專利名稱：制造有機發(fā)光顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，尤其涉及一種使用供體基板來制造有機發(fā)光顯示器的方法，該供體基板通過基底清洗工藝來制造。
背景技術(shù)：
在平板顯示器中，由于有機發(fā)光顯示器1ms或者更少的快速響應(yīng)速度、低功耗和由發(fā)光顯示而帶來的毫無問題的視角，使得無論其尺寸大小，有機發(fā)光顯示器具有移動圖像顯示媒介的優(yōu)勢。此外，由于低溫制造的能力以及基于現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)的簡單制造工藝，有機發(fā)光顯示器作為下一代平板顯示器正在引起人們的關(guān)注。
有機發(fā)光顯示器根據(jù)用作有機發(fā)光元件的材料和工藝通常分為兩種類型一種是使用濕法工藝的聚合體類型，另一種是使用淀積工藝的小分子類型。
聚合體有機發(fā)光元件通過使用噴墨印刷方法或者旋涂方法在具有像素電極的基板上淀積有機層以及形成反電極(counter electrode)來制造，該有機層包括發(fā)光層。
進一步來說，小分子有機發(fā)光元件通過采用淀積工藝在具有像素電極的基板上淀積有機層以及形成反電極來制造，該有機層包括發(fā)光層。
在構(gòu)圖聚合體或者小分子發(fā)光層的諸方法中，噴墨印刷方法受到非發(fā)光層的有機層的材料的限制，并且存在用于噴墨印刷的結(jié)構(gòu)需要形成在基板上的問題。
而且，由于金屬掩模的使用，通過淀積工藝構(gòu)圖發(fā)光層的方法在制造大尺寸顯示器時存在困難。
作為一種能夠代替前述構(gòu)圖方法的技術(shù)，現(xiàn)在人們開發(fā)出了激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)法。
LITI方法指的是這樣一種方法將從光源發(fā)出的激光轉(zhuǎn)換為熱能，依靠熱能將圖案形成材料轉(zhuǎn)移到靶基板，且形成期望的圖案。為了使用對這種方法，需要轉(zhuǎn)印層形成于其上的供體基板、光源以及被轉(zhuǎn)印的基板。
一般地說，用于激光誘導(dǎo)熱成像的供體基板通過在基底上形成光-熱轉(zhuǎn)換層和轉(zhuǎn)印層來制造。因此，為了保護光-熱轉(zhuǎn)換層和轉(zhuǎn)印層以及完成有效的激光誘導(dǎo)熱成像工藝，基底不應(yīng)被污染。
圖1是示出產(chǎn)生在基底上的污染物的照片。這種污染物A是在傳送基底或者制造供體基板的過程中產(chǎn)生的。在后繼的LITI工藝中，污染物A可能保留在發(fā)光層和像素電極上。污染物A能造成顯示器的缺陷，例如在發(fā)光區(qū)域中的斑點或者像素故障，導(dǎo)致顯示器性能劣化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明通過除去在準備用于供體基板的基底的工藝中出現(xiàn)在基底上的污染物來解決與傳統(tǒng)裝置有關(guān)的前述問題，從而避免了在激光誘導(dǎo)熱成像工藝期間由污染物而導(dǎo)致的供體基板的故障，也避免了使用供體基板制造的有機發(fā)光顯示器的缺陷。
在本發(fā)明的示范性實施例中，制造有機發(fā)光顯示器的方法包括準備用于供體基板的基底；清洗基底；在已清洗的基底上形成轉(zhuǎn)印層；和通過使供體基板與像素電極形成于其上的基板相對來構(gòu)圖轉(zhuǎn)印層。
該方法可進一步包括切割基底，且進行與已切割的基底有關(guān)的第二清洗工序。
該方法還可包括劃分已清洗的基底。
在本發(fā)明的另一個示范性實施例中，制造供體基板的方法包括準備基底；清洗基底；和在已清洗的基底上形成轉(zhuǎn)印層。


現(xiàn)在參考附圖并結(jié)合其一些典型實施例對本發(fā)明的上述和其他特征進行說明圖1是示出在基底上產(chǎn)生了污染物的照片；
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例制造用于激光誘導(dǎo)熱成像的供體基板的工藝的工藝流程圖；和圖3是有機發(fā)光顯示器的單元像素的橫截面視圖，用于示出進行關(guān)于供體基板的激光誘導(dǎo)熱成像方法的工藝。
具體實施例方式
在下文中，將參考附圖詳細描述本發(fā)明的具體實施例。下文公開的實施例被作為例子提供，以將本發(fā)明的精神完全地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。因此，本發(fā)明可以以不同的形式來進行具體化并不受以下所列出的實施例的限制。在附圖中，為了清晰起見放大了層和區(qū)域的厚度。在整個說明書中，相同的數(shù)字代表相同的元件。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例制造用于激光誘導(dǎo)熱成像的供體基板的工藝的工藝流程圖。
