專利名稱：：通過酸性溶液進(jìn)行的硅電極組件表面去污的制作方法通過酸性溶液進(jìn)行的硅電極組件表面去污發(fā)明簡(jiǎn)述對(duì)具有等離子體暴露的硅表面的已用電極組件進(jìn)行清洗的方法，該方法包括使硅表面與酸性溶液接觸。該酸性溶液包含氫氟酸、硝酸、醋酸和余量的去離子水。優(yōu)選將污染物從硅表面上除去而不會(huì)使清洗的表面變色。在清洗之后，該電極組件可用于在等離子體刻蝕腔中刻蝕電介質(zhì)材料。附圖簡(jiǎn)述圖1A顯示了在清洗期間中用于支承電極組件的夾具，而圖1B顯示了圖1A的放大區(qū)域。圖2A顯示了新電極組件的硅表面形貌，圖2B-D顯示了已用電極組件在拋光之前的硅表面形貌，而圖2E-G顯示了已用電極組件在拋光之后的硅表面形貌。圖3和圖4顯示了典型的未經(jīng)清洗的已用電極組件。圖5顯示了典型的恢復(fù)后的電極組件。圖6A顯示了使用酸性溶液進(jìn)行擦拭可能導(dǎo)致的內(nèi)電極組件的硅表面變色，而圖6B顯示了使用酸性溶液進(jìn)行擦拭可能導(dǎo)致的外電極組件元件的硅表面變色。圖7A-D顯示了典型的恢復(fù)前和恢復(fù)后的電極組件。發(fā)明詳述在使用電極組件進(jìn)行許多RF小時(shí)(利用射頻功率產(chǎn)生等離子體的以小時(shí)計(jì)的時(shí)間)之后，已用硅電極組件表現(xiàn)出刻蝕速率的下降和刻蝕均勻性的偏移。這種刻蝕性能的下降是由于電極組件硅表面形貌的改變以及電極組件硅表面的污染，兩者都是電介質(zhì)刻蝕過程的結(jié)果。可以對(duì)已用電極組件的硅表面進(jìn)行拋光以便從其上除去黑硅和其它金屬污染。通過使用酸性溶液擦拭可以從這些電極組件的硅表面上有效除去金屬污染而不會(huì)使硅表面變色，這降低了電極組件的結(jié)合材料被破壞的危險(xiǎn)。因此，通過清洗電極組件可以使工藝窗口的刻蝕速率和刻蝕均勻性恢復(fù)到可接受的水平。電介質(zhì)刻蝕系統(tǒng)(例如Lam2300Exelan⑧和LamExelan⑧HPT)可以包含含有出氣口的硅噴頭狀(showerhead)電極組件。如共有美國(guó)專利No.6，376，385中所公開的(這里通過引用將其并入本文)(可以在其中進(jìn)行半導(dǎo)體襯底如單個(gè)晶片的處理的)等離子體反應(yīng)腔的電極組件可以包括支承元件如石墨背襯環(huán)或元件，電極如均勻厚度的圓盤形式的硅噴頭狀電極，以及支承元件和電極之間的彈性體接頭。該彈性體接頭容許支承元件和電極之間的移動(dòng)以便補(bǔ)償電極組件的溫度循環(huán)所導(dǎo)致的熱膨脹。該彈性體接頭可包括導(dǎo)電和/或?qū)岬奶畛湮?，并且該彈性體可以是在高溫下穩(wěn)定的催化劑固化的聚合物。例如，該彈性體結(jié)合材料可包含硅聚合物和鋁合金粉末填充物。為了避免酸性溶液與電極組件的結(jié)合材料的接觸(該接觸會(huì)損壞該結(jié)合材料)，優(yōu)選用酸性溶液擦拭已用電極組件的硅表面。另外，電極組件可包含圍繞內(nèi)電極并可選通過電介質(zhì)材料環(huán)與其隔開的外電極環(huán)或元件。該外電極元件可用于擴(kuò)展電極以便處理更大的晶片，例如300mm的晶片。外電極元件的硅表面可包含平坦的表面和斜的外邊緣。