專利名稱：氣泡式反應(yīng)清洗裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種清洗裝置，應(yīng)用于去除特定材質(zhì)上的有機(jī)物，特別是一種利用臭氧的氣泡式反應(yīng)清洗裝置及其方法。
背景技術(shù)：
異相反應(yīng)系統(tǒng)(heterogeneous reaction system)遍存于各類產(chǎn)業(yè)中，例如，觸媒反應(yīng)系統(tǒng)及高階電子組件的長膜工藝等皆是，如何提升異相反應(yīng)系統(tǒng)的界面質(zhì)傳效率(heterogeneous mass transfer in multiphase)是相關(guān)工藝技術(shù)的研發(fā)重點(diǎn)，在氣-液-固共存的異相反應(yīng)系統(tǒng)中，由于反應(yīng)必須通過氣-液及液-固相的界面層進(jìn)行，因此，界面擴(kuò)散層的厚度以及反應(yīng)界面的更新頻率，成為影響反應(yīng)速率的關(guān)鍵瓶頸。
一般傳統(tǒng)技術(shù)多利用機(jī)械式攪拌、高音波或高音波震蕩等操作來達(dá)到壓縮界面層厚度，以提升界面質(zhì)傳效率的目的，但在液相存在比例較高，且氣相屬于難溶性氣體的異相反應(yīng)系統(tǒng)中，反應(yīng)速率的瓶頸步驟主要決定在氣-液界面間的質(zhì)傳速率，機(jī)械式攪拌并無法有效壓縮界面層，所能達(dá)到的質(zhì)傳擴(kuò)散效果極為有限；最近，也有新的研究利用高速旋轉(zhuǎn)的離心力將固體表面的水層離心甩脫，達(dá)到壓縮水膜厚度及更新接觸界面的目的，但此方法需耗用較大電能，且高速旋轉(zhuǎn)長期操作會產(chǎn)生微顆粒污染的疑慮，對于待處理材質(zhì)的形狀、尺寸、大小，都有所限制。
目前國際上尚無針對異相系統(tǒng)的界面擴(kuò)散層控制方法的主題作發(fā)表，而針對臭氧水光阻清洗與相關(guān)設(shè)備的前案中，其相關(guān)技術(shù)內(nèi)容有1、直接將基材部分浸泡在溶液內(nèi)，同時注入臭氧氣體，由旋轉(zhuǎn)基材帶起水溶液在表面形成一薄膜，而達(dá)到光阻去除。
2、利用噴灑臭氧水，再高速旋轉(zhuǎn)基板而達(dá)到壓縮界面層的目的。
3、除了臭氧水外，同時搭配其它溶液，例如去離子水(DI-water)、硫酸、鹽酸、氨水等與臭氧同時混合，搭配超音波震蕩。
4、利用高溫水溶液形成的臭氧蒸氣而達(dá)到去除光阻的目的。
5、利用紫外線(UV)加熱基材，搭配臭氧以進(jìn)行干式清洗。
綜觀這些方式都需要高速旋轉(zhuǎn)，高溫加熱，使用紫外線(UV)，或式外加一些氧化劑，化學(xué)溶液等的環(huán)境下進(jìn)行。尤其是高速旋轉(zhuǎn)操作納米工藝是極大的疑慮，而且高速旋轉(zhuǎn)的操作方式對待處理材質(zhì)的尺寸、形狀與放置對稱性有嚴(yán)格的要求，并且有產(chǎn)生微顆粒污染的問題，因此，其應(yīng)用性將可能大受限制。
故如何有效運(yùn)用臭氧氣-液系統(tǒng)來達(dá)成清洗的目的，實為一具有思考價值的技術(shù)課題。
而目前公知技術(shù)中，最常運(yùn)用的方式仍為使用硫酸清洗，但如此方式具有以下缺點(diǎn)高溫工藝(120℃)、用水量大、廢酸排放量大且無法處理有金屬層材質(zhì)，非常的消耗資源且不環(huán)保。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種氣泡式反應(yīng)清洗裝置及方法。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，是以一氣泡式反應(yīng)去除一基材表面的有機(jī)物，該清洗裝置包含一反應(yīng)槽，該反應(yīng)槽用以容置該基材，并提供該基材清洗的空間；一反應(yīng)氣體供應(yīng)源，該反應(yīng)氣體供應(yīng)源與該反應(yīng)槽連接，該反應(yīng)氣體供應(yīng)源用以對該反應(yīng)槽輸出一反應(yīng)氣體；一反應(yīng)液體供應(yīng)源，該反應(yīng)液體供應(yīng)源用以輸出一反應(yīng)液體；一溫度控制系統(tǒng)，該溫度控制系統(tǒng)與該反應(yīng)液體供應(yīng)源連接，該溫度控制系統(tǒng)用以控制該反應(yīng)液體的溫度，并將該反應(yīng)液體輸出至該反應(yīng)槽；一氣泡產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，該氣泡產(chǎn)生機(jī)構(gòu)用以接收該反應(yīng)氣體后，輸出至該反應(yīng)液體中產(chǎn)生一氣泡；一運(yùn)動單元，該運(yùn)動單元用以使該基材于該反應(yīng)槽中產(chǎn)生一轉(zhuǎn)動位移；一壓力控制系統(tǒng)，該壓力控制系統(tǒng)與該反應(yīng)槽連接，該壓力控制系統(tǒng)用以控制該反應(yīng)槽的壓力，并抽取該反應(yīng)槽中多余的該反應(yīng)氣體；及一滌洗液供應(yīng)源，該滌洗液供應(yīng)源于清除該有機(jī)物后，提供一滌洗液清洗該基材。