參考圖2，本發(fā)明的用于激光誘導(dǎo)熱成像的供體基板通過以下工序來完成準備基底(步驟a)，除去存在于基底上的靜電(步驟b)，清洗已經(jīng)除去靜電的基底(步驟c)，和在基底上淀積所需的層。
更具體地講，準備基底(步驟a)。
基底可以具有片型(sheet type)。具有片型的基板可以為固體基板，舉例來說，為金屬、玻璃等。
可選擇地，基底也可以具有卷型(roll type)。具有卷型的基板可以為柔性膜。
通過使用充電器從基底上除去靜電(步驟b)。除去靜電的工藝使得存在于基底上的污染物有可能被從根本上除去。
清洗已除去靜電的基底(步驟c)。
基底可以通過濕法清洗工藝來清洗。
濕法清洗工藝可以通過使用去離子水或者異丙醇來執(zhí)行。舉例來說，包含前述溶液的一批用料(batch)設(shè)置在用于制造供體基板的設(shè)備中，且在傳輸中，基底適合通過所述用料。在這個工序中，可以進行濕法清洗工藝。
可選擇地，基底也能通過干法清洗工藝進行清洗。
干法清洗工藝可以使用采用二氧化碳(CO2)、超聲波或者激光脈沖波(laser pulse wave)的技術(shù)。
利用二氧化碳(CO2)的技術(shù)通過升華干冰(固態(tài)CO2)并同時將被升華的物質(zhì)撞擊(striking)到基底上來除去污染物。換句話說，利用二氧化碳(CO2)的技術(shù)可被稱為利用干冰的物理和熱力學的力量的清洗機制，該干冰與基底碰撞并且接著膨脹。
利用激光脈沖波的技術(shù)或者將激光脈沖波施加到供體基板的轉(zhuǎn)印層上來除去存在于基板上的顆粒，或者利用激光脈沖波來振動供體基板周圍的空氣以浮動或者除去存在于基板上的顆粒。在這種情況下，已浮動的顆粒可以通過吹風或者抽氣來除去。
利用超聲波的技術(shù)是注入高速超聲氣體到供體基板的轉(zhuǎn)印層上以便通過分離和抽氣除去顆粒。
這樣，通過濕法或者干法清洗工藝能夠除去因外部環(huán)境或者在進行工藝期間而存在于基底上的污染物。結(jié)果，不僅有可能避免顯示器的缺陷，而且還可能改善顯示器的性能，其中，顯示器的缺陷例如在激光誘導(dǎo)熱成像工藝期間因發(fā)光層和像素電極上殘留的污染物所引起的在發(fā)光區(qū)域內(nèi)的斑點或者像素故障。
已清洗的基底被劃分(framed)(步驟d)和切割(步驟e)。這里，已劃分的基底可以進一步進行第二清洗工藝(步驟g)。在第二清洗工藝之前，已劃分的基底可以進行靜電的除去工藝(步驟f)。這樣，可以首先除去因靜電附著的污染物，然后進行第二清洗工藝。
已劃分的基底的第二清洗工藝可以利用濕法清洗工藝或者利用干法清洗工藝(步驟g)。在濕法清洗工藝中，可以使用去離子水或者異丙醇。進一步來說，干法清洗工藝可以使用利用二氧化碳(CO2)、超聲波或者激光脈沖波的技術(shù)來完成。
因此，由基底的劃分和切割工藝所引起的污染物能通過第二清洗工藝來除去。基底可具有更干凈的表面狀態(tài)。
可選擇地，劃分工藝可以省略。
特別的，在卷型柔性基板的情況下，可以在清洗工藝之后，不經(jīng)切割工藝，通過內(nèi)插(in-line)工藝3來淀積轉(zhuǎn)印層(步驟h)。
進一步來說，在片型固體基板的情況下，可以不經(jīng)劃分工藝，通過另一個內(nèi)插工藝5來切割基底(步驟e)，并且在進行前述的第二清洗工藝之后，可以淀積轉(zhuǎn)印層(步驟h)。
圖3是有機發(fā)光顯示器的單元像素的橫截面視圖，用于顯示進行關(guān)于供體基板的激光熱轉(zhuǎn)移技術(shù)的工藝。
參考圖3，光-熱轉(zhuǎn)換層120通過上述的工藝形成在基底110上。轉(zhuǎn)印層140形成在光-熱轉(zhuǎn)換層120上。結(jié)果，制成了供體基板100。
光-熱轉(zhuǎn)換層120由具有吸收從紅外線到可見光的區(qū)域的光的特性的光吸收材料形成。光-熱轉(zhuǎn)換層120為有機層、金屬層和它們的組合層中的任何一種，其包含激光吸收材料。
光-熱轉(zhuǎn)換層120用于轉(zhuǎn)換在激光輻射器處被輻射的激光。并且，熱能改變轉(zhuǎn)印層140和光-熱轉(zhuǎn)換層120之間的粘著力，因而用于將轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印的基板上。
轉(zhuǎn)印層140形成在光-熱轉(zhuǎn)換層120上。為了避免轉(zhuǎn)印材料受損和有效地調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)印層140和供體基板之間的粘著力，可以在光-熱轉(zhuǎn)換層120和轉(zhuǎn)印層140之間插入緩沖層130。
