專利名稱：光刻法用洗滌液和基板的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于剝離、溶解厚膜光致抗蝕劑圖案的光刻法用洗滌液和基板的處理方法。本發(fā)明特別適用于形成IC或LSI等的凸點(diǎn)(bump)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)隨著IC或LSI等半導(dǎo)體元件的高集成化或芯片尺寸的縮小化，要求金屬布線的細(xì)微化，以及作為連接端子的高度為20μm或20μm以上的凸點(diǎn)(微小凸點(diǎn)電極)能高精度地配置在基板上，今后，為適應(yīng)芯片尺寸進(jìn)一步縮小化的要求，要求必須進(jìn)一步提高金屬布線或凸點(diǎn)的高精度化。
凸點(diǎn)的形成方法，例如如下進(jìn)行，在基板上形成金屬薄膜，在該金屬薄膜上利用光刻技術(shù)形成厚膜的光致抗蝕劑圖案后，在光致抗蝕劑圖案的非形成部(金屬薄膜露出部)利用電解鍍覆的方法設(shè)置導(dǎo)電層，形成凸點(diǎn)，然后除去光致抗蝕劑圖案。
上述的光致抗蝕劑圖案，因?yàn)橥ǔＲ?0～150μm左右的厚膜形成，所以從耐鍍覆性、圖案形狀性等方面考慮，優(yōu)選使用負(fù)型光致抗蝕劑材料。但是，負(fù)型光致抗蝕劑材料較正型光致抗蝕劑材料難以除去，形成厚膜的光致抗蝕劑時(shí)就更難以除去。
另外，厚膜的光致抗蝕劑圖案因?yàn)槭呛衲さ?，所以在制造過(guò)程中無(wú)法避免容易出現(xiàn)圖案形狀不適合(歪斜、缺損等)的情況，在這種情況下，有必要在操作過(guò)程中將光致抗蝕劑圖案從基板上除去，從頭開(kāi)始再次制造的步驟，即所說(shuō)的重做(rework)。
為在形成上述凸點(diǎn)后除去光致抗蝕劑圖案，或?yàn)榱酥刈龆ス庵驴刮g劑圖案，在這兩種情況下，都需要將厚膜的光致抗蝕劑圖案浸漬在洗滌液槽中，從基板剝離(脫落)后，該剝離的光致抗蝕劑圖案(固化物)必須迅速且完全地溶解在洗滌液槽中。如果剝離的光致抗蝕劑圖案在洗滌液中溶解不充分而直接殘留，則可能再次附著在該基板上或在連續(xù)處理過(guò)程中附著在后續(xù)的處理基板上，在制造效率方面產(chǎn)生問(wèn)題。同時(shí)還必須抑制對(duì)金屬薄膜的腐蝕。另外因?yàn)樵谛纬赏裹c(diǎn)的基板上在光致抗蝕劑圖案與凸點(diǎn)之間的界面上有時(shí)會(huì)形成改性膜，所以還必須防止該改性膜的形成，抑制凸點(diǎn)的腐蝕。
在特開(kāi)平08-301911號(hào)公報(bào)中，記載了作為凸點(diǎn)形成用圖案形成材料的對(duì)放射線敏感的樹(shù)脂組合物，在其中的段落序號(hào)0032、0043中記載了用于剝離使用該組合物的光固化圖案的剝離液，該剝離液為季銨鹽與二甲亞砜和水的混合物(特別是0.5質(zhì)量％的氫氧化四甲基銨的二甲亞砜溶液(含水1.5質(zhì)量％))。但是該剝離液存在的問(wèn)題是，為使從基板上剝離的光固化圖案進(jìn)一步溶解在剝離液中需要很長(zhǎng)時(shí)間，處理能力差。
在特開(kāi)平10-239865號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了一種用于剝離凸點(diǎn)形成用負(fù)型光致抗蝕劑的剝離液，該剝離液中含有規(guī)定量的二甲亞砜、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、氫氧化四烷基銨和水。該公報(bào)中公開(kāi)的情況和特開(kāi)平08-301911號(hào)公報(bào)中的情況相同，要使從基板剝離的光固化圖案再溶解在剝離液中需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間，也存在處理能力差的問(wèn)題。另外，因?yàn)楹?，3-二甲基-2-咪唑烷酮作為必要成分，所以存在使銅變色或發(fā)生腐蝕的問(wèn)題。
