專利名稱：對輸入前級泵活性氣體噴射系統(tǒng)的反應氣體進行監(jiān)測和控制的光譜技術的運用的制作方法
技術領域：
本發(fā)明主要涉及使用工藝氣體進行高真空處理的領域，更特別地，涉 ^X寸沉積物的形成的控制，該沉積物來自工藝氣體的一種或多種成分，形 成于真空處理系統(tǒng)排氣路徑中的裝置上。
背景技術：
某些研究和制皿程需要使用高真空的處理腔。例如，在半導體晶片
制造中，就需要在許多薄M^:積和蝕刻操作過程中使用真空，主要為了減 少污染。在這樣的工藝中，能夠產生io^托或更低的高真空的泵可以用于
確保在處理壓力下有足夠的^3I度，并使得步驟之間的清洗具有低基礎壓力。
一些現今已有的真空泵結構旨,產生并維持高真空。羅茨真空泵以及 鉤式和爪式真空泵具有以相同速度沿相反方向旋轉的兩個精密加工的轉 子，在外殼的排氣部分中收集氣體并將其輸送至排氣口。羅茨以及鉤式和
爪式真空泵被用作為主真空泵和前級泵(backing pump)。另一個能夠維持 高真空的真空泵結構是渦輪分子真空泵，其依靠接近于定子葉片的轉子葉 片的髙速旋轉而弓l起氣體的分子運動。
在上述的各種情況中，泵入口可直接向處理腔開口或fflii前級管道而
與處理腔相翻。為了斷氐穿勝泵的壓降，真空處理排氣路徑可包括在 真空處理系統(tǒng)排氣路徑下、離置處的前級泵。真空處理系統(tǒng)排氣路徑也可 包括削減(abatement)系統(tǒng)，用于對排氣的不同成^4行回收，清除或者 中和。
在真空處理系統(tǒng)中頻繁遭遇的一個問題是由流經真空處理系統(tǒng)排氣
路徑的成分弓胞的固Mi:積。由圖i示意性地所示，在一個示例工序ioo
中，在半導體制itii程中所^f頓的工藝氣體110是WF6， H2， NH3， B2H6，SiHt，以及Ar。 WF6能夠與H2， NH3， B2H6和SiH4相反應以形成金屬鎢, 鎢麟(例如鎢酸銨)，或者氟化鹽(例如氟化銨)的薄膜沉積物。該反 應可在處理腔中或排氣路徑中不同的位置發(fā)生，包括前級管道，高真空泵 120，或者在低真空泵或削減裝置中。泵的排氣130包括工藝氣體中惰性 的或者未反應的部分，例如Ar和未反應的WF6，以及在真空處理系統(tǒng)排 氣路徑中的沉積物生成期間所形成的反應產物，比如HF， BF3和SiF4。
可能在沿著真空排氣路徑的表面上產生沉積物的另一種機理是氣相 晶核所形成粉末的形成。氣相晶核形成是由排氣的氣相組分之間的反應而 產生的，其產生粉末形式的固體反應產物。該產物可積聚在其產生時即與 其相接觸的表面上。如在此所使用的，"沉積物'一詞的意思是由包括薄膜 沉積、氣相晶核形成或其它現象的任何物理機理而弓l起的在排氣路徑中表 面上形成的固體積聚。
不論它們是如何形成的，該沉積物對真空處理系統(tǒng)排氣路徑中的真空 泵及其他裝置的性能都會產生不利影響。例如，羅茨泵以及鉤式和爪式泵 的，元件(pumping element)上的固體金屬沉積物會改^i^元件的有 效形狀，從而降低泵的效率與效力。
為解^^氣路徑中的裝置上有害沉積物的問題，可將仔細選擇的活性 氣鵬入被影響的裝置的上游。活性氣體通過與排氣成分反應而防止沉積 物的形成。
在上述真空處理系統(tǒng)中所使用的這一技術的示例中，通31H通管而將 NF3注入安裝在前級管道中^l:接位于通向羅茨或鉤式和爪式泵的入口處 的遠程等離子源(RPS)中。RPS是用來將NF3分解成原子氟的，隨后， 該原子氟能夠與氣相分子起反應以防止沉積的發(fā)生，或與沉積固體起反應 以將其去除。可選擇地，分子氟或者其它含氟氣體可用于代替NF3。在一 些情況中，可^^蟲^^分子F2，而不需要預先的RPS分解。
