專利名稱：連續(xù)陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的陰影掩模的原位腐蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及連續(xù)直線型陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)中陰影掩模的原 位清潔的方法。
背景技術(shù)：
美國專利No. 6,943,066公開了 一種示例性連續(xù)直線型陰影掩模 汽相沉積系統(tǒng)，將其在此以用作參考。迄今，此系統(tǒng)的問題在于必須 從系統(tǒng)中移走每個陰影掩模來進行清洗，并且隨后再返回到系統(tǒng)中， 從而防止在每個陰影掩模的表面上和孔中堆積沉積材料，這種堆積不 利地影響了通過陰影掩模沉積在基板上的圖案的尺寸。
下文所述的實施例試圖利用現(xiàn)有技術(shù)中的直線型陰影掩模汽相 沉積系統(tǒng)來克服前述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種對用于形成電子器件的陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的 一個或多個陰影掩模的使用和清潔方法。該方法包括步驟(a)將基 板推進通過多個順序連接的沉積真空腔，每個沉積真空腔具有定位于
其中的至少一個材料沉積源以及一個陰影掩模；(b)在每個沉積真
空腔為真空情況下通過定位于其中的陰影掩模在基板上沉積來自定 位于沉積真空腔中的至少一個材料沉積源的材料，其中所述材料還被
沉積在了陰影掩模朝向該材料沉積源的表面上；(c)接著在步驟(b)中所進行的在所述多個順序連接的沉積真空腔的至少一個沉積真空 腔中的陰影掩模的表面上的材料沉積之后，在所述至少一個沉積真空 腔中沒有基板時將反應(yīng)氣體導(dǎo)入所述至少一個沉積真空腔；以及(d) 使得所述多個順序連接的沉積真空腔的所述至少一個沉積真空腔中 的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材 料。
該方法可以進一步包括步驟(e)推進另一基板通過多個順序 連接的沉積真空腔；(f)在每個沉積真空腔為真空情況下通過定位 于其中的陰影掩模在另一基板上沉積來自定位于沉積真空腔中的至 少一個材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向 該材料沉積源的表面上；(g)接著在步驟(f)中所進行的在所述多 個順序連接的沉積真空腔的至少一個沉積真空腔中的陰影掩模的表 面上的材料沉積之后，在所述至少一個沉積真空腔中沒有基板時將反 應(yīng)氣體導(dǎo)入所述至少一個沉積真空腔；以及(h)使得所述多個順序
連接的沉積真空腔的所述至少一個沉積真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從 而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材料。
在步驟(d)中，電離后的氣體能通過濺射法去除沉積在陰影掩 模上的材料。
在步驟(c)中，所述至少一個沉積真空腔中反應(yīng)氣體的壓力可 以在1毫托到500毫托之間。
當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料是絕緣體時，反應(yīng)氣體可以是CF4 或者SFe。該絕緣體可以是Si02。
當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料是導(dǎo)電體時，反應(yīng)氣體可以是氯型 氣體。氯型氣體可以包括Cb和BC13中的一個或者其組合。該導(dǎo)電 材料可以是Cu或者Al。
當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料是半導(dǎo)體時，反應(yīng)氣體可以是三甲 胺、或CH4/H2/Ar的組合、或H2/Ar的組合。該半導(dǎo)體可以是CdS、 CdTe或者CdSe。