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其中該反應(yīng)氣體為一臭氧及一含有臭氧的混合氣體中任選其一。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其中該臭氧的氣體濃度范圍為1％～17％。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其中該臭氧的產(chǎn)生方式為經(jīng)一高壓電場及經(jīng)一紫外線(UV)照射中任選其一。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其中該反應(yīng)液體為去離子水(DI-water)、臭氧水及經(jīng)HCl、H2SO4、NH4OH等調(diào)整過pH的溶液中任選其一。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其中該溫度控制系統(tǒng)控制該反應(yīng)液體的溫度為室溫～80℃之間。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，該反應(yīng)槽可將該反應(yīng)液體保留于其內(nèi)部并形成一水平液面。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其中該運(yùn)動單元包含有一固定結(jié)構(gòu)，該固定結(jié)構(gòu)用以將該基材固定于該運(yùn)動單元之上。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其中該轉(zhuǎn)動位移為一旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，該旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的轉(zhuǎn)速可為1～10rpm。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其中該氣泡產(chǎn)生結(jié)構(gòu)為一抗臭氧管上設(shè)置有至少一個出氣口或是一氣體分散盤中任選其一，且該氣泡產(chǎn)生結(jié)構(gòu)設(shè)置于該水平液面下。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，該基材于去除該有機(jī)質(zhì)后，可利用該反應(yīng)槽或是另一清洗槽體來進(jìn)行該滌洗程序。
本發(fā)明提供的利用氣泡式反應(yīng)清洗的方法，該方法是以一氣泡式反應(yīng)對一基材表面進(jìn)行去除一有機(jī)物的方法，包含將該基材置入一反應(yīng)槽中，輸送適當(dāng)濃度及流量的一反應(yīng)氣體；將該反應(yīng)氣體傳送通過溫度適當(dāng)?shù)囊环磻?yīng)液體，以產(chǎn)生一氣泡；使該氣泡沿著該基材表面往上爬升，并去除該基材表面的該有機(jī)物；將該基材以一滌洗液進(jìn)行滌洗程序。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該基材需有部分面積浸泡于該反應(yīng)液體中，該基材浸泡于該反應(yīng)液體的水位高度占該基材其直徑的5～80％之間。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該基材與該反應(yīng)液體的液面角度范圍為5度～90度之間。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該基材于清除該有機(jī)物包含有一旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，該旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的速度范圍為1rpm～10rpm之間。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該反應(yīng)氣體的出氣口位置必須位于該基材下方的該反應(yīng)液體下。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該基材為半導(dǎo)體晶圓(semiconductor wafer)或是玻璃基板。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該有機(jī)物為一光阻劑及工藝中一有機(jī)污染物。