應(yīng)予說(shuō)明，在光刻技術(shù)領(lǐng)域中，作為含有季銨氫氧化物、二甲亞砜等水溶性有機(jī)溶劑的剝離液，雖然已知在特開(kāi)2001-324823號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平07-028254號(hào)公報(bào)等中公開(kāi)的剝離液，但這些公報(bào)中對(duì)于適合于形成厚膜圖案(凸點(diǎn)形成用)的、除去困難的光致抗蝕劑的除去沒(méi)有任何記載。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在問(wèn)題的洗滌液，該洗滌液不僅能夠?qū)⒂糜谕裹c(diǎn)形成等的厚膜光致抗蝕劑圖案從基板上剝離，而且可以將剝離的光致抗蝕劑圖案迅速且完全地溶解在洗滌液中，而不會(huì)再附著在基板上。本發(fā)明還提供使用該洗滌液的基板處理方法。
為解決上述課題，本發(fā)明提供一種洗滌液，該洗滌液是用于剝離、溶解膜厚為10～150μm的光致抗蝕劑圖案的洗滌液，含有下述的成分(a)、(b)和(c)，(a)0.5～15質(zhì)量％的通式(I)表示的季銨氫氧化物， 式中R1、R2、R3和R4中的全部基團(tuán)或至少3個(gè)或3個(gè)以上的基團(tuán)分別獨(dú)立地表示碳原子數(shù)3～6的烷基或羥烷基，R1、R2、R3和R4中的1個(gè)基團(tuán)可以是碳原子數(shù)1～6的烷基或羥烷基，(b)65～97質(zhì)量％的水溶性有機(jī)溶劑，(c)0.5～30質(zhì)量％的水。
另外本發(fā)明還提供一種基板的處理方法，該方法包括以下步驟在具有金屬薄膜的基板上形成膜厚10～150μm的光致抗蝕劑圖案，然后在金屬薄膜露出部(未形成光致抗蝕劑圖案的部分)上形成導(dǎo)電層，之后使光致抗蝕劑圖案與上述洗滌液接觸，剝離、溶解該光致抗蝕劑圖案。
另外，本發(fā)明還提供一種基板的處理方法，該方法包括以下步驟在具有金屬薄膜的基板上形成膜厚10～150μm的光致抗蝕劑圖案，之后在金屬薄膜露出部(未形成光致抗蝕劑圖案的部分)上不形成導(dǎo)電層，使光致抗蝕劑圖案與上述洗滌液接觸，剝離、溶解該光致抗蝕劑圖案。
本發(fā)明的洗滌液是用于剝離和溶解在具有金屬薄膜的基板上形成的10～150μm的厚膜光致抗蝕劑圖案的洗滌液，其中的成分(a)是下述通式(I)表示的季銨氫氧化物，
式中R1、R2、R3和R4中的全部基團(tuán)或至少3個(gè)或3個(gè)以上的基團(tuán)分別獨(dú)立地表示碳原子數(shù)3～6的烷基或羥烷基，R1、R2、R3和R4中的1個(gè)基團(tuán)可以是碳原子數(shù)1～6的烷基或羥烷基。
使用R1、R2、R3和R4中的全部基團(tuán)或至少3個(gè)或3個(gè)以上的基團(tuán)的碳原子數(shù)低于3的物質(zhì)的情況下，發(fā)生金屬薄膜(特別是Cu等)的腐蝕。
作為(a)成分，具體例如有氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化甲基三丙基銨、氫氧化甲基三丁基銨等。其中從兼顧光致抗蝕劑圖案的剝離、溶解和抑制Cu等易腐蝕性金屬的腐蝕方面考慮，最優(yōu)選氫氧化四丙基銨。(a)成分可以使用1種、2種或2種以上。
(a)成分在本發(fā)明洗滌液中的配合量為0.5～15質(zhì)量％，優(yōu)選1～10質(zhì)量％。如果(a)成分的配合量低于0.5質(zhì)量％，則難以充分除去光致抗蝕劑圖案，另一方面，如果高于15質(zhì)量％，則容易發(fā)生對(duì)金屬薄膜(Cu等)或Si基板的腐蝕。