本發(fā)明還是一種對用于形成電子器件的陰影掩模汽相沉積系統(tǒng) 的一個或多個陰影掩模的使用和清潔方法。該方法包括步驟(a)將基板導(dǎo)入沉積真空腔，在該沉積真空腔中包括材料沉積源和陰影掩 模；(b)在沉積真空腔為真空情況下通過陰影掩模在基板上沉積來 自材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材 料沉積源的表面上；(c)接著在步驟(b)中所進行的在沉積真空腔 中的陰影掩模的表面上的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒有基板 時將反應(yīng)氣體導(dǎo)入該沉積真空腔；以及(d)使得該沉積真空腔中的 反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材料。 該方法可以進一步包括步驟(e)將另一基板導(dǎo)入沉積真空腔； (f)在沉積真空腔為真空情況下通過陰影掩模在另一基板上沉積來 自材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材 料沉積源的表面上；(g)接著在步驟(f)中所進行的在沉積真空腔
中的陰影掩模的表面上的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒有其他
基板時將反應(yīng)氣體導(dǎo)入該沉積真空腔；以及(h)使得該沉積真空腔 中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材 料。
電離后的氣體能通過濺射法去除沉積在陰影掩模上的材料。 在步驟(c)中，該沉積真空腔中反應(yīng)氣體的壓力可以在1毫托 到500毫托之間。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例直線型生產(chǎn)系統(tǒng)的示意性側(cè)視圖，該 系統(tǒng)用于在基板上制造電子元件和受控元件；
圖2是在圖1中所示生產(chǎn)系統(tǒng)中所用陰影掩模的分開部分的示
圖3是圖1所示基板部分的截面圖，該基板部分上具有通過圖1 所示的生產(chǎn)系統(tǒng)沉積的電子元件和受控元件；
圖4-圖9是通過圖1所示的生產(chǎn)系統(tǒng)在圖1的基板部分上依次 沉積材料以在其上形成電子元件的示圖；以及
圖10是圖l所示生產(chǎn)系統(tǒng)的一個或多個陰影掩模的使用方法和
清潔方法的流程圖。
具體實施例方式
一種電子器件包括沉積在基板上的一個或多個電子元件，該電 子元件用于控制可與上述電子器件分開或是上述電子器件的一個組 成部分的一個或多個受控元件，并且還涉及一種制造上述電子器件的 方法。在以下的說明中，所描述的電子器件是一種有源矩陣底板，其 具有沉積在有源矩陣底板上從而選擇性受控的有機發(fā)光二極管 (0LED)的陣列。然而，這并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制，因為諸如薄膜 晶體管、二極管、電容器或存儲元件之類的任何類型的電子元件都可 被形成在基板上來對形成在或未形成在基板上的任何類型的受控元 件進行控制。下面將參考附圖進行描述，在附圖中相同的參考標(biāo)號對 應(yīng)與相同的元件。
參考圖1，用于生產(chǎn)例如其上具有0LED的有源矩陣底板這樣的 電子器件的示例生產(chǎn)系統(tǒng)2包括多個順序連接的真空腔。多個真空腔 包括多個沉積真空腔4、 一個退火真空腔20、以及一個測試真空腔 22。每個沉積真空腔4包括充有期望材料的沉積源8，將通過同樣位 于沉積真空腔4中的陰影掩模12來將所述期望材料沉積到基板10 上。
每一陰影掩模12-1到12-12都包括一個形成在薄片16上的孔 圖案14，例如狹縫、孔洞等。圖2由對沉積真空腔4-1的沉積源8-1 的透視來示出了陰影掩模12-1的示圖。形成在每一陰影掩模12-1 到12-12的薄片16中的孔圖案14與隨著基板IO通過每個沉積真空 腔4-1到4-12推進而被分別從沉積真空腔4-1到4-12中的沉積源 8-1到8-12沉積到基板10上的材料的期望圖案相對應(yīng)。
