專利名稱：半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法和被洗滌的成型制品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造裝置用密封材料等的氟橡膠類成型制品的洗滌方法和被洗滌的成型制品、以及裝配該成型制品的蝕刻裝置等半導(dǎo)體制造裝置。
背景技術(shù)：
過去，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中，半導(dǎo)體制造裝置用的密封材料等成型制品，一般使用由硅酮類材料、氟硅酮類材料、乙烯/丙烯/二烯三元共聚物(EPDM)等制成的密封材料，但從耐熱性、耐等離子體性、耐腐蝕氣體性等性能優(yōu)良的觀點(diǎn)考慮，特別是作為在嚴(yán)酷使用條件下的成型制品，使用偏氟乙烯/六氟丙烯共聚物橡膠、偏氟乙烯/四氟乙烯/六氟丙烯共聚物橡膠、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物橡膠、四氟乙烯/丙烯共聚物橡膠等氟橡膠材料。
但是，在半導(dǎo)體制造工序中，產(chǎn)生光刻膠殘?jiān)?、有機(jī)溶劑殘?jiān)?、合成蠟、來自人體的脂肪酸等有機(jī)類殘?jiān)?、以及鈉、鉀、金、鐵、銅等無機(jī)類污染物和微細(xì)顆粒。要想除去這些雜質(zhì)，重要的是不在高溫?zé)崽幚砉ば蛑袔脒@些雜質(zhì)，因此，硅片的洗滌中需要特別當(dāng)心，要求嚴(yán)格管理該過程中使用的藥品類。
但是，由于例如64Mbit DRAM的最小電路圖案(pattern)為0.35μm，因此必須將0.02～0.03μm左右的微粒作為管理對(duì)象，但目前很難在技術(shù)上將硅片洗滌中所使用的藥品類管理到這樣一種水平。
因此，本發(fā)明者們認(rèn)為，僅通過蝕刻或洗滌使硅片等半導(dǎo)體制品(被加工物)表面清潔化是不夠的，還應(yīng)著眼于構(gòu)成半導(dǎo)體制造裝置的成型零件、特別是密封材料的清潔化。
特別地，在半導(dǎo)體制造裝置中使用的密封材料等成型制品方面著眼，這是因?yàn)榭紤]到微粒和金屬成分附著在半導(dǎo)體表面上，是使合格率降低的原因。
作為密封材料等成型制品的清潔方法，過去一般采用例如使脫脂棉等含浸異丙醇等溶劑并用該脫脂棉擦拭的方法，但成型制品的微粒附著量和金屬成分含量依然不能充分降低，再有，即使使用在硅片等的洗滌過程中使用的上述藥品，也不能達(dá)到與半導(dǎo)體的高度集成化和電路圖案微細(xì)化相對(duì)應(yīng)的足夠的清潔化。
鑒于以上的事實(shí)，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠獲得已被清潔了的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的新型并且有效的洗滌方法。另外，本發(fā)明的目的還在于，提供一種能夠充分降低成為密封材料等成型制品原因的微粒和金屬成分的半導(dǎo)體制造裝置。
發(fā)明的公開本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法，該方法是用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.2μm以上的微粒不超過300個(gè)/ml的超純水，在優(yōu)選80℃以上的溫度下洗滌氟橡膠類成型制品1次或2次以上。
本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法，該方法是用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml的在洗滌溫度下的液態(tài)有機(jī)化合物或無機(jī)化合物，洗滌氟橡膠類成型制品1次或2次以上。
另外，本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品，它是采用干式蝕刻法洗滌氟橡膠類成型制品而成。
另外，本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法，它是采用萃取法洗滌氟橡膠類成型制品而成。
另外，本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法，該方法是，按不同順序進(jìn)行用具有氧化能力的有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的洗滌方法和用金屬溶解能力高的無機(jī)化合物的洗滌方法，然后進(jìn)行用超純水的洗滌方法，接著，在清潔的惰性氣體或空氣環(huán)境氣氛下除去水分。
進(jìn)一步地，本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法，用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml的H2SO4和H2O2的混合水溶液洗滌后，用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml的HF水溶液洗滌，再用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.2μm以上的微粒不超過300個(gè)/ml的超純水洗滌，接著，在0.2μm以上粒徑的微粒不超過26個(gè)/升且有機(jī)成分含量(TOC)在0.1ppm以下的惰性氣體或空氣環(huán)境氣氛下除去水分。
進(jìn)一步地，本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品，其表面上存在的0.2μm以上粒徑的微粒在20萬個(gè)/cm2以下。
進(jìn)一步地，本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品，它是單獨(dú)采用上述的洗滌方法或?qū)?種以上方法組合起來洗滌的氟橡膠類成型制品，其表面上存在的0.2μm以上粒徑的微粒在20萬個(gè)/cm2以下。