與內(nèi)電極相似，外電極元件優(yōu)選配備有背襯元件，例如，該外部環(huán)可包含電接地的環(huán)，外電極元件與該環(huán)彈性體結(jié)合。內(nèi)電極和/或外電極元件的背襯元件可具有用于在電容耦合等離子體加工工具中進(jìn)行安裝的安裝孔。內(nèi)電極和外電極元件優(yōu)選都包含單晶硅，以使電極組件的污染物最少化。外電極元件可包含多個(gè)以環(huán)形布局排列的單晶硅片段(例如六個(gè)片段)，每個(gè)片段都與背襯元件結(jié)合(例如彈性體結(jié)合)。此外，環(huán)形布局中的相鄰片段可以重疊，相鄰片段之間存在間隙或者接頭。用于電介質(zhì)刻蝕工具中的硅電極組件在使用該電極組件運(yùn)行許多RF小時(shí)之后劣化，這部分是由于黑硅的形成。"黑硅"可以形成于等離子體暴露的硅表面上，這是由于該表面在等離子體加工操作期間被淀積在該表面上的污染物微掩蔽。受黑硅形成影響的具體等離子體加工條件包括如在低K通路(vias)刻蝕期間所采用的適當(dāng)RF功率下的高氮以及低的氧和CxFy濃度。微掩蔽的表面區(qū)域的尺度可以是約10nm到約10微米。盡管不希望受任何具體理論限制，但認(rèn)為硅電極(或者其它硅部件)的等離子體暴露表面上發(fā)生黑硅形成是等離子體加工操作期間硅電極上的非鄰近(non-contiguous)聚合物淀積的結(jié)果。在刻蝕半導(dǎo)體襯底上的電介質(zhì)材料(例如氧化硅或低k電介質(zhì)材料層)的主要刻蝕步驟期間，非鄰近的聚合物淀積可以形成在等離子體暴露的表面上，例如硅上電極的底表面。聚合物淀積一般形成三維、島狀生成物(formation)，其選擇性地保護(hù)下面的表面不被刻蝕。一旦形成針狀生成物，這時(shí)聚合物淀積會(huì)優(yōu)先在針尖上形成，從而在后續(xù)襯底的主要刻蝕步驟期間促進(jìn)微掩蔽機(jī)制和黑硅的擴(kuò)展。(一個(gè)或多個(gè))微掩蔽的表面區(qū)域的不均勻、各向異性刻蝕導(dǎo)致在表面上形成緊密間隔的針狀或棒狀的部件。這些部件會(huì)阻止光從硅表面的這些改性區(qū)域上反射，這會(huì)使這些區(qū)域具有黑色外觀。這些針狀微部件緊密間隔，并且一般可具有約10體(0.01Mm)至約50000nm(50pm)的長(zhǎng)度(在一些情況中可以具有長(zhǎng)達(dá)約lmm或者甚至更長(zhǎng)的長(zhǎng)度)，并且一般具有約10認(rèn)至約50Mm的寬度。受黑硅影響的電極組件的硅表面可以通過拋光恢復(fù)。在拋光之前，可以對(duì)電極組件進(jìn)行預(yù)清洗以便去除外來雜質(zhì)。這種預(yù)清洗可以包括C02雪噴射，其包括將干水的小片(例如通過將液態(tài)co,經(jīng)噴嘴膨脹至大氣壓產(chǎn)生，由此形成C02的軟片)流導(dǎo)向待處理的表面，使得這些小片撞擊襯底上的尺寸小于l微米的小微粒污染物，然后通過升華氣化將這些污染物從表面上剝離。然后，一般使這些污染物和co,氣體通過過濾器，例如高效微?？諝?HEPA)過濾器，在其中收集污染物并將氣體釋放。適宜的造雪裝置的實(shí)例是可購(gòu)自VatranSystems公司(ChulaVista，CA)的SnowGun-11。在拋光之前，可以用丙酮和/或者異丙醇清洗電極組件。例如，可以將電極組件浸入丙酮持續(xù)30分鐘然后進(jìn)行擦拭以除去有機(jī)污漬或者沉淀物.