專利名稱：基板清潔裝置及方法、基板處理裝置及方法以及存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種去除附著于圓形狀基板例如半導(dǎo)體晶圓的 背面?zhèn)戎芫壊可系母街锏募夹g(shù)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造裝置中，有利用等離子對半導(dǎo)體晶圓(以下稱 為晶圓)進行蝕刻的裝置、及利用成膜氣體進行成膜處理的裝置。為防止出現(xiàn)周緣的欠缺、破裂而對晶圓實施斜角(bevel)加 工，在該種裝置中進行加工時，因氣體蔓延到晶圓的周緣部的 斜角部的背面?zhèn)榷狗磻?yīng)生成物附著于其上。在例如使用等離 子的蝕刻裝置中，為了調(diào)整等離子的狀態(tài)，以接近晶圓的周緣 來圍繞晶圓的方式配置聚焦環(huán)，因而形成使晶圓的周緣部從載 置臺稍微伸出的結(jié)構(gòu)。因此，由蝕刻氣體與被蝕刻部位進行反 應(yīng)而生成的、浮游于環(huán)境中的反應(yīng)生成物也會附著于晶圓的斜 角部的背面?zhèn)壬?。另外，在成膜裝置中，大多情況下將整個晶 圓載置于載置臺上，但因為斜角部與載置面相分離，因此膜附 著于該部位。由于附著于晶圓的斜角部上的附著物容易從斜角部的外 端、內(nèi)端的折曲部位剝離，因此容易成為對晶圓產(chǎn)生微粒污染 的主要原因，結(jié)果成為使成品率下降的一個原因。另外，不僅 發(fā)生于真空處理裝置中，即使將光致抗蝕劑涂布于晶圓的表面 上時，涂布液也會蔓延到斜角部的背面?zhèn)龋蚨鴷a(chǎn)生同樣的 問題。進而，還不僅發(fā)生在具有斜角部的晶圓上，而且在例如 曝光時上使用的掩膜用的呈圓形狀的玻璃基板上形成掩膜圖案 的工序中也存在同樣的問題。
作為去除這樣附著物的方法，已知有例如向基板供給清潔 液、采用濕方式對基板進行清潔的技術(shù)，但要將該技術(shù)應(yīng)用于 上述那樣的真空處理裝置中是比較困難的。另外，溶劑的設(shè)備 要花費費用，還需要排液裝置，這樣會增大運行成本。為此， 研究了采用千方式去除附著物的技術(shù)。在專利文獻l中，記載了通過將反應(yīng)性氣體提供給基板的 周緣部，并且對該周緣部加熱、通過化學(xué)方法去除附著物的技 術(shù)，但在這樣的方法中，需要根據(jù)附著物的組成來選擇反應(yīng)性 氣體的種類，另外，附著物的反應(yīng)性非常小時，不能進行去除 附著物。為此，將物理方法與這樣的化學(xué)方法組合起來進行附著物的去除。即，已知如下的方法例如使旋轉(zhuǎn)刷與基板的周緣部 相接觸，在使該旋轉(zhuǎn)刷旋轉(zhuǎn)的同時使基板旋轉(zhuǎn)，由此將附著物 掃落。但是，在這樣的方法中，需要局部排氣單元以用來吸走 利用刷子使其從基板上飄揚起來的附著物，另外，即使進行那 樣的局部排氣也不能完全使附著物排出，因而存在自基板的背 面去除的附著物又附著到基板表面上的可能。另外，需要頻繁 地去除附著于刷子上的附著物這樣的維護。而且，在這樣的刷 子中，只對作為想去除附著物的部位的基板的側(cè)面、斜角部或 基板的背面周緣部接觸是非常困難的，刷子與基板的表面接觸 時，可能會使設(shè)備受損傷，而使成品率下降。在專利文獻2中，記載有通過使粘著薄膜與基板的背面或 斜角部接觸來去除附著于基板上的微粒的技術(shù)，但在這樣的方 法中，粘著薄膜的使用量變大，會使運行成本變高，另外在去 除附著于斜角部上的微粒時，未與斜角部接觸便被廢棄的粘著 薄膜的量變大，從經(jīng)濟性、環(huán)境方面考慮不好。專利文獻l:曰本特開2006 - 287169(段落0052 ~ 0055) 專利文南大2:曰本4爭開2002 — 83795(4爻落0060~ 0063,圖 7、圖8)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于這樣的情況而開發(fā)出的，其目的在于提供一 種能夠可靠且簡便地去除附著于圓形狀基板的背面周緣部上的 附著物的技術(shù)。本發(fā)明的基板清潔裝置是對圓形狀基板的背面?zhèn)戎芫壊窟M 行清潔的裝置，其特征在于，該基板清潔裝置包括自由旋轉(zhuǎn)的基板保持部，其用于對上述基板的比背面?zhèn)戎?緣部更靠近中心部的部分進行吸附保持，且能以該基板的中心 作為旋轉(zhuǎn)中心進行旋轉(zhuǎn)；第l清潔用旋轉(zhuǎn)體，其一邊與上述基板的背面?zhèn)戎芫壊肯嘟佑|， 一邊與該基板一起旋轉(zhuǎn)，且其外周面構(gòu)成為粘著面； 驅(qū)動部，其用于對上述基板保持部和第l清潔用旋轉(zhuǎn)體當(dāng)中的至少一者進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動；第2清潔用旋轉(zhuǎn)體，其 一 邊與上述第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的外周面相接觸， 一邊進行旋轉(zhuǎn)，且其外周面構(gòu)成為具有比上述第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的外周面的粘著力強的粘著力的粘著面。上述基板清潔裝置設(shè)置有用于分別對上述基板保持部和第1清潔用旋轉(zhuǎn)體進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的基板用驅(qū)動部和旋轉(zhuǎn)體用驅(qū)動部，優(yōu)選將由基板用驅(qū)動部驅(qū)動的基板的轉(zhuǎn)速和由旋轉(zhuǎn)體用驅(qū) 動部驅(qū)動的第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的轉(zhuǎn)速設(shè)定為不使基板與第l清 潔用旋轉(zhuǎn)體發(fā)生相互滑動那樣的轉(zhuǎn)速。優(yōu)選使上述第l清潔用旋轉(zhuǎn)體的旋轉(zhuǎn)軸沿著以俯視時的上 述基板保持部的旋轉(zhuǎn)中心作為中心的圓的直徑或其延長線延 伸?？梢允股鲜龅?清潔用旋轉(zhuǎn)體的外徑大于上述第l清潔用 旋轉(zhuǎn)體的外徑，也可以設(shè)置多個上述第2清潔用旋轉(zhuǎn)體。進而， 將上述多個第2清潔用旋轉(zhuǎn)體設(shè)置于公共的保持體上，構(gòu)成為 該保持體可對與上述第l清潔用旋轉(zhuǎn)體相接觸的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體進行依次切換。進而，上述基板清潔裝置也可包括反應(yīng)性氣體供給口 ，其用于提供與附著于上述基板的背面 側(cè)周緣部上的附著物進行反應(yīng)的反應(yīng)性氣體；吸引口，其用于 將該反應(yīng)性氣體排出；用于向上述基板中的反應(yīng)性氣體的供給 區(qū)域提供光能或熱能的單元。上述反應(yīng)性氣體可以是臭氧氣體。