作為(b)成分的水溶性有機(jī)溶劑，只要是與水或其他配合成分具有混合性的有機(jī)溶劑即可，可以使用一直以來(lái)慣用的有機(jī)溶劑。具體例如有二甲基砜、二乙基砜、二(2-羥乙基)砜、四亞甲基砜F環(huán)丁砜]等砜類；N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺等酰胺類；N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-丙基-2-吡咯烷酮、N-羥甲基-2-吡咯烷酮、N-羥乙基-2-吡咯烷酮等內(nèi)酰胺類；乙二醇、乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、乙二醇一甲基醚乙酸酯、乙二醇一乙基醚乙酸酯、二甘醇、二甘醇一甲基醚、二甘醇一乙基醚、二甘醇一丁基醚、丙二醇一甲基醚、丙二醇一乙基醚、丙二醇一丙基醚、丙二醇一丁基醚等多元醇類及其衍生物等。另外，從防止金屬腐蝕、防止變色等方面考慮，優(yōu)選不使用1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、1，3-二乙基-2-咪唑烷酮、1，3-二異丙基-2-咪唑烷酮等咪唑烷酮類。
作為本發(fā)明中的(b)成分，優(yōu)選單獨(dú)使用二甲亞砜或使用二甲亞砜與其它的水溶性有機(jī)溶劑的混合溶劑。其中從光致抗蝕劑的剝離和溶解性能及抑制Cu腐蝕的性能方面考慮，優(yōu)選使用二甲亞砜與N-甲基-2-吡咯烷酮和/或環(huán)丁砜的混合溶劑。特別是，二甲亞砜與N-甲基-2-吡咯烷酮的混合溶劑對(duì)光致抗蝕劑圖案的剝離性能和溶解性能都很高，所以最為優(yōu)選。二甲亞砜與其他的水溶性有機(jī)溶劑的混合比例，優(yōu)選為二甲亞砜其他的水溶性有機(jī)溶劑＝8∶1～1∶8(質(zhì)量比)左右。(b)成分可以使用1種、2種或2種以上。
(b)成分在本發(fā)明的洗滌液中的配合量，為65～97質(zhì)量％，優(yōu)選為70～96質(zhì)量％。(b)成分的配合量如果低于65質(zhì)量％，則容易發(fā)生對(duì)金屬薄膜、凸點(diǎn)、Si基板的腐蝕，另一方面，如果高于97質(zhì)量％，則光致抗蝕劑圖案的剝離、溶解性能降低。
作為(c)成分的水在本發(fā)明洗滌液中的配合量為0.5～30質(zhì)量％，優(yōu)選為1～25質(zhì)量％。(c)成分的配合量如果低于0.5質(zhì)量％，則光致抗蝕劑圖案的剝離、溶解性能不充分，另一方面，如果高于30質(zhì)量％，則容易發(fā)生對(duì)金屬薄膜、凸點(diǎn)、Si基板的腐蝕。
作為本發(fā)明洗滌液的剝離、溶解對(duì)象的厚膜光致抗蝕劑圖案，可以廣泛適用于用于形成凸點(diǎn)等的、厚膜圖案形成用光致抗蝕劑組合物。
作為這種厚膜圖案形成用光致抗蝕劑組合物，目前的主流是光聚合型負(fù)型光致抗蝕劑組合物和化學(xué)放大型負(fù)型光致抗蝕劑組合物，但本發(fā)明的洗滌液并不限定于此，對(duì)于i線用正型光致抗蝕劑組合物、化學(xué)放大型正型光致抗蝕劑組合物等也確認(rèn)有效。
上述的各光致抗蝕劑組合物中，剝離、溶解最困難的是通過(guò)放射線照射而聚合、對(duì)堿不溶的負(fù)型光致抗蝕劑組合物。本發(fā)明的洗滌液可以最有效地剝離、溶解該光聚合型負(fù)型光致抗蝕劑組合物。
作為上述光聚合型負(fù)型光致抗蝕劑組合物，例如有以下述成分作為主要構(gòu)成成分的組合物(甲基)丙烯酸酯、含有環(huán)狀烷基的(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯類聚合物等聚合物成分、光聚合引發(fā)劑、溶劑、和交聯(lián)劑。
另外，作為化學(xué)放大型負(fù)型光致抗蝕劑組合物，例如可以舉出含有酚醛清漆樹(shù)脂等聚合物成分、交聯(lián)劑、光照酸發(fā)生劑(經(jīng)光照射產(chǎn)生酸的物質(zhì))和溶劑作為構(gòu)成成分的組合物。
以下給出本發(fā)明洗滌液的使用方式、使用該洗滌液的本發(fā)明基板處理方法的一個(gè)具體實(shí)例。但本發(fā)明并不受該實(shí)例的限定。
可以利用旋涂法、輥涂法等公知方法在具有金屬薄膜的基板上涂布經(jīng)放射線照射聚合、對(duì)堿不溶的負(fù)型光致抗蝕劑涂布液，經(jīng)干燥后形成光致抗蝕劑層。
作為上述金屬薄膜，例如有Cu、Cu合金、Al、Al合金、Ni、Au、Pd等。金屬薄膜的形成可以采用CVD蒸鍍、濺鍍法、電解鍍覆法等進(jìn)行，但沒(méi)有特別限定。