在圖1示出的生產(chǎn)系統(tǒng)2的實施例中，沉積真空腔4-1到4-6 用于在基板10上沉積材料以在基板10上形成一個或多個電子元件。 每一個電子元件都可以是薄膜晶體管(TFT) 、 二極管、存儲元件或 電容器。為了隨后描述的目的，所述的一個或多個電子元件將被描述 為TFT矩陣。然而，這并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。沉積真空腔4-7 到4-11用于將材料形成在基板10上以形成一個或多個受控元件，例 如0LED，該受控元件可被在沉積真空腔4-1到4-6中沉積的TFT矩陣所控制。沉積真空腔4-12用于在基板10之上沉積保護封來保護已 沉積在基板10上的TFT矩陣和受控元件免受潮濕和諸如灰塵、污垢 之類的不希望的雜質(zhì)粉粒等的侵害。如果在沉積真空腔4-1到4-6 中所沉積的一個或多個電子元件將被用來對未在沉積真空腔4-7到 4-11中沉積在基板10上的受控元件進行控制，則沉積真空腔4-7到 4-11可被省略，并且沉積真空腔4-12可被定位在當(dāng)基板10從測試 真空腔22推進出來時來對其進行接收的位置上?？蛇x地，真空腔22 和4-7到4-12可被省略，并且可將一存儲腔39定位在當(dāng)基板10從 退火真空腔20推進出來時來對其進行接收的位置上。為了進行說明， 將沉積真空腔4-7到4-11描述為用來沉積必要材料來在基板10上形 成0LED。然而這并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。另外，真空腔4、 20和 22的數(shù)量、目的和布局并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制，因為真空腔4、 20 和22的這些數(shù)量、目的和布局可由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實際應(yīng)用所 要求的對一個或多個材料的沉積的需要來進行修改。
退火真空腔20被定位在當(dāng)基板10從沉積真空腔4-6推進出來 時來對其進行接收的位置上。退火真空腔20包括加熱元件24，用于 對在沉積真空腔4-1到4-6中沉積到基板10上的材料進行加熱以達 到適當(dāng)?shù)耐嘶饻囟取Ｍ嘶鹬?，基板IO被推進到測試真空腔22中， 該測試真空腔22包括一個具有探針(未示出)的探針配件26，可以 根據(jù)需要將探針移動到與沉積在基板10上的TFT矩陣接觸或非接觸， 從而由測試裝置28進行測試。
當(dāng)在測試真空腔22中完成了對基板10上的TFT矩陣的測試時， 使基板10被推進通過沉積真空腔4-7到4-12，在其中將形成0LED 的材料沉積在TFT矩陣上并將密封涂層沉積在TFT矩陣和OLED之上。
每個真空腔4、 20和22都被連接到用于在其中建立適當(dāng)?shù)恼婵?的真空源(未示出)。具體地說，真空源在沉積真空腔4-1到4-12 中建立適當(dāng)?shù)恼婵找允沟梦挥诔练e源8-1到8-12中的期望材料的填 料通過陰影掩模12-1到12-12的薄片16的孔14來以一種本領(lǐng)域內(nèi) 已知的方式(例如，濺射、汽相沉積等)沉積在基板10上。
在以下對示例生產(chǎn)系統(tǒng)2的說明中，基板10將被描述為一個連續(xù)的柔性薄片，其最初被置于分配巻34上，從而分配巻34將基板 10分配到沉積真空腔4-1中。分配巻34位于一個預(yù)載真空腔35中， 該預(yù)載真空腔35連接到一個用于在其中建立適當(dāng)真空的真空源(未 示出)。然而，可將生產(chǎn)系統(tǒng)2構(gòu)成為連續(xù)處理多個單獨的基板10。 每個沉積真空腔4包括支撐或引導(dǎo)裝置36以避免基板IO在被推進通 過沉積真空腔4-1到4-12時發(fā)生松弛。
在生產(chǎn)系統(tǒng)2的操作中，隨著基板10被推進通過沉積真空腔4-1 到4-12，在存在適當(dāng)真空的條件下將每個沉積源8-1到8-12中的材 料沉積到基板10上，于是在基板IO上形成了多個漸進的圖案。具體 地說，基板10具有多個部分，它們以預(yù)定的時間間隔定位在每個真 空腔4、 20和22中。在該預(yù)定的時間間隔期間，從一個或多個沉積 源8將材料沉積在基板10位于相應(yīng)沉積真空腔4中的部分上，沉積 在基板IO位于退火真空腔20中的部分上的材料被退火，并且沉積在 基板IO位于測試真空腔22中的部分上的TFT矩陣被測試。在該預(yù)定 時間間隔之后，使基板IO步進，于是使基板10的多個部分推進到按 實際應(yīng)用而用于附加處理的下一個連續(xù)的真空腔4、 20或22。連續(xù) 進行該步進直到基板10的每個部分都己通過了全部真空腔4、 20和 22。之后，出了沉積真空腔4-12的基板10的每個部分被切割器36 與基板10的剩余部分分離，在該切割后的基板10的切割部分被平放 存儲在位于存儲真空腔39中的一個適當(dāng)?shù)拇鎯ρb置38中。可選地， 出了沉積真空腔4-12的基板10的每個部分在位于存儲真空腔39中 的接收巻(未示出)上被接收。存儲真空腔39連接到一個用于在其 中建立適當(dāng)真空的真空源(未示出)。