通過在前級管道中^的入口處劍共氟源，產生固,積物的反應得 至柳制輕少被大幅M4、。原子氟提供更多現成可用的氟源，除了別的以 外，尤其防止WF6與其他氣體的反應或者熱泵作用，并且由此防lh^屬鉤 在真空泵中的沉積。
上述氟化氣體一般是非常昂貴的。舉例來說，上述 統(tǒng)中NF3的成本可占至拌導體制itil程中材料總成本的10%或更多。因此為了從業(yè)者的利
益，需要使所使用的活性氣體的量最優(yōu)化。在有些工藝中，工藝氣體受脈 沖作用，在這種情況下使氟源隨著適當的氣體以同步的方式發(fā)生脈動是有 利的。在某些情況下，理想的做法是在工藝氣體的脈沖完成之后使氟源的 流動維持一段時間。
在任何情況下，理想的做法是在存在有足夠氟化氣體的同時避免過 乘IJ。使其得以實現的一個方法即是用實驗方法預先確定氟源相對于活性工 藝氣體的正確比例。然而，在許多情況下，工藝氣體的流速可能發(fā)生變化， 或者是由于成分的老化或者是由于預設的處理方法的變化。如果出現這種 情況，設定點可能將不再有效，氟源供給將不足，并且想要卩且止的沉積將 會發(fā)生。
因此，目前需要提供一種改進的真空處理控制，其在控制所使用的活 性氣體成本的同時，具有針對真空排氣路徑裝置內的沉積物積聚問題的解 決方法。據發(fā)明人所知，目前還沒有這樣的控制裝置。

發(fā)明內容
本發(fā)明通過對使用工藝氣體的真空處理系統(tǒng)加以改進以解決上述需 求，該工藝氣體具有至少一種成分，其傾向于在該系統(tǒng)的真空排氣路徑中 的裝置表面上產生沉積物。該系統(tǒng)的一個實施例包括位于該裝置的真空排 氣路徑上游中的反應氣噴射器，該反應氣噴射器能夠將反應氣皿入真空 排氣路徑中以減小該至少一種成分在裝置表面上產生沉積物的傾向。該系 統(tǒng)還包括至少一個傳麟，用于對存在于驢的真空排氣路@±游的該至 少一種成分的濃度進行測定，以A)(寸存在于裝置的真空排氣路徑下游的該 至少一種成分的濃度進行測定。最后，該系統(tǒng)包括控制器，其用于至少部 分地基于上下游之間的濃度差來控制通過反應氣噴射器注入的反應氣體
該系統(tǒng)可分別在上下游布置有用于氣，度測定的專用傳自?？蛇x 擇地，該系統(tǒng)也可被布置為僅^^一個傳感器，在這種情況下，可設置一 個切換機構以使得傳g倉,交替地暴露于裝置的上下游環(huán)境。
傳感器的例子包括紅外光譜儀，拉曼光譜儀，質譜儀與激光誘導熒光光譜儀。其它的傳繊可以設想的是其倉辦連續(xù)地識另愾相的至少一個構 成部分，并且其響應育嫩以定量的方式校準。
該裝置可以是真空泵，或者是真空排氣削減裝置。傾向于形成沉積物 的成分可以是氟化鵒，在這種情況下反應氣體是氟。其它可用的工藝可能 包,化物，氮化物，硅化物，硼化物，雙組分的，三組分或四組分的固 體材料的沉積。
反應氣噴射器可包括用于離解反應氣體的前體(precursor)以形成原 子形式的反應氣體的遠程等離子源。也可以選擇使用其他的離解方式。此 外，加入試劑氣體而不需要事先離解也可能足夠了。
控制器可包括載有指令的介質，當執(zhí)行該指令時，使得控制器根據上 下游濃度之差而確定工藝氣體是否至少預定部分正在裝置中被消耗，并且 如果是的話，則增加M噴射器所注入的反應氣體的量。
在本發(fā)明的另一個實施例中，提供了一種方法，用以控制在真空處理 系統(tǒng)排氣路徑中裝置上由排氣的至少一種成分而形成的沉積物。該方纟^ 括以下步驟在裝置的上游位置將反應氣體流弓l入真空處理系統(tǒng)排氣路徑 中，該反應氣體使得排氣的該至少一種成分所形成的沉積物受到抑制；測 定在裝置上鵬置處存在的排氣的該至少一種成分的量；測定在裝置下游 位置處存在的排氣的該至少一種成分的量；根據上下游的觀啶值而確定是 否排氣的該至少一種成分的一部分在裝置中被消耗；以及，如果是的話， 增大反應氣體的流量。