拋光包括使用適當(dāng)粗糙度等級(jí)數(shù)的砂輪在車床上研磨電極組件的表面，并使用另一個(gè)砂輪將電極組件表面拋光至需要的光潔度(例如8微英寸)。優(yōu)選地，在恒定流動(dòng)的水中拋光硅表面，以便除去污物并保持電極組件濕潤(rùn)。當(dāng)添加水時(shí)，在拋光期間會(huì)產(chǎn)生料漿，需要將該料漿從電極組件表面上清洗掉?？梢允紫仁褂肊rgoSCRUB和ScrubDISK拋光電極組件。拋光程序(即所用拋光紙的選擇和順序)取決于電極組件的硅表面的損傷程度。如果在硅電極組件上觀察到嚴(yán)重的點(diǎn)蝕或損傷，則拋光可以用例如140或160粒度的金剛石拋光盤開始，直到獲得均勻的平坦表面。隨后的拋光可以采用例如220、280、360、800、和/或1350粒度的金剛石拋光盤。如果在硅電極組件上觀察到較小的點(diǎn)蝕或損傷，則拋光可以用例如280粒度的金剛石拋光盤開始，直到獲得均勻的平坦表面。接隨后的拋光可以采用例如360、800、和/或1350粒度的金剛石拋光盤。在拋光期間，將電極組件附著在轉(zhuǎn)速優(yōu)選為約40-160rpm的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上。在拋光期間優(yōu)選施加均勻但不強(qiáng)的力，因?yàn)閺?qiáng)的力可能對(duì)電極組件的硅表面或結(jié)合區(qū)域造成損傷。因此，拋光過程會(huì)耗費(fèi)大量時(shí)間，取決于電極組件上的點(diǎn)蝕或損傷的程度。在拋光期間，優(yōu)選維持外電極環(huán)或元件的形狀和角度(例如，平坦表面和斜的外邊緣之間的界面)。為了使陷入電極組件的出氣口內(nèi)部和接頭中的顆粒最少，在更換拋光盤時(shí)，可使用去離子水槍從出氣口和接頭中除去拋光期間產(chǎn)生的顆粒，并且可以^吏用UltraSOLVScrubPADs從拋光盤上除去顆粒。在拋光之后，優(yōu)選用去離子水沖洗電極組件并吹干?？梢杂美鏢urfscan系統(tǒng)測(cè)量電極組件的表面粗糙度。電極組件的表面粗糙度優(yōu)選為約8微英寸或更小。優(yōu)選將電極組件浸入8(TC的去離子水中1小時(shí)，以便使可能陷入電極組件的出氣口和接頭中的顆粒松動(dòng)。可以在約60。C的去離子水中超聲清洗電極組件30分鐘以便從電極組件表面上除去顆粒。在超聲清洗期間可將電極組件在超聲槽中上下移動(dòng)，以幫助除去陷入的顆粒?？梢允褂玫?dú)?去離子水槍在低于或等于50psi的壓力下清洗電極組件，包括電極組件的出氣口和接頭或者安裝孔。由于已用電極組件的石墨表面可能具有疏松的表面結(jié)構(gòu)，因此可能需要特殊的操縱來避免對(duì)電極組件的石墨背襯元件造成損傷或沖擊。可以使用潔凈室專用紙、尼龍絲、或者白線來檢查從例如電極組件的出氣口和接頭的顆粒去除品質(zhì)。可以用氮?dú)鈽屧诘陀诨蛘叩扔?0psi的壓力下對(duì)電極組件進(jìn)行干燥。通過使用包含氫氟酸、硝酸、醋酸和去離子水的酸性溶液清洗硅表面，可以從電極組件(優(yōu)選拋光過的電極組件)的硅表面上除去金屬污染物，例如A1、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mo、Na、Ni和Ti，而不會(huì)使硅表面變色。