本發(fā)明還涉及裝配有上述氟橡膠類成型制品的半導(dǎo)體制造裝置，例如蝕刻裝置、洗滌裝置、曝光裝置、研磨裝置、成膜裝置、擴(kuò)散·離子注入裝置等。
實(shí)施發(fā)明的最佳方案首先說明本發(fā)明中構(gòu)成半導(dǎo)體制造裝置用的氟橡膠類成型制品。
作為本發(fā)明中構(gòu)成半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的氟橡膠，如果是以往用于密封材料等的成型用材料，則沒有特別的限制，可以舉出例如式(1)或者式(2)表示的2元共聚物橡膠、式(3)表示的3元共聚物橡膠、式(4)表示的3元共聚物橡膠、式(5)表示的3元共聚物橡膠等式(1)
(式中，m為85～60，n為15～40)式(2) (式中，m為95～50，n為5～50，Rf為碳原子數(shù)1～8的全氟烷基)式(3) (式中，l為85～20，m為0～40，n為15～40)式(4) (式中；l為95～45，m為0～10，n為5～45，X、Y和Z各自獨(dú)立，為氟原子或氫原子，Rf為碳原子數(shù)1～8的全氟烷基)式(5) (式中，l為95～35，m為0～30，n為5～35，Rf為碳原子數(shù)1～8的全氟烷基)其中，從耐藥品性、耐熱性、耐等離子體性方面考慮，優(yōu)選使用式(1)或式(2)表示的2元共聚物橡膠或式(3)表示的3元共聚物橡膠。
進(jìn)一步地，作為本發(fā)明中構(gòu)成氟橡膠類密封材料的氟橡膠，可以舉出由彈性鏈段共聚物與非彈性鏈段共聚物構(gòu)成的共聚物。
彈性鏈段是指非晶性且玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在25℃以下的鏈段，作為具體的優(yōu)選組成，為例如TFE/PAVE/提供固化部位的單體(45～90/10～50/0～5。摩爾％，以下相同)、更優(yōu)選的組成為45～80/20～50/0～5，特別優(yōu)選為53～70/30～45/0～2。
作為提供固化部位的單體，可以舉出例如偏氟乙烯、CX2＝CX-Rf3CHRI(式中，X為H、F或CH3，Rf3為氟代亞烷基、全氟亞烷基、氟代聚氧亞烷基或全氟聚氧亞烷基，R為H或CH3)表示的含碘單體、 (式中，m為0～5，m為1～3)表示的含腈基單體、含溴單體等，通常情況下，適宜使用含碘單體等。
另外，作為非彈性鏈段的共聚物，可以舉出(1)VdF/TFE(0～100/100～0)，特別是VdF/TFE(70～99/30～1)，PTFE或PVdF；(2)乙烯/TFE/HFP(6～43/40～81/10~30)、3，3，3-三氟丙烯-1，2-三氟甲基-3，3，3-三氟丙烯-1/PAVE(40～60/60～40)；(3)TFE/CF2＝CF-Rf1(顯示非彈性的組成范圍，即，CF2＝CF-Rf1在15摩爾％以下。式中，Rf1為CF3或ORf2(Rf2為碳原子數(shù)1～5的全氟烷基))；(4)VdF/TFE/CTFE(50～99/30～0/20～1)；(5)VdF/TFE/HFP(60～99/30～0/10～1)；(6)乙烯/TFE(30～60/70～40)；(7)聚氯三氟乙烯(PCTFE)；(8)乙烯/CTFE(30～60/70～40)等。其中，從耐藥品性和耐熱性方面考慮，特別優(yōu)選PTFE和TFE/CF2＝CF-Rf1的非彈性共聚物。
上述氟橡膠，可以采用壓縮成型法、注射成型法等成型方法來制造。
以下說明基于本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的第1種洗滌方法。
本發(fā)明的第1種洗滌方法是半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法，該方法是用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.2μm以上的微粒不超過300個(gè)/ml的超純水，洗滌氟橡膠類成型制品1次或2次以上。
此處，“超純水”是指金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.2μm以上的微粒不超過300個(gè)/ml的水，超純水中，從降低密封材料中的金屬混入量和成型制品上的微粒附著量的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選金屬含量在0.8ppm以下、且0.2μm以上粒徑的微粒在250個(gè)/ml以下，進(jìn)一步地，特別優(yōu)選金屬含量在0.5ppm以下、且0.2μm以上粒徑的微粒在200個(gè)/ml以下。
此處，超純水的雜質(zhì)金屬是例如Na、Fe、Cr、As、Al、Ba等，微粒是指藻類、水中微生物的分泌物和死體、空氣中的灰塵等微粒。
超純水可以這樣制造對(duì)原水進(jìn)行脫氯處理和反滲透處理(Ro)，經(jīng)過筒式(cartridge)純水器和超濾(UF)和微濾(MF)的膜處理、以及用于滅菌處理的紫外線滅菌、脫氣處理等，由此提高純度，除去微生物、微粒和有機(jī)物。
作為第1種洗滌方法的具體方法，沒有特別的限制，優(yōu)選采用噴淋、噴霧、噴射、浸漬、超聲波或megasonic洗滌等方法來進(jìn)行。另外，從能夠有效地高效率除去微粒的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選采用煮沸洗滌的方法。
洗滌的次數(shù)為1次或2次以上，洗滌后的成型制品表面上的特定粒徑的微粒數(shù)如果在下述范圍內(nèi)，就沒有特別的限制。與其他洗滌方法組合使用的場(chǎng)合下可以洗滌1次，但只采用第1種洗滌方法的場(chǎng)合下，優(yōu)選洗滌2次以上。
另外，第1種洗滌方法中，從提高微粒除去效率的觀點(diǎn)考慮，洗滌時(shí)超純水的溫度優(yōu)選為20～100℃，進(jìn)一步地，特別優(yōu)選為40～100℃。從能夠有效地高效率除去微粒的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選采用煮沸洗滌的方法。煮沸溫度為70～100℃，優(yōu)選為80～100℃，特別優(yōu)選為90～100℃，煮沸時(shí)間為0.5～5小時(shí)。另外，煮沸洗滌時(shí)，從有效地使用超純水的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使超純水回流。