將基板10描述為一個連續(xù)的柔性薄片并不構(gòu)成對本發(fā)明的限 制，因為基板10也可以是剛性的和/或是任意大小或形狀，例如是可 被同時定位在一個或多個真空腔4、 20和22中的一個或多個單獨的 薄片。例如，基板IO可以是剛性的并且是細(xì)長方形的，位于一個或 多個真空腔4、 20和22中。
下面將參考圖3 — 9并繼續(xù)參考圖1來描述用來形成有源矩陣 OLED顯示器的步驟序列。如圖3所示，基板IO包括導(dǎo)電層50，在其一個表面上具有絕緣 體52。將基板10的一部分送入沉積真空腔4-1，使電絕緣層52面向 沉積源8-l。在該示例沉積序列中，沉積源8-1被充入半導(dǎo)體材料54。 由沉積源8-l通過陰影掩模12-1將該半導(dǎo)體材料54沉積在電絕緣層 52與導(dǎo)電層50相對的表面上。圖4示出了基板10的分離示圖，其 中基板IO在電絕緣層52的表面上接收半導(dǎo)體材料54的沉積從而形 成最終如圖7所示的一對晶體管70和74。
每個陰影掩模12與位于相應(yīng)沉積真空腔4中的基板10的部分 的對齊是嚴(yán)格的。為此，位于每個真空沉積腔4中的基板10的部分 可包括一個或多個準(zhǔn)標(biāo)或點(未示出)，位于每個沉積真空腔4中的 對齊裝置(未示出)可利用該準(zhǔn)標(biāo)或點來將相應(yīng)陰影掩模12相對于 在沉積真空腔4中接收到的基板10的部分定位。每個對齊裝置可包 括光學(xué)或機械裝置來確定相應(yīng)陰影掩模相對于在相應(yīng)沉積真空腔4 中接收到的基板10的部分上的準(zhǔn)標(biāo)的位置。每個對齊裝置還可包括 耦接到相應(yīng)陰影掩模上的驅(qū)動裝置，從而對陰影掩模12相對于基板 10的部分上的一個或多個準(zhǔn)標(biāo)進行x和y定位。該驅(qū)動裝置還可包 括用于移動陰影掩模12使其與基板10的部分接觸從而將材料沉積在 基板10上的裝置。 一旦在每個沉積真空腔4中完成了將材料沉積在 基板10上，驅(qū)動裝置可以將相應(yīng)陰影掩模12與接收到其中的基板 10的部分分離。這種分離避免了在基板10被推進到下一真空腔4、 20或22中時陰影掩模12仍與沉積在基板10上的材料接觸。
當(dāng)在沉積真空腔4-1中將半導(dǎo)體材料54沉積在電絕緣層52上 之后，沉積真空腔4-1中的基板10的部分被推進到沉積真空腔4-2 中。沉積真空腔4-2中的沉積源8-2被充入半導(dǎo)體兼容導(dǎo)電材料56， 在沉積真空腔4-2中通過陰影掩模12-2將該材料沉積在基板10的部 分上，以形成圖5所示的導(dǎo)電材料56的圖案。
如果基板10具有細(xì)長的形狀，從而基板10的部分可位于兩個 或多個沉積真空腔4中，將基板10的部分從沉積真空腔4-1向沉積 真空腔4-2的推進使得基板10的另一個部分被推進到了沉積真空腔 4-1中。以此方式，可同時或幾乎同時將不同沉積真空腔4中的材料沉積在基板10的不同部分上。類似地，可以在與一個或多個材料被 沉積在基板10的其他部分上的同時或幾乎同時來對沉積在基板10 的各個部分上的電子元件進行退火和測試。因此，圖l所示的示例生 產(chǎn)系統(tǒng)2具有能夠同時處理基板10的多個部分從而使處理基板10
的各個部分以生產(chǎn)完整電子器件的速率最大的優(yōu)點。
如圖3和5所示，將導(dǎo)電材料56的一部分沉積覆蓋在半導(dǎo)體材 料部分54-1到54-2的相對側(cè)或相對端，從而分別為晶體管74和70 定義源極結(jié)構(gòu)58-1和58-2以及漏極結(jié)構(gòu)60-1和60-2。
基板10的導(dǎo)電層50可根據(jù)實際應(yīng)用被用作電源母線或接地母 線。為此，如圖3所示，形成每個源極58的導(dǎo)電材料56可通過電絕 緣層52中的通孔或通路63來與基板10的導(dǎo)電層50進行電連通。用 于將每個源極58連接到導(dǎo)電層50的通路63可在將基板10引入任何 一個真空腔4、 20或22之前形成在電絕緣層52中。