優(yōu)選圓形狀的基板是半導(dǎo)體晶圓，上述基板的背面?zhèn)戎芫?部包含周緣的斜角部的背面?zhèn)取?本發(fā)明的基板處理裝置，在對收納有多片半導(dǎo)體晶圓的搬運器(carrier)進行搬入、 拍殳出的拍殳運器進出通道(carrier port)中，將半導(dǎo)體晶圓自載置于該搬運器進出通道中的搬運器上取 出而搬運至處理部中，由處理部對半導(dǎo)體晶圓表面進行氣體處 理或液體處理，并將處理后的半導(dǎo)體晶圓搬運到載置于搬運器 進出通道中的搬運器上，其特征在于，該基板處理裝置設(shè)置有技術(shù)方案9所述的清潔裝置以用于 對經(jīng)上述處理部處理的半導(dǎo)體晶圓的背面?zhèn)刃苯遣窟M行清潔。本發(fā)明的基板清潔方法是對圓形狀基板的背面?zhèn)戎芫壊窟M 行清潔的方法，其特征在于，該基板清潔方法包含將上述基板的比背面?zhèn)戎芫壊靠恐行牟康牟糠治奖３钟?基板保持部上的工序；使由外周面構(gòu)成為粘著面的第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的該粘著面與上述基板的背面?zhèn)戎芫壊拷佑|的工序；使由外周面構(gòu)成為具有比上述第l清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面 強的粘著力的粘著面的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面與上述第1 清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面接觸的工序；接著，使上述基板、上述第l清潔用旋轉(zhuǎn)體以及上述第2清 潔用旋轉(zhuǎn)體進行 一 體旋轉(zhuǎn)，借助上述第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著 面，將附著于上述基板的背面?zhèn)戎芫壊可系母街镛D(zhuǎn)移到上述 第2清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面上，由此對上述基板的背面?zhèn)戎芫?部進行清潔的工序。另外，上述基板清潔方法可以將多個上述第2清潔用旋轉(zhuǎn) 體設(shè)置于公共的保持體上，還包含如下的工序在使這些多個第2清潔用旋轉(zhuǎn)體中的至少 一個一邊與第1 清潔用旋轉(zhuǎn)體接觸 一 邊進行上述清潔后，使上述保持體動作而 將該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體從第l清潔用旋轉(zhuǎn)體上拉開，并使其它的 第2清潔用旋轉(zhuǎn)體中的至少 一 個與上述第1清潔用旋轉(zhuǎn)體接觸。進行上述清潔的工序可以包含如下的工序向上述基板的 背面?zhèn)戎芫壊抗┙o用于與附著于上述基板的背面?zhèn)戎芫壊可系?附著物進行反應(yīng)的反應(yīng)性氣體，并且將該反應(yīng)性氣體排出，形 成反應(yīng)性氣體的供給區(qū)域，向該供給區(qū)域提供光能或熱能。本發(fā)明的基板處理方法，其特征在于，包含將收納有多片半導(dǎo)體晶圓的搬運器搬入到搬運器進出通道 中的工序；將半導(dǎo)體晶圓從載置于該搬運器進出通道的搬運器上取出 而搬運到處理部的工序；在上述處理部中對半導(dǎo)體晶圓表面進行氣體處理或液體處 理的工序；
接著，對經(jīng)上述處理部處理的半導(dǎo)體晶圓的背面?zhèn)刃苯遣?實施技術(shù)方案15所述的基板清潔方法的工序；將上述經(jīng)清潔后的半導(dǎo)體晶圓搬運到上述搬運器的工序。本發(fā)明的存儲介質(zhì)是存儲了用于在計算機上進行運行的計 算機程序的存儲介質(zhì)，其特征在于，上述計算機程序編入了用于實施上述基板清潔方法或上述 基板處理方法的步驟。根據(jù)本發(fā)明，在對附著于圓形狀基板的背面周緣部的附著 物進行去除時，使第l清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面與基板背面周緣部接觸，進而使粘著性比該第l清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面強的第2 清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面與第l清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面 -接觸，而 使這些清潔用旋轉(zhuǎn)體和基板進行一體旋轉(zhuǎn)。因此，借助上述第 1清潔用旋轉(zhuǎn)體將附著于上述基板的背面?zhèn)戎芫壊可系母街?轉(zhuǎn)移到上述第2清潔用旋轉(zhuǎn)體上，可連續(xù)進行基板的清潔和第1 清潔用旋轉(zhuǎn)體的清潔。因此，能夠可靠地且簡便地去除附著于 基板的背面?zhèn)戎芫壊可系母街铩?br>

圖l是表示本發(fā)明的基板處理裝置的一例的俯視圖。圖2是表示上述基板處理裝置中的處理部的 一 例的縱剖視圖。圖3是表示本發(fā)明的基板清潔裝置一例的縱剖視圖。 圖4是放大表示上述基板清潔裝置中的基板的端部附近的 縱剖視圖。圖5是放大表示上述基板清潔裝置中的基板的端部附近的 概略圖。圖6是放大表示上述基板清潔裝置中的基板的端部附近的
概略圖。圖7是表示上述基板清潔裝置進行清潔處理的情形的概略圖。圖8是表示上述基板清潔裝置進行清潔處理的情形的概略圖。圖9是表示上述基板清潔裝置中的第2粘著構(gòu)件的另 一 例 的縱剖纟見圖。圖IO表示上述基板清潔裝置中的第2粘著構(gòu)件的另 一例的鄉(xiāng)人剖—見圖。圖ll表示上述基板清潔裝置中的第l粘著構(gòu)件的另 一例的俯浮見圖。圖12表示上述基板清潔裝置中的第l粘著構(gòu)件的另 一例的縱剖^見13表示上述基板清潔裝置中的第1粘著構(gòu)件以及第2粘 著構(gòu)件的另 一例的縱剖視圖。圖14表示上述基板清潔裝置中的第l粘著構(gòu)件的另 一例的縱剖—見圖。
具體實施方式
在對本發(fā)明的基板清潔裝置的實施方式進行說明之前，參 照圖l對裝配有該裝置的基板處理裝置的一例進行簡單的說 明。圖l.中，附圖標(biāo)記12是作為搬運器進出通道的裝載通道(load port),附圖標(biāo)記13是作為大氣環(huán)境的第1搬運室。裝載通道12 構(gòu)成為載置收納有多片圓形狀基板例如半導(dǎo)體晶圓(以下稱為 "晶圓")W的密封型搬運器FOUPIO,在3個裝載通道12與第1 搬運室13之間設(shè)置有與FOUP10的蓋共同開閉的閥門GT。另外，經(jīng)由對大氣環(huán)境與真空環(huán)境進行切換的二間加載互
