專利名稱：清潔片材，附有清潔功能的輸送構(gòu)件及基板處理裝置的清潔方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種清潔片材及附有清潔功能的輸送構(gòu)件。更詳細(xì)而言， 本發(fā)明涉及一種異物除去性能及輸送性能優(yōu)異，且可特別有效地除去具有 特定粒徑的異物的清潔片材及附有清潔功能的輸送構(gòu)件。又，本發(fā)明涉及 一種使用上述清潔片材及附有清潔功能的輸送構(gòu)件的基板處理裝置的清 潔方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體、平板顯示器、印刷基板等的制造裝置或檢查裝置等排斥異 物的各種基板處理裝置中， 一面使各輸送體系與基板進(jìn)行物理性接觸，一 面進(jìn)行輸送。此時(shí)，若在基板或輸送體系上附著有異物，則會(huì)逐個(gè)污染后 繼的基板，故必須定期性地停止裝置進(jìn)行清洗處理。其結(jié)果是存在所謂處 理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率下降的問題及所謂為了清洗處理裝置而必需極大勞動(dòng)力 的問題。
為了克服上述問題，提出有一種通過輸送板狀構(gòu)件而除去附著在基板 背面的異物的方法(參照專利文獻(xiàn)1)。因若利用上述方法，則無須使基板 處理裝置停止而進(jìn)行清洗處理，故可解決所謂處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率下降的問 題。但是，該方法并不能充分地除去異物。
另一方面，提出有一種通過將固著有膠粘性物質(zhì)的基板作為清潔構(gòu)件 輸送至基板處理裝置內(nèi)，而清潔除去附著在該處理裝置內(nèi)的異物的方法(參
照專利文獻(xiàn)2)。因該方法除了揭示在專利文獻(xiàn)l中的方法的優(yōu)點(diǎn)外，在異 物的除去性方面也優(yōu)異，故所謂處理裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率下降的問題或者所謂為 了清洗處理裝置而必需極大勞動(dòng)力的問題皆可解決。但是，若利用在專利 文獻(xiàn)2中所揭示的方法，則膠粘性物質(zhì)與裝置的接觸部分可能粘接過強(qiáng)而 無法分離。其結(jié)果是可能產(chǎn)生所謂無法可靠地輸送基板的問題，或者損壞輸送裝置的問題。
近年來，隨著半導(dǎo)體設(shè)備的小型化，出現(xiàn)了異物不僅附著在晶片表面， 而且也附著在背面的問題。其原因在于，在清洗工序中異物自晶片背面轉(zhuǎn) 移至晶片表面，從而使成品率下降?，F(xiàn)在，已開始半導(dǎo)體元件的配線寬度
為65nm的大量生產(chǎn)，若附著有與該配線寬度相同或者其以上尺寸的異物， 則容易產(chǎn)生斷線等不良。尤其是具有0.1 2.0)im左右的粒徑的異物將成為 問題。但是，以往技術(shù)中的任一者對(duì)特別有效地除去具有特定粒徑的異物 而言均不充分。
專利文獻(xiàn)1:日本專利特開平11—87458號(hào)公報(bào)(第2 3頁(yè)) 專利文獻(xiàn)2:日本專利特幵平IO—154686號(hào)公報(bào)(第2 4頁(yè))

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是用于解決上述以往的課題的發(fā)明，其目的在于提供一種異物 除去性能及輸送性能優(yōu)異，且特別有效地除去具有特定粒徑的異物的清潔 片材及附有清潔功能的輸送構(gòu)件(以下，有時(shí)也將其合稱為清潔構(gòu)件)。本 發(fā)明的其它目的在于提供一種使用上述清潔構(gòu)件的基板處理裝置的清潔 方法。
本發(fā)明者們精心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過在清潔層上實(shí)行特定的表面粗 糙化，并在清潔層表面上形成特定的凹凸，可達(dá)成上述目的，從而完成本 發(fā)明。
本發(fā)明的清潔片材包括具有算術(shù)平均粗糙度Ra為0.05 pm以下， 且最大高度Rz為l.(Vm以下的凹凸形狀的清潔層。 在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述凹凸形狀是槽構(gòu)造。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)每lmn^上述清潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面積是 對(duì)應(yīng)每lmmS硅片鏡面的平面的實(shí)質(zhì)表面積的150%以上。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述清潔層的拉伸彈性模量為0.98 MPa 4900MPa。
根據(jù)本發(fā)明的其它態(tài)樣，可提供一種附有清潔功能的輸送構(gòu)件。該附 有清潔功能的輸送構(gòu)件包括輸送構(gòu)件、及在該輸送構(gòu)件的至少一面所設(shè)置 的上述清潔層。在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述清潔層可直接貼附在上述輸送構(gòu)件上。在其 它實(shí)施方式中，上述清潔層可經(jīng)由感壓粘接劑層而貼附在上述輸送構(gòu)件 上。
根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步其它態(tài)樣，可提供一種基板處理裝置的清潔方 法。該方法包括將上述清潔片材、或者上述附有清潔功能的輸送構(gòu)件輸送 至基板處理裝置內(nèi)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可通過使用具有特定表面粗糙度的清潔層， 而獲得不僅輸送性能及異物除去性能優(yōu)異，且可特別有效地除去具有特定 粒徑的異物的清潔構(gòu)件。


圖1是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的清潔片材的概略剖面圖。
圖2是說明噴嘴法的概念圖。
圖3是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的附有清潔功能的輸送構(gòu)件的概略剖面圖。
10 —支承體，20 —清潔層，30 —?jiǎng)冸x襯墊，40 —粘接劑層，50—輸送 構(gòu)件，IOO —清潔片材，200 —附有清潔功能的輸送構(gòu)件。
具體實(shí)施方式
A.清潔片材
圖1是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的清潔片材的概略剖面圖。該清潔片材 100具有支承體10、清潔層20及剝離襯墊30。支承體10及/或剝離襯墊 30也可根據(jù)目的而省略。即，清潔片材也可單獨(dú)以清潔層構(gòu)成。