在之前的描述中，將每個源極58描述成通過電絕緣層52中的 通路63連接到導(dǎo)電層50。然而，也可通過兩個或多個通路63來將 每個源極58連接到導(dǎo)電層50?？蛇x地，根據(jù)實際應(yīng)用，可通過電絕 緣層52中的兩個或多個通路63來將每個漏極60連接到導(dǎo)電層50， 同時通過電絕緣層52來使每個源極58與導(dǎo)電層50保持電絕緣。通 過電絕緣層52中的一個或多個通路63來將每個源極58或每個漏極 60連接到導(dǎo)電層50的決定是可以根據(jù)對形成在基板10上的電子元 件的使用意圖和/或?qū)?dǎo)電層50作為電源母線或接地母線使用意圖 通過本領(lǐng)域普通技術(shù)來容易地實現(xiàn)的。
當(dāng)完成了導(dǎo)電材料56的沉積時，沉積真空腔4-2中的基板10 的部分被推進到沉積真空腔4-3中。沉積源8-3被充入絕緣材料62， 將通過陰影掩模12-3以圖6所示的圖案來將該絕緣材料62沉積在位 于沉積真空腔4-3中的基板10的部分上。
如圖3和圖6所示，絕緣材料62可對通過在半導(dǎo)體材料54上 沉積導(dǎo)電材料56而形成的每個源極58和每個漏極60的全部或部分 進行覆蓋。另外，絕緣材料62還可覆蓋將包含用于每個源極58-2 的電源母線64的導(dǎo)電材料56的幾個部分。接著，將位于沉積真空腔4-3中的基板10的部分推進到沉積真 空腔4-4。沉積源8-4被充入導(dǎo)電材料66，將通過陰影掩模12-4以 圖7所示的圖案來將該導(dǎo)電材料66沉積在位于沉積真空腔4-4中的 基板10的部分上。覆蓋每個源極58-2向右延伸的部分以及與導(dǎo)電材 料部分66-4對齊的導(dǎo)電材料56的導(dǎo)電材料部分66-4完成了用于源 極58-2以及用于在源極58-2同一列中任何相似源極(未示出)的電 源母線64。對于每個源極58-2左側(cè)的導(dǎo)電材料部分66-3形成了用 于源極58-1以及用于在源極58-2同一列中任何相似源極(未示出) 的列母線68。導(dǎo)電材料部分66-2被連接到漏極60-1并覆蓋了絕緣 材料62的一部分，所述這部分對源極58-2和漏極60-2進行了部分 覆蓋并相對于半導(dǎo)體材料54-2平行形成一定間隔。導(dǎo)電材料部分 66-2定義了與源極58-2、漏極60-2 —起的柵極結(jié)構(gòu)69，絕緣材料 部分62-2和半導(dǎo)體材料54-2形成了晶體管70。
沉積在每個晶體管70上從而覆蓋了水平方向的絕緣材料部分 62-1的導(dǎo)電材料部分66-1形成了行選母線72。具體地，每個晶體管 70上的導(dǎo)電材料部分66-1在源極58-1、漏極60-1、半導(dǎo)體材料54-1 和絕緣材料62-l之間形成了對晶體管70的導(dǎo)通狀態(tài)進行控制的晶體 管74，所述晶體管70的柵極69與晶體管74的漏極60-1耦接。例 如，晶體管74-1控制晶體管70-1的導(dǎo)通狀態(tài)，而晶體管74-2控制 晶體管70-2的導(dǎo)通狀態(tài)。
在圖7中，每個圖示晶體管70之下的行選母線72被用于選擇 圖7所示之下的一行晶體管74。為此，要意識到圖7只示出了基板 10上僅具有用于形成兩對晶體管74和70的材料部分的一個單獨的 部分。為了簡化圖示，從圖4到圖9中省略了用于形成有源矩陣的其 他對晶體管74和70的材料。
繼續(xù)參考圖7，當(dāng)晶體管70-1和70-2上方的行選母線72被選 擇時，晶體管70-1和70-2響應(yīng)于提供到分別與晶體管74-1和74-2 的每一個相關(guān)的列母線68上的電壓。因此，當(dāng)將一個適當(dāng)?shù)碾妷禾?供到圖示晶體管70上方的行選母線72時，通過它們對應(yīng)列母線68 而被提供到晶體管74-1和74-2的源極58-1的電壓分別用來控制流入晶體管70-1和70-2的電流量。因此，在將適當(dāng)?shù)碾妷禾峁┑较鄳?yīng) 行母線時通過簡單地控制提供到每一列母線68上的電壓就可以選擇 性地控制流入每一晶體管70中的電流量。