該方法包括以下步驟根據上下游的測定值來確定排氣的該至少一種 成分是否基本上沒有在裝置中被消耗，以及，如果是，則確定是否有過多 的反應氣鄉(xiāng)經驢，以及，如果是，則減小反應氣流量。
測定步驟可包擬,儀器來測定排氣的該至少一種成分的量，該儀器 是從包含紅外光譜儀，拉曼光譜儀，質譜儀以及激光誘導熒光光譜儀的組 中選擇的儀器。
反應氣體可以是氣。將反應氣#^荒弓l入真空處理系統(tǒng)排氣路徑中的步 驟還可包括利用遠程等離子源而離解前體氣體。反應氣體可以是氟而前體 氣體可以是NF3。
裝置可以是從包含真空泵和削減裝置的組中選擇出來的。排氣的該至少一種成分可以是氟化鴇，在這種情況下，反應氣體可以 是氟。
排氣的該至少一種成分可包括從包含WF3， H2， NH3， B2H6以及SiH4
的組中選擇出的至少一種氣體。測定步驟可包括測定該至少一種成分的氣 相濃度。
本發(fā)明的另一個實施例是使用具有至少一種成分的工藝氣體的真空 處理系統(tǒng)，該種成分具有在系統(tǒng)的真空排氣路徑中的裝置表面上產生沉積 物的傾向。系統(tǒng)包括位于裝置的真空排氣路^Jl游的反應氣噴射器，該反 應氣噴射器能夠將反應氣敝入真空排氣路徑，并通過結合該至少一種成 分以產生新物質從而減小該至少一種成分在裝置表面上產生沉積物的傾 向。系統(tǒng)還包括用于領啶存在于裝置的真空排氣路徑下游新物質濃度的傳 感器，以及用于控制至少部分地基于下游濃度而通過反應氣噴射器噴注的 反應氣體的量的控制器。


圖1是現有技術中真空處理的圖解表示，其表示出形成于渦輪分子泵 中的沉積物。
圖2是根據本發(fā)明一個實施例的系統(tǒng)的示意圖。
圖3是根據本發(fā)明另一個實施例的系統(tǒng)的示意圖。
圖4是表示工藝氣Mt積與反應氣體引入t間關系的曲線圖。
圖5是表示根據本發(fā)明一個實施例的方法的流程圖。
圖6是根據本發(fā)明另一個實施例的系統(tǒng)的示意圖。
具體實施例方式
在本發(fā)明中，ffiil在例如渦輪分子泵的裝置入口和出口測定工藝氣體 的濃度，^W此修正氟源的流動，從而保證氟源或另一反應氣體的充足氣 流。在一個雌的實施例中，j頓紅外線分光鏡來測量濃度。雖然此處的 詳細說明是關于通過引入WF6而使鴿金屬及其他固體的沉積物有所減少 的系統(tǒng)的，應注意到所描述的特定反應物僅僅是示例性的，而本發(fā)明的系 統(tǒng)與方法同樣適用于其他反應物。船寸論的工藝氣體氣相濃度是在泵的入口和出口測定的。在泵中沒有 發(fā)生產生鴇沉積物的反應的情況下，入口和出口 WF6信號應該是相同的。 當在泵的內部發(fā)生WF6的反應時，WF6將會在氣相中消耗，且在出口處的 信號將會低于在入口處的信號。如果氟源提f，足夠的量以防止這一反應 的發(fā)生，貝IJ入口和出口，6信號將會再一次相同。通過j頓這對言號，氟 源的量可以修正為確保提供充足的氟以抑制沉積物，而不會供給過量的 氟。
這樣的系統(tǒng)的示例性實施例200如圖2所示。諸如WF6， H2， NH3， B2H6， SiH4和Ar的工藝氣體205被弓l入處理腔206中。根據在腔內發(fā)生 的反應所需，可以任何組合或排列將氣體引入。
從處理腔206排出的氣體沿處理真空排氣路徑208流動。路徑208可 包^il渦輪分子泵230和處理腔的前級管道207。附加線路240將廢氣 從渦輪分子泵230弓l導到諸如低真空泵和削減腔之類的附加裝置250。
反應物噴射器210在存在沉積問題的裝置上游處弓l入反應物，這里， 該裝置為渦輪^T泵230?；钚詺怏w前體的氣源212(在這里為NF3)將前體 氣體提供給離解NF3的RPS216。除了等離子技術之外的其他技術、例如 熱學方法也可用來分離活性氣體。ilil噴射器閥214將原子氟注入前級管 道207。