另外，環(huán)境氣氛沒有特別的限制，但從防止微?；烊氲挠^點(diǎn)考慮，優(yōu)選在凈化室、凈化操作臺(tái)或凈化隧道(tunnel)等的環(huán)境氣氛下洗滌。
使用超純水的第1種洗滌方法，還可以除去其他的污染物，特別適合作為除去氟橡膠類成型制品中含有或者附著的F-、SO42-、Cl-等離子成分的方法。
通常情況下，洗滌之后，在氮?dú)饣驓鍤?、氦氣等凈化了的惰性氣體環(huán)境氣氛下，或者優(yōu)選一邊使惰性氣體流動(dòng)一邊在50～300℃、優(yōu)選在100～250℃下加熱處理1～72小時(shí)、優(yōu)選1～24小時(shí)，由此可以降低水含量，同時(shí)還可以除去成型制品上附著的空氣中含有的有機(jī)成分。
通常，氟橡膠類成型制品表面的微粒粒徑在0.2μm以上，成型制品表面上存在有50萬～100萬個(gè)/cm2。對(duì)此，采用上述第1種洗滌方法洗滌的氟橡膠類成型制品，表面上存在的0.2μm以上粒徑的微粒在10萬個(gè)/cm2以下。另外，0.2μm以上粒徑的微粒優(yōu)選在5萬個(gè)/cm2以下，進(jìn)一步地，0.2μm以上粒徑的微粒特別優(yōu)選在2萬個(gè)/cm2以下。當(dāng)然，粒徑超過0.5μm的大顆粒最好盡可能地少，優(yōu)選在1萬個(gè)/cm2以下，特別優(yōu)選為0.5萬個(gè)/cm2。
此處，微粒是指成型制品的各制造工序中混入的灰塵、脫模劑等加工助劑、來自人體的脂肪酸等有機(jī)性殘?jiān)?。此時(shí)，優(yōu)選使用將氟樹脂薄膜或聚乙烯樹脂薄膜層壓而成的容器、氟樹脂制容器和聚乙烯制容器，以使成型制品不與金屬部分接觸。
以下說明洗滌后的氟橡膠類成型制品表面上存在的微粒大小和數(shù)量的測(cè)定方法和評(píng)價(jià)方法。
本發(fā)明中，將成型制品浸漬到水中，采用以下所示方法測(cè)定由成型制品浸出到水中的微粒。該測(cè)定方法大致分為直接法和間接法2種，直接法是將水中的微粒個(gè)數(shù)按粒徑級(jí)別計(jì)數(shù)的方法，間接法是將特定膜濾器的堵塞程度表示為指數(shù)的方法。
此處，以直接法為代表，進(jìn)一步詳細(xì)說明。作為這種直接法，進(jìn)一步分為①直接顯微鏡觀察法、②電子顯微鏡法和③微粒計(jì)測(cè)器法等3種。
①的方法中，使水通過膜濾器，用光學(xué)顯微鏡觀察并測(cè)定膜濾器表面上被捕捉的微粒。②的方法與①的方法大致相同，用掃描型電子顯微鏡代替光學(xué)顯微鏡進(jìn)行計(jì)測(cè)。另外，③的方法中，向流入傳感器部的含有微粒的水照射光，采用電學(xué)方法，用微粒計(jì)數(shù)器測(cè)定其透射光和散射光的量，由此測(cè)定微粒數(shù)和粒徑。
以下說明基于本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的第2種洗滌方法。
本發(fā)明的第2種洗滌方法，是半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法，該方法是用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml的、在洗滌溫度下的液態(tài)有機(jī)化合物或無機(jī)化合物，洗滌氟橡膠類成型制品1次或2次以上。
作為本發(fā)明第2種洗滌方法中使用的液態(tài)有機(jī)化合物，可以舉出例如丙酮、甲基乙基酮等酮類；甲醇、乙醇、異丙醇等醇類；己烷、辛烷、二甲苯等烴類；三氯乙烯、四氯乙烯、四氯化碳等含氯烴類；全氟苯、全氟己烷、1，1-二氯-1-氟乙烷等含氟烴類；乙醚等醚類；醋酸甲酯、醋酸乙酯等酯類等，可以將它們適宜地組合起來使用。
另外，作為液態(tài)無機(jī)化合物，可以舉出例如H2SO4、HNO3、H2O2、HF、O3(臭氧溶解水)、NH4OH、HCl等，可以將它們適宜地組合起來使用。特別地，H2SO4與H2O2的混合液、HCl與H2O2的混合液、O3與HF的混合液、O3與H2SO4的混合液、O3與HCl的混合液、HF水溶液等經(jīng)常在半導(dǎo)體制造工序中使用，作為洗滌液非常適宜。
本發(fā)明的第2種洗滌方法中使用的上述液態(tài)有機(jī)化合物或者無機(jī)化合物，其金屬含量在1.0ppm以下。另外，從降低成型制品中的金屬混入量的觀點(diǎn)考慮，金屬含量優(yōu)選在0.8ppm以下，進(jìn)一步地，金屬含量特別優(yōu)選在0.5ppm以下。
此處，上述液態(tài)的有機(jī)化合物或者無機(jī)化合物中含有的金屬，是Na、Fe、Cr、As、Al、Ba等。
另外，上述液態(tài)的有機(jī)化合物或者無機(jī)化合物，從降低成型制品上的微粒附著量的觀點(diǎn)考慮，0.5μm以上粒徑的微粒不超過200個(gè)/ml。0.5μm以上粒徑的微粒數(shù)優(yōu)選在150個(gè)/ml以下，進(jìn)一步地，0.5μm以上粒徑的微粒數(shù)特別優(yōu)選在100個(gè)/ml以下。
此處，上述液態(tài)的有機(jī)化合物或者無機(jī)化合物中含有的微粒，是空氣中的灰塵、制造時(shí)混入的微粒、保管用容器的內(nèi)壁上附著的微粒和保管用容器壁等上含有的加工助劑等。
為了滿足上述的必要條件，洗滌時(shí)上述液態(tài)的有機(jī)化合物或者無機(jī)化合物的溫度，優(yōu)選在20℃以上、沸點(diǎn)以下。
作為這種液態(tài)的有機(jī)化合物或者無機(jī)化合物，可以使用一般作為電子工業(yè)純度級(jí)銷售的化合物。
第2種洗滌方法的主要目的大致有2個(gè)。目的之一在于，用具有氧化能力的無機(jī)化合物或有機(jī)化合物除去有機(jī)成分雜質(zhì)。為了達(dá)到該目的，適宜使用H2SO4/H2O2混合液、O3水溶液等無機(jī)化合物；丙酮、甲乙酮、異丙醇等有機(jī)化合物。另一個(gè)目的在于，用溶解金屬能力強(qiáng)的無機(jī)化合物除去金屬成分雜質(zhì)。為了達(dá)到該目的，除了HF、HCl、H2SO4、HNO3等無機(jī)酸以外，還適宜使用上述H2SO4/H2O2混合液。