使用含氫氟酸，硝酸，醋酸和去離子水的酸性溶液進(jìn)行清洗不會(huì)引起硅表面形貌損傷，例如點(diǎn)蝕或者表面粗糙，或者硅表面顏色改變，這種顏色改變反映了表面不清潔以及氧化狀態(tài)的改變。對(duì)于酸性溶液中的氫氟酸和硝酸組分，氫氟酸和硝酸的溶液與電極組件的硅表面之間的化學(xué)反應(yīng)如下3Si+12HF+4HN03—3SiF4+4NO+8H20[F—]=k,[HF]k,=l.3x10:mol/L[F〗=k2[HF2]k2=0.104mol/L由于氫氟酸低的反應(yīng)常數(shù)t:1.3xl(T3mol/L,氫氟酸的溶解速率低。使用含氫氟酸的溶液處理之后，紅外光譜分析可以揭示硅電極的硅表面被Si-H(單氫)，Si-H2(雙氫)，和Si-H3(三氫)所覆蓋。盡管不希望受理論限制，但認(rèn)為在通過氫氟酸和硝酸的酸性溶液對(duì)硅進(jìn)行刻蝕時(shí)，發(fā)生一種電化學(xué)反應(yīng)，其中硅被硝酸氣化，然后氣化的硅被氫氟酸溶解。在具有低濃度氫氟酸的酸性溶液中，刻蝕過程在0-50t:溫度下的活化能是4kcal/mol。這個(gè)單一的低數(shù)值是擴(kuò)散控制過程的特征，低濃度下不同硅材料的刻蝕速率基本相同的亊實(shí)說明了這一點(diǎn)。相反，在具有高濃度氫氟酸的酸性溶液中，觀察到兩種不同的活化能。在高溫下活化能是10-14kcal/mo1，在低溫下活化能是約20kcal/mo1。這些值是表面控制過程的特征，其中硅的摻雜劑濃度、硅的晶體取向以及硅的缺陷在刻蝕過程起作用。因此在清洗電極組件的硅表面期間，該酸性溶液優(yōu)選包含低濃度的氫氟酸，以便避免刻蝕速率對(duì)摻雜劑濃度、晶體取向的依賴。與各向異性(單方向)硅刻蝕相反，該酸性溶液優(yōu)選對(duì)硅進(jìn)行各向同性刻蝕(無方向性，即刻蝕速率在所有方向均相對(duì)恒定)。盡管氫氟酸可以通過與金屬雜質(zhì)形成絡(luò)合離子除去一些金屬雜質(zhì)，但氫氟酸不能有效去除例如Cu。而硝酸作為一種強(qiáng)氧化劑，可以與雜質(zhì)例如A1、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mo、Na、Ni、Ti、Zn以及它們的組合反應(yīng)形成易于被除去的離子。硝酸優(yōu)選以不會(huì)引起清洗的硅表面顏色改變的量存在。因此，氫氟酸和硝酸的酸性溶液可以獲得高的硅電極去污效率，以便滿足0.1微米和更小的小刻蝕特征尺寸的電介質(zhì)刻蝕處理的需要。然而，由于硝酸是一種強(qiáng)氧化劑，當(dāng)被污染的硅表面暴露在氫氟酸和硝酸的溶液中時(shí)，硝酸不但氧化金屬污染物而且與硅反應(yīng)，從而引起硅表面的顏色改變，包括綠色、藍(lán)色、褐色和紫色。實(shí)驗(yàn)表明，即使對(duì)于用去離子水沖洗的已拋光硅電極組件，用氫氟酸和硝酸的溶液擦拭硅表面也會(huì)引起硅表面的顏色從明亮的均勻顏色變成淡綠色、淡藍(lán)色、淡褐色或者淡紫色，這取決于硅表面上存在的金屬污染物。為了控制氧化速率并提供緩沖溶液以維持恒定的pH值，加入醋酸來避免硅表面的顏色變化，同時(shí)維持高的去污效率和表面清潔度。然而，由于高濃度的醋酸可能使硅表面反應(yīng)變慢并降低清洗效率，因此硅表面可能呈現(xiàn)出顏色變化。