清潔層20的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.05|im以下，且具有最大 高度Rz為l.Opm以下的凹凸形狀。通過具有上述算術(shù)平均粗糙度及最大 高度，清潔層20具有與平滑表面相比顯著大的表面積，且具有凹凸的尺 寸(深度)小的表面形狀?？赏ㄟ^清潔層具有上述特定表面形狀，而極其有 效地除去具有特定粒徑(具有代表性的為0.1 2.(Him)的異物。算術(shù)平均粗 糙度Ra優(yōu)選為0.04pm以下，更優(yōu)選為0.03pm以下。另一方面，算術(shù)平 均粗糙度Ra的下限優(yōu)選為0.0002pim，更優(yōu)選為0.0004pm，進(jìn)一步優(yōu)選為0.002pm，尤其優(yōu)選為0.004(im。最大高度Rz優(yōu)選為0.8pm以下，更優(yōu)選 為0.7,以下。另一方面，最大高度Rz的下限優(yōu)選為O.lpm，更優(yōu)選為 0.2pm，尤其優(yōu)選為0.3pm。算術(shù)平均粗糙度及最大高度中的任一者均由 JIS B0601所規(guī)定。算術(shù)平均粗糙度及最大高度例如可按以下工序進(jìn)行測(cè) 定在觸針式表面粗糙度測(cè)定裝置(Tencor公司制造，商品名P—ll)中， 使用前端部的曲率為2,的金剛石制觸針，在針刺入力為5mg、測(cè)定速率 為lpm/秒(測(cè)定長(zhǎng)度為100pm)、采樣周期為200Hz的條件下讀取數(shù)據(jù)。截 斷(cutoff)值設(shè)為25 80pm而算出算術(shù)平均粗糙度。
對(duì)應(yīng)每lmn^上述清潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面積，相對(duì)于對(duì)應(yīng)每lmm2 硅片鏡面的平面的實(shí)質(zhì)表面積，優(yōu)選為150%以上，更優(yōu)選為160%以上， 最優(yōu)選為170%以上。另一方面，對(duì)應(yīng)每lmm2 i:述清潔層的平面的實(shí)質(zhì) 表面積，相對(duì)于對(duì)應(yīng)每lmn^硅片鏡面的平面的實(shí)質(zhì)表面積，優(yōu)選為220% 以下，更優(yōu)選為200%以下?？赏ㄟ^具有上述表面粗糙度，而極其有效地 除去具有特定粒徑(具有代表性的為O.lpm以上，優(yōu)選為0.1 2.(Him)的異物。
只要具有上述表面形狀(表面粗糙度)，作為清潔層20的凹凸形狀，可 采用任意的適當(dāng)形狀。作為凹凸形狀的具體例，可列舉槽形狀、條紋形狀、 突起形狀、凹痕(dimple)形狀、如砂紙表面的粗糙表面形狀。優(yōu)選為槽形 狀。其原因在于，雖然理論上并不明確，但異物除去性能優(yōu)異。
上述清潔層的拉伸彈性模量在清潔構(gòu)件的使用溫度區(qū)域中，優(yōu)選為 0.5MPa以上，更優(yōu)選為1 1000MPa。若拉伸彈性模量在上述范圍內(nèi)，則
可獲得在異物除去性能與輸送性能的平衡方面優(yōu)異的清潔構(gòu)件。在一實(shí)施 方式中，拉伸彈性模量為0.98 4900MPa。在上述情況下，在平板顯示器 用基板處理裝置的清潔中可獲得顯著效果。另外，拉伸彈性模量可基于JIS K7127進(jìn)行測(cè)定。
上述清潔層，相對(duì)于例如硅片的鏡面的180度剝離膠粘力，優(yōu)選為 0.2N/10mm以下寬度，更優(yōu)選為0.01 0.10 N/10mm寬度。若為上述范圍， 則清潔層具有良好的異物除去性能及輸送性能。180度剝離膠粘力可基于 JIS Z0237進(jìn)行測(cè)定。
上述清潔層的厚度優(yōu)選為0.1 2mm，更優(yōu)選為0.2 lmm。若為上述厚度，則清潔層單獨(dú)也可獲得可輸送且可除去異物的自我支承性。又，在
清潔片材具有支承體的情形的清潔層厚度優(yōu)選為1 100pm，更優(yōu)選為5 100pm，進(jìn)一步優(yōu)選為5 50pm，尤其優(yōu)選為10 50jim。若為上述范圍， 則可獲得在異物的除去性能及輸送性能的平衡方面優(yōu)異的清潔構(gòu)件。
粘接，就構(gòu)成清潔層20的材料加以說明。作為構(gòu)成清潔層的材料， 視目的及凹凸的形成方法，可采用任意的適當(dāng)材料。作為構(gòu)成清潔層的材 料的具體例，可列舉耐熱性樹脂、能量線固化性樹脂。
作為上述耐熱性樹脂，優(yōu)選為不含污染基板處理裝置的物質(zhì)的樹脂。 作為上述樹脂，例如可列舉如用于半導(dǎo)體制造裝置的耐熱性樹脂。作為具 體例，可列舉聚酰亞胺、氟樹脂。優(yōu)選為聚酰亞胺。其原因在于，以噴嘴 法(下述)形成凹凸的情況下的操作性優(yōu)異。
優(yōu)選為，上述聚酰亞胺可將在主鏈中具有丁二烯-丙烯腈共聚物骨架的 聚酰胺酸進(jìn)行酰亞胺化而獲得。該聚酰胺酸可使四羧酸二酐成分與二胺成 分，以實(shí)質(zhì)上等摩爾比，在任意的適當(dāng)有機(jī)溶劑中進(jìn)行反應(yīng)而獲得。
作為上述四羧酸二酐成分，例如可列舉3,3',4，4'-聯(lián)苯四羧酸二酐、 2，2'，3,3'-聯(lián)苯四羧酸二酐、3,3'，4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2，2'，3，3'-二苯甲酮 四羧酸二酐、4,4'-氧化二鄰苯二甲酸二酐、2，2-雙(2，3-二羧基苯基)六氟丙 烷二酐、2,2-雙(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、雙(2，3-二羧基苯基) 甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲垸二酐、雙(2,3-二羧基苯基)磺酸二酐、 雙(3,4-二羧基苯基)磺酸二酐、苯均四酸二酐、乙二醇雙偏苯三酸二酐。這 些可單獨(dú)使用，也可組合2種以上而使用。
作為上述二胺成分，可列舉具有丁二烯-丙烯腈共聚物骨架的二胺。作 為具體例，可列舉以下述化學(xué)式所表示的脂肪族二胺。上述脂肪族二胺可 單獨(dú)使用，也可與其它二胺并用。作為可并用的二胺，例如可列舉4,4'-二 氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、3，3'-二氨基二苯醚、間苯二胺、對(duì)苯二 胺、4,4'-二氨基二苯基丙垸、3,3'-二氨基二苯基丙垸、4,4'-二氨基二苯基甲 烷、3，3'-二氨基二苯基甲烷、4，4'-二氨基二苯基硫醚、3,3'-二氨基二苯基硫 醚、4，4'-二氨基二苯砜、3，3'-二氨基二苯砜、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯、1，3-雙(4-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(3-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(4-氨基苯氧基)-2，2國(guó) 二甲基丙垸、己二胺、1，8-二氨基辛烷、1，12-二氨基十二垸、4，4'-二氨基二苯甲酮、1,3-雙(3-氨基丙基)-1，1,3，3-四甲基二硅氧垸。[化l]<formula>formula see original document page 8</formula>
(ml、 m2為0以上的整數(shù)，n為1以上的整數(shù)，R為單鍵或者有機(jī)基團(tuán))<formula>formula see original document page 8</formula>