要意識到導(dǎo)電材料部分66、源極58、漏極60以及絕緣材料部 分62的每個例子都定義了一個電容器。具體地，導(dǎo)電材料部分66 定義了絕緣材料部分62相對于源極58和漏極60以一定間隔保持的 電容器的第一極板，而源極58和漏極60單獨地或共同地定義了電容 器的第二極板。如果其漏電流相當(dāng)?shù)停瑒t每個電容器可被用作二進制 存儲元件。
參考圖8并結(jié)合參考圖1和圖3-7，在完成了對導(dǎo)電材料66的 沉積之后，沉積真空腔4-4中的基板10的部分被推進到沉積真空腔 4-5中。沉積源8-5被充入絕緣材料76，將按照圖8所示的圖案來將 該絕緣材料76沉積在先前所沉積到基板10的幾乎所有材料上。然而， 按照該圖案，晶體管70-1和70-2的漏極60-2的部分78-1和78-2 分別未被絕緣材料76所覆蓋。另外，每個電源母線64的輸入端與每 個列母線68的輸入端都未被絕緣材料76所覆蓋。此外，每個行母線 72的輸入端(未示出)也未被絕緣材料76所覆蓋。在圖4-9所示的 實施例中，每個電源母線64的輸入端和每個列母線68的輸入端在附 圖的頂部，并且每個行選母線72的輸入端(未示出)位于附圖的右 側(cè)。
當(dāng)完成了對絕緣材料76的沉積時，將沉積真空腔4-5中的基板 10的部分推進到沉積真空腔4-6。沉積源8-6被充入導(dǎo)電材料80， 將通過陰影掩模12-6以圖9所示的圖案來將該導(dǎo)電材料80沉積在基 板10上。如圖3所示，未在沉積真空腔4-5中沉積絕緣材料76的每 個部分78都定義了一個通路，導(dǎo)電材料80與相應(yīng)晶體管70的漏極 60-2通過該通路接觸。沉積在每個晶體管70上方的導(dǎo)電材料80定 義了一個輸出焊盤84，其電壓可由一對相關(guān)晶體管70和74(例如晶 體管70-1和74-1)來控制。
在沉積了導(dǎo)電材料80之后，將基板10的部分從沉積真空腔4-6 推進到退火真空腔20中，在這里， 一個或多個加熱元件24受控來將適當(dāng)?shù)耐嘶馃崽峁┙o在沉積真空腔4-1到4-6中被沉積在基板10的 部分上的材料。
上述沉積步驟和材料以及由此產(chǎn)生的電路是用于說明而非用于 限制本發(fā)明，因為沉積步驟、沉積材料和/或由此產(chǎn)生的電路都是本 領(lǐng)域技術(shù)人員能夠作出的設(shè)計選擇。例如，每個晶體管的源極和漏極 結(jié)構(gòu)可被顛倒，形成電路的TFT的構(gòu)造和互連可被修改為適應(yīng)實際應(yīng) 用，可以任何期望的方式為每個TFT單獨選址或者為TFT組選址。
可將每個列母線68和行選母線52耦接到合適的行和列控制邏 輯(未示出)，可以在將每個晶體管70和每個晶體管74形成在基板 上的同時來在基板IO上形成這些控制邏輯。具體地，每個陰影掩模 12可在其薄片16中包括一個適當(dāng)?shù)目讏D案14，其使得在將每個晶體 管70和每個晶體管74形成在基板IO上的同時能夠在基板IO上形成 適當(dāng)?shù)男泻土锌刂七壿嫛?br> 根據(jù)對其上形成有多個薄膜晶體管70和74的基板10的使用意 圖，退火處理可以是基板10的部分所接受的最后一個步驟。如果確 實如此，則將退火真空腔20的輸出耦接到存儲裝置38，該存儲裝置 38存儲了用于后續(xù)處理或使用的基板10的部分。然而，如果還要將 基板10的部分暴露于附加的處理步驟，例如在輸出焊盤84上形成 OLED的步驟，則可將基板10的部分推進到用于對其進行測試的測試 真空腔22中。
在測試真空腔22中，移動探針配件22的探針來根據(jù)需要與各 個母線64、 68和72以及輸出焊盤84進行接觸或非接觸。其后，在 測試裝置28通過探針配件26的控制下，可以對與每個輸出焊盤84 相關(guān)的晶體管對70和74進行測試。
如果測試失敗，未通過測試的基板10的部分因此被識別或被指 明，并且優(yōu)選地不接受進一步的處理。然而，如果測試通過，則基板 10的部分可如圖1所示接受進一步的處理。
在每個輸出焊盤接受沉積來形成OLED的情況下，基板10的部 分被從測試真空腔22推進到沉積真空腔4-7中。沉積源8-7被充入 諸如NPB (C44H32N2)之類的孔洞傳輸材料，該材料通過陰影掩模12-7來沉積從而在每個輸出焊盤84上形成一個如圖3所示的孔洞傳輸層。