反應物噴射器210的運行由可編程控制器224控制。舉例來說，控制 器可控制所噴注反應氣體的量以及噴注的定時。
比如像紅外光譜儀220這樣的傳#^被定位為用于測定存在于^§ 230上游區(qū)域中的一種或多種工藝氣體成分的氣相濃度。紅外光譜儀特別 適用于探測在半導體加工工藝中使用的大部^體的氣相濃度，因為這些 例如像WF6的氣體都具有強烈的紅外吸收峰值。傳自220通，測真空 處理系統(tǒng)排氣路徑208中的端口或窗口來觸及氣流。
本領域技術人員可認識到也可用其它傳感器來識別和測量工藝流程 中各個點處特定氣體成分的存在。舉例來說，拉曼光譜儀，質譜儀，或者 激光誘導熒光光譜儀可以代替紅外光譜儀而作為本發(fā)明的一個或多個傳 感器?；蛘撸T如電化學技術或者化學傳SH之類的非光譜技術也可以使 用。傳感器必須能夠連續(xù)地識別氣相的至少一種成分，并且具有能以定量的方式校準的響應。
例如像第二紅外光譜儀之類的另一個傳感器222觀淀存在于裝置230 下游區(qū)域中的一種或多種工藝氣體成分的氣相濃度。在本發(fā)明的優(yōu)選實施 例中，第二傳繊222為對以于第一傳麟220的類型。這樣，環(huán)境變量 以類似方式影響傳感器，消除了系統(tǒng)測定誤差。每個傳感器220， 222都 與控制器224相連接。
盡管這里顯示了使用兩個獨立的紅外光譜儀220， 221來監(jiān)測裝置230 上下游的氣相濃度，但也可以換作使用單一傳感器，其與可交替地將來自 于上游或下游位置的樣本導向傳感器的切換機構(未示出)相連接。這一 解決方案具有降低儀器成本以及消除由兩個傳感器之間差異所引起的校 準誤差的優(yōu)點。
艦比較從兩個傳麟220， 222中獲取的讀數，控制器224可以確 定是否i4A裝置的排氣的所有特定成分都排出裝置。穿il^置的成分的氣 相濃度減小表明一些氣體正在裝置中被消耗，這可能是在裝置中形成沉積 物。在這種情況下，控制器224將會增加通過噴射器210而噴注的反應氣 體的量。裝置中反應氣體的效力會抑制裝置中導致固,積的反應。該控 制周期一直重龍歪帷繊讀數之間的比較表明在裝置230中已經沒有工 藝氣,被消耗。
應當注意到，盡管傳感器220， 222被顯示為監(jiān)測高真空泵230兩側 的WFe濃度，但可選擇地，也可以^測另一個裝置或另一組裝置兩側的 氣相濃度。舉例來說，在圖3所示的真空處理系統(tǒng)300中，反應物噴射器 310將反應氣體引入連接處理腔306和真空泵330的前級管道307，足fe 前的例子一樣。然而，在這種情況下，通過低真空泵與/或削減設備350 任一側上的排氣路徑308中的通路340， 341而對工藝氣體成分的氣相濃 度進行采樣。這樣，即測出設備350中的沉積物。在上述示例中，艦控 制器324對流經反應物噴射器310的反應氣流進行控制從而以使沉積最小 化。
圖3中所示的也是使用單一傳感器320以在兩條31^各340， 341中測 定氣相濃度。切換機構322交替地將通路340， 341中內容物的樣本J^共 給單一傳感器320?；氐綀D2，例如像之前所述的用于可編程控制器224的邏輯作為可執(zhí) 步驟而存儲在可讀介質225上，其可如圖所示那樣集成于控制器224中， 或者也可以是遠程的。邏輯指令從介質225中讀取并由控制器224執(zhí)行。
如圖4所示，示意圖表400說明了圖表的兩根數軸410， 411上所繪 數量之間的反比關系?？v軸410表示在渦輪分子泵流體上下游所測得的氟 化鎢流的差異。橫軸表示所引入的氟的量。圖表400并沒有表示實際的數 據，而是用以說明系統(tǒng)的總體性能。