此外，醋酸可能與污染物例如金屬離子形成絡(luò)合離子。因此，該酸性溶液可以包含O.25-1體積％的氫氟酸，10-40體積％的硝酸和10-20體積％的醋酸。為了降低電極組件的結(jié)合材料被酸性溶液化學(xué)侵蝕的危險(xiǎn)，優(yōu)選通過擦拭，而不是將電極組件浸入酸性溶液中，來使電極組件的硅表面與酸性溶液接觸從而除去金屬污染物。因此通過僅使電極組件的硅表面與酸性溶液接觸并借助在清洗硅表面時(shí)容許電極組件的硅表面被朝下支承的夾具，從而避免了酸性溶液與背襯元件或結(jié)合區(qū)域的意外接觸。使電極組件的硅表面被朝下支承，則施用到硅表面上的過量酸性溶液從硅表面上滴落之后可以被收集，而不會(huì)流到背襯元件或結(jié)合區(qū)域上。如果背襯元件和結(jié)合區(qū)域接觸了酸性溶液，則優(yōu)選立即用去離子水對(duì)其進(jìn)行清洗。另外，在用酸性溶液進(jìn)行清洗之前，優(yōu)選用掩蔽材料和/或耐化學(xué)膠帶進(jìn)行覆蓋來保護(hù)暴露的電極組件的結(jié)合材料。避免酸性溶液與背襯元件或者結(jié)合區(qū)域意外接觸的另外措施包括在使用壓縮氮?dú)膺M(jìn)行擦拭后干燥電極組件，從背襯元件向下吹硅表面，從而將任何殘留的溶液從硅表面上吹掉。擦拭后，通過用去離子水沖洗電極組件將溶液從電極組件上除去。類似地，通過用去離子水沖洗背襯元件然后用去離子水沖洗硅表面，可進(jìn)一步減小用去離子水沖洗期間殘留的酸性溶液對(duì)結(jié)合材料的潛在侵蝕。將電極組件支承在夾具中并4吏珪表面朝下，可以從背襯元件往下至硅表面并且通過氣孔(如果存在時(shí))沖洗電極組件。尺寸與待清洗的電極組件匹配的夾具有堅(jiān)實(shí)的基座，以及三個(gè)或更多個(gè)支承元件，這些支承元件將電極組件抬起高于工作臺(tái)表面，從而允許電極組件的表面朝下被清洗。如圖IA中所示，顯示了清洗期間用于支承電極組件的夾具，而圖1B顯示了圖1A的放大區(qū)域，每個(gè)支承元件的頂部?jī)?yōu)選具有放置電極組件的臺(tái)階，該臺(tái)階防止電極組件從支承元件上滑落。支承元件和基座優(yōu)選涂覆有化學(xué)抗性的材料或者由該材料制成，例如化學(xué)耐酸的Teflon(聚四氟乙烯)。金屬污染物清洗的程序可包括通過用丙酮和/或異丙醇擦拭電極組件的預(yù)清洗，和使用去離子水沖洗隨后使用酸性溶液擦拭電極組件的硅表面，使用去離子水沖洗電極組件并用氮?dú)獯蹈?，再次用酸性溶液擦拭硅表面，使用去離子水沖洗電極組件，在離子水中超聲清洗電極組件60分鐘，使用用去離子水沖洗電極組件并用氮?dú)獯蹈桑驮?20t:下烘烤電極組件2小時(shí)。在恢復(fù)之前和恢復(fù)之后優(yōu)選對(duì)電極組件進(jìn)行檢查，以便確?；謴?fù)的電極組件滿足產(chǎn)品規(guī)格。檢查可以包括測(cè)量，例如尺寸(如厚度)、表面粗糙度(Ra，例如16微英寸或更小，優(yōu)選8微英寸或更小)、表面清潔度(感應(yīng)耦合等離子體質(zhì)語分析)、通過例如QIlP+表面顆粒探效'j器(PentagonTechnologies,Livermore，CA)溯'J量的表面顆粒計(jì)數(shù)、表面形貌(例如通過掃描電子顯微鏡法(SEM))以及黑硅點(diǎn)蝕坑和刻蝕深度的測(cè)量。