作為第2種洗滌方法的具體方法沒有特別的限制，優(yōu)選采用噴淋、噴霧、噴射、浸漬、超聲波、megasonic洗滌等來進(jìn)行。從能夠有效地高效率除去微粒的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選采用煮沸洗滌的方法。煮沸溫度為70～100℃，優(yōu)選80～100℃，煮沸時(shí)間為0.5～5小時(shí)。另外，煮沸洗滌時(shí)，從有效地使用有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選使液態(tài)的有機(jī)化合物或無機(jī)化合物回流。
另外，第2種洗滌方法，洗滌時(shí)的環(huán)境氣氛沒有特別的限制，但從防止微粒混入的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選在凈化室、凈化操作臺(tái)或凈化隧道(tunnel)等的環(huán)境氣氛下進(jìn)行洗滌。
洗滌的次數(shù)，只要洗滌后成型制品表面上的微粒數(shù)在下述的范圍內(nèi)，就沒有特別的限制，可以進(jìn)行多次。另外，在第2種洗滌方法之前和/或之后，也可以用在第1種洗滌方法中說明的超純水洗滌1次或2次以上。進(jìn)一步地，優(yōu)選施行在第1種洗滌方法中說明的洗滌后的加熱處理。
采用本發(fā)明的第2種洗滌方法洗滌的氟橡膠類成型制品，其表面上存在的0.2μm以上粒徑的微粒在10萬個(gè)/cm2以下。另外，從降低微粒發(fā)生量的觀點(diǎn)考慮，0.2μm以上粒徑的微粒優(yōu)選在5萬個(gè)/cm2以下，進(jìn)一步地，0.2μm以上粒徑的微粒特別優(yōu)選在2萬個(gè)/cm2以下。
應(yīng)予說明，洗滌后氟橡膠類成型制品的表面上存在的微粒大小和數(shù)目的測(cè)定方法和評(píng)價(jià)方法，與上述第1種洗滌方法中的相同。
以下說明本發(fā)明的第3種洗滌方法中使用的干式蝕刻洗滌。一般情況下，干式蝕刻洗滌是指使化學(xué)反應(yīng)性高的氣體、激發(fā)氣體或光線接觸被洗滌物，由此使被洗滌物表面等上存在的微?；瘜W(xué)分解和/或物理分解的方法。
作為這種干式蝕刻洗滌方法，可以舉出UV/O3照射、離子束照射、激光束照射、等離子體照射或氣體蝕刻。
即，本發(fā)明的第3種洗滌方法是這樣一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法，該方法采用UV/O3照射、離子束照射、激光束照射、等離子體照射或氣體蝕刻等方法，干式蝕刻洗滌氟橡膠類成型制品。
該第3種洗滌方法特別適宜除去有機(jī)成分雜質(zhì)。
以下按順序說明這些干式蝕刻洗滌方法。
(1)采用UV/O3的洗滌方法。
UV/O3洗滌方法，是一種向被洗滌物照射紫外線，使表面上附著的有機(jī)物直接分解，或者將其活化，容易引起氧化作用，并且同時(shí)在紫外線的作用下產(chǎn)生臭氧，在由臭氧分離出的活潑氧的作用下，使有機(jī)污染物分解成揮發(fā)性的物質(zhì)而除去的方法。例如艾古拉菲克斯(アイグラフイックス)公司、吾希歐(ウシオ)電機(jī)株式會(huì)社等制造的UV/O3洗滌裝置，可以適宜地使用一般市場(chǎng)上銷售的裝置。
(2)采用離子束的洗滌方法。
離子束洗滌方法，是一種使氬氣離子等帶電粒子在低壓室內(nèi)加速，作為離子束取出，使其撞擊被洗滌物來除去微粒的物理蝕刻方法。該裝置一般由離子技術(shù)(イオンテック)公司等在市場(chǎng)上銷售，本發(fā)明中可以適宜地使用這些市售的裝置。
(3)采用激光束的洗滌方法。
激光束洗滌方法，是一種向被洗滌物上照射高輸出功率的紅寶石激光脈沖來洗滌的方法。該裝置一般市場(chǎng)上也有銷售，本發(fā)明中可以適宜地使用這些市售的裝置。
(4)采用等離子體的洗滌方法。
等離子體洗滌方法，是一種利用在高頻電場(chǎng)中導(dǎo)入氧氣而發(fā)生的活潑氧等離子體的方法。采用本方法，有機(jī)物被氧化，最終轉(zhuǎn)化成CO2和H2O而排氣除去。該等離子體洗滌中使用的等離子體灰化裝置一般在市場(chǎng)上有銷售，本發(fā)明中可以適宜地使用這些市售的裝置。
(5)采用氣體蝕刻的洗滌方法。
適用于氣體蝕刻洗滌的氣體是氟化氫氣。通過適量地調(diào)節(jié)壓力和溫度來蝕刻除去洗滌目的物，本方法中，氣體使用氟氣、臭氧氣、氟化氫氣等，其中特別適宜使用氟化氫氣、氟化氫氣與臭氧氣的混合氣體。可以使這些氣體與被洗滌物接觸，通過適宜地調(diào)節(jié)環(huán)境氣氛的壓力和溫度來除去微粒。
以下說明本發(fā)明的第4種洗滌方法，該方法是萃取洗滌氟橡膠類成型制品的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的洗滌方法。
該第4種洗滌方法特別適合除去有機(jī)成分雜質(zhì)。
本發(fā)明中的萃取洗滌包括采用索氏萃取、高溫高壓萃取、微波萃取和超臨界萃取等洗滌方法。以下說明這些萃取洗滌方法。
(1)采用索氏萃取的洗滌方法。
使用由回流冷凝器、萃取管和溶劑燒瓶構(gòu)成的器具來進(jìn)行。向萃取管中加入試樣，其上方連接冷凝器，下部連接加入溶劑的燒瓶。萃取管上帶有擔(dān)負(fù)虹吸任務(wù)的側(cè)管，加熱燒瓶內(nèi)的溶劑，其蒸氣通過側(cè)管上升，被冷凝器冷凝，形成液體滴到試樣上，滴下液達(dá)到虹吸的頂點(diǎn)高度時(shí)，從側(cè)管再次返回?zé)?，進(jìn)行萃取。
(2)采用高溫高壓萃取的洗滌方法。
這是一種在使用溶劑的萃取方法中，在高溫高壓下使該溶劑接觸試樣進(jìn)行萃取的方法。
(3)采用微波萃取的洗滌方法。
這是一種向溶劑照射微波，迅速加熱，用加熱了的溶劑進(jìn)行萃取操作的方法。該裝置一般在市場(chǎng)上也有銷售，本發(fā)明中可以適宜地使用。
(4)采用超臨界萃取的洗滌方法。
超臨界萃取，是一種使作為分離溶劑的超臨界液體(高密度氣體)接觸分離對(duì)象(此處為微粒)，利用每種成分對(duì)溶劑的溶解度差的平衡分離法。一般地，超臨界流體使用CO2氣體，此外還使用乙烷、N2O、水等流體氣體。另外，為了提高極性物質(zhì)的萃取能力，利用加入百分之幾的醇類或酮類等的混合液體。該裝置一般在市場(chǎng)上也有銷售，本發(fā)明中可以適宜地使用。