在區(qū)域A中，從線420可以看出氟411引入量的增加導致了氟化鉤流 410中差異的減小。這說明了氟的增加抑制了裝置中引起沉積和氟化鎢消 耗的反應。當裝置中氟化鎢的消耗量接近于零(線430)時，即如區(qū)域B 中的情況，那么增加所噴注反應氣體的量也不會對WF6流中所測得的差異 產生強烈影響。
理想地，系統(tǒng)運行于穩(wěn)定狀態(tài)，其中氟的引入量是區(qū)域A與B之間 的線，這是能防止裝置中產生沉積的情況下所引入氟的最小量。在實際操 作中，為了保證沉積完全受到抑制，必須允許氟有一定的容許過剩量。舉 例來說，5%的氟的過噴注(overshoot)可設定為可接受的程度。
從圖4的圖表400中還可看出，在區(qū)域B中，氟的過量供給無法通過 監(jiān)測穿過泵的氟化鴨流的差異而輕易獲得。作為替代地，本領:^萬公知的 其它技術可用于確定氟噴注理想范圍的位置。
根據本發(fā)明的方法500表示于圖5的流程圖中。該方法用于控制真空 處理系統(tǒng)排氣路徑中裝置內的沉積物。該沉積物由流經該路徑的排氣工藝 氣體的一種或多種成分形成。
一開始，反應氣流在裝置的上游位置被引入(步驟510)真空處理系 統(tǒng)排氣路徑中。該反應氣體抑制由排氣成分所形成的沉積物。應當注意到 在啟動處起始步驟并不是必需的；也就是說，該工藝可以不需任何反應氣 的流動就開始，并且反應氣體只是在方法的第一循環(huán)結束后才啟動。
現有排氣成分的量在裝置的上稱位置(步驟520)、以及在裝置的下游 位置(步驟530)測得。在 實施例中，這個量作為氣相濃度由紅外光 譜儀測得。接下來，根據上下游的測量數據，確定(步驟540)是否有一 部分排氣成分消耗于裝置中。如果是的話(即流入裝置的成分比流出，的成分更多)，則增加反應氣流(步驟550)，并且方法返回到測定步驟。
如果上下游測量數據表明基本上沒有排氣成分消耗于裝置中(即流出 裝置的排氣流成分等于或超過流入裝置的成分)，并可斷定過量的反應氣
術荒經裝置(步驟560)，則減小反應氣流(步驟570)并且，，返回到測 定步驟。如果測定步驟表明排氣成分在裝置中并沒有消耗，并且沒有供給 過量的反應物(即沒有超過所需求的5%)，則對反應氣體不進行校準并且 禾M^控制循環(huán)到測定步驟。
在本發(fā)明的另一個實施例中，方法4頓了在反應物噴射器下游所形成 新物質的濃度，以作為反應物活性的指示。隨著所噴注的反應物數量的增 加，新物質的形成也隨之增多，直到新物質的另一種成分基本上完全耗盡。 這時，新物質的濃度達到穩(wěn)定水平。
根據本發(fā)明該實施例的裝置600如圖6所示。工藝氣體流經處理腔 606、高真空泵630以及附加設備650。例如氟之類的反應氣體由反應物噴 射器610在點607處噴注。氣體僅在點641處獲得采樣，并且通過IR光 譜儀620或者通其他分析手段以進行分析。應該指出的是采樣點641可以 是真空排氣路徑608中成分下游的任何一點，其中沉積正得到控制。
反應氣體濃度一直增大直到新物質的在點641處的所測濃度停止增 大。這時，正引入足夠的反應氣體以完全地消耗新物質的至少一種成分， 并且弓l入的額外的反應氣體不會額外地抑制沉積物。
以上的詳細描述以及附圖應理解為各方面說明性以及示例性的，而并 不是限制性的，并且本發(fā)明在此所公開的范圍并不是從發(fā)明的說明書來確 定的，而是從根據專利法所允許的完整范圍所理解的權利要求來確定的。 舉例來說，盡管系統(tǒng)是結合渦輪分子泵中鴇金屬沉積物的抑制^ffl于描述 的，但系統(tǒng)也可以用來限制其他材料在真空處理系統(tǒng)組件上的積聚，例如 氧化物，氮化物，硅化物，硼化物，或者其它三組分或四組分固體材料的 沉積物。應當理解此處所表示和所描述的實施例僅僅是用以說明本發(fā)明的 原理的，并且本領域技術人員可以在不脫離本發(fā)明范圍和精神的情況下作 出各種改變。