轉(zhuǎn)印層140可以為有機發(fā)光二極管發(fā)光層。
此外，供體基板的轉(zhuǎn)印層140可以進一步包括從由空穴注入層、空穴輸運層、空穴阻擋層和電子注入層組成的一組中選擇出的至少一層。
由包括清洗工藝的制造工藝所制造的供體基板100位于其上形成有薄膜晶體管和像素電極290的基板上。
更確切的說，由半導(dǎo)體層230、柵極250、源極270a和漏極270b組成的薄膜晶體管形成在基板210上。像素電極290與薄膜晶體管的源極270a或者漏極270b連接形成，且通過像素界定層295露出。
當在供體基板100上通過激光300執(zhí)行激光誘導(dǎo)熱成像工藝時，轉(zhuǎn)印層140a轉(zhuǎn)印到露出的像素電極290上，因此，發(fā)光層被構(gòu)圖了。
如前面所闡述的，由于轉(zhuǎn)印層140形成在通過清洗工藝除去污染物的基底110上，有可能避免有機發(fā)光顯示器的缺陷，例如在發(fā)光區(qū)的斑點和像素故障。
根據(jù)本發(fā)明的制造供體基板的方法能夠通過除去存在于用于供體基板的基底上的污染物避免在激光誘導(dǎo)熱成像的工藝中由污染物引起的供體基板的故障。因此，利用這種供體基板所制造的有機發(fā)光顯示器能避免像素故障。
盡管參考本發(fā)明的一些實施例已經(jīng)對本發(fā)明的進行了描述，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說可以理解，在不脫離由附加的權(quán)利要求和其等效物所限定的本發(fā)明精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明做出各種改進和變形。
權(quán)利要求
1.一種制造有機發(fā)光顯示器的方法，其包括準備用于供體基板的基底；清洗所述基底；在已清洗的所述基底上形成轉(zhuǎn)印層；以及通過使所述供體基板與像素電極形成于其上的基板相對來構(gòu)圖所述轉(zhuǎn)印層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括在清洗所述基底之前利用充電器除去靜電。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過濕法清洗工藝進行所述基底的清洗。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述濕法清洗工藝利用去離子水和異丙醇中的任何一種。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中通過干法清洗工藝進行所述基底的清洗。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述干法清洗工藝使用利用二氧化碳(CO2)的技術(shù)、利用超聲波的技術(shù)和利用激光脈沖波的技術(shù)中的任何一種。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括切割所述基底；以及進行與所述已切割的基底有關(guān)的第二清洗工序。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中與所述已切割的基底有關(guān)的第二清洗工序通過濕法清洗工藝進行。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述濕法清洗工藝利用去離子水和異丙醇中的任何一種。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中與所述已切割的基底有關(guān)的第二清洗工序通過干法清洗工藝進行。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述干法清洗工藝使用利用二氧化碳(CO2)的技術(shù)、利用超聲波的技術(shù)和利用激光脈沖波的技術(shù)中的任何一種。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括劃分已清洗的基底。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其進一步包括進行與所述已劃分的基底有關(guān)的第二清洗工序。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中與所述已劃分的基底有關(guān)的第二清洗工序通過濕法清洗工藝進行。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述濕法清洗工藝利用去離子水和異丙醇中的任何一種。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中與所述已劃分的基底有關(guān)的第二清洗工序通過干法清洗工藝進行。