鎖真空室1 4 ,將真空環(huán)境的第2搬運室1 5氣密性地與第1搬運室13的里側(cè)相連接，進而將作為真空處理的等離子處理例如進行 蝕刻的處理部即處理組件(process module)80氣密性地與該第 2搬運室15相連接。另外，在第1搬運室13和第2搬運室15中分 別設(shè)置有搬運臂17、 18。校準(zhǔn)單元19和本發(fā)明的基板清潔裝置 20分別在左右側(cè)與上述第]j般運室13相連"l妻。在此，處理組件 8()如圖2所示，該處理組件80由平^f亍平^反型的等離子蝕刻裝置 構(gòu)成，該等離子蝕刻裝置使作為下部電極的具有靜電吸附功能 的載置臺82與作為氣體噴頭的上部電極83在真空容器81內(nèi)相 面對。載置臺82由下側(cè)的大徑部85和上側(cè)的小徑部84構(gòu)成，其構(gòu) 成為使小徑部84比晶圓W的直徑略小，以使其不與晶圓W的背 面的周纟彖部相4妄觸。在大徑部85的上表面即小徑部84的外周側(cè)以接近晶圓W 的外周的方式設(shè)置環(huán)狀聚焦環(huán)86,該環(huán)狀聚焦環(huán)86用于調(diào)整等 離子狀態(tài)，例如將等離子中的離子會聚在晶圓W的外緣附近。另外，圖2中附圖標(biāo)記87表示偏壓電源，88表示高頻電源， 89表示排氣管，90表示真空泵，91表示晶圓的搬運口， 92表示 處理氣體供給管，G表示閘門(gate)。接著，參照圖3~圖5對基板清潔裝置20進行說明。該基板 清潔裝置20包括處理容器21，其內(nèi)部為大氣環(huán)境；基板保持 部22,其是設(shè)置于該處理容器21的底面中央的旋轉(zhuǎn)載置臺；物 理去除部23,其用于以物理方法去除附著晶圓W的背面?zhèn)戎芫?部71上的附著物75;以及化學(xué)去除部24,其用于以化學(xué)方法去 除附著物75。如圖6所示，晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1是指包含 晶圓W周緣部的斜角部背面?zhèn)鹊膮^(qū)域，在此例中，包括斜角部 的背面?zhèn)?、晶圓W的側(cè)面、以及自斜角部更靠近內(nèi)側(cè)5mm的區(qū)域?；灞３植?2由載置部25、旋轉(zhuǎn)軸26和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部27構(gòu) 成，例如以順時針旋轉(zhuǎn)；該載置部25用于從背面保持晶圓W; 該旋轉(zhuǎn)軸2 6利用旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部2 7使該載置部2 5旋轉(zhuǎn)；該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動 部27與該旋轉(zhuǎn)軸26的下方相連接。載置部25形成為直徑比晶圓 W的直徑略小，因而如圖4所示，使晶圓W的周緣部從載置部25 的周緣部向外周側(cè)伸出。在該載置部25的表面開設(shè)有多個吸引 孔28，構(gòu)成為^f昔助貫穿旋轉(zhuǎn)軸26、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部27以及處理容器 21的底面而形成的吸引路29,利用作為基板保持機構(gòu)的吸引泵 3()可從該吸引孔28對晶圓W進行吸附保持。另外，在載置部25 例如在3個位置分別開設(shè)貫通孔31。在處理容器21的底面設(shè)置 有升降機構(gòu)34,構(gòu)成為利用由與該升降機構(gòu)34相連接的支承部 33，通過借助該貫通孔31使例如3根升降銷32進行升降，而在 與上述的第1搬運臂17之間對晶圓W的進行交接。物理去除部23由設(shè)置于晶圓W的下方的第l清潔用旋轉(zhuǎn)體 41和設(shè)置于該第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41的下方的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體 42構(gòu)成。第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41是由呈大致圓筒狀的粘著性物質(zhì) 例如丁基橡膠構(gòu)成的滾子，其外周面構(gòu)成粘著面，將該第l清 潔用旋轉(zhuǎn)體41的旋轉(zhuǎn)中心設(shè)定為水平且向晶圓W的徑向延伸。 另外，該第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41從晶圓W的內(nèi)周側(cè)朝向外周側(cè)， 包括小徑部43、錐形部45以及大徑部44,在錐形部45與大徑部 44之間形成有環(huán)狀鉛直面。該第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41構(gòu)成為，在 小徑部43的外周面與晶圓W的背面的周緣部相接觸，在錐形部 45的外周面與下側(cè)的斜角部相接觸，且在上述鉛直面與晶圓W 的側(cè)面相接觸，因而與背面?zhèn)戎芫壊?1 —體地相接觸。該第l清潔用旋轉(zhuǎn)體4]借助旋轉(zhuǎn)軸46與固定于固定部48上 的驅(qū)動部47相連接。隨著晶圓W的旋轉(zhuǎn)，第:i清潔用旋轉(zhuǎn)體41
以不使晶圓W與該第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41相互滑動的方式，沿著使上表面?zhèn)扰c晶圓W的周緣部的移動方向(圖3中從紙面跟前側(cè) 向里側(cè)的方向)相同的方向進行旋轉(zhuǎn)。借助升降軸49使升降機構(gòu) 5()與固定部48相連接，如上所述，第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41可借助 固定部4 8和升降軸4 9在清潔位置與下部位置之間進行升降，其 中所述清潔位置是與晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1 —體接觸的位 置，下部位置是用于在第1搬運臂17間進行晶圓W的交接及用 于上述化學(xué)去除部24進行處理的位置。在第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41的下方側(cè)設(shè)置有第2清潔用旋轉(zhuǎn)體 42,該旋轉(zhuǎn)體42與該第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41相接觸，且與第l清潔 用旋轉(zhuǎn)體41具有大致相同的大小。該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42也與 第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41同樣是大致呈圓筒形狀的由粘著性物質(zhì)例 如丁基橡膠構(gòu)成的滾子，其外周面構(gòu)成為粘著面，并且該第2 清潔用旋轉(zhuǎn)體42的旋轉(zhuǎn)軸與第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41相平行。