此外，優(yōu)選對(duì)恢復(fù)后的電極組件的等離子體刻蝕腔性能進(jìn)行測(cè)試，以確保恢復(fù)的電極組件表現(xiàn)出可接受的刻蝕速率和刻蝕均勻性。圖2A(Ra-16微英寸)顯示了新電極組件的硅表面形貌，圖2B-D(Ra分別等于240，170，和290微英寸)顯示了已用電極組件在拋光之前的硅表面形貌，圖2E-G(Ra分別等于9,9，和10微英寸)顯示了已用電極組件在拋光之后的硅表面形貌。圖2A-G顯示了放大100倍的硅表面的SEM圖^f象。圖2中的電極組件具有上文所述的內(nèi)電極和外電極元件。圖2B和2E是拍攝自內(nèi)電極中心的圖像，圖2C和2F是拍攝自內(nèi)電極邊緣的圖像，圖2D和2G是拍攝自外電極元件的圖像。圖2表明，拋光將已用電極組件的硅表面形貌和粗糙度恢復(fù)到新電極組件的狀態(tài)。圖3和4顯示了典型的未進(jìn)行清洗的已用電極組件，圖5顯示了典型的恢復(fù)后的電極組件。圖6A顯示了使用酸性溶液擦拭可能導(dǎo)致的內(nèi)電極組件的硅表面的變色，圖6B顯示了使用酸性溶液擦拭可能導(dǎo)致的外電極組件的硅表面的變色。圖7A(RaM50微英寸)和7B(Ra〉300微英寸)顯示了典型的恢復(fù)前的已用電極組件，而圖7C和7D(具有的Ra都小于8微英寸)顯示了典型的恢復(fù)后的電極組件。圖7A和7C顯示了外電極元件，而圖7B和7D顯示了內(nèi)電極。實(shí)施例提供清洗硅電極組件表面的下列方法進(jìn)行舉例說明，而并非進(jìn)行限制。在所測(cè)試的酸性溶液中，以49%氫氣酸濃度的水溶液形式將氬氣酸加入到該溶液中，以7094硝酸濃度的水溶液形式將硝酸加入到該溶液中，將非稀釋形式、即100%濃度的醋酸加入醋酸。實(shí)施例1通過拋光并使用含1%氬氟酸、30%硝酸和15%醋酸的溶液擦拭硅電極表面來清洗電極組件，沒有引起硅表面顏色改變、點(diǎn)蝕或損傷。該溶液具有65A/秒的硅刻蝕速率。實(shí)施例2通過拋光并使用含1%氫氟酸、40%硝酸和15%醋酸的溶液擦拭硅電極表面來清洗電極組件，沒有引起硅表面顏色改變、點(diǎn)蝕或損傷。該溶液具有70A/秒的硅刻蝕速率。實(shí)施例3表I給出了感應(yīng)耦合等離子體質(zhì)譜法的元素表面濃度(xl(T個(gè)原子/cm2),關(guān)于取自先前用于等離子體刻蝕電介質(zhì)材料的五個(gè)不同硅電極組件的樣品上的100cm2面積平均值，。樣品l-3取自通過拋光并用含1%氫氟酸、40%硝酸和15%醋酸的溶液擦拭硅電極表面清洗的電極，樣品4和5取自通過拋光并用含1%氫氟酸、30%硝酸和15%醋酸的溶液或者含1%氫氟酸、40%硝酸和15°/。醋酸的溶液擦拭硅電極表面清洗的電極。表I<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>盡管已經(jīng)描述了多個(gè)實(shí)施方案，然而應(yīng)該了解的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚可以進(jìn)行改變和調(diào)整。這些改變和調(diào)整被認(rèn)為處在附屬權(quán)利要求書的界限和范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.