Cml、 m2為0以上的整數(shù)，n為l以上的整數(shù)，R為單鍵成者存機(jī)基團(tuán)) 作為上述二胺成分的其它具體例，可列舉具有2個(gè)具有胺結(jié)構(gòu)的末端， 并具有聚醚結(jié)構(gòu)的二胺化合物(以下，稱為PE二胺化合物)。PE二胺化合 物就獲得高耐熱性、低應(yīng)力的低彈性模量聚酰亞胺樹脂方面而言優(yōu)選。PE二胺化合物只要具有聚醚結(jié)構(gòu)，且具有2個(gè)具有胺結(jié)構(gòu)的末端，就可采用任意的適當(dāng)化合物。例如可列舉具有聚丙二醇結(jié)構(gòu)的末端二胺、具有聚乙 二醇結(jié)構(gòu)的末端二胺、具有聚丁二醇結(jié)構(gòu)的末端二胺、或者具有這些多種 結(jié)構(gòu)的末端二胺等。其中，優(yōu)選為由環(huán)氧乙烷、環(huán)氧丙垸、聚丁二醇、或者由這些混合物與聚胺所制備的PE 二胺化合物。在與上述四羧酸二酐反應(yīng)時(shí)，優(yōu)選作為二胺成分，與上述PE二胺化 合物一并使用不具有聚醚結(jié)構(gòu)的其它二胺化合物。作為不具有該聚醚結(jié)構(gòu) 的其它二胺化合物，例如可列舉脂肪族二胺、芳香族二胺。作為脂肪族二 胺，例如可列舉乙二胺、己二胺、1，8-二氨基辛垸、1，10-二氨基癸烷、1，12-二氨基十二烷、4,9-二氧雜-1，12-二氨基十二垸、1,3-雙(3-氨丙基)-1，1，3,3-四甲基二硅氧烷(a，o)-雙氨基丙基四甲基二硅氧烷)、聚氧丙二胺等。脂肪 族二胺的分子量，具有代表性的為50 1，000,000，優(yōu)選為100 30,000。 作為芳香族二胺，例如可列舉4,4'-二氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、3，3'-二氨基二苯醚、間苯二胺、對(duì)苯二胺、4,4'-二氨基二苯基丙烷、3,3'-二氨 基二苯基甲烷、4,4'-二氨基二苯基硫醚、3，3'-二氨基二苯基硫醚、4，4'-二氨 基二苯砜、3,3'-二氨基二苯砜、1,4-雙(4-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(4-氨基苯 氧基)苯、1，3-雙(3-氨基苯氧基)苯、1,3-雙(4-氨基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷、 4，4'-二氨基二苯甲酮等。作為在上述四羧酸二酐與二胺的反應(yīng)中所使用的有機(jī)溶劑，例如可列舉N，N-二甲基乙酰胺，N-甲基-2-吡咯烷酮，N,N-二甲基甲酰胺。為了調(diào) 整原材料等的溶解性，也可并用非極性溶劑(例如甲苯、二甲苯)。上述四羧酸二酐與二胺的反應(yīng)溫度優(yōu)選為未滿IO(TC，更優(yōu)選為50 90°C。但是，在使用含有丁二烯-丙烯腈共聚物骨架的二胺的情況下，優(yōu)選 為10(TC以上，更優(yōu)選為n0 15(TC。因若為上述反應(yīng)溫度，則可防止凝 膠化，不會(huì)在反應(yīng)系統(tǒng)中殘留凝膠成分，故可防止過濾時(shí)的堵塞等，而容 易自反應(yīng)體系中除去異物。另外，若為上述反應(yīng)溫度，則可實(shí)質(zhì)上完全除 去樹脂中的揮發(fā)成分。又，可通過在惰性環(huán)境下進(jìn)行處理，而防止樹脂的 氧化或劣化。上述聚酰胺酸的酰亞胺化，可通過在代表性的惰性環(huán)境(具有代表性的 為真空或者氮?dú)猸h(huán)境)下進(jìn)行加熱處理而實(shí)行。加熱處理溫度優(yōu)選為150°C 以上，更優(yōu)選為180 45CTC。若為上述溫度，則可實(shí)質(zhì)上完全除去樹脂中 的揮發(fā)成分。又，可通過在惰性環(huán)境下進(jìn)行處理，而防止樹脂的氧化或劣 化。代表性的上述能量線固化性樹脂有含有膠粘性物質(zhì)、能量線固化性 物質(zhì)及能量線固化引發(fā)劑的組合物。作為上述膠粘性物質(zhì)，根據(jù)目的可采用任意的適當(dāng)膠粘性物質(zhì)。膠粘 性物質(zhì)的重均分子量?jī)?yōu)選為50 100萬，更優(yōu)選為60 90萬。另外，膠 粘劑性物質(zhì)也可為配合有交聯(lián)劑、膠粘性賦予劑、增塑劑、填充劑、抗老 化劑等適當(dāng)添加劑的物質(zhì)。在一實(shí)施方式中，作為膠粘性物質(zhì)，可使用感壓粘接性聚合物。感壓 粘接性聚合物可適用于使用噴嘴法(下述)形成清潔層的凹凸的情況。作為 感壓粘接性聚合物的代表例，可列舉將(甲基)丙烯酸及/或(甲基)丙烯酸酯 等丙烯酸類單體作為主單體的丙烯酸類聚合物。丙烯酸類聚合物可單獨(dú)或 者組合使用。視需要，也可在丙烯酸類聚合物的分子內(nèi)引入不飽和雙鍵， 向該丙烯酸類聚合物本身賦予能量線固化性。作為引入不飽和雙鍵的方 法，例如可列舉將丙烯酸類單體與在分子內(nèi)具有2個(gè)以上不飽和雙鍵的 化合物進(jìn)行共聚合的方法；使丙烯酸類聚合物與在分子內(nèi)具有2個(gè)以上不 飽和雙鍵的化合物的官能基彼此反應(yīng)的方法。在其它實(shí)施方式中，作為膠粘性物質(zhì)，可使用將橡膠類或丙烯酸類、 乙烯基垸基醚類或硅酮類、聚酯類或聚酰胺類、氨基甲酸酯類或苯乙烯*二 烯嵌段共聚物類、熔點(diǎn)約為20(TC以下等的熱熔融性樹脂進(jìn)行配合而改良蠕變特性的膠粘劑(例如日本專利特開昭56—61468號(hào)公報(bào)、特開昭61 — 174857號(hào)公報(bào)、特開昭63 — 17981號(hào)公報(bào)、特開昭56—13040號(hào)公報(bào))等。 這些可單獨(dú)或者組合使用。這些膠粘劑可適用于平板顯示器基板處理裝置 的清潔構(gòu)件。更具體而言，上述膠粘劑優(yōu)選為將天然橡膠或各種合成橡膠作為基礎(chǔ) 聚合物的橡膠類膠粘劑；或者，將使用l種或2種以上丙烯酸類烷基酯的 丙烯酸類共聚物作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類膠粘劑，上述丙烯酸類垸基酯 包括具有甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基、庚基或2-乙基己基、異 辛基、異癸基、十二烷基、月桂基、十三垸基、十五垸基、十六垸基、十 七烷基、十八垸基、十九烷基、二十垸基類的碳數(shù)為20以下的烷基的丙 烯酸或者甲基丙烯酸等的酯。作為上述丙烯酸類共聚物，根據(jù)目的可使用任意的適當(dāng)丙烯酸類共聚 物。該丙烯酸類共聚物視需要也可具有凝聚力或耐熱性或交聯(lián)性等。例如 可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、 馬來酸、富馬酸、巴豆酸類的含有羧基的單體；馬來酸酐、衣康酸酑之類 的酸酐單體；(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥 丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、 (甲基)丙烯酸羥基十二烷基酯、甲基丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)-甲酯之類 的含有羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基 丙垸磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯 ?；趸粱撬嶂惖暮谢撬峄膯误w；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基 (甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺之類的(N-取代)酰胺類單體；(甲基)丙烯酸氨基 乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯 之類的(甲基)丙烯酸烷基氨基類單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙 烯酸乙氧基乙酯之類的(甲基)丙烯酸烷氧基烷基類單體；N-環(huán)己基馬來酸 酐縮亞胺、N-異丙基馬來酸酐縮亞胺、N-十二烷基馬來酸酐縮亞胺、N-苯基馬來酸酐縮亞胺之類的馬來酸酐縮亞胺類單體；N-甲基衣康酰亞胺、 N-乙基衣康酰亞胺、N-丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、N-2-乙基己 基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺、N-十二烷基衣康酰亞胺之類的衣康 酰亞胺類單體；N-(甲基)丙烯酰基氧基亞甲基丁二酰亞胺、N-(甲基)丙烯 ?