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該旋轉(zhuǎn)運(yùn)動、該反應(yīng)氣體濃度、該反應(yīng)氣體流量、該反應(yīng)液體溫度及該反應(yīng)液體液面高度，可于去除該有機(jī)物的過程中隨時變更。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該反應(yīng)氣體為一臭氧及一含有臭氧的混合氣體中任選其一。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該臭氧的氣體濃度范圍為1～17％。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該臭氧的產(chǎn)生方式可為經(jīng)一高壓電場及經(jīng)一紫外線(UV)照射中任選其一。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該反應(yīng)液體為去離子水(DI-water)、臭氧水及經(jīng)HCl、H2SO4、NH4OH等調(diào)整過pH的溶液中任選其一。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該反應(yīng)液體的溫度為室溫～80℃之間。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該滌洗液進(jìn)入該反應(yīng)槽的方式可為由反應(yīng)槽體一上方注入及一下方注入中任選其一。
所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其中該滌洗程序為一浸泡方式、蒸氣方式(shower)及噴霧方式(spray)中任選。
本發(fā)明利用氣泡式界面擴(kuò)散層壓縮技術(shù)的概念，將其結(jié)合應(yīng)用在有機(jī)去除反應(yīng)槽體的設(shè)計與清洗流程，在省水、省能、不需高速旋轉(zhuǎn)的操作條件下，及可以有效率達(dá)到材質(zhì)表面有機(jī)物去除的目的。


圖1為本發(fā)明氣泡式反應(yīng)清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為本發(fā)明氣泡式反應(yīng)清洗裝置的清洗步驟流程(1)圖；及圖2B為本發(fā)明氣泡式反應(yīng)清洗裝置的清洗步驟流程(2)圖。
具體實施例方式
為使對本發(fā)明的目的、構(gòu)造特征及其功能有進(jìn)一步的了解，配合附圖詳細(xì)說明如下本發(fā)明為一種氣泡式反應(yīng)清洗裝置，是以氣泡式反應(yīng)去除基材表面的有機(jī)物，首先請參照圖1，為本發(fā)明氣泡式反應(yīng)清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
本發(fā)明的氣泡式反應(yīng)清洗裝置包含有反應(yīng)槽10、運(yùn)動單元20、溫度控制系統(tǒng)30、反應(yīng)液體供應(yīng)源40、反應(yīng)氣體供應(yīng)源50、壓力控制系統(tǒng)60、氣泡產(chǎn)生機(jī)構(gòu)70及滌洗液供應(yīng)源80，反應(yīng)槽10用以容置基材90，并提供基材90清洗的空間，而基材90則置放于運(yùn)動單元20上，并使基材90于反應(yīng)槽中清洗時產(chǎn)生轉(zhuǎn)動位移，而反應(yīng)氣體供應(yīng)源50則用于對反應(yīng)槽10輸出反應(yīng)氣體，反應(yīng)液體供應(yīng)源40用于輸出反應(yīng)液體至溫度控制系統(tǒng)30，溫度控制系統(tǒng)30于收到該反應(yīng)液體后，則控制反應(yīng)液體的溫度，并將適當(dāng)溫度的反應(yīng)液體輸出至反應(yīng)槽10中。
反應(yīng)液體在反應(yīng)槽10中形成水平液面，并完全覆蓋氣泡產(chǎn)生機(jī)構(gòu)70，氣泡產(chǎn)生機(jī)構(gòu)70可為抗臭氧管，并于管上設(shè)置有至少一個出氣口來排氣，或是使用氣體分散盤來制作，并用于接收反應(yīng)氣體后，輸出至反應(yīng)液體中產(chǎn)生氣泡71，而壓力控制系統(tǒng)60亦與反應(yīng)槽10連接，且用于控制反應(yīng)槽10的壓力，并于反應(yīng)完成后來抽取反應(yīng)槽10中多余的反應(yīng)氣體，當(dāng)有機(jī)物已經(jīng)順利的從基材90上去除后，則可進(jìn)入滌洗程序，此時滌洗液供應(yīng)源80則提供滌洗液清洗基材90，此滌洗程序可以在反應(yīng)槽10中完成，亦可以將基材90移至另一清洗槽體來進(jìn)行。