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述干法清洗工藝使用利用二氧化碳(CO2)的技術(shù)、利用超聲波的技術(shù)和利用激光脈沖波的技術(shù)中的任何一種。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)印層是有機發(fā)光元件的發(fā)光層。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)印層進一步包括從由空穴注入層、空穴輸運層、空穴阻擋層和電子注入層組成的一組中選擇出的至少一層。
20.一種制造供體基板的方法，其包括準備基底；清洗所述基底；以及在所述已清洗的基底上形成轉(zhuǎn)印層。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其進一步包括在清洗所述基底之前利用充電器除去靜電。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中通過濕法清洗工藝進行所述基底的清洗。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述濕法清洗工藝利用去離子水和異丙醇中的任何一種。
24.如權(quán)利要求20所述的方法，其中通過干法清洗工藝進行所述基底的清洗。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中所述干法清洗工藝使用利用二氧化碳(CO2)的技術(shù)、利用超聲波的技術(shù)和利用激光脈沖波的技術(shù)中的任何一種進行。
26.如權(quán)利要求20所述的方法，其進一步包括切割所述基底；以及進行與所述已切割的基底有關(guān)的第二清洗工序。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中與所述已切割的基底有關(guān)的第二清洗工序通過濕法清洗工藝進行。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述濕法清洗工藝利用去離子水和異丙醇中的任何一種。
29.如權(quán)利要求26所述的方法，其中與所述已切割的基底有關(guān)的第二清洗工序通過干法清洗工藝進行。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述干法清洗工藝使用利用二氧化碳(CO2)的技術(shù)、利用超聲波的技術(shù)和利用激光脈沖波的技術(shù)中的任何一種進行。
31.如權(quán)利要求20所述的方法，其進一步包括劃分所述已清洗的基底。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其進一步包括進行與所述已劃分的基底有關(guān)的第二清洗工序。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其中與所述已劃分的基底有關(guān)的第二清洗工序通過濕法清洗工藝進行。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其中所述濕法清洗工藝利用去離子水和異丙醇中的任何一種。
35.如權(quán)利要求31所述的方法，其中與所述已劃分的基底有關(guān)的第二清洗工序通過干法清洗工藝進行。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中所述干法清洗工藝使用利用二氧化碳(CO2)的技術(shù)、利用超聲波的技術(shù)和利用激光脈沖波的技術(shù)中的任何一種。
37.如權(quán)利要求20所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)印層是有機發(fā)光元件的發(fā)光層。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)印層其進一步包括從由空穴注入層、空穴輸運層、空穴阻擋層和電子注入層組成的一組中選擇出的至少一層。
全文摘要
提供了一種制造有機發(fā)光顯示器的方法。該方法包括準備用于供體基板的基底；清洗基底；在已清洗的基底上形成轉(zhuǎn)印層；以及通過使得供體基板與像素電極形成于其上的基板相對來構(gòu)圖轉(zhuǎn)印層。
文檔編號B08B3/00GK1744782SQ200410099748
公開日2006年3月8日 申請日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月30日
發(fā)明者宋明原, 李城宅, 金茂顯, 陳炳斗 申請人:三星Sdi株式會社