；?6-氧基六亞甲基丁二酰亞胺、N-(甲基)丙烯?；?8-氧基八亞甲基丁二 酰亞胺之類的丁二酰亞胺類單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡 咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、 乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯 基嗎啉、N-乙烯基羧酸酰胺類、苯乙烯、ot-甲基苯乙烯、N-乙烯基己內(nèi)酰 胺之類的乙烯基類單體；丙烯腈、甲基丙烯腈之類的丙烯酸氰基酯單體； (甲基)丙烯酸環(huán)氧丙酯之類的含有環(huán)氧基的丙烯酸類單體;(甲基)丙烯酸聚 乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇、(甲基)丙烯 酸甲氧基聚丙二醇之類的二醇類烯丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、 (甲基)丙烯酸氟酯、(甲基)丙烯酸硅酮酯、丙烯酸2-甲氧基乙基酯之類的 丙烯酸酯類單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、 (聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲 基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸 酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸環(huán)氧酯、聚酯丙烯酸酯、氨基 甲酸酯丙烯酸酯之類的多官能單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯、乙烯醚 等適當(dāng)單體；等的2種以上的共聚物。這些單體的配合比等，可根據(jù)目的 而適當(dāng)設(shè)定。作為上述能量線固化性物質(zhì)，可采用通過能量線(優(yōu)選為光，更優(yōu)選為 紫外線)與上述膠粘性物質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)，作為形成三維網(wǎng)絡(luò)狀構(gòu)造時(shí)的交聯(lián)點(diǎn) (分支點(diǎn))而發(fā)揮功能的任意的適當(dāng)物質(zhì)。作為能量線固化性物質(zhì)的代表例， 可列舉在分子內(nèi)具有1個(gè)以上不飽和雙鍵的化合物(以下，稱為聚合性不飽 和化合物)。優(yōu)選為，聚合性不飽和化合物具有非揮發(fā)性，且重均分子量為 10,000以下，更優(yōu)選為5,000以下。若為上述分子量，則上述膠粘性物質(zhì) 可有效地形成三維網(wǎng)絡(luò)狀構(gòu)造。作為能量線固化性物質(zhì)的具體例，可列舉 苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸s-己內(nèi)酯、聚乙二醇二(甲 基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙 烯酸環(huán)氧酯、寡酯(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊 四醇單羥基五丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、 聚乙二醇二丙烯酸酯等。這些可單獨(dú)或者組合使用。能量線固化性物質(zhì)相對(duì)于IOO重量份上述膠粘性物質(zhì)，優(yōu)選為以0.1 50重量份比例使用。又，作為能量線固化性物質(zhì)，也可使用能量線固化性樹脂。作為能量 線固化性樹脂的具體例，可列舉在分子末端具有(甲基)丙烯?；孽?甲基) 丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環(huán)氧酯、三聚氰胺(甲 基)丙烯酸酯、丙烯酸類樹脂(甲基)丙烯酸酯；在分子末端具有烯丙基的硫 醇-烯加成型樹脂或者光陽離子聚合型樹脂、聚乙烯基肉桂酸酯等含有肉桂 ?；木酆衔铮恢氐陌被尤┣迤針渲蛘弑０沸途酆衔锏?，含 有感旋光性反應(yīng)基的聚合物或者寡聚物等。另外，作為以能量線進(jìn)行反應(yīng) 的聚合物，可列舉環(huán)氧化聚丁二烯、不飽和聚酯、聚甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯、 聚丙烯酰胺、聚乙烯基硅氧烷等。這些可單獨(dú)或者組合使用。能量線固化 性樹脂的重均分子量?jī)?yōu)選為50 100萬，更優(yōu)選為60 90萬。 作為上述能量線固化引發(fā)劑，可根據(jù)目的采用任意的適當(dāng)固化引發(fā)劑(聚合 引發(fā)劑)。例如，在使用熱作為能量線的情況下，可使用熱聚合引發(fā)劑，在 使用光作為能量線的情況下，可使用光聚合引發(fā)劑。作為熱聚合引發(fā)劑的 具體例，可列舉過氧化苯甲酰、偶氮二異丁腈等。作為光聚合引發(fā)劑的具 體例，可列舉苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、2,2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-l-酮等苯偶姻醚；茴香酰甲基醚等取代苯偶姻醚；2,2-二乙氧 基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基-環(huán)己基-苯基酮等取代苯乙 酮；節(jié)基甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮等縮酮；氯代噻噸酮、十二烷基噻 噸酮、二甲基噻噸酮等站'噸酮；二苯甲酮、米蚩酮等二苯基酮；2-甲基-2-羥基苯丙酮等取代a-酮醇；2-萘磺酰氯等的芳香族磺酰氯；l-苯基-l,l-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基羰基)-肟等光活性肟；苯甲酰；二芐基；(X-羥基環(huán)己基苯基酮；2-羥基甲基苯基丙垸。能量線固化引發(fā)劑相對(duì)于IOO重量份能量 線固化性物質(zhì)，優(yōu)選為以0.1 10重量份比例使用。構(gòu)成上述清潔層的材料可根據(jù)目的進(jìn)一步含有任意的適當(dāng)添加劑。作 為添加劑的具體例，可列舉表面活性劑、增塑劑、抗氧化劑、導(dǎo)電性賦予材、紫外線吸收劑、光穩(wěn)定化劑。可通過調(diào)整所使用的添加劑的種類及/ 或量，而獲得具有滿足目的的所期望特性的清潔層。例如，添加劑的添加量相對(duì)于100重量份上述膠粘性物質(zhì)，優(yōu)選為0.01 100重量份，更優(yōu)選 為0.1 10重量份。作為上述能量線，可根據(jù)目的采用任意的適當(dāng)能量線。作為具體例， 可列舉紫外線、電子束、放射線、熱等。優(yōu)選為紫外線。紫外線的波長(zhǎng)可根據(jù)目的而適當(dāng)選擇，優(yōu)選為中心波長(zhǎng)為320 400nm。