對于 該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體4 2的材質(zhì)，可調(diào)整例如丁基橡膠中的聚合 度等，以使其表面的粘著力比第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41的表面的粘 著力強。另外，在該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42上，隨著從晶圓W的 內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)形成直徑逐漸縮小的形狀，從晶圓W的內(nèi)周側(cè) 形成有大徑部51、錐形部52以及小徑部53。該第2清潔用旋轉(zhuǎn) 體42在該大徑部51、錐形部52以及小徑部53處分別與第l清潔 用旋轉(zhuǎn)體41的小徑部4 3 、錐形部4 5以及大徑部4 4相接觸。因此， 該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42與上述的第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41一體地相 接觸。該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體4 2借助旋轉(zhuǎn)軸5 4與驅(qū)動部5 5相連接， 由該驅(qū)動部55使其沿與第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41相反的方向旋轉(zhuǎn)。 該驅(qū)動部5 5也與上述驅(qū)動部4 7同樣被固定在固定部4 8上，構(gòu)成 為可在保持第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41與第2清潔用旋轉(zhuǎn)體4 2相接觸
的狀態(tài)下，與驅(qū)動部47成一體地進行升降。如圖5(a)、 (b)所示， 以與Y方向平行排列的方式設(shè)置兩個該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42,兩 個第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42、 42分別與第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41相接觸， 且分別與驅(qū)動部55相連接。這些第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41和第2清潔 用旋轉(zhuǎn)體42可分別相對于旋轉(zhuǎn)軸46、 54自由裝卸，例如在進行 維護時，可將這些第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41和第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42 進行更換。上述化學(xué)去除部24由反應(yīng)性氣體供給口 101、吸引口 102 以及提供光能的單元103構(gòu)成，在處理容器21內(nèi)以與上述物理 去除部23相對的方式設(shè)置；該反應(yīng)性氣體供給口 IOI接近晶圓 W的背面?zhèn)戎芫壊?1 ，向該背面?zhèn)戎芫壊?1供給與下述附著物 75進行反應(yīng)的反應(yīng)性氣體；該吸引口 102用于排出供給到背面 側(cè)周緣部71上的反應(yīng)性氣體；該提供光能的單元103用于將激 光照射到背面?zhèn)戎芫壊?1上來對該背面?zhèn)戎芫壊?1進行加熱。 這些反應(yīng)性氣體供給口 101、吸引口 102以及提供光能的單元 103都通過支承部104固定在處理容器21的底面上。反應(yīng)性氣體 供給口 101貫通該支承部104以及處理容器21的底面，利用夾設(shè) 有閥1()5和流量控制部106的反應(yīng)性氣體供給^各107，可從反應(yīng) 性氣體源10 8供給作為反應(yīng)性氣體例如氧化性氣體的臭氧氣 體。另外，吸引口 102同樣貫通支承部104以及處理容器21的底 面，借助吸引路1.09,可由包括未圖示的閥的排氣單元110將供 給到晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1上的反應(yīng)性氣體排出。如下所 述，在晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1上，借助該反應(yīng)性氣體供給口 l()l和吸引口 102，形成作為反應(yīng)性氣體的供給區(qū)域的氣流區(qū)域 111。提供光能的單元1()3借助支承部104以及處理容器21的底 面與電源1].2相連接。相同的圖中附圖標(biāo)記1] 5表示晶圓W的搬
運口。另外，作為提供光能的單元103可以采用除激光以外的 光源，或者可以是用于由例如加熱器向晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?].提供熱能的單元。如上述圖l所示，在該基板處理裝置上設(shè)置有由例如計算 機構(gòu)成的控制部2。該控制部2包括由程序、存儲器和CPU構(gòu)成 的數(shù)據(jù)處理部等，在上述程序中編入如下的命令(各步驟)，即 從控制部2將控制信號傳送到基板處理裝置的各部，實施下述 的基板清潔方法或基板處理方法。另外，例如在存儲器上包括 寫入旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部27、 47、 55的轉(zhuǎn)速、照射于晶圓W上的激光的 強度、對晶圓W進行蝕刻處理的真空處理時的壓力、溫度等處 理參數(shù)值的區(qū)域，CPU在執(zhí)行程序的各命令時讀取這些處理參 數(shù)，根據(jù)其參數(shù)值將控制信號傳送到該基板處理裝置的各部位。 將該程序(也包含有關(guān)處理參數(shù)的輸入操作、顯示的程序)儲存 于計算機存儲介質(zhì)例如軟盤、光盤、硬盤、MO(磁光盤)等的存 儲部6中，并安裝于控制部2。接著，對上述基板處理裝置上所實施的包含基板清潔方法 的基板處理方法的 一 例進行說明。首先，將收納有晶圓W的FOUP10載置于裝載通道12上， 由第l搬運臂17借助第l搬運室13將晶圓W搬運到對位機構(gòu)60 中。在該對位^L構(gòu)60中，采用^^知的方法，例如通過^f吏晶圓W 旋轉(zhuǎn)、且將光照射到該晶圓W的周緣部上，來調(diào)整晶圓W的缺 口部的朝向，另外，當(dāng)晶圓W發(fā)生偏心時，以利用第l搬運臂 17修正其偏心的方式來接受晶圓W。然后，將晶圓W搬運到加 載互鎖真空室14,接著由第2搬運臂18搬入到處理組件80中。在該處理組件80中，將真空容器81內(nèi)部設(shè)定為規(guī)定的真空 度，并且將處理氣體提供給晶圓W。然后，使處理氣體等離子 化，利用該等離子對晶圓W進行蝕刻處理。通過蝕刻從晶圓W