為達(dá)成良好的去除效果，前述的反應(yīng)氣體還可使用臭氧或是含有臭氧的混合氣體，而臭氧的產(chǎn)生方式可經(jīng)由高壓電場產(chǎn)生或是利用紫外線(UV)照射來產(chǎn)生，當(dāng)反應(yīng)氣體進(jìn)入反應(yīng)槽10后，其適當(dāng)?shù)臐舛葹?％～17％為佳；而反應(yīng)液體81則可選用去離子水(DI-water)、臭氧水或是經(jīng)HCl、H2SO4、NH4OH等調(diào)整過pH的溶液，其適當(dāng)?shù)臏囟葹槭覝亍?0C，當(dāng)氣泡71產(chǎn)生時，則會沿著基材90向上爬升，此時基材90已經(jīng)借由固定結(jié)構(gòu)21固定于運(yùn)動單元20的上，運(yùn)動單元20可產(chǎn)生一旋轉(zhuǎn)運(yùn)動來旋動基材90，此旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的轉(zhuǎn)速可為1～10rpm，此旋轉(zhuǎn)運(yùn)動可以旋轉(zhuǎn)運(yùn)動單元20并帶動基材90旋轉(zhuǎn)，或是設(shè)計為僅旋轉(zhuǎn)基材90。
除了前述的清洗裝置外，接下來請繼續(xù)參照圖2A，為本發(fā)明氣泡式反應(yīng)清洗裝置的清洗步驟流程(1)圖。
假設(shè)有一半導(dǎo)體晶圓(semiconductor wafer)或是玻璃基板為其基材，當(dāng)基材上因光阻劑或是工藝中任一有機(jī)污染物欲清洗時，首先將基材置入反應(yīng)槽中(步驟200)，然后提供反應(yīng)氣體以形成氣泡(步驟210)，此步驟需輸送適當(dāng)濃度的適當(dāng)流量的反應(yīng)氣體，并將反應(yīng)氣體傳送通過溫度適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)液體中，以產(chǎn)生氣泡，然后進(jìn)行汽泡式反應(yīng)來去除基材上的有機(jī)物(步驟220)，此時氣泡會沿著基材表面往上爬升，并去除基材表面的該有機(jī)物，此程序可選用連續(xù)式反應(yīng)(步驟230)或是分段式反應(yīng)(步驟240)，當(dāng)反應(yīng)完成后則將殘留反應(yīng)氣體的抽離與破壞(步驟250)，并進(jìn)入進(jìn)行滌洗程序，即為使用滌洗液將去除有機(jī)物的基材加以滌洗(步驟260)，此滌洗程序可利用原本的反應(yīng)槽來完成，或是取出基材換至另一清洗槽體來進(jìn)行，最后將滌洗完成的基材取出(步驟270)，即完成整體的流程步驟，請參照圖2B，為本發(fā)明氣泡式反應(yīng)清洗裝置的清洗步驟流程(2)圖。
在去除有機(jī)物反應(yīng)的過程中，基材需有部分面積浸泡于反應(yīng)液體的中，且基材浸泡于反應(yīng)液體的水位高度占基材其直徑的5～80％之間為佳，同時基材與反應(yīng)液體的液面角度范圍為5度～90度之間為佳，而反應(yīng)氣體的出氣口位置必須位于基材下方，并位于反應(yīng)液體下，以?？身樌漠a(chǎn)生氣泡，當(dāng)步驟220于執(zhí)行時，基材更需產(chǎn)生一旋轉(zhuǎn)運(yùn)動來確保有機(jī)物去除的效果，此旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的速度范圍可設(shè)定于1rpm～10rpm之間，其中連續(xù)式反應(yīng)(步驟230)與分段式反應(yīng)(步驟240)則可依據(jù)情況自由選擇，其中的差異性則在于*連續(xù)式反應(yīng)是指反應(yīng)氣體濃度、氣體流量、水溶液溫度、基材浸泡水位、基材旋轉(zhuǎn)速度及基材與反應(yīng)液體液面角度等條件，在整個反應(yīng)過程中皆是固定不變的。
*分段式操作是指整個氣泡式反應(yīng)的過程可以分成數(shù)個步驟進(jìn)行，每一個步驟可在不同反應(yīng)氣體濃度，不同的氣體流量，不同的反應(yīng)液體溫度、基材旋轉(zhuǎn)速度及不同的基材與反應(yīng)液體液面角度下進(jìn)行。
而最后的滌洗程序中，滌洗液進(jìn)入反應(yīng)槽的方式可為由上方注入或是下方注入，并無特別限制，而滌洗的方式亦可選用浸泡方式、蒸氣方式(shower)及噴霧方式(spray)。
同時本方法利用臭氧氣體在液體中自然形成的氣泡壁做為氣-液-固異相系統(tǒng)的反應(yīng)界面，不需高速旋轉(zhuǎn)操作，以氣動方式產(chǎn)生氣泡并使其沿著待清洗的材質(zhì)表面爬升，在氣泡爬升的拖曳過程中就會讓液-固界面層厚度壓縮至最小而達(dá)到提高界面質(zhì)傳效率目的，并進(jìn)而去除有機(jī)物染物。本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)為省水、省能、不需高速旋轉(zhuǎn)操作、可在常溫常壓下操作、無微顆粒污染疑慮、對材質(zhì)的處理尺寸與材質(zhì)種類彈性大。