作為紫外線產(chǎn)生 源，可列舉高壓水銀燈、中壓水銀燈、氙一汞燈、深紫外線燈等。紫外線 累計(jì)光量可根據(jù)目的適當(dāng)設(shè)定。具體而言，紫外線累計(jì)光量?jī)?yōu)選為100 8000mJ/cm2，更優(yōu)選為500 5000 mJ/cm2。上述能量線可照射在清潔層形成用材料(能量線固化性樹脂)的全體， 也可選擇性地照射在特定位置。照射部分與非照射部分的面積比可根據(jù)目 的而適當(dāng)設(shè)定。例如，在重視裝置內(nèi)輸送性的情況下，可通過相對(duì)提高照 射部分的面積比，而提高裝置內(nèi)輸送性。相反，相較于裝置內(nèi)輸送性而更 重視異物捕集性的情況下，可通過提高非照射部分的面積比，而提高異物 捕集性?？赏ㄟ^調(diào)整面積比，而獲得具有異物捕集性能及輸送性能所期望 的平衡的清潔層。作為選擇性地實(shí)施能量線照射的方法，可根據(jù)目的采用 任意的適當(dāng)方法。例如可列舉使用能量線遮光性材料而制作特定圖案的 掩模，透過該掩模進(jìn)行能量線照射的方法；使用對(duì)清潔層側(cè)的隔板預(yù)先部 分性地實(shí)施能量線遮光印刷的工序，透過該清潔層側(cè)的隔板，實(shí)施能量線 照射的方法。又，阻擋能量線的圖案可根據(jù)目的而適當(dāng)設(shè)定。作為具體例， 可列舉格子狀、水滴狀、方格狀、嵌鑲狀。作為上述清潔層的凹凸形狀的形成方法，例如可列舉將上述清潔層 形成用材料自噴嘴中吐出而形成的方法(以下，僅稱為噴嘴法)；使用剝離 襯墊而形成的方法(以下，稱為轉(zhuǎn)印法)。圖2是說明噴嘴法的概念圖。如圖2所示，噴嘴法包括在旋轉(zhuǎn)的支 承體IO(或者下述輸送構(gòu)件)上， 一面使噴嘴沿該支承體的半徑方向掃描， 一面自該噴嘴吐出清潔層形成用組合物。可通過適當(dāng)調(diào)整噴嘴與支承體的 間隔、噴嘴的掃描速度及/或吐出量，而形成所期望的凹凸形狀。噴嘴與支 承體的間隔為所期望的涂布厚度的±5%(例如，在設(shè)定的涂布厚度為60jam的情況下為57 63nm)。若間隔過寬，則存在最大高度Rz變得過大，有 效除去具有特定粒徑的異物的能力不充分的情況。若間隔過窄，則算術(shù)平 均粗糙度Ra及最大高度Rz均變得過大，該情況下，有效除去具有特定粒 徑的異物效果的能力也不充分的情形較多。掃描速度可根據(jù)支承體的旋轉(zhuǎn) 速度而適當(dāng)設(shè)定。例如，在支承體的旋轉(zhuǎn)速度為60rpm情況下，掃描速度 優(yōu)選為0.8 1.2mm/秒。吐出量?jī)?yōu)選為1.7 2.5ml/秒。例如，在使用聚酰 亞胺形成清潔層的情況下，可將聚酰亞胺溶液導(dǎo)入噴嘴。聚酰亞胺溶液的 濃度可根據(jù)目的或清潔層所期望的厚度等而適當(dāng)設(shè)定。具體而言，該濃度 為20 40重量％(固體成分濃度)。作為在溶液中所使用的溶劑，例如可列 舉二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯垸酮、N,N-二甲基甲酰胺、甲基異丁基酮、 環(huán)戊酮。轉(zhuǎn)印法是使用剝離襯墊形成凹凸的方法。如圖1所示，在直到清潔構(gòu) 件供給實(shí)際使用為止期間，可在清潔層20的支承體10的相反側(cè)的面(即， 清潔層的異物捕集面)上配置剝離襯墊30。代表性的剝離襯墊是經(jīng)剝離處 理的塑料薄膜?？赏ㄟ^配置剝離襯墊，而防止異物在清洗處理前附著在清 潔層，其結(jié)果可防止清潔構(gòu)件的清潔性能下降?？赏ㄟ^配置具有特定凹凸 表面的剝離襯墊，而在清潔層20上形成凹凸。視需要，也可在配置剝離 襯墊后進(jìn)行特定的擠壓。剝離襯墊表面的凹凸形狀為在清潔層上可形成如 上述所期望的凹凸的形狀即可。具有代表性的為剝離襯墊表面具有與清潔 層所期望的算術(shù)平均粗糙度Ra及最大高度Rz同等的算術(shù)平均粗糙度Ra 及最大高度Rz。剝離襯墊表面的凹凸可在形成剝離襯墊的剝離面時(shí)(即， 剝離處理塑料薄膜時(shí))形成。另外，作為剝離處理的具體例，可列舉利用長(zhǎng) 鏈垸基類、氟類、脂肪酰胺類等剝離劑的表面處理。又，作為構(gòu)成塑料薄 膜的材料的具體例，可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基 戊烯等聚烯烴；聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯等聚酯； 聚氨酯；乙烯.乙酸乙烯酯共聚物、乙烯《甲基)丙烯酸共聚物、乙烯》(甲 基)丙烯酸酯共聚物等烯烴類共聚物；離聚物樹脂；聚乙烯；聚碳酸酯；聚 酰亞胺等耐熱性樹脂。剝離襯墊厚度具有代表性的為5 100pm。另外， 也可并用噴嘴法與轉(zhuǎn)印法。該情況下，具有代表性的為在以噴嘴法形成清 潔層后，使用剝離襯墊而可進(jìn)一步調(diào)整凹凸形狀。上述支承體10以可進(jìn)行輸送的方式支承清潔片材100。支承體10的厚度可適當(dāng)選擇，優(yōu)選為500(am以下，更優(yōu)選為3 300pm，最優(yōu)選為5 250|im。支承體的表面，為了提高與相鄰層的粘附性、保持性等，也可實(shí) 施常用的表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴 露、離子化放射線處理等化學(xué)或者物理處理，利用底涂劑(例如，上述膠粘 性物質(zhì))的涂布處理。另外，支承體可為單層，也可為多層體。支承體10可根據(jù)目的而采用任意的適當(dāng)支承體。例如可列舉工程塑 料或者超工程塑料的薄膜。作為工程塑料及超工程塑料的具體例，可列舉 聚酰亞胺、聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、乙酰纖維素、聚碳酸酯、聚 丙烯、聚酰胺。分子量等各物性可根據(jù)目的而適當(dāng)選擇。又，支承體的成 形方法可根據(jù)目的而適當(dāng)選擇。上述清潔片材也可具有保護(hù)薄膜。代表性的保護(hù)薄膜是在形成清潔層 時(shí)，或者將清潔層與輸送構(gòu)件進(jìn)行貼合(壓接)時(shí)，以保護(hù)清潔層為目的而 使用。又，因保護(hù)薄膜是用于輔助形成清潔構(gòu)件，故可在適當(dāng)階段進(jìn)行剝 離。保護(hù)薄膜可根據(jù)目的而採(cǎi)用任意的適當(dāng)薄膜。例如可列舉由聚乙烯、 聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，聚氯乙烯，氯乙烯共 聚物，聚對(duì)苯二甲乙二醇酯，聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯，聚氨酯，乙烯*乙 酸乙烯酯共聚物，離聚物樹脂，乙烯*(甲基)丙烯酸共聚物，乙烯*(甲基) 丙烯酸酯共聚物，聚苯乙烯，聚碳酸酯等所組成的塑料薄膜或聚酰亞胺、 氟樹脂薄膜。保護(hù)薄膜也可根據(jù)目的而以剝離劑等實(shí)施剝離處理。剝離劑， 例如可列舉硅酮類、長(zhǎng)鏈垸基類、氟類、脂肪酰胺類、二氧化硅類。該保 護(hù)薄膜的厚度優(yōu)選為1 10(Him。保護(hù)薄膜的形成方法可根據(jù)目的而適當(dāng) 選擇，可通過例如注塑成形法、擠出成形法、吹塑成形法而形成。B.附有清潔功能的輸送構(gòu)件本發(fā)明的清潔片材可作為清潔片材而單獨(dú)使用，也可作為設(shè)置在任意 適當(dāng)輸送構(gòu)件上的清潔片材(即，作為本發(fā)明的附有清潔功能的輸送構(gòu)件的 清潔片材)而使用。以下，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的附有清潔功能的輸送 構(gòu)件加以說明。