上生成副生成物，因而該副生成物作為浮游物浮游于真空容器81內(nèi)部，該浮游物從上述聚焦環(huán)8 6與晶圓W之間的間隙蔓延到 晶圓W的側(cè)面、背面?zhèn)?，由此作為附著?5附著于晶圓W的背 面?zhèn)戎芫壊?1上。在蝕刻處理結(jié)束后，停止處理氣體的供給，對真空容器81 內(nèi)進行真空排氣，由第2搬運臂18和第1搬運臂17，借助加載互 鎖真空室14和第1搬運室13將晶圓W搬運到基板清潔裝置20 處。并且，在處理容器21中，為了不讓附著物75轉(zhuǎn)移至基板保 持部22上，利用升降銷32將晶圓W載置于基板保持部22上，并 對晶圓W進行吸附保持。接著，使設(shè)定在下部位置的固定部48 升高到上部位置，使第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41與晶圓W的背面?zhèn)戎?緣部71相接觸。其后，如圖7的(a)所示，使晶圓W旋轉(zhuǎn)，并且 使第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41和第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42以與晶圓W相同 的轉(zhuǎn)速進行旋轉(zhuǎn)。當(dāng)附著于晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1上的附著 物75與第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41接觸時，如圖7的(b)所示，附著物 75從晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1轉(zhuǎn)移到第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41的表 面上。然后，當(dāng)已轉(zhuǎn)移到該第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41上的附著物75 與第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42接觸時，如上所述，由于第2清潔用旋轉(zhuǎn) 體42的粘著力比第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41的粘著力強，因此該附著 物75再轉(zhuǎn)移到同圖中左側(cè)的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42上。即使例如 附著物75未轉(zhuǎn)移到該左側(cè)的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42而殘留在第1 清潔用旋轉(zhuǎn)體41上，也可利用右側(cè)的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42將第1 清潔用旋轉(zhuǎn)體41上的附著物75去除(同圖的(c))。然后，例如通過對晶圓W實施l圈的該清潔處理，如同圖的 (d)所示，可去除附著于晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1上的附著物 75。另外，利用第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42來去除轉(zhuǎn)移到第1清潔用旋
轉(zhuǎn)體41上的附著物75,因此，可使第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41的表面 保持清潔的狀態(tài)。另外，在同圖中，為了容易進行判別，將附 著物75的量描畫得較多，另外對第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41、第2清潔 用旋轉(zhuǎn)體42進行簡化地描畫。然而，通過例如第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41與晶圓W的背面?zhèn)戎?緣部71接觸，使作為構(gòu)成該第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41的材質(zhì)的有機 物脫離出來而發(fā)生附著，或者使因附著物75尺寸過小而無法利 用第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41進行去除的有機物殘留下來。因此，對 這樣的有機物等的殘渣7 6實施了如下的化學(xué)處理。首先，停止晶圓W、第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41和第2清潔用旋轉(zhuǎn) 體42的旋轉(zhuǎn)，將固定部48下降到下部位置。然后，如圖8的(a) 所示，通過從反應(yīng)性氣體供給口 l()l供給臭氧氣體，并且從吸 引口 ].()2將該臭氧氣體吸引排出，從而在晶圓W的背面?zhèn)戎芫?部71上形成臭氧氣體的氣流區(qū)域lll。另外，將激光照射于該 氣流區(qū)域lll上，同時使晶圓W進行旋轉(zhuǎn)。如圖8的(b)所示，利 用臭氧氣體對附著于晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1上的殘渣76進 行氧化，接著利用激光進行加熱來使該殘渣76氣體化，從吸引 口 102將其與臭氧氣體一同排出。如圖8的(c)所示，通過例如對 晶圓W實施至l圏程度的化學(xué)處理，可去除附著于晶圓W的背面 側(cè)周緣部71上的殘渣76。此時，當(dāng)向晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1 供給臭氧氣體時，4吏反應(yīng)性氣體供給口 IOI和吸引口 102接近該 晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1,因此不會使臭氧氣體蔓延到晶圓W 的表面等，因而不會對晶圓W的表面造成不良影響。其后，停止臭氧氣體的供給和激光的照射，并停止晶圓W 的旋轉(zhuǎn)。并且，由第1搬運臂17將晶圓W送回到FOUPl()。