在沉積了孔洞傳輸層90之后，將基板10的部分推進到沉積真 空腔4-8中。沉積源8-8包含兩個分開的可控沉積源來沉積發(fā)射極層 92，該發(fā)射極層92包括由一個沉積源沉積的發(fā)射極材料以及一個由 另一沉積源沉積的摻雜劑。在利用沉積源8-8來形成紅色發(fā)光二極管 的情況下，發(fā)射極材料可以為98%-99.5%重量的DCM ( C2:iH21N30)和 2%-0. 5%重量的DMQA (d(感)。在沉積期間，控制沉積源8-8來以 前述比例沉積發(fā)射極材料和摻雜劑，從而在每三個輸出焊盤84的孔 洞傳輸層90上形成發(fā)射極層92。
在將發(fā)射極層92沉積到足夠的程度之后，控制沉積源8-8來在 繼續(xù)發(fā)射極材料的沉積的同時完成對摻雜劑材料的沉積。這種對缺少 摻雜劑的發(fā)射極材料的連續(xù)沉積使得在如圖3所示剛沉積好的發(fā)射 極層92上形成一個電子傳輸層94。
當(dāng)完成了在沉積真空腔4-8中對材料的沉積時，使基板的部分 順序步進通過沉積真空腔4-9和4-10，其中，沉積源8-9和8-10以 上面討論的方法分別來沉積綠色和藍(lán)色發(fā)射極92和電子傳輸層94， 以在基板10的部分上形成多個三點色組。每個三點色組包括獨立可 控的紅色、綠色和藍(lán)色OLED。
為了形成綠色0LED，沉積源8-9共同沉積諸如Alq3(C27H18AlN303 ) 之類的發(fā)射極材料，以及諸如香豆素153 (ClfiH14F:,02)之類的摻雜劑， 以形成綠色發(fā)光二極管的發(fā)射極層92,并且只沉積發(fā)射極材料來形 成綠色發(fā)光二極管的電子傳輸層94。為了形成藍(lán)色OLED，沉積源8-10 共同沉積諸如PPD (C52H36N2)之類的發(fā)射極材料以及諸如二萘嵌苯 (C2。H12)之類的摻雜劑，以形成藍(lán)色發(fā)光二極管的發(fā)射極層92，并 且只沉積發(fā)射極材料來形成藍(lán)色發(fā)光二極管的電子傳輸層94。
在已經(jīng)將每個層90、 92和94沉積在輸出焊盤84上以形成上述 三點色組之后，將基板10的部分推進到沉積真空腔4-11。沉積源8-11 中充入了導(dǎo)電材料96，通過陰影掩模12-11將該材料沉積在每個OLED 的電子傳輸材料94的層上。具體地，提供導(dǎo)電材料96而不與形成了 每個輸出焊盤84的導(dǎo)電材料80的任何一個接觸，導(dǎo)電材料96被沉積作為形成在基板10的部分上的全部0LED的相鄰層。以此方式，只 需在很少的點上接觸該導(dǎo)電材料的相鄰層，從而為形成在基板10的 部分上的全部0LED形成陰極98。在此構(gòu)造中，導(dǎo)電材料96的層作 為形成在基板10的部分上的全部0LED的共同陰極結(jié)構(gòu)，而與每個 OLED相關(guān)的輸出焊盤84作為與其相關(guān)的0LED結(jié)構(gòu)的陽極結(jié)構(gòu)。如 果導(dǎo)電材料96只被沉積在與每個輸出焊盤84相關(guān)的OLED結(jié)構(gòu)上， 則有必要將導(dǎo)電材料96的每個沉積連接到一個適當(dāng)?shù)年帢O偏壓源。
在沉積了導(dǎo)電材料96之后，將基板10的部分從沉積真空腔4-11 推進到沉積真空腔4-12。沉積源8-12被充入密封材料98，通過陰影 掩模12-12將該材料沉積在基板10的部分上所沉積的材料的全部暴 露表面上。為了實現(xiàn)與母線64、 68、 72以及一個或多個導(dǎo)電材料96 的沉積的電接觸，不將密封材料98沉積在母線64、 68、 72的輸入端 上，也不將密封材料98沉積在一個或多個導(dǎo)電材料96的沉積的全部 或一部分上。構(gòu)成密封材料98來避免濕氣和顆粒物質(zhì)接觸到除已被 有意暴露的沉積材料的部分以外的任何沉積材料。
可選地，可將沉積真空腔4-12認(rèn)為是代表了布置在沉積真空腔 4-11與存儲真空腔39之間的多個順序連接的沉積真空腔。這些順序 連接的沉積真空腔的每一個都包括充有適當(dāng)材料的沉積源8，隨著基 板10的一個或多個部分被推進通過沉積真空腔，通過陰影掩模12 將這些材料沉積在基板10的一個或多個部分上來在其上形成保護 封。在圖1所示生產(chǎn)系統(tǒng)2的實施例中可被應(yīng)用的系統(tǒng)為加利福尼亞 圣何塞的Vitec Systems, Inc.公司設(shè)計的Guardian"'工具。該系統(tǒng) 包括順序連接的沉積真空腔，用來在基板10的部分上所沉積的材料 的幾乎全部暴露表面上沉積液態(tài)單體以創(chuàng)建顯微水平表面。隨后將液 態(tài)單體硬化(聚合)為固態(tài)聚合物薄膜。之后，沉積透明陶瓷的第一 層來創(chuàng)建第一阻擋層，并且施加第二聚合物層來保護該阻擋層并創(chuàng)建 第二水平表面。根據(jù)需要來重復(fù)這一阻擋層/聚合物的組合，直到實 現(xiàn)了期望的不滲透水平。