圖3(a)及(b)是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的附有清潔功能的輸送構(gòu)件的 概略剖面圖。在一實(shí)施方式中，如圖3(a)所示，附有清潔功能的輸送構(gòu)件輸送構(gòu)件50的至少一面(圖示例為單面)上的清潔 層20。 g卩，在該實(shí)施方式中，清潔層20直接貼附在輸送構(gòu)件50。例如以 上述噴嘴法形成清潔層的情況下，清潔層可直接形成在輸送構(gòu)件。在其它 實(shí)施方式中，如圖3(b)所示，清潔片材100的支承體10經(jīng)由粘接劑層40 貼合在輸送構(gòu)件50。圖示例中，在清潔層20的支承體10的相反側(cè)的表面 上配置有剝離襯墊30。優(yōu)選為，剝離襯墊30是如上所述，為以轉(zhuǎn)印法在 清潔層20上形成凹凸用。即，在支承體IO的表面上以適當(dāng)方法形成清潔 層，且使用剝離襯墊形成凹凸。在支承體10上以噴嘴法形成清潔層的情 況下，剝離襯墊也可僅用于防止表面污染。雖未圖示，但也可經(jīng)由粘接劑 層將輸送構(gòu)件貼合在清潔層上。通過在裝置內(nèi)輸送上述附有清潔功能的輸 送構(gòu)件，使其接觸被清洗部位并進(jìn)行移動(dòng)，可不產(chǎn)生由上述裝置內(nèi)所附著 的異物引起的輸送故障地簡(jiǎn)便且確實(shí)地進(jìn)行清潔除去。對(duì)于上述粘接劑層而言，相對(duì)于例如硅片的鏡面的180度剝離膠粘力， 優(yōu)選為0.01 10N/10mm寬度，更優(yōu)選為0.05 5N/10mm寬度。若膠粘力 過高，則在剝離除去時(shí)，清潔層等可能會(huì)裂開。又，粘接劑層的厚度可根 據(jù)目的而適當(dāng)設(shè)定。優(yōu)選為l 100|im，更優(yōu)選為5 30nm。關(guān)于粘接劑層的材料構(gòu)成并無特別限定，例如可使用包含丙烯酸類或 者橡膠類等通常的粘接劑(優(yōu)選為感壓粘接劑)的材料。優(yōu)選為丙烯酸類的 粘接劑。丙烯酸類粘接劑的主成分可根據(jù)目的而適當(dāng)選擇。例如，可通過 使在(甲基)丙烯酸烷基酯單體中視需要添加可共聚合的其它單體的混合物 (混合比可根據(jù)目的而適當(dāng)設(shè)計(jì))進(jìn)行聚合反應(yīng)而獲得。另外，粘接劑層也 可根據(jù)目的而含有添加劑。粘接劑層的主成分的重均分子量可根據(jù)目的而 適當(dāng)選擇，優(yōu)選為10萬 130萬?？赏ㄟ^具有這些范圍，而具有所期望的 膠粘性。又，粘接劑層的主成分的含有率可根據(jù)目的而適當(dāng)選擇。優(yōu)選為 粘接劑層整體的90重量％以上。作為上述輸送構(gòu)件50，根據(jù)成為異物除去對(duì)象的基板處理裝置的種 類，可使用任意的適當(dāng)基板。作為具體例，可列舉半導(dǎo)體晶片(例如，硅片)、 LCD、 PDP等的平面顯示器用基板、微型光盤、MR磁頭等的基板。C.清潔方法本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的清潔方法，可通過將上述附有清潔功能的輸送構(gòu)件輸送至所期望的基板處理裝置內(nèi)，使其接觸該被清洗部位，而簡(jiǎn)便 且確實(shí)地清潔除去附著在該被清洗部位的異物。利用上述清潔方法所清洗的基板處理裝置，并無特別限定。作為基板 處理裝置的具體例，除本說明書中已揭示的裝置之外，可列舉電路形成用 的曝光照射裝置、抗蝕劑涂布裝置、濺射裝置、離子注入裝置、干式蝕刻裝置、晶片探針等各種制造裝置及檢查裝置，另外，臭氧灰化器(Ozone asher)、抗蝕劑涂布機(jī)、氧化擴(kuò)散爐、常壓CVD裝置、減壓CVD裝置、 等離子CVD裝置等在高溫下所使用的基板處理裝置等。以下，根據(jù)實(shí)施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并非由這些實(shí)施例 所限定。實(shí)施例中的測(cè)定及評(píng)價(jià)方法如下所述。又，實(shí)施例中的"份"為 重量基準(zhǔn)。(1) 算術(shù)平均粗糙度Ra及最大高度Rz基于JIS B0601進(jìn)行測(cè)定。具體而言，在觸針式表面粗糙度測(cè)定裝置 (Tencor公司制造，商品名P—11)中，使用前端部的曲率為2pm的金剛石 制觸針，以針刺入力為5mg，測(cè)定速率為lpm/秒(測(cè)定長(zhǎng)度為10(Vm)，采 樣周期為200Hz的條件讀取數(shù)據(jù)。截?cái)嘀翟O(shè)為25 80lam而算出算術(shù)平均粗糙度。(2) 對(duì)應(yīng)每lmn^清潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面積使用超深度彩色3D形狀測(cè)定顯微鏡(KEYENCE公司制造，VK—9500) 進(jìn)行測(cè)定。樣品使用在8英寸的硅片上、玻璃上或者薄膜上形成清潔層的 樣品。測(cè)定位置為距離中心10mm、 50mm及卯mm的位置，測(cè)定面積為 lmmxlmm，將上述3處的平均值作為其表面積。參考硅片的表面積是對(duì) 應(yīng)每lmm"則定平面為1.0002mm2。(3) 拉伸彈性模量基于JISK7127進(jìn)行測(cè)定。具體而言，在特定基材上形成清潔層后， 將該清潔層剝離，使用動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定裝置進(jìn)行測(cè)定。(4) 剝離膠粘力在硅片的鏡面上形成清潔層，基于JIS Z0237進(jìn)行測(cè)定。(5) 清潔性能評(píng)價(jià)方法通過使用異物檢査裝置(KLA Tencor制，SFS6200)(以下，作為裝置A)，測(cè)定硅片鏡面上的0.200pm以上的異物數(shù)而進(jìn)行評(píng)價(jià)。更詳細(xì)而言， 將清潔構(gòu)件輸送至清潔片材制造用的襯墊薄膜剝離裝置(日東精機(jī)制，HR 一300CW)(以下，作為裝置B)，通過測(cè)定清潔構(gòu)件的輸送前后的異物數(shù)而 進(jìn)行評(píng)價(jià)。具體方法如下所述。首先使新制硅片鏡面朝下，以鏡面與輸送臂或卡盤臺(tái)接觸的方式自動(dòng) 輸送至裝置B(面朝下輸送)。使用裝置A測(cè)定鏡面上所附著的異物數(shù)(此時(shí) 的異物數(shù)作為"異物數(shù)1")。其后，將本發(fā)明的清潔構(gòu)件輸送至裝置B上 進(jìn)行輸送清潔處理后，再次面朝下輸送新制晶片，使用裝置A測(cè)定此時(shí)所 附著的異物數(shù)(此時(shí)的異物數(shù)作為"異物數(shù)2")。作為清潔構(gòu)件的清潔效 果的參數(shù)，通過下式算出異物除去率。異物除去率二[100 — (異物數(shù)2)/(異物數(shù)l)xlOO]%(6)輸送性通過裝置B輸送至卡盤臺(tái)上，進(jìn)行真空吸著，解除真空后，以是否可 通過起模頂桿(liftpin)自卡盤臺(tái)上剝離清潔構(gòu)件而進(jìn)行評(píng)價(jià)。 (實(shí)施例1)相對(duì)于100份由75份丙烯酸-2-乙基己酯、20份丙烯酸甲酯、及5份 丙烯酸所構(gòu)成的單體的混合液而獲得的丙烯酸類聚合物(重均分子量70 萬)，均勻混合200份聚乙二醇二甲基丙烯酸酯(新中村化學(xué)公司制造，商 品名NK Ester 4G)， 3份聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯公司制造，商品 名CORONATE L)及3份節(jié)基甲基縮酮(Ciba Speciality Chemicals公司制 造，光聚合引發(fā)劑，商品名Irgacure — 651)，制成清潔層形成用組合物 A(紫外線固化型的膠粘劑溶液)。