應(yīng)予說明，洗滌處理后，也可以施行上述的加熱處理。
采用這些干式蝕刻洗滌方法或萃取洗滌方法洗滌的氟橡膠類成型制品，其表面上存在的0.2μm以上粒徑的微粒數(shù)，在10萬個(gè)/cm2以下。另外，優(yōu)選在5萬個(gè)/cm2以下，特別優(yōu)選在2萬個(gè)/cm2以下。
此處，上述本發(fā)明的第1種洗滌方法、第2種洗滌方法、第3種洗滌方法和第4種洗滌方法，也可以分別任意地組合起來使用。
以上說明了各洗滌方法的特征，以下特別說明不同除去對(duì)象(除去目的)的本發(fā)明的洗滌方法。
首先，作為構(gòu)成有機(jī)氣體發(fā)生源的空氣中含有的有機(jī)物成分和成型時(shí)脫模劑等有機(jī)成分雜質(zhì)的除去方法(A)，特別有效的方法可以舉出以下4種洗滌方法。
(A-1)使用具有氧化能力的無機(jī)化合物的第2種洗滌方法。
(A-2)使用具有氧化能力的有機(jī)化合物的第2種洗滌方法。
(A-3)第3種干式蝕刻洗滌方法。
(A-4)第4種萃取洗滌方法。
它們可以1種或2種以上組合使用。組合使用的場(chǎng)合下，順序可以適宜地選定。
以下，作為除去金屬成分雜質(zhì)的方法(B)，特別有效的方法可以舉出使用金屬成分溶解能力優(yōu)良的無機(jī)化合物的第2種洗滌方法。
另外，作為除去雜質(zhì)離子(例如F-、SO42-、Cl-)的方法(C)，特別有效的方法可以舉出使用超純水的第1種洗滌方法。
進(jìn)一步地，在實(shí)施這些洗滌方法之后實(shí)施除去水分的干燥工序，由此可以降低水分發(fā)生量。作為該干燥工序中使用的方法(D)，可以舉出例如在清潔的氮?dú)獾榷栊詺怏w環(huán)境氣氛下或者在氣體流下或者在真空下進(jìn)行干燥的方法；吹拂除去有機(jī)物和微粒的清潔的干燥空氣進(jìn)行干燥的方法等。
用于干燥(水分除去)的清潔的惰性氣體或空氣，是指0.2μm以上粒徑的微粒不超過26個(gè)/升(這是所謂的等級(jí)100的環(huán)境)、有機(jī)成分含量(TOC)在0.1ppm以下的氣體。
特別地，為了有效地除去以上的全部雜質(zhì)，希望上述的(A)～(D)的方法按(A)→(B)→(C)→(D)的順序或者按(B)→(A)→(C)→(D)的順序進(jìn)行。(A)洗滌中，可以將(A-1)～(A-4)的方法中的1個(gè)或2個(gè)以上組合起來。
特別地，在半導(dǎo)體密封材料等強(qiáng)烈要求減少微粒數(shù)、減少離子量、減少有機(jī)氣體發(fā)生量和減少水分發(fā)生量的場(chǎng)合下，特別優(yōu)選用H2SO4與H2O2的混合液進(jìn)行的洗滌與HF水溶液進(jìn)行的洗滌組合起來，再用超純水進(jìn)行煮沸洗滌，然后在清潔的惰性氣體流下進(jìn)行加熱干燥處理。
采用這種方法洗滌的氟橡膠類成型制品，可以適用于愈發(fā)微細(xì)化、要求清潔化的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中的制造裝置用密封材料等成型制品。
具體地，作為密封材料，可以舉出O形環(huán)、方形環(huán)、墊圈、密封件、油封、軸承密封、唇式密封等。此外，也可以作為各種彈性制品例如隔膜、管子、軟管、各種橡膠輥等使用。另外，還可以作為涂布用材料、襯料用材料使用。
應(yīng)予說明，本發(fā)明中所說的半導(dǎo)體制造裝置，不限于特別是用于半導(dǎo)體制造的裝置，廣泛地包括用于制造液晶顯示面板和等離子體顯示面板的裝置等要求高清潔度的半導(dǎo)體領(lǐng)域中使用的制造裝置全體。
具體地，可以裝配到以下的半導(dǎo)體制造裝置中使用。
(1)蝕刻裝置干式蝕刻裝置等離子體蝕刻裝置反應(yīng)性離子蝕刻裝置反應(yīng)性離子束蝕刻裝置濺射蝕刻裝置離子束蝕刻裝置濕式蝕刻裝置磨光(アッシング)裝置(2)洗滌裝置干式蝕刻洗滌裝置UV/O3洗滌裝置離子束洗滌裝置激光束洗滌裝置等離子體洗滌裝置氣體蝕刻洗滌裝置萃取洗滌裝置索氏萃取洗滌裝置高溫高壓萃取洗滌裝置微波萃取洗滌裝置超臨界萃取洗滌裝置(3)曝光裝置分檔器科達(dá)顯影機(jī)(4)研磨裝置CMP裝置(5)成膜裝置CVD裝置濺射裝置(6)擴(kuò)散·離子注入裝置氧化擴(kuò)散裝置離子注入裝置以下，用實(shí)施例具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受它們的限定。
實(shí)施例1(使用超純水的本發(fā)明第4種洗滌方法)金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.2μm以上的微粒不超過300個(gè)/ml的超純水，由原水進(jìn)行脫氯處理后，進(jìn)行數(shù)次反滲透處理(RO)、超濾(UF)、微濾(MF)，然后進(jìn)行紫外線滅菌、脫氣處理而獲得。
另外，此時(shí)，采用原子吸光分析法測(cè)定金屬含量(ppm)，用微粒計(jì)測(cè)器法(使用(株)利昂(リオン)制的液中微粒計(jì)數(shù)器KL-22)測(cè)定粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)(個(gè)/ml)。
接著，使用獲得的超純水，將由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料，在溫度100℃下進(jìn)行索氏萃取洗滌。洗滌后的密封材料浸漬到100ml超純水中，用振動(dòng)機(jī)(大洋科學(xué)工業(yè)(株)制的TS-4)，以振幅10cm、振動(dòng)次數(shù)2次/秒，振動(dòng)5分鐘，然后靜置20分鐘，用上述液中微粒計(jì)數(shù)器測(cè)定密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)(個(gè)/cm2)。結(jié)果為4萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例2(使用有機(jī)化合物的本發(fā)明第4種洗滌方法)使用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml的液態(tài)丙酮(作為電子工業(yè)純度級(jí)的一般市售品)，此外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行密封材料的洗滌。應(yīng)予說明，與實(shí)施例1同樣地測(cè)定丙酮的金屬含量(ppm)和粒徑在0.5μm以上的微粒個(gè)數(shù)(個(gè)/ml)。
