號SiwCxOyHz表示的有機(jī)硅酸鹽玻璃(OSG)，其中w，x，y，z代表原子數(shù)，氟硅酸鹽玻璃(FSG)，碳摻雜氧化物(CDO)，TEOS，衍生自原硅酸四乙酯的氧化硅，和任何硬質(zhì)掩模材料，例如TEOS，SiwCxOyHz，SiCH，SixNy，SixCyNz，和SiC。
優(yōu)選地，該拋光溶液包含小于5重量百分比的研磨劑以便限制侵蝕而且該拋光能夠以比電介質(zhì)的去除速率(以埃每分鐘表示)大至少3倍的速率去除該鉭阻擋層材料。最優(yōu)選地，該拋光溶液包含小于1重量百分比的研磨劑以便進(jìn)一步限制侵蝕而且該拋光能夠以比電介質(zhì)的去除速率(以埃每分鐘表示)大至少5倍的速率去除該鉭阻擋層材料。
對于去除鉭阻擋層材料，如鉭，氮化鉭和氧化鉭，該溶液和方法提供了優(yōu)異的選擇性。該溶液可選擇性去除鉭阻擋層材料并具有減小的電介質(zhì)侵蝕。例如，該溶液可以去除鉭阻擋層而不會產(chǎn)生可覺察的TEOS損失，而且不會使低k電介質(zhì)層剝落或分層。除此之外，該溶液可減少銅互連的凹陷，侵蝕和劃痕。
權(quán)利要求
1.用于去除鉭阻擋層材料的化學(xué)機(jī)械平坦化溶液，該溶液包含0至25重量百分比的氧化劑，0至15重量百分比的非鐵金屬抑制劑，0至20重量百分比該非鐵金屬的配位劑，0.01至12重量百分比選自甲脒，甲脒鹽，甲脒衍生物，胍衍生物，胍鹽和它們的混合物的鉭去除劑，0至5重量百分比的研磨劑，0至15重量百分比選自聚合物顆粒和聚合物包覆顆粒的全部顆粒，和余量的水，該溶液具有至少3比1的氮化鉭相對TEOS的選擇性，如使用垂直于晶片測量的小于20.7kPa的微孔聚氨酯拋光墊壓力所測。
2.權(quán)利要求1的溶液，其中該鉭去除劑的含量為0.1至10重量百分比。
3.權(quán)利要求1的溶液，其中該抑制劑包括唑類抑制劑。
4.權(quán)利要求1的溶液，其中該鉭去除劑選自鹽酸胍，硫酸胍，鹽酸氨基胍，乙酸胍，碳酸胍，硝酸胍，甲脒，甲脒亞磺酸，甲脒乙酸鹽和它們的混合物。
5.用于去除鉭阻擋層材料的化學(xué)機(jī)械平坦化溶液，該溶液包含0至15重量百分比的氧化劑，0至10重量百分比的非鐵金屬抑制劑，0至10重量百分比該非鐵金屬的配位劑，0.1至10重量百分比選自甲脒，甲脒鹽，甲脒衍生物，胍衍生物，胍鹽和它們的混合物的鉭去除劑，0至0.09重量百分比的研磨劑，0至10重量百分比選自聚合物顆粒和聚合物包覆顆粒的全部顆粒，和余量的水。
6.權(quán)利要求5的溶液，其中該鉭去除劑選自鹽酸胍，硫酸胍，鹽酸氨基胍，乙酸胍，碳酸胍，硝酸胍，甲脒，甲脒亞磺酸，甲脒乙酸鹽和它們的混合物，且該鉭去除劑的含量是0.2至6重量百分比。
7.權(quán)利要求5的溶液，其中該抑制劑是總量為0.02至5重量百分比的唑類抑制劑。
8.用于從半導(dǎo)體晶片上去除鉭阻擋層材料的化學(xué)機(jī)械平坦化方法，該方法包括如下步驟使晶片襯底與拋光溶液接觸，該晶片襯底包含鉭阻擋層材料和電介質(zhì)，該拋光溶液包含選自甲脒，甲脒鹽，甲脒衍生物，胍衍生物，胍鹽和它們的混合物的鉭去除劑；和使用拋光墊對該晶片襯底進(jìn)行拋光以便以一定去除速率從該晶片襯底上除去鉭阻擋層材料，該去除速率大于對電介質(zhì)的去除速率并以埃每分鐘表示。
9.權(quán)利要求8的方法，其中該拋光溶液包含小于5重量百分比的研磨劑而且該拋光能夠以比以埃每分鐘表示的電介質(zhì)的去除速率大至少3倍的速率去除該鉭阻擋層材料。
10.權(quán)利要求8的方法，其中該拋光溶液包含小于1重量百分比的研磨劑而且該拋光能夠以比以埃每分鐘表示的電介質(zhì)的去除速率大至少5倍的速率去除該鉭阻擋層材料。
全文摘要
用于去除鉭阻擋層材料的化學(xué)機(jī)械平坦化溶液。該溶液包含0至25重量百分比的氧化劑，0至15重量百分比的非鐵金屬金屬抑制劑和0至20重量百分比該非鐵金屬的配位劑，0.01至12重量百分比選自甲脒，甲脒鹽，甲脒衍生物，胍衍生物，胍鹽和它們的混合物的鉭去除劑，0至5重量百分比的研磨劑，0至15重量百分比選自聚合物顆粒和聚合物包覆顆粒的全部顆粒，而余量為水。該溶液具有至少3比1的氮化鉭相對TEOS的選擇性，如使用垂直于晶片的小于20.7kPa的微孔聚氨酯拋光墊板壓力所測。
文檔編號C11D11/00GK1643660SQ03806424
公開日2005年7月20日 申請日期2003年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月25日
發(fā)明者卞錦儒 申請人:Cmp羅姆和哈斯電子材料控股公司