雖然本發(fā)明以前述實施例描述如上，然其并非用以限定本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所為的更動與潤飾，均屬本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。關(guān)于本發(fā)明所界定的保護(hù)范圍請參考所附的申請專利范圍。
權(quán)利要求
1.一種氣泡式反應(yīng)清洗裝置，是以一氣泡式反應(yīng)去除一基材表面的有機(jī)物，該清洗裝置包含一反應(yīng)槽，該反應(yīng)槽用以容置該基材，并提供該基材清洗的空間；一反應(yīng)氣體供應(yīng)源，該反應(yīng)氣體供應(yīng)源與該反應(yīng)槽連接，該反應(yīng)氣體供應(yīng)源用以對該反應(yīng)槽輸出一反應(yīng)氣體；一反應(yīng)液體供應(yīng)源，該反應(yīng)液體供應(yīng)源用以輸出一反應(yīng)液體；一溫度控制系統(tǒng)，該溫度控制系統(tǒng)與該反應(yīng)液體供應(yīng)源連接，該溫度控制系統(tǒng)用以控制該反應(yīng)液體的溫度，并將該反應(yīng)液體輸出至該反應(yīng)槽；一氣泡產(chǎn)生機(jī)構(gòu)，該氣泡產(chǎn)生機(jī)構(gòu)用以接收該反應(yīng)氣體后，輸出至該反應(yīng)液體中產(chǎn)生一氣泡；一運(yùn)動單元，該運(yùn)動單元用以使該基材于該反應(yīng)槽中產(chǎn)生一轉(zhuǎn)動位移；一壓力控制系統(tǒng)，該壓力控制系統(tǒng)與該反應(yīng)槽連接，該壓力控制系統(tǒng)用以控制該反應(yīng)槽的壓力，并抽取該反應(yīng)槽中多余的該反應(yīng)氣體；及一滌洗液供應(yīng)源，該滌洗液供應(yīng)源于清除該有機(jī)物后，提供一滌洗液清洗該基材。
2.如權(quán)利要求1所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，其中該反應(yīng)氣體為一臭氧及一含有臭氧的混合氣體中任選其一。
3.如權(quán)利要求2所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，其中該臭氧的氣體濃度范圍為1～17％。
4.如權(quán)利要求2所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，其中該臭氧的產(chǎn)生方式為經(jīng)一高壓電場及經(jīng)一紫外線照射中任選其一。
5.如權(quán)利要求1所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，其中該反應(yīng)液體為去離子水、臭氧水及經(jīng)HCl、H2SO4、NH4OH調(diào)整過pH的溶液中任選其一。
6.如權(quán)利要求1所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，其中該溫度控制系統(tǒng)控制該反應(yīng)液體的溫度為室溫～80℃之間。
7.如權(quán)利要求1所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，該反應(yīng)槽可將該反應(yīng)液體保留于其內(nèi)部并形成一水平液面。
8.如權(quán)利要求1所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，其中該運(yùn)動單元包含有一固定結(jié)構(gòu)，該固定結(jié)構(gòu)用以將該基材固定于該運(yùn)動單元之上。
9.如權(quán)利要求1所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，其中該轉(zhuǎn)動位移為一旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，該旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的轉(zhuǎn)速可為1～10rpm。
10.如權(quán)利要求1所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，其中該氣泡產(chǎn)生結(jié)構(gòu)為一抗臭氧管上設(shè)置有至少一個出氣口或是一氣體分散盤中任選其一，且該氣泡產(chǎn)生結(jié)構(gòu)設(shè)置于該水平液面下。
11.如權(quán)利要求1所述的氣泡式反應(yīng)清洗裝置，其特征在于，該基材于去除該有機(jī)質(zhì)后，可利用該反應(yīng)槽或是另一清洗槽體來進(jìn)行該滌洗程序。