權利要求
1、一種使用工藝氣體的真空處理系統(tǒng)，該工藝氣體具有傾向于在該系統(tǒng)的真空排氣路徑中裝置表面上產生沉積物的至少一種成分，該系統(tǒng)包括位于該裝置的真空排氣路徑上游的反應氣噴射器，該反應氣噴射器能夠將反應氣體注入到真空排氣路徑中以減小該至少一種成分在裝置表面上產生沉積物的傾向；至少一個傳感器，用于對存在于裝置的真空排氣路徑上游的該至少一種成分的濃度進行測定以及用于對存在于裝置的真空排氣路徑下游的該至少一種成分的濃度進行測定；以及控制器，其用于至少部分地基于上下游之間濃度之差而控制通過反應氣噴射器噴注的反應氣體的量。
2、 根據權利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述至少一 個傳感器是從包括紅外光譜儀，拉曼光譜儀，質譜儀以及激光誘導熒光光 譜儀的組中選擇的傳感器。
3、 根據權利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述至少一 個傳自包括；用于對存在于裝置的真空排氣路徑上游的該至少一種成分 的濃度進行測定的第一傳ii^，以及用于對存在于裝置的真空排氣路徑下 游的該至少一種成分的濃度進行測定的第二傳感器。
4、 根據權利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，該裝置是真 空泵。
5、 根據權利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，其^寺征在于，該裝置是真 空排氣削減裝置。
6、 根據權利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，該裝置是真 空前級泵。
7、 根據權禾頓求1戶腿的真空處鵬統(tǒng)，其特征在于，傾向于形成 、沉積物的成分是氟化鉤，而反應氣體是氟。
8、 根據權利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，反應氣噴射 器包括用于離解反應氣體前體以形成原子形式的反應氣體的遠程等離子源。
9、 根據權利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，控制器包括 載有指令的介質，當執(zhí)行謝旨令時，使得控制器根據上下游濃度之差而確定是否有至少預定部分的工藝氣體成分正 在裝置中被消耗，并且如果是的話，貝鵬加由噴射器注入的反應氣體的量。
10、 一種用以控制在真空處理系統(tǒng)排氣路徑中裝置上由排氣的至少一 種成分所形成的沉積物的方法，該方、法包括以下步驟在裝置的上游位置將氣流弓l入真空處理系統(tǒng)排氣路徑中，該反應氣體 使得排氣的該至少一種成分所形成的沉積物受到抑制；測定在裝置上謝立置處存在的排氣的該至少一種成分的量； 測定在裝置下幼維置處存在的排氣的該至少一種成分的量； 根據上下游的測量數據而確定是否有排氣該至少一種成分的預定部 分在裝置中被消耗；并且如果是的話； 增大反應氣體的流量。
11、 根據權禾頓求10所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟 根據上下游的測量數據來確定排氣的該至少一種成分是否基本上沒有在裝置中被消耗；并且如果是的話，確定是否有過量的反應氣流經該裝置；并且如果是的話， 減小反應氣流量。
12、 根據權利要求10所述的方法，其特征在于，測定步驟包括利用 儀器來測定排氣的該至少一種成分的量，該儀器是從包括紅外光譜儀，拉 曼光譜儀，質譜儀以及激光誘導熒光光譜儀的組中選擇的儀器。