接著，使用上述液態(tài)丙酮，將由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料，在沸點(diǎn)下進(jìn)行索氏萃取洗滌，與實(shí)施例1同樣地測(cè)定洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)(個(gè)/cm2)。結(jié)果為6.8萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例3(使用無機(jī)化合物的本發(fā)明第2種洗滌方法)使用金屬含量在1.0ppm以下，且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml、96重量％的H2SO4水溶液(作為電子工業(yè)純度級(jí)的一般市售品)，將由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料，在100℃下浸漬洗滌1小時(shí)，與實(shí)施例1同樣地測(cè)定洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)(個(gè)/cm2)。結(jié)果為0.8萬個(gè)/cm2。應(yīng)予說明，上述H2SO4水溶液中的金屬含量(ppm)和粒徑在0.5μm以上的微粒個(gè)數(shù)(個(gè)/ml)與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行測(cè)定。
實(shí)施例4(使用干式蝕刻方法的本發(fā)明第3種洗滌方法)作為UV/O3洗滌裝置，使用艾古拉菲克斯(アイグラフィックス)社制α-35003型，以照射距離65mm照射5分鐘，洗滌由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)(個(gè)/cm2)。結(jié)果為4萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例5(使用超純水的本發(fā)明第1種洗滌方法)使用與實(shí)施例1中所用相同的超純水，將由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料煮沸(100℃)洗滌1小時(shí)。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定這樣洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)(個(gè)/cm2)。結(jié)果為8.8萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例6(使用無機(jī)化合物的本發(fā)明第2種洗滌方法)用實(shí)施例3中使用的H2SO4水溶液代替超純水，此外，與實(shí)施例5同樣地洗滌由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料。應(yīng)予說明，洗滌條件為100℃下洗滌1小時(shí)。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)(個(gè)/cm2)。結(jié)果為2.9萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例7(使用無機(jī)化合物的本發(fā)明第2種洗滌方法)用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml的液態(tài)HCl(作為電子工業(yè)純度級(jí)的一般市售品)代替超純水，此外，與實(shí)施例5同樣地洗滌由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料。洗滌條件為100℃下洗滌1小時(shí)。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)，結(jié)果為3.9萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例8(使用無機(jī)化合物的本發(fā)明第2種洗滌方法)用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml的液態(tài)H2SO4/H2O2混合液(96重量％濃度的H2SO4水溶液與30重量％濃度的H2O2水溶液按1/1(重量比)混合。各水溶液均作為電子工業(yè)純度級(jí)的一般市售品)代替超純水，此外，與實(shí)施例5同樣地洗滌由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)，結(jié)果為1.0萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例9(使用無機(jī)化合物的本發(fā)明第2種洗滌方法)用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml的液態(tài)HCl/H2O2混合液(35重量％濃度的HCl水溶液與30重量％濃度的H2O2水溶液按1/1(重量比)混合。