然后，通過(guò)掩膜圖案對(duì)該光致抗蝕劑層照射放射線，由此進(jìn)行選擇性地曝光。以上述負(fù)型光致抗蝕劑為例，在光照射部發(fā)生光聚合反應(yīng)而固化，成為光固化部。應(yīng)予說(shuō)明，放射線的含義包括紫外線、可見(jiàn)光線、遠(yuǎn)紫外線、X射線、電子射線等。放射線的射線源例如有低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、KrF、ArF、F2準(zhǔn)分子激光等。
然后進(jìn)行顯影，由此除去非曝光部，形成膜厚10～150μm的光致抗蝕劑圖案(光固化圖案)。顯影方法可以利用常用的方法。上述的負(fù)型光致抗蝕劑可以使用堿性水溶液作為顯影液。具體例如有氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、硅酸鈉、偏硅酸鈉、氨水、乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、吡咯、哌啶、1，8-二氮雜雙環(huán)[5.4.0]-7-十一碳烯、1，5-二氮雜雙環(huán)[4.3.0]-5-壬烷等。對(duì)于顯影時(shí)間無(wú)特別限定，但通常為30～360秒。顯影方法可以采用浸漬法、水坑法、噴霧法等任意方法。
之后，在基板上的光致抗蝕劑除去部(基板上的金屬薄膜露出部。非曝光部)上填充導(dǎo)電性金屬，形成導(dǎo)電層(凸點(diǎn)形成)。導(dǎo)電性金屬的充填可以采用任意的方法進(jìn)行，但電解鍍覆處理是主流的處理方法。這樣可以形成所希望高度的凸點(diǎn)。凸點(diǎn)通常為20μm或20μm以上。用于形成凸點(diǎn)的導(dǎo)電性金屬，例如可以使用Cu、Cu合金、Al、Al合金、Ni、Au、焊錫等任意的金屬。本發(fā)明的洗滌液特別對(duì)于使用Cu、焊錫的基板具有抑制腐蝕的效果。
在這種凸點(diǎn)的形成過(guò)程中，因?yàn)楣庵驴刮g劑圖案為厚膜，所以在制造過(guò)程中圖案崩散、變形等不良情況的發(fā)生較之薄膜圖案的場(chǎng)合要多，這是無(wú)法避免的。因此，在凸點(diǎn)形成前，在光致抗蝕劑圖案上發(fā)生不良情況時(shí)，有必要從基板上除去光致抗蝕劑圖案，再次將該基板供給到凸點(diǎn)形成步驟中。
如上所述，本發(fā)明的洗滌液在除去凸點(diǎn)形成后的光致抗蝕劑圖案或用于重做(rework)的光致抗蝕劑圖案方面特別有效。
也就是說(shuō)，使凸點(diǎn)形成后的光致抗蝕劑圖案或用于重做的光致抗蝕劑圖案與本發(fā)明的洗滌液相接觸，除去光致抗蝕劑圖案。
接觸方法優(yōu)選將基板整體浸漬在洗滌液槽內(nèi)進(jìn)行。通過(guò)接觸，固化的圖案一邊從基板上溶解一邊剝離(脫落)，但本發(fā)明的洗滌液具有可將這種剝離的固化圖案迅速溶解的非常優(yōu)良的效果。即使從基板剝離固化圖案很快，但如果剝離的固化圖案不能進(jìn)行迅速的溶解，則在連續(xù)處理該基板時(shí)，在后續(xù)基板的處理過(guò)程中無(wú)法溶解徹底，殘存的固化圖案或其殘?jiān)镉性俅胃街谔幚碇械幕迳系奈ｋU(xiǎn)。
本發(fā)明中，即使是對(duì)使用以前難以完全除去或需要較長(zhǎng)時(shí)間才能除去的負(fù)型光聚合性光致抗蝕劑的光固化圖案、且為10～150μm厚膜的情況，也能有效、迅速將其從基板上剝離，并使剝離后的固化圖案迅速溶解。另外，本發(fā)明還具有有效防止對(duì)基板上的金屬薄膜、凸點(diǎn)(導(dǎo)電層)的腐蝕的效果。另外在凸點(diǎn)和光致抗蝕劑圖案間的界面處也不會(huì)形成改性膜。
基板的浸漬時(shí)間只要是能夠?qū)⒐庵驴刮g劑圖案從基板上剝離的充分時(shí)間即可，沒(méi)有特別限定，但通常為10秒～20分鐘左右。處理溫度優(yōu)選為25～90℃左右，特別優(yōu)選40～80℃左右。剝離的固化物在本發(fā)明的洗滌液中經(jīng)過(guò)5～60分鐘即可完全溶解。而現(xiàn)有的洗滌液至少需要1小時(shí)以上才能溶解固化物，所以利用本發(fā)明的洗滌液能在短時(shí)間內(nèi)溶解厚膜光致抗蝕劑。