將上述組合物A，使用圓形涂布機(jī)，以下述條件涂布在硅片的鏡面上。 此處，所謂圓涂布是指揭示在日本專利特開2001 — 310155號(hào)公報(bào)的裝置， 將該公報(bào)的揭示作為參考而引用在本說明書。噴嘴移動(dòng)速度1.0mm/秒臺(tái)旋轉(zhuǎn)數(shù)60rpm涂布方向自中心至晶片端部吐出量2.1ml/秒 間隙63|im將涂布有上述膠粘劑溶液A的硅片，在15(TC下用加熱板(ASAP公司 制造，HB — 01)干燥10分鐘后，在其表面上貼合保護(hù)薄膜(用非硅酮?jiǎng)冸x 劑進(jìn)行處理的長(zhǎng)鏈聚酯薄膜厚度為25nm)。接著，在該硅片上，自保護(hù) 薄膜側(cè)照射累計(jì)光量為1000mJ/cr^的中心波長(zhǎng)為365mm的紫外線，自膠 粘劑溶液的涂布層形成清潔層。最后，剝離保護(hù)薄膜，獲得附有清潔功能 的輸送構(gòu)件A。該輸送構(gòu)件A的清潔層厚度為16.4pm、 Ra為0.04(am、 Rz 為0.82 pm，對(duì)應(yīng)每lmm"青潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面積為對(duì)應(yīng)每lmir^硅片 鏡面的平面的實(shí)質(zhì)表面積的174%。另外，清潔層的拉伸彈性模量為 1.5MPa，相對(duì)于硅片的鏡面的180。剝離膠粘力為0.05N/10mm。使用裝置A測(cè)定經(jīng)顆粒管理的新制8英寸硅片的鏡面上的0.200pm以 上的異物數(shù)，為2個(gè)。將該晶片面朝下輸送至裝置B上，使用裝置A測(cè) 定0.20(Him以上的異物數(shù)，為8742個(gè)(異物數(shù)1)。又，將附有清潔功能的 輸送構(gòu)件A輸送至裝置B進(jìn)行清潔處理時(shí)，可無障礙地輸送。將新制硅 片面朝下輸送至進(jìn)行上述清潔處理的裝置B上后，使用裝置A測(cè)定 0.20(^m以上的異物數(shù)，為1924個(gè)(異物數(shù)2)。由異物數(shù)1、異物數(shù)2所 算出的異物除去率，以全體計(jì)為78.0%。(實(shí)施例2)將亞乙基-l,2-雙偏苯三酸酯、30.0g四羧酸二酐(TMEG)、 65.8g以下 述化學(xué)式所表示的二胺(宇部興產(chǎn)ATBN1300X16，胺當(dāng)量為900，丙烯腈 含量為18%)、及15.0g的2,2'-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)，在氮 氣流下，在258g的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中，在12(TC下，以固體成 分濃度成為30wt。/。的方式進(jìn)行混合，并使其反應(yīng)。將其冷卻，獲得粘度為 750cp的聚酰胺酸溶液B。[化2](ml、 m2為0以上的整數(shù)，n為1以上的整數(shù)，R為單鍵成者冇機(jī)基團(tuán)) 除使用上述溶液B以外，與實(shí)施例1同樣地操作，獲得具有聚酰胺酸 涂布層的硅片。將該硅片，在氮?dú)猸h(huán)境下，以30(TC熱處理2小時(shí)，形成包含聚酰亞胺的清潔層。如此進(jìn)行操作，獲得附有清潔功能的輸送構(gòu)件B。該輸送構(gòu)件B的清潔層的厚度為15.2(am， Ra為0.03[im， Rz為0.80pm， 對(duì)應(yīng)每lmm"青潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面積為對(duì)應(yīng)每lmrr^硅片鏡面的平面 的實(shí)質(zhì)表面積的193。/。。另外，清潔層的拉伸彈性模量為420MPa，相對(duì)于 硅片的鏡面的180。的剝離膠粘力為0.03N/10mm。使用裝置A測(cè)定經(jīng)顆粒管理的新制8英寸硅片的鏡面上的0.200pm以 上的異物數(shù)，為3個(gè)。將該晶片面朝下輸送至裝置B，使用裝置A測(cè)定 0.200pm以上的異物數(shù)，為9684個(gè)(異物數(shù)1)。又，將附有清潔功能的輸 送構(gòu)件B輸送至裝置B進(jìn)行清潔處理時(shí)，可無障礙地輸送。將新制硅片面 朝下輸送至進(jìn)行上述清潔處理的裝置B上后，使用裝置A測(cè)定0.200pm 以上的異物數(shù)，為1462個(gè)(異物數(shù)2)。由異物數(shù)l、異物數(shù)2所算出的異 物除去率，以全體計(jì)為84.9%。(比較例1)除如下所述設(shè)置涂布條件以外，與實(shí)施例2同樣操作，獲得附有清潔 功能的輸送構(gòu)件C。該輸送構(gòu)件C的清潔層厚度為14.7pm， Ra為0.78pm， Rz為1.54nm,對(duì)應(yīng)每lmm"青潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面積為對(duì)應(yīng)每lmm2 硅片鏡面的平面的實(shí)質(zhì)表面積的121%。噴嘴移動(dòng)速度1.5mm/秒臺(tái)轉(zhuǎn)數(shù)60rpm涂布方向自中心至晶片端部吐出量2.1ml/秒 間隙50(^11使用裝置A測(cè)定經(jīng)顆粒管理的新制8英寸硅片的鏡面上的0.200pm以 上的異物數(shù)，為3個(gè)。將該晶片面朝下輸送至裝置B，使用裝置A測(cè)定 0.20(Him以上的異物數(shù)，為11035個(gè)(異物數(shù)1)。又，將附有清潔功能的輸 送構(gòu)件C輸送至裝置B，進(jìn)行清潔處理時(shí)，可無障礙地輸送。將新制硅片 面朝下輸送至進(jìn)行上述清潔處理的裝置B后，使用裝置A測(cè)定0.200pm 以上的異物數(shù)，為8350個(gè)(異物數(shù)2)。由異物數(shù)l、異物數(shù)2所算出的異 物除去率，以全體計(jì)為24.3%。(實(shí)施例3)相對(duì)于100份由75份丙烯酸-2-乙基己酯、20份丙烯酸甲酯、及5份 丙烯酸所構(gòu)成的單體的混合液而獲得的丙烯酸類聚合物(重均分子量70 萬)，均勻混合50份氨基甲酸酯丙烯酸酯、3份芐基甲基縮酮、及3份二 苯基甲垸二異氰酸酯，制成清潔層形成用組合物。將該組合物以在聚酯類 剝離襯墊(厚度38pm，剝離處理面的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.4pm，最大 高度Rz為0.92拜)的剝離處理面上固化后的厚度(即，得到的清潔層的厚 度)成為35pm的方式進(jìn)行涂布，制作層疊體。另---方面，將除了自上述清潔層形成用組合物中除去芐基甲基縮酮以 外，與上述同樣操作而獲得的膠粘劑溶液，在寬度為250mm、厚度為75, 的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯制支承體的一側(cè)，以干燥后的厚度成為20pm的 方式進(jìn)行涂布，干燥而設(shè)置粘接劑層，在其表面上貼附聚酯類剝離襯墊(厚 度38—。在上述支承體的另一側(cè)，貼附上述層疊體的清潔層形成用組合物涂布 層。接著，照射累計(jì)光量為1000mJ/cr^的中心波長(zhǎng)為365mm的紫外線而 自涂布層側(cè)形成清潔層，獲得本發(fā)明的清潔片材。