各水溶液均作為電子工業(yè)純度級(jí)的一般市售品)代替超純水，此外，與實(shí)施例5同樣地洗滌由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)，結(jié)果為1.9萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例10用金屬含量在1.0ppm以下、且含有粒徑在0.5μm以上的微粒不超過200個(gè)/ml的液態(tài)HF/O3水溶液(用住友精機(jī)工業(yè)(株)制的臭氧水發(fā)生裝置SGX-A11MN制造。O3含量為10ppm)的混合液(作為HF，使用50重量％濃度的HF水溶液(作為電子工業(yè)純度級(jí)的一般市售品)，以1/1(重量比)與O3水溶液混合而成)，將由四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物制成的氟橡膠類密封材料在25℃下浸漬洗滌1小時(shí)。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)，結(jié)果為6.8萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例11(采用超臨界萃取的本發(fā)明第4種洗滌方法)采用壓力300kg/cm2、溫度45℃的超臨界流體CO2，花2小時(shí)，與實(shí)施例1同樣，進(jìn)行密封材料的萃取洗滌。與實(shí)施例1同樣地測(cè)定洗滌后密封材料表面上存在的粒徑在0.2μm以上的微粒個(gè)數(shù)，結(jié)果為4.9萬個(gè)/cm2。
比較例對(duì)實(shí)施例1中使用的密封材料，考察未洗滌時(shí)粒徑在0.2μm以上的微粒數(shù)，為50萬個(gè)/cm2。
實(shí)施例12(1)乳化聚合工序向內(nèi)容積6000ml的不銹鋼制的耐壓反應(yīng)釜中加入獲得的超純水2升，乳化劑(C7F15COONH4)20g、pH調(diào)節(jié)劑(碳酸銨)18g，用氮?dú)獬浞种脫Q內(nèi)部空間，然后，在轉(zhuǎn)速600rpm的攪拌下，升溫至50℃，壓入四氟乙烯與全氟(甲基乙烯基醚)的混合物(TFE/PMVE＝20/80，摩爾比)，直到內(nèi)壓為12.0kgf/cm2G。用氮?dú)鈮簤喝胱鳛榫酆弦l(fā)劑的過硫酸銨(APS)186mg/ml水溶液2ml，立即開始聚合反應(yīng)，引起壓力降低。待壓力降低至11.0kgf/cm2G時(shí)，壓入4.0g二碘化物I(CF2)4I，接著，用TFE本身的壓力壓入19.0g、用柱塞泵壓入PMVE23.0g，重復(fù)進(jìn)行升壓升溫操作。TFE和PMVE的合計(jì)加料量分別達(dá)到430g、511g、596g時(shí)，各壓入1.5g碘化物ICH2CF2CF2OCF＝CF2(IM)。應(yīng)予說明，聚合中，反應(yīng)開始后，每隔12小時(shí)用氮?dú)鈮喝?5mg/ml的APS水溶液2ml。
從聚合反應(yīng)開始34小時(shí)后，TFE和PMVE的合計(jì)加料量達(dá)到860g時(shí)，冷卻高壓釜，放出未反應(yīng)的單體，獲得固形物濃度30.0重量％的水性分散液。
(2)凝析工序?qū)?1)中獲得的水性分散液4.0g用超純水15.7g稀釋，滴入已加入到PFA制燒杯中的凝析劑(MERCK公司制Suprapur半導(dǎo)體純度級(jí)HCl的3.5％水溶液)12g中，進(jìn)行凝析，獲得含水彈性體。
(3)干燥工序?qū)@得的含有溶劑的彈性體置于氟樹脂(PFA)薄膜上，使用耐熱性HEPA過濾器，在使內(nèi)部環(huán)境為等級(jí)100(微粒個(gè)數(shù)26個(gè)/升以下)、TOC0.01ppm以下的烘箱中，在150℃下干燥12小時(shí)，獲得清潔化的氟系彈性體。
使用獲得的清潔化了的氟系彈性體，按表1所示組成，配制4種交聯(lián)性彈性體組合物。將該彈性體組合物在160℃下加壓10分鐘進(jìn)行交聯(lián)(一次交聯(lián))，接著在180℃的烘箱內(nèi)進(jìn)行4小時(shí)交聯(lián)(二次交聯(lián))，制作O形環(huán)(AS-568A-214)。采用上述方法考察該洗滌前的O形環(huán)的微粒數(shù)，采用后述的方法考察有機(jī)氣體發(fā)生量和水分發(fā)生量。結(jié)果示于表1中。
接著，使用與實(shí)施例8中所用相同的H2SO4/H2O2(1/1)混合液，在100℃下將該O形環(huán)(AS-568A-214)洗滌15分鐘，然后，用50％HF水溶液，在25℃下洗滌15分鐘。然后，用超純水，在100℃下煮沸2小時(shí)，再在流速20ml/分的高純度氮?dú)鈿饬飨?容積40×40×40cm)，在180℃下加熱24小時(shí)，除去水分。采用上述的方法考察獲得的最終制品和等離子體照射后的微粒數(shù)，采用以下的方法考察有機(jī)氣體發(fā)生量、離子濃度和水分發(fā)生量。結(jié)果示于表1中。
(有機(jī)氣體發(fā)生量)將O形環(huán)(AS-568A-214)放入密閉管中，在200℃下加熱15分鐘，用被液氮冷卻至-40℃的收集管采集發(fā)生的氣體，接著快速加熱，用氣相色譜儀((株)島津制作所制的GC-14A。色譜柱(株)島津制作所制的UA-5)進(jìn)行測(cè)定。
(水分發(fā)生量)將O形環(huán)(AS-568A-214)在300℃下加熱30分鐘，用卡爾·費(fèi)希爾水分測(cè)定儀(平沼(株)制的AQS-720)測(cè)定此時(shí)產(chǎn)生的水分量。
(離子濃度)將超純水50ml和O形環(huán)(AS-568A-214)放入聚丙烯制的容器中，將該容器在高壓釜中，在120℃、1.1kgf/cm2的壓力下加熱處理1小時(shí)，將處理后的超純水用(株)島津制作所制的離子色譜(IC-7000)，測(cè)定離子(F-、SO42-和Cl-)濃度。
應(yīng)予說明，表1中的配合物如下。
氟系彈性體TFE/PMVE/IM共聚物TAIC異氰尿酸三烯丙酯Perhexa(パ-ヘキサ)2.5B2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基過氧化)己烷(日本油脂(株)制)Tocablack(ト-カブラック)東海碳(カ-ボン)(株)制的石墨化碳黑填料，#38851-FX(株)龍森制的超高純度合成球形石英二氧化硅
