專利名稱：一種去除半導(dǎo)體制程中氟殘留的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路工藝領(lǐng)域，具體涉及一種去除半導(dǎo)體制程中氟 殘留的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體的蝕刻工藝中會用到一些含氟的氣體。含氟氣體電離成F， F與晶片上的材質(zhì)發(fā)生反應(yīng)達(dá)到蝕刻的作用。但是，部分F-會吸附到晶 片上，并通過晶片擴(kuò)散到晶片接觸的各個(gè)機(jī)器部件中。
下面以晶盒為例具體描述氟殘留的形成。在半導(dǎo)體制程中，為了達(dá) 到高度局部清潔化和降低凈化室的運(yùn)營成本，普通需要利用 一種晶盒 (Pod)來保存和運(yùn)輸晶片等被處理體。通常，晶片在完成一道制程步 驟后即被裝進(jìn)晶盒，送到下一個(gè)制程步驟。并通過晶片擴(kuò)散到裝晶片的 晶盒中。晶盒的材質(zhì)主要是Polyetheretherketone(聚醚醚酮)，其化學(xué)式為
中的C=0鍵結(jié)合為絡(luò)合鍵，Polyetheretherketone轉(zhuǎn)變?yōu)?br> 由于AL會與水汽發(fā)生反應(yīng)生成AL(OH)3和H+,晶片中的鋁焊 墊(AL pad )是以AL和AL(OH)3形式存在的。而AL(OH)3會分解成 AL203和H20。晶盒中殘留的F-和晶片中的AL(OH)3,以及H+和H20 會發(fā)生如下的化學(xué)反應(yīng)
AL (OH) 3+HF+H20 —AL0xFY
由于鋁焊墊的AL和AL(0H)3存在著平衡態(tài)。但是當(dāng)AL(0H)3被r不
由于F的吸附，F(xiàn)H與Polyetheretherketone斷消耗，AL會繼續(xù)分解，因而晶片將會造成晶體缺陷(pad crystal defect )。
在半導(dǎo)體制程中，現(xiàn)有的清洗方法主要是對微粒的清除，而對于相 關(guān)部件的氟殘留沒有特別的效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是才是供一種去除半導(dǎo)體制程中氟殘留的方法，以有效 地去處由于氟殘留而造成的晶片報(bào)廢。
本發(fā)明的第 一方面提供了 一種去除相關(guān)部件中的氟殘留的方法，其 特征在于包括如下步驟
a、用去離子水浸泡相關(guān)部件。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明能有效地去除半導(dǎo) 體制程中相關(guān)部件上的氟殘留，避免了由于氟殘留造成的晶體缺陷。


通過閱讀以下參照附圖所作的對非限制性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā) 明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會變得更明顯。 圖1是本發(fā)明的步驟流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。 參照圖1,本發(fā)明包括如下步驟
在步驟Sl中，利用去離子水浸泡相關(guān)部件，具體的化學(xué)反應(yīng)方
程式如下:
<formula>formula see original document page 4</formula>
其中，仏0替代了 FH與C-O鍵結(jié)合為絡(luò)合鍵。去除了相關(guān)部件中的氟殘
在步驟S2中，將相關(guān)部件烘干。具體地，用烘干機(jī)臺對相關(guān)部 件進(jìn)行烘干。進(jìn)一步地，在步驟Sl中用去離子水浸泡相關(guān)部件的溫度取值范
圍為70。C 110。C。用去離子水浸泡相關(guān)部件的時(shí)間為IO小時(shí)以上。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知曉，不論用去離子水浸泡相關(guān)部件的時(shí) 間長短、溫度高低，都能夠達(dá)到減少相關(guān)部件上氟殘留的效果。至于 其他分解方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動使用在本發(fā)明 中。
在本實(shí)施例中，去除的是晶盒上的氟殘留。用去離子水浸泡晶盒 的溫度為70°C，用去離子水浸泡晶盒的時(shí)間為9小時(shí)。
本實(shí)施例中，用去離子水浸泡晶盒的化學(xué)反應(yīng)方程式為
「 1
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經(jīng)過電子顯微鏡觀察，利用本實(shí)施例的方法，吸附了 F—的 Poly-ether-ether-ketone數(shù)量減少了 95%。這充分說明了本發(fā)明的優(yōu) 越性。
在本實(shí)施例中，去除的是晶盒上的氟殘留。用去離子水浸泡晶盒 的溫度為U0。C,用去離子水浸泡晶盒的時(shí)間為22小時(shí)。 本實(shí)施例中，用去離子水浸泡晶盒的化學(xué)反應(yīng)方程式為
F、 ，HAH
+H2O(110'C)/=\ 3 /==\
經(jīng)過電子顯微鏡觀察，利用本實(shí)施例的方法，吸附了 r的
Polyetheretherketone凄t量減少了 99%。這充分i兌明了本發(fā)明的優(yōu)越 性。
以上對本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明 并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在所附權(quán)利要求 的范圍內(nèi)做出各種變形或修改。
權(quán)利要求
1、一種在半導(dǎo)體制程中去除相關(guān)部件中的氟殘留的方法，所述相關(guān)部件的材質(zhì)為包括電負(fù)性基團(tuán)的聚合物，其特征在于包括如下步驟a、用去離子水浸泡相關(guān)部件。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟a之后 還包括b、 將相關(guān)部件烘干。 其中，所述步驟a為用去離子水浸泡相關(guān)部件，通過化學(xué)反應(yīng)方程式去除聚醚醚酮材料中電負(fù)性羰基所吸附的氟化氬，以去除氟殘留。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所屬步驟a的 浸泡溫度取值范圍為70。C 110。C。
4、 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所屬步驟a的 浸泡時(shí)間取值范圍為9小時(shí)以上。
全文摘要
一種去除半導(dǎo)體制程中氟殘留的方法，涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，包括如下步驟a.用去離子水浸泡相關(guān)部件；b.將相關(guān)部件烘干。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明能有效地去除半導(dǎo)體制程中相關(guān)部件上的氟殘留，避免了由于氟殘留造成的晶體缺陷。
文檔編號B08B3/04GK101497074SQ200810033258
公開日2009年8月5日 申請日期2008年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月29日
發(fā)明者舜 姜, 莊祈龍, 楊洪春, 陳淑美 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司