12.一種利用氣泡式反應(yīng)清洗的方法，該方法是以一氣泡式反應(yīng)對一基材表面進(jìn)行去除一有機(jī)物的方法，包含將該基材置入一反應(yīng)槽中，輸送適當(dāng)濃度及流量的一反應(yīng)氣體；將該反應(yīng)氣體傳送通過溫度適當(dāng)?shù)囊环磻?yīng)液體，以產(chǎn)生一氣泡；使該氣泡沿著該基材表面往上爬升，并去除該基材表面的該有機(jī)物；將該基材以一滌洗液進(jìn)行滌洗程序。
13.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該基材需有部分面積浸泡于該反應(yīng)液體中，該基材浸泡于該反應(yīng)液體的水位高度占該基材其直徑的5～80％之間。
14.如權(quán)利要求13所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該基材與該反應(yīng)液體的液面角度范圍為5度～90度之間。
15.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該基材于清除該有機(jī)物包含有一旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，該旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的速度范圍為1～10rpm之間。
16.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該反應(yīng)氣體的出氣口位置必須位于該基材下方的該反應(yīng)液體下。
17.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該基材為半導(dǎo)體晶圓或是玻璃基板。
18.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該有機(jī)物為一光阻劑及工藝中一有機(jī)污染物。
19.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該旋轉(zhuǎn)運(yùn)動、該反應(yīng)氣體濃度、該反應(yīng)氣體流量、該反應(yīng)液體溫度及該反應(yīng)液體液面高度，可于去除該有機(jī)物的過程中隨時變更。
20.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該反應(yīng)氣體為一臭氧及一含有臭氧的混合氣體中任選其一。
21.如權(quán)利要求20所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該臭氧的氣體濃度范圍為1～17％。
22.如權(quán)利要求20所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該臭氧的產(chǎn)生方式可為經(jīng)一高壓電場及經(jīng)一紫外線照射中任選其一。
23.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該反應(yīng)液體為去離子水、臭氧水及經(jīng)HCl、H2SO4、NH4OH調(diào)整過pH的溶液中任選其一。
24.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該反應(yīng)液體的溫度為室溫～80℃之間。
25.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該滌洗液進(jìn)入該反應(yīng)槽的方式可為由反應(yīng)槽體一上方注入及一下方注入中任選其一。
26.如權(quán)利要求12所述的氣泡式反應(yīng)清洗的方法，其特征在于，其中該滌洗程序為一浸泡方式、蒸氣方式及噴霧方式中任選。
全文摘要
一種氣泡式反應(yīng)清洗裝置及其方法，是利用氣泡式界面擴(kuò)散層壓縮技術(shù)，利用氣動方式產(chǎn)生的氣泡壁作為氣－液－固異相系統(tǒng)的反應(yīng)界面(interface)，并借助氣泡沿著待清洗的材質(zhì)表面爬升的拖曳過程，讓液－固界面層厚度壓縮變小，而使界面質(zhì)傳效率最佳化，進(jìn)而有效除去材質(zhì)表面的有機(jī)物。
文檔編號B08B11/00GK1986085SQ20051013385
公開日2007年6月27日 申請日期2005年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月22日
發(fā)明者金光祖, 陳秋美, 徐靜怡, 郭詠琪 申請人:財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院