剝離隔離襯墊的清潔層 的Ra為0.37pm， Rz為0.78|im，對(duì)應(yīng)每lmm2清潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面 積為對(duì)應(yīng)每lmi^硅片鏡面的平面的實(shí)質(zhì)表面積的182%。此外，另外與 上述制作方法同樣操作，制作測(cè)定用試料而算出清潔層的拉伸彈性模量， 清潔層的拉伸彈性模量為90MPa。剝離上述所獲得的清潔片材的粘接劑層側(cè)的剝離襯墊，并用硬輥貼附 在8英寸的硅片的鏡面上，獲得附有清潔功能的輸送構(gòu)件D。另一方面，取出2個(gè)基板處理裝置的晶片載物臺(tái)，使用裝置A測(cè)定在 8英寸硅片的鏡面上的0.30(Him以上的異物數(shù)，為20300個(gè)。剝離上述輸 送構(gòu)件D的清潔層側(cè)的剝離襯墊，輸送至具有附著有20300個(gè)異物的晶片 載物臺(tái)的基板處理裝置內(nèi)，進(jìn)行清潔處理。將該清潔處理重復(fù)3次時(shí)，3 次均可無障礙地輸送。其后，將晶片載物臺(tái)取出，測(cè)定8英寸硅片的鏡面 上的0.300pm以上的異物數(shù)，為6050個(gè)，可除去在清潔處理前所附著的 異物的2/3以上。(比較例2)除不進(jìn)行紫外線照射以外，與實(shí)施例3同樣操作，制作附有清潔功能的輸送構(gòu)件E。使輸送構(gòu)件E輸送至上述基板處理裝置內(nèi)時(shí)，輸送構(gòu)件固 定在晶片載物臺(tái)而不能輸送。 (比較例3)除在表面粗糙度Ra為0.02)im、 Rz為0.08|xm的剝離襯墊上形成清潔 層以外，與實(shí)施例l同樣操作，制作附有清潔功能的輸送構(gòu)件F。該輸送 構(gòu)件的清潔層的Ra為0.02 pm， Rz為0.07jluti，對(duì)應(yīng)每lmn^清潔層的平 面的實(shí)質(zhì)表面積為對(duì)應(yīng)每lmr^硅片鏡面的平面的實(shí)質(zhì)表面積的116%。將 輸送構(gòu)件F在上述基板處理裝置內(nèi)進(jìn)行輸送、清潔處理。將該清潔處理重 復(fù)3次時(shí)，3次均可無障礙地輸送。但是，利用清潔處理的異物除去率為 32.8%，無法充分除去異物。(實(shí)施例4)將44.27g的聚氧丙二胺(三井化學(xué)Fine制，XTJ — 510)及25.34g的4,4'-二氨基二苯醚，溶解在398.44g的N-甲基-2-吡咯烷酮中。接著，添加30.00g 的苯均四酸二酐，使其反應(yīng)。將其冷卻獲得聚酰胺酸溶液G。除使用上述聚酰胺酸溶液G以外，與實(shí)施例1同樣操作，獲得具有聚 酰胺酸涂布層的硅片。將該硅片在氮?dú)猸h(huán)境下以30(TC熱處理2小時(shí)，形 成包含聚酰亞胺的清潔層。如此進(jìn)行操作，獲得附有清潔功能的輸送構(gòu)件 G。該輸送構(gòu)件G的清潔層的厚度為11.4pm， Ra為40nm， Rz為60nm, 對(duì)應(yīng)每lmmM青潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面積為對(duì)應(yīng)每lrm^硅片鏡面的平面 的實(shí)質(zhì)表面積的172%。另外，清潔層的拉伸彈性模量為200MPa，相對(duì)于 硅片的鏡面的180。剝離膠粘力為0.04N/10mm。使用裝置A測(cè)定經(jīng)顆粒管理的新制8英寸硅片的鏡面上的0.20(Him以 上的異物數(shù)，為1個(gè)。將該晶片面朝下輸送至裝置B，使用裝置A測(cè)定 0.200拜以上的異物數(shù)，為14230個(gè)(異物數(shù)1)。又，將附有清潔功能的輸 送構(gòu)件G輸送至裝置B，進(jìn)行清潔處理時(shí)，可無障礙地輸送。將新制硅片 面朝下輸送至在進(jìn)行上述清潔處理的裝置B上后，使用裝置A測(cè)定 0.200|im以上的異物數(shù)，為2613個(gè)(異物數(shù)2)。由異物數(shù)1、異物數(shù)2算 出的異物除去率，以全體計(jì)為81.6%。如自實(shí)施例及比較例的結(jié)果可知，可通過以特定的表面粗糙度形成清 潔層，而尤其改善除去具有0.2pm以上粒徑的異物的性能。(產(chǎn)業(yè)上的可利用性)本發(fā)明的附有清潔功能的輸送構(gòu)件可適用于清潔如各種制造裝置及 檢查裝置的基板處理裝置。
權(quán)利要求
1.一種清潔片材，其中，包含算術(shù)平均粗糙度Ra為0.05μm以下且具有最大高度Rz為1.0μm以下的凹凸形狀的清潔層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔片材，其中， 上述凹凸形狀為槽構(gòu)造。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的清潔片材，其中，對(duì)應(yīng)每1 mm—上述清潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面積為對(duì)應(yīng)每lmn^硅片鏡 面的平面的實(shí)質(zhì)表面積的150%以上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任意一項(xiàng)所述的清潔片材，其中， 上述清潔層的拉伸彈性模量為0.98MPa 4900MPa。
5. - 種附有清潔功能的輸送構(gòu)件，其中包含輸送構(gòu)件、設(shè)置在該輸送構(gòu)件的至少一面的權(quán)利要求1 4中 任意一項(xiàng)所述的清潔層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的附有清潔功能的輸送構(gòu)件，其中， 上述清潔層直接貼附在上述輸送構(gòu)件。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的附有清潔功能的輸送構(gòu)件，其中， 上述清潔層隔著感壓粘接劑層貼附在上述輸送構(gòu)件。
8. —種基板處理裝置的清潔方法，其中，包括將權(quán)利要求1 4中任意一項(xiàng)所述的清潔片材或權(quán)利要求5 7 中任意一項(xiàng)所述的附有清潔功能的輸送構(gòu)件輸送至基板處理裝置內(nèi)的步
全文摘要
本發(fā)明提供一種附有清潔功能的輸送構(gòu)件，其異物除去性能及輸送性能優(yōu)異，且可特別有效地除去具有特定粒徑的異物。本發(fā)明的附有清潔功能的輸送構(gòu)件具有輸送構(gòu)件(50)、及在該輸送構(gòu)件的至少一面所設(shè)置的清潔層(20)。清潔層的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.05μm以下，且具有最大高度Rz為1.0μm以下的凹凸形狀。優(yōu)選對(duì)應(yīng)每1mm²清潔層的平面的實(shí)質(zhì)表面積為對(duì)應(yīng)每1mm²硅片鏡面的平面的實(shí)質(zhì)表面積的150％以上。
文檔編號(hào)B08B1/00GK101297395SQ20068003999
公開日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2006年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月25日
發(fā)明者天野康弘, 宇圓田大介, 寺田好夫, 有滿幸生, 村田秋桐 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社