根據(jù)上述實施方式，使外周面具有粘著力的第1清潔用旋 轉(zhuǎn)體41的外周面與晶圓W的背面?zhèn)戎芫壊?1接觸，另外使具有 比該第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41的外周面的粘著力強的粘著力的第2 清潔用旋轉(zhuǎn)體42的外周面與該第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41的外周面相 接觸，并使晶圓W、第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41以及第2清潔用旋轉(zhuǎn)體 42 —體旋轉(zhuǎn)，由此借助第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41將附著于晶圓W的 背面?zhèn)戎芫壊?1上的附著物75轉(zhuǎn)移到第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42上。 由此，可在不對晶圓W的表面等造成干擾的情況下，只對晶圓 W的背面?zhèn)戎芫壊?1進行清潔處理，因此可抑制對晶圓W的表 面造成的不良影響、或者抑制附著物75再次附著在晶圓W的背 面的內(nèi)周側(cè)。另外，因為附著物75未揚起，所以在處理容器21 內(nèi)不設(shè)有用于吸引揚起的附著物75的局部排氣機構(gòu)也可將附 著物75去除。另外，利用第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42將轉(zhuǎn)移于第1清潔用旋轉(zhuǎn)體 41上的附著物7 5進 一 步轉(zhuǎn)移，因而可使第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41的 表面保持清潔。因而，可抑制因附著物75的轉(zhuǎn)移而造成的第1 清潔用旋轉(zhuǎn)體41的粘著力的下降，從而可減少背面?zhèn)戎芫壊?1 上殘留的附著物75,并能夠進行連續(xù)的清潔處理。進而，可延 長用于對附著于第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41上的附著物75進行去除的 維護周期。并且，即使殘留有附著物75、或由構(gòu)成第l.清潔用旋轉(zhuǎn)體 41的有機物作為殘渣76而附著于晶圓W上，其后也將實施臭氧 氣體及激光的化學(xué)去除，因而能夠可靠地去除附著物75或殘渣 76。另外，在上述例中，作為處理氣體使用了臭氧氣體，但也 可根據(jù)殘渣76的組成以通過激光等加熱使其成為氣體化的化 合物的方式適當(dāng)?shù)馗淖兲幚須怏w。另外，若上述那樣的殘渣76 未附著在晶圓W上，且利用第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41和第2清潔用旋 轉(zhuǎn)體4 2能可靠地去除附著物7 5時，則也可以不設(shè)置上述化學(xué)去
除部24。另外，若附著物75量極少時，可以只設(shè)置一個第2清潔用 旋轉(zhuǎn)體42。進而，在上述例中，將第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42設(shè)定為 與第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41大致相同的大小，但是也可以例如如圖9 所示，通過將該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42的直徑設(shè)為第l清潔用旋轉(zhuǎn) 體41直徑的數(shù)倍程度例如2倍以上，來進一步延長第l清潔用旋 轉(zhuǎn)體41的維護周期。并且，通過將與第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41相接 觸的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體4 2的數(shù)量增加到2個以上，同樣可延長維 護周期。另外，在圖9中只示出一個第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42。進而，如圖10所示，在第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41的下方，設(shè)置 有與第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41平行的大徑的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件120以作為公 共的保持體，也可以在該旋轉(zhuǎn)構(gòu)件120的外周部，設(shè)置有多個 例如12個分別借助驅(qū)動部55來自由旋轉(zhuǎn)的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體 42。在該例中，例如要對與第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41相接觸的第2 清潔用旋轉(zhuǎn)體42進行更換時，可利用未圖示的升降機構(gòu)來使旋 轉(zhuǎn)構(gòu)件12()下降，且利用與旋轉(zhuǎn)軸121相連接的未圖示的電動機 使旋轉(zhuǎn)構(gòu)件120旋轉(zhuǎn)，依次使新的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42與第l清 潔用旋轉(zhuǎn)體41接觸，由此同樣可延長第1.清潔用旋轉(zhuǎn)體4 ].的維 護周期。另外，如上述各例那樣，在第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41所接觸的 晶圓W背面的距離較小，因而幾乎可忽視第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41 所接觸的部位的內(nèi)周側(cè)的周向速度與外周側(cè)的周向速度之間的 速度差的情況下，可使 一 個第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41與上述晶圓W 的背面惻周緣部71接觸，但是，在例如上述晶圓W的背面與第 l清潔用旋轉(zhuǎn)體41的接觸距離大到例如50mm左右，從而使上述 速度差變得較為明顯的情況下，會因該速度差使晶圓W在第1 清潔用旋轉(zhuǎn)體41的表面產(chǎn)生滑動，并可能會因滑動而導(dǎo)致不能 正常對附著物75進行去除，故優(yōu)選將第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41進行 如下所示的配置。即，例如如圖ll所示，可以將第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41分為內(nèi) 周側(cè)的第1.清潔用旋轉(zhuǎn)體41 a和外周側(cè)的第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41 b, 分別由驅(qū)動部47A、 47b借助旋轉(zhuǎn)軸46A、 46b^f吏上述這些旋轉(zhuǎn) 體進行旋轉(zhuǎn)。