Rubulon(ルブロン)LSF大金工業(yè)(株)制的低分子量聚四氟乙烯填料另外，對(duì)該O形環(huán)進(jìn)行如下的耐等離子體性試驗(yàn)，考察微粒發(fā)生數(shù)。結(jié)果示于表1中。
(耐等離子體性試驗(yàn))使用(株)薩姆可國際(サムコインタナショナル)研究所制的等離子體干洗機(jī)(型號(hào)PX-1000)，在真空壓力50mTorr、氧氣流量200cc/分、電力400W、頻率13.56MHz的條件下，發(fā)生等離子體，在活性離子蝕刻(RIE)條件下，向試樣(O形環(huán))照射該氧氣等離子體3小時(shí)。
表1

采用以下所示方法考察獲得的最終制品O形環(huán)(等離子體照射前)的金屬萃取量。結(jié)果示于表2和表3中。
(1)在預(yù)先充分洗滌的PFA制容器(帶蓋)中加入一定量的萃取用藥液。
(2)所使用的萃取用藥液(H2SO4/H2O2(4/1)[表2]或50％HF[表3])，使用半導(dǎo)體用純度級(jí)試劑。
(3)將試樣O形環(huán)浸漬在各藥液中(H2SO4/H2O2混合物時(shí)為25℃下14天，50％HF時(shí)為25℃下24小時(shí))，密封后，保持在一定溫度下。此時(shí)，對(duì)不浸漬試樣的藥液進(jìn)行同樣的保管，將其作為對(duì)比。
(4)在保管任意一段時(shí)間后，測(cè)定藥液中含有的金屬濃度。H2SO4/H2O2場(chǎng)合(表2)使用ICP-MS(精工電子(株)制的SPQ9000)測(cè)定，50％HF(表3)場(chǎng)合使用原子吸光測(cè)定裝置((株)日立制作所制的Z-8000)測(cè)定。
(5)按下述公式計(jì)算出由O形環(huán)萃取出的金屬。


表2

表3

實(shí)施例13使用與實(shí)施例12同樣地聚合、凝析、干燥獲得的清潔化的氟系彈性體，按實(shí)施例12的白系(表1中的C)組成比例混煉，配制交聯(lián)性彈性體組合物。將該彈性體組合物在160℃下加壓10分鐘進(jìn)行交聯(lián)，制作O形環(huán)(AS-568A-214)。采用上述的方法考察該O形環(huán)的有機(jī)氣體發(fā)生量和微粒數(shù)。
進(jìn)一步地，采用與實(shí)施例12同樣的方法將該O形環(huán)洗滌后，考察有機(jī)氣體發(fā)生量和微粒數(shù)。結(jié)果示于表4中。
表4

產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明可以提供一種能夠獲得清潔化了的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的新型并且有效的洗滌方法。
裝配該氟橡膠類成型制品的半導(dǎo)體制造裝置，由于能夠充分降低由成型制品產(chǎn)生的微粒和金屬成分、脫氣和離子成分，因此，可以提供半導(dǎo)體合格率更高的半導(dǎo)體制造裝置。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠成型制品的洗滌方法，它是采用干式蝕刻法和/或萃取法洗滌氟橡膠成型制品。
2.按照權(quán)利要求1的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠成型制品的洗滌方法，它是采用干式蝕刻法洗滌氟橡膠成型制品。
3.按照權(quán)利要求1的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠成型制品的洗滌方法，它是采用萃取法洗滌氟橡膠成型制品。
4.按照權(quán)利要求1的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠成型制品的洗滌方法，它是采用干式蝕刻法和萃取法的組合洗滌氟橡膠成型制品。
5.權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的洗滌方法，其中，氟橡膠成型制品為氟橡膠密封材料。
6.按照權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的洗滌方法洗滌得到的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠成型制品，其表面上存在的粒徑0.2μm以上的微粒在10萬個(gè)/cm2以下。
7.按照權(quán)利要求5所述的洗滌方法洗滌得到的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠密封材料，其表面上存在的粒徑0.2μm以上的微粒在10萬個(gè)/cm2以下。
8.權(quán)利要求6中所述的氟橡膠成型制品，是單獨(dú)或組合使用2種以上權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的洗滌方法進(jìn)行洗滌的。
9.權(quán)利要求7中所述的氟橡膠密封材料，是單獨(dú)或組合使用2種以上權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的洗滌方法進(jìn)行洗滌的。
10.一種半導(dǎo)體制造裝置，其中裝配有權(quán)利要求6～9中任一項(xiàng)所述的氟橡膠成型制品。
11.權(quán)利要求10中所述的半導(dǎo)體制造裝置，是蝕刻裝置、洗滌裝置、曝光裝置、研磨裝置、成膜裝置或擴(kuò)散/離子注入裝置。
全文摘要
提供一種能夠獲得清潔化的半導(dǎo)體制造裝置用氟橡膠類成型制品的新型并且有效的洗滌方法，是用干式蝕刻法和/或萃取法洗滌氟橡膠類成型制品。采用該方法所得的氟橡膠類成型制品和氟橡膠類密封材料。使用該氟橡膠類成型制品或氟橡膠類密封材料的半導(dǎo)體制造裝置。
文檔編號(hào)B08B3/04GK1508841SQ200310101038
公開日2004年6月30日 申請(qǐng)日期1999年3月24日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月25日
發(fā)明者東野克彥, 野口剛, 雅典, 岸根充, 長谷川雅典 申請(qǐng)人:大金工業(yè)株式會(huì)社