應(yīng)予說(shuō)明，在使用本發(fā)明的洗滌液進(jìn)行接觸的步驟之前，也可以設(shè)置使其與臭氧水溶液和/或過(guò)氧化氫水溶液接觸的步驟。
實(shí)施例以下通過(guò)實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實(shí)施例的任何限定。對(duì)于配合量如無(wú)特別限定則指質(zhì)量％。
調(diào)制下述表1所示組成的洗滌液。
表1

表1中所示各成分如下。
TPAH氫氧化四丙基銨MTPAH氫氧化甲基三丙基銨TBAH氫氧化四丁基銨MTBAH氫氧化甲基三丁基銨DMSO二甲亞砜SLF環(huán)丁砜NMPN-甲基-2-吡咯烷酮DMI二甲基咪唑烷酮DPM二丙二醇一甲基醚TMAH氫氧化四甲基銨MEA單乙醇胺CA鄰苯二酚實(shí)施例1～7、比較例1～14在形成有Cu薄膜的基板上涂布負(fù)型光致抗蝕劑(“PMER N-HC600”；東京應(yīng)化工業(yè)(株)制)，干燥，形成光致抗蝕劑層。
然后通過(guò)掩膜圖案對(duì)其進(jìn)行曝光后，進(jìn)行堿顯影處理，形成光固化圖案(膜厚20μm)。
將該基板在表1所示洗滌液中進(jìn)行浸漬處理(浸漬處理?xiàng)l件如表2所示)后，用純水進(jìn)行淋洗處理。用SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察此時(shí)的固化圖案的剝離、溶解性、對(duì)金屬薄膜(Cu薄膜)的腐蝕狀態(tài)，進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果在表2中給出。
S固化圖案從基板上完全剝離，且液槽中的剝離固化圖案完全溶解，完全看不到有殘?jiān)顰固化圖案從基板上剝離，在液槽中可稍見(jiàn)有剝離固化圖案的未溶解部分B固化圖案未從基板上剝離 S在Cu薄膜上完全未發(fā)生腐蝕ACu薄膜表面稍有腐蝕(粗糙)BCu薄膜表面發(fā)生腐蝕表2

實(shí)施例 8～11、比較例15～16使用洗滌液1、3和比較洗滌液6，將洗滌處理時(shí)間由30分鐘縮短為20分鐘，按與上述相同的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)評(píng)價(jià)固化圖案的剝離、溶解性。結(jié)果在表3中給出。
表3

實(shí)施例12、比較例17～20在形成有Cu薄膜的基板上涂布負(fù)型光致抗蝕劑(“PMER N-HC600”；東京應(yīng)化工業(yè)(株)制)，干燥，形成光致抗蝕劑層。
然后通過(guò)掩膜圖案對(duì)其進(jìn)行曝光后，進(jìn)行堿顯影處理，形成光固化圖案(膜厚20μm)。
然后在Cu薄膜上用高溫焊錫通過(guò)電解鍍覆法形成凸點(diǎn)。
將該基板在洗滌液3、比較洗滌液1、2、3和6中進(jìn)行浸漬處理(40分鐘，60℃)后，用純水進(jìn)行淋洗處理。按上述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)評(píng)價(jià)此時(shí)的固化圖案的剝離、溶解性、對(duì)金屬薄膜(Cu薄膜)的腐蝕狀態(tài)。用SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察對(duì)凸點(diǎn)的腐蝕狀態(tài)，按下述評(píng)價(jià)基準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果在表4中給出。
S完全沒(méi)有發(fā)生對(duì)凸點(diǎn)的腐蝕A凸點(diǎn)表面稍有腐蝕(粗糙)B凸點(diǎn)表面發(fā)生腐蝕表4

如上所述，通過(guò)使用本發(fā)明的洗滌液，可以很好地將特別是用于形成凸點(diǎn)的厚膜光致抗蝕劑圖案從基板上剝離，同時(shí)可以將該剝離的光致抗蝕劑圖案迅速且完全地溶解在洗滌液中，而不會(huì)再附著在基板上，有助于提高制造效率。