在這種情況下，優(yōu)選使第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41A、 41b 的各周向速度與該第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41A、 41b接觸的晶圓W的 半徑方向上的周向速度相一致。另外，在設(shè)置有第2清潔用旋 轉(zhuǎn)體42的情況下，優(yōu)選分別對這些第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41A、 41b 進行設(shè)置。另外，如圖12所示，通過使第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41的 旋轉(zhuǎn)軸46從晶圓W的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)向上側(cè)傾斜，且在該旋轉(zhuǎn) 軸46上設(shè)置直徑自上側(cè)向下側(cè)增大的截面形狀呈大致梯形的 第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41c,也可抑制上述速度差。另外，雖然將第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41配置為水平且沿晶圓W 的中心方向延伸，但也可以將其配置為水平且相對于晶圓W的 中心即Y方向傾殺牛。在上述各例中，如上述圖6所示將晶圓W的端部形狀研磨為 例如相對于水平方向傾斜而形成斜角部，j旦并不限于這樣的形 狀，也可以例如如圖13所示， -使晶圓W的側(cè)面為圓弧面，此時， 在第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41的外周面具有圓弧面，只要使其從晶圓 W的背面的周緣部到側(cè)面整個范圍相接觸即可；另外，對于第2 清潔用旋轉(zhuǎn)體42的形狀，只要設(shè)為與該第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41相 接觸的形狀即可。另外，在上述各例中，使第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41和第2清潔用 旋轉(zhuǎn)體42沿著水平方向旋轉(zhuǎn)，但也可以如圖14所示沿鉛直方向 旋轉(zhuǎn)。即，只要將第1清潔用旋轉(zhuǎn)體41設(shè)成與斜角部等的晶圓 W的背面?zhèn)戎芫壊?1相接觸那樣的結(jié)構(gòu)即可。另外，在該圖14 中，省略了第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42的記載，但在這種情況下，只要第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42與第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41相接觸即可，因而 可以使該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體42沿水平方向旋轉(zhuǎn)，或者也可以使 其沿鉛直方向旋轉(zhuǎn)。在上述各例中，設(shè)置有驅(qū)動部47、 27，構(gòu)成為可使第l清 潔用旋轉(zhuǎn)體41和晶圓W兩者進行旋轉(zhuǎn)，但通過由例如彈簧等向 基板保持部22施加向下側(cè)的彈力，或者向第144轉(zhuǎn)體41施加向 上側(cè)的彈力，可使第l清潔用旋轉(zhuǎn)體41和晶圓W當(dāng)中的 一者旋 轉(zhuǎn)，通過其旋轉(zhuǎn)使另 一者也旋轉(zhuǎn)起來。另外，本發(fā)明的基板清潔裝置并不只是這樣的基板處理裝 置，也可以被組裝入例如液浸曝光裝置或涂布 顯影裝置中來 使用。此時，該裝置被用于通過作為液體處理的液浸曝光來去 除附著在晶圓W的側(cè)面、斜角部及背面周緣部上的光致抗蝕劑 膜的場合。
權(quán)利要求
1. 一種基板清潔裝置，其對圓形狀基板的背面?zhèn)戎芫壊窟M行清潔，其特征在于，該基板清潔裝置包括自由旋轉(zhuǎn)的基板保持部，其用于對上述基板的比背面?zhèn)戎芫壊扛拷行牟康牟糠诌M行吸附保持，且能以該基板的中心作為旋轉(zhuǎn)中心進行旋轉(zhuǎn)；第1清潔用旋轉(zhuǎn)體，其與上述基板的背面?zhèn)戎芫壊肯嘟佑|且與該基板一起旋轉(zhuǎn)，其外周面構(gòu)成為粘著面；驅(qū)動部，其用于對上述基板保持部和第1清潔用旋轉(zhuǎn)體中的至少一者進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動；第2清潔用旋轉(zhuǎn)體，其一邊與上述第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的外周面相接觸一邊進行旋轉(zhuǎn)，其外周面構(gòu)成為具有比上述第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的外周面的粘著力強的粘著力的粘著面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基板清潔裝置，其特征在于， 設(shè)置有用于分別對上述基板保持部和第l清潔用旋轉(zhuǎn)體進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的基板用驅(qū)動部和旋轉(zhuǎn)體用驅(qū)動部，將由基板用驅(qū)動部驅(qū)動的基板的轉(zhuǎn)速和由旋轉(zhuǎn)體用驅(qū)動部 驅(qū)動的第]清潔用旋轉(zhuǎn)體的轉(zhuǎn)速設(shè)定為使基板與第l清潔用旋 轉(zhuǎn)體不發(fā)生相互滑動那樣的轉(zhuǎn)速。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板清潔裝置，其特征在于， 上述第l清潔用旋轉(zhuǎn)體的旋轉(zhuǎn)軸沿著以俯視時的上述基板保持 部的旋轉(zhuǎn)中心作為中心的圓的直徑或其延長線延伸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3當(dāng)中任一項所述的基板清潔裝置， 其特征在于，使上述第2清潔用旋轉(zhuǎn)體的外徑大于上述第1清潔 用旋轉(zhuǎn)體的外徑。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4當(dāng)中任一項所述的基板清潔裝置， 其特征在于，設(shè)置有多個上述第2清潔用旋轉(zhuǎn)體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板清潔裝置，其特征在于，將上述多個第2清潔用旋轉(zhuǎn)體設(shè)置于共同的保持體上，構(gòu)成為該保持體可對與上述第l清潔用旋轉(zhuǎn)體相接觸的第2清潔用旋轉(zhuǎn) 體進行切換。