清洗已用電極組件的方法，所述電極組件包含等離子體暴露的硅表面，該方法包括使硅表面與包含如下成分的酸性清洗溶液接觸氫氟酸；硝酸；醋酸；和余量的去離子水；并且其中污染物被由硅表面除去；此外其中硅表面不變色。2.權(quán)利要求l的方法，其中所述酸性溶液刻蝕硅表面。3.權(quán)利要求2的方法，其中氫氟酸的存在量使得以擴(kuò)散控制過程刻蝕娃表面。4.權(quán)利要求1的方法，其中氫氟酸和硝酸以由硅表面去除污染物的有效的量存在。5.權(quán)利要求1的方法，其中硝酸由硅表面除去選自下述的污染物Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mo、Na、Ni、Ti、Zn以及它們的組合。6.權(quán)利要求1的方法，其中硝酸以將選自如下的污染物氧化的有效的量存在Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mo、Na、Ni、Ti、Zn以及它們的組合。7.權(quán)利要求1的方法，其中硝酸以與選自如下的污染物形成離子的有效的量存在Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mo、Na、Ni、Ti、Zn以及它們的組合。8.權(quán)利要求l的方法，其中硝酸的存在量不會(huì)引起硅表面變色。9.權(quán)利要求l的方法，其中硝酸將硅氧化形成氧化的硅。10.權(quán)利要求9的方法，其中氫氟酸將氧化的硅溶解。11.權(quán)利要求l的方法，其中醋酸以控制硝酸的氧化作用的有效的量存在。12.權(quán)利要求l的方法，其中醋酸以避免硅表面變色的有效的量存在。13.權(quán)利要求l的方法，其中醋酸與污染物形成絡(luò)合離子。14.權(quán)利要求l的方法，其中所述接觸包括用酸性溶液擦拭硅表面。15.權(quán)利要求l的方法，其中所述電極組件是具有出氣口的噴頭狀電極。16.權(quán)利要求l的方法，其中所述硅表面被彈性體結(jié)合到石墨背襯元件。17.權(quán)利要求16的方法，其中所述石墨背襯元件包含安裝孔。18.權(quán)利要求l的方法，其中電極組件包含被外電極元件圍繞的內(nèi)電極。19.權(quán)利要求18的方法，其中所述外電極元件包含以環(huán)形布局排列的硅片段。20.權(quán)利要求l的方法，其中所述硅表面是單晶硅。21.依據(jù)權(quán)利要求1的清洗溶液。22.權(quán)利要求21的清洗溶液，其中氫氟酸的存在量為0.25-1體積％。23.權(quán)利要求21的清洗溶液，其中硝酸的存在量為10-40體積％。24.權(quán)利要求21的清洗溶液，其中醋酸的存在量為10-20體積％。25.依據(jù)權(quán)利要求1的方法清洗過的電極組件。26.使用權(quán)利要求1的清洗電極組件在等離子體刻蝕腔中刻蝕電介質(zhì)材料的方法。全文摘要用于清洗電極組件的硅表面的方法，該方法使用包含氫氟酸、硝酸、醋酸和余量去離子水的酸性溶液，從硅表面上有效去除污染物而不會(huì)使硅表面變色。文檔編號(hào)C11D7/22GK101099230SQ200580046171公開日2008年1月2日申請(qǐng)日期2005年12月14日優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日發(fā)明者周春紅,洪石,黃拓川申請(qǐng)人:蘭姆研究公司