權(quán)利要求
1.一種洗滌液，該洗滌液是用于剝離、溶解膜厚為10～150μm的光致抗蝕劑圖案的洗滌液，含有下述的成分(a)、(b)和(c)，(a)0.5～15質(zhì)量％的通式(I)表示的季銨氫氧化物， 式中R1、R2、R3和R4中的全部基團(tuán)或至少3個(gè)或3個(gè)以上的基團(tuán)分別獨(dú)立地表示碳原子數(shù)3～6的烷基或羥烷基，R1、R2、R3和R4中的1個(gè)基團(tuán)可以是碳原子數(shù)1～6的烷基或羥烷基，(b)65～97質(zhì)量％的水溶性有機(jī)溶劑，(c)0.5～30質(zhì)量％的水。
2.如權(quán)利要求1所述的洗滌液，其中(b)成分單獨(dú)使用二甲亞砜或是二甲亞砜和其他的水溶性有機(jī)溶劑的混合溶劑。
3.如權(quán)利要求1所述的洗滌液，其中(b)成分是二甲亞砜和環(huán)丁砜和/或N-甲基-2-吡咯烷酮的混合溶劑。
4.如權(quán)利要求1所述的洗滌液，其中(b)成分是二甲亞砜和N-甲基-2-吡咯烷酮的混合溶劑。
5.如權(quán)利要求1所述的洗滌液，其中(a)成分是選自氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化甲基三丙基銨和氫氧化甲基三丁基銨中的至少一種。
6.如權(quán)利要求1所述的洗滌液，其中含有(a)成分1～10質(zhì)量，(b)成分70～96質(zhì)量％，(c)成分1～25質(zhì)量％。
7.如權(quán)利要求1所述的洗滌液，其中光致抗蝕劑圖案是使用經(jīng)放射線照射而聚合、對(duì)堿不溶的負(fù)型光致抗蝕劑組合物形成的光固化圖案。
8.基板的處理方法，該方法包括以下步驟在具有金屬薄膜的基板上形成膜厚10～150μm的光致抗蝕劑圖案，然后在金屬薄膜露出部(未形成光致抗蝕劑圖案的部分)上形成導(dǎo)電層，之后使光致抗蝕劑圖案與上述權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)記載的洗滌液接觸，剝離、溶解該光致抗蝕劑圖案。
9.如權(quán)利要求8所述的處理方法，其中光致抗蝕劑圖案是使用經(jīng)放射線照射而聚合、對(duì)堿不溶的負(fù)型光致抗蝕劑組合物形成的光固化圖案。
10.基板的處理方法，該方法包括以下步驟在具有金屬薄膜的基板上形成膜厚10～150μm的光致抗蝕劑圖案，之后在金屬薄膜露出部(未形成光致抗蝕劑圖案的部分)上不形成導(dǎo)電層，使光致抗蝕劑圖案與上述權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)記載的洗滌液接觸，剝離、溶解該光致抗蝕劑圖案。
11.如權(quán)利要求10所述的處理方法，其中光致抗蝕劑圖案是使用經(jīng)放射線照射而聚合、對(duì)堿不溶的負(fù)型光致抗蝕劑組合物形成的光固化圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于剝離、溶解膜厚為10～150μm的光致抗蝕劑圖案的洗滌液，含有下述的成分(a)、(b)和(c)(a)0.5～15質(zhì)量％的通式(I)表示的季銨氫氧化物(氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨等)；(b)65～97質(zhì)量％的水溶性有機(jī)溶劑(二甲亞砜、或二甲亞砜與N－甲基－2－吡咯烷酮、環(huán)丁砜等的混合溶劑)；(c)0.5～30質(zhì)量％的水。本發(fā)明還提供使用該洗滌液處理基板的方法。
文檔編號(hào)C11D7/32GK1501179SQ20031010031
公開(kāi)日2004年6月2日 申請(qǐng)日期2003年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月10日
發(fā)明者橫井滋, 肋屋和正, 齋藤宏二, 二, 正 申請(qǐng)人:東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社