13、 根據權利要求10所述的方法，其特征在于，反應氣體是氟。
14、 根據權利要求10所述的方法，其特征在于，將反應氣流引入真 空處理系統(tǒng)排氣路徑中的步驟還包括利用遠程等離子源來離解前體氣體。
15、 根據權利要求14所述的方法，其特征在于，反應氣體是氟而前 體氣體是NF3。
16、 根據權利要求10所述的方法，其特征在于，該裝置是從包括真 空泵和削減裝置的組中選擇出來的。
17、 根據權利要求10所述的方法，其特征在于，排氣的該至少一種 成分是氟化鉤。
18、 根據權利要求17所述的方法，其特征在于，反應氣體是氟。
19、 根據權利要求10所述的方法，其特征在于，排氣的該至少一種 成分包括從包含WF3， H2， NH3， B2H6以及SiH4的組中選擇出的至少一 種氣體。
20、 根據權利要求10所述的方法，其特征在于，測定步驟包括測定 該至少一種成分的氣相濃度。
21、 一種使用工藝氣體的真空處理系統(tǒng)，該工藝氣體具有傾向于在該 系統(tǒng)的真空排氣路徑中裝置表面上產生沉積物的至少一種成分，該系統(tǒng)包 括位于該裝置的真空排氣路t^i:游的反應氣噴射器，該反應氣噴射器能 夠將反應氣體注入真空排氣路徑并通過結合該至少一種成分以產生新物 質來減小該至少一種成分在裝置表面上產生沉積物的,頁向；用于湖啶存在于該體的真空排氣路徑下游新物質濃度的傳感器；以及用于至少部分地基于下游濃度來控制通過反應氣噴射器噴注的反應 氣體的量的控制器。
22、 根據權利要求21所述的真空處理系統(tǒng)，—其特征在于，傳感器是 從包括紅外光譜儀，拉曼光譜儀，質譜儀以及激光誘導熒光光譜儀的組中 選擇的傳,。
23、 根據權利要求21所述的真空處理系統(tǒng)，其,寺征在于，該裝置是 真空泵。
24、 根據權利要求21所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，該裝置是 真空排氣削減皿。
25、 根據權利要求21所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，該裝置是 真空前級泵。
26、 根據權利要求2i所述的真空處a^、統(tǒng)，其特征在于，傾向于形成沉積物的成分是氟化鉤，而反應氣體是氟。
27、 根據權利要求21所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，反應氣噴 射器包括用于離解反應氣體前體以形成原子形式的反應氣體的遠程等離 子源。
28、根據權利要求21所述的真空處鵬統(tǒng)，其特征在于，控制器包 括載有指令的介質，當執(zhí)行該指令時，使得控制器-根據下游濃度而確定是否有至少預定部分的工藝氣體成分正在裝置 中被消耗，并且如果是的話，貝贈加通過噴射器所注入的反應氣體的量。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種真空處理系統(tǒng)，其中工藝氣體被引入處理腔并且通過真空處理系統(tǒng)排氣路徑而排出。通過在受沉積物影響的裝置的上游引入活性氣體而減少或清除由排氣氣體形成的沉積物。通過測定受影響裝置上下游排氣氣體成分的氣相濃度而對所引入活性氣體的量進行控制，并且，根據這些測量數據從而確定是否有成分在受影響裝置上的沉積物中被消耗。
文檔編號B08B7/00GK101626843SQ200680043604
公開日2010年1月13日 申請日期2006年11月21日 優(yōu)先權日2005年11月23日
發(fā)明者K·A·愛特切森 申請人:愛德華茲真空股份有限公司