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6當(dāng)中任一項所述的基板清潔裝置， 其特征在于，該基板清潔裝置包括反應(yīng)性氣體供給口，其用 于提供與附著于上述基板的背面?zhèn)戎芫壊可系母街镞M行反應(yīng) 的反應(yīng)性氣體；吸引口，其用于將該反應(yīng)性氣體排出；供能單 元，其用于向上述基板中的反應(yīng)性氣體的供給區(qū)域提供光能或 熱能。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板清潔裝置，其特征在于，上 述反應(yīng)性氣體為臭氧氣體。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8當(dāng)中任一項所述的基板清潔裝置， 其特征在于，圓形狀基板為半導(dǎo)體晶圓，上述基板的背面?zhèn)戎?緣部包含周緣的斜角部的背面?zhèn)取?br> 10. —種基板處理裝置，在對收納有多片半導(dǎo)體晶圓的搬 運器進行搬入、搬出的搬運器進出通道中，將半導(dǎo)體晶圓自載置于該搬運器進出通道的搬運器上取出 而搬運至處理部中，由處理部對半導(dǎo)體晶圓表面進行氣體處理 或液體處理，并將處理后的半導(dǎo)體晶圓搬運到載置于搬運器進 出通道中的搬運器上，其特征在于，該基板處理裝置設(shè)置有權(quán)利要求9所述的清潔裝置以用于 對經(jīng)上述處理部處理的半導(dǎo)體晶圓的背面?zhèn)刃苯遣窟M行清潔。
11. 一種基板清潔方法，其是對圓形狀基板的背面?zhèn)戎芫?部進行清潔的方法，其特征在于，該圓形狀基板清潔方法包含將上述基板的比背面?zhèn)戎芫壊扛恐行牟康牟糠治奖３?于基板保持部上的工序；使由外周面構(gòu)成為粘著面的第l清潔用旋轉(zhuǎn)體的該粘著面 與上述基板的背面?zhèn)戎芫壊拷佑|的工序；使由外周面構(gòu)成為具有比上述第l清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面更強的粘著力的粘著面的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面與上述第 l清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面接觸的工序；接著，使上述基板、上述第1清潔用旋轉(zhuǎn)體以及上述第2清 潔用旋轉(zhuǎn)體進行一體旋轉(zhuǎn)，借助上述第l清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著 面，將附著于上述基板的背面?zhèn)戎芫壊可系母街镛D(zhuǎn)移到上述 第2清潔用旋轉(zhuǎn)體的粘著面上，由此對上述基板的背面?zhèn)戎芫?部進行清潔的工序。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的基板清潔方法，其特征在于， 將多個上述第2清潔用旋轉(zhuǎn)體設(shè)置于公共的保持體上，還包含 如下的工序在使這些多個第2清潔用旋轉(zhuǎn)體中的至少一個一邊與第1 清潔用旋轉(zhuǎn)體相接觸 一 邊進行上述清潔后，使上述保持體動作 而將該第2清潔用旋轉(zhuǎn)體從第1清潔用旋轉(zhuǎn)體上拉開，并使其它 的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體中的至少一個與上述第l清潔用旋轉(zhuǎn)體接觸。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的基板清潔方法，其特征在 于，進行上述清潔的工序包含如下的工序向上述基板的背面 側(cè)周緣部供給與附著于上述基板的背面?zhèn)戎芫壊可系母街镞M 行反應(yīng)的反應(yīng)性氣體，并且將該反應(yīng)性氣體排出，形成反應(yīng)性 氣體的供給區(qū)域，向該供給區(qū)域提供光能或熱能。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板清潔方法，其特征在于， 上述反應(yīng)性氣體為臭氧氣體。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11至14當(dāng)中任一項所述的基板清潔方 法，其特征在于，圓形狀基板為半導(dǎo)體晶圓，上述基板的背面 側(cè)周緣部包含周緣的斜角部的背面?zhèn)取?br> 16. —種基板處理方法，其特征在于，該基板處理方法包 將收納有多片半導(dǎo)體晶圓的搬運器搬入到搬運器進出通道中的工序；將半導(dǎo)體晶圓從載置于該搬運器進出通道的搬運器上取出而搬運到處理部的工序；在上述處理部中對半導(dǎo)體晶圓表面進行氣體處理或液體處 理的工序；接著，對經(jīng)上述處理部處理的半導(dǎo)體晶圓的背面?zhèn)刃苯遣?實施權(quán)利要求15所述的基板清潔方法的工序；將上述經(jīng)清潔后的半導(dǎo)體晶圓搬運到上述搬運器上的工序。
17. —種存儲介質(zhì)，其是存儲有用于在計算機上運行的計 算機程序的存儲介質(zhì)，其特征在于，上述計算機程序編入有用于實施權(quán)利要求11至15中任一 項所述的基板清潔方法或權(quán)利要求16所述的基.板處理方法的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供基板清潔裝置及方法、基板處理裝置及方法以及存儲介質(zhì)，簡便且可靠地去除附著于圓形狀基板的背面?zhèn)戎芫壊可系母街铩Ａ硗?，延長了對需要去除附著物的構(gòu)件的更換、清潔等維護周期。使外周面具有粘著性的、呈大致圓筒狀的第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的外周面與自基板的側(cè)面到背面的周緣部的部位接觸，并且使具有比該第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的外周面粘著性強的外周面的第2清潔用旋轉(zhuǎn)體的外周面與第1清潔用旋轉(zhuǎn)體的外周面相接觸，而使基板、第1清潔用旋轉(zhuǎn)體以及第2清潔用旋轉(zhuǎn)體一體地旋轉(zhuǎn)，由此能夠簡便且可靠地將附著于該基板的背面?zhèn)戎芫壊可系母街锶コ?br> 文檔編號B08B1/04GK101399174SQ20081016183
公開日2009年4月1日 申請日期2008年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者新藤健弘 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社