在前面的描述中，假設(shè)基板IO是連續(xù)的薄片。在沉積了密封材 料98之后，將沉積真空腔4-12中的基板10的部分推進以使切割器36將基板10的部分與基板10的剩余部分切斷。之后，將基板10的 切割部分存儲在存儲真空腔39的存儲裝置38中來進行后續(xù)處理或使 用?？蛇x地，可用接收巻(未示出)來代替切割器36，該接收巻在 基板IO從沉積真空腔4-12中被推進出來時對其進行接收。
上述通過陰影掩模12對材料進行的沉積是用于說明本發(fā)明而并 不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在單個沉積真空 腔4中可能需要不止一個陰影掩模12來形成所述圖案。例如，為了 以圖8所示方式來沉積絕緣材料76，可能要同時或一次一個地使用 兩個或多個陰影掩模12，從而來沉積所示的絕緣材料76的圖案。為 此，沉積真空腔4-5可包括用于對沉積所示絕緣材料76的圖案所需 的各個陰影掩模進行交換的裝置(未示出)?？蛇x地，沉積真空腔 4-5可被認(rèn)為是代表了布置在沉積真空腔4-4與沉積真空腔4-6之間 的多個順序連接的沉積真空腔。這些順序連接的沉積真空腔的每一個 都可包括一個充有絕緣材料76的沉積源，隨著基板10的所選部分穿 過而通過陰影掩模12將該絕緣材料76沉積在基板IO的所選部分上。 總的來說，由這些順序連接的沉積真空腔進行的對絕緣材料76的沉 積將生產(chǎn)出圖8所示的絕緣材料76的圖案。類似地，對導(dǎo)電材料66 的沉積以形成導(dǎo)電材料部分66-1到66-4可能需要多個可在沉積真空 腔4-4中互換定位的陰影掩模12，其每一個都具有不同的孔圖案14。 可選地，沉積真空腔4-4可被認(rèn)為是代表了布置在沉積真空腔4-3 與沉積真空腔4-5之間的多個順序連接的沉積真空腔。這些順序連接 的沉積真空腔的每一個都可包括一個充有導(dǎo)電材料66的沉積源8， 隨著基板10的所選部分穿過而通過陰影掩模之一將該導(dǎo)電材料66 沉積在基板10的所選部分上。總的來說，由這些順序連接的沉積真 空腔進行的對導(dǎo)電材料66的沉積將生產(chǎn)出圖7所示的導(dǎo)電材料66 的圖案。類似內(nèi)容應(yīng)用于任何其他陰影掩模12，其中的孔14的體積 對形成陰影掩模12的薄片16的結(jié)構(gòu)剛度有不利的影響。
在使用陰影掩模期間，為了減小或者避免或者消除在系統(tǒng)2的 每個陰影掩模12上來自每個沉積源8的材料的堆積，可以在所述沉 積真空腔4未用于沉積材料時一次或適當(dāng)次地把適當(dāng)壓力的反應(yīng)氣體導(dǎo)入裝有陰影掩模12的沉積真空腔4中。在每個沉積真空腔4中
的反應(yīng)氣體的適當(dāng)壓力理想地是在1毫托到500毫托之間。然而，這 并非看作是對本發(fā)明的限制，因為本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到選擇沉積
真空腔中的反應(yīng)氣體的壓力來以下面描述的方式實現(xiàn)陰影掩模的清 潔。
可以采用本領(lǐng)域公知方式激發(fā)(激勵)沉積真空腔4中的反應(yīng) 氣體，即，通過對反應(yīng)氣體施加適當(dāng)?shù)腞F電場，使得激發(fā)的反應(yīng)氣 體在稱為反應(yīng)離子腐蝕(RIE)的處理中有選擇地對沉積在陰影掩模 12上的(多個)材料進行腐蝕。理想地，根據(jù)對沉積在相應(yīng)的陰影 掩模12上的(多個)材料進行腐蝕的能力來選擇導(dǎo)入每個沉積真空 腔4中的反應(yīng)氣體，同時避免或使得形成陰影掩模12 (例如，可以 由但不限于Invar⑧或Kovar⑧構(gòu)成)本身的材料被腐蝕得最小。例如， CF4或者SF6(不限于)可用于對沉積或形成在基板10上的諸如Si02 (不限于)之類的絕緣體或者對沉積在基板10上的(多個)材料進 行RIE處理。諸如Cl2和BCl3的組合之類的氯型氣體可用于對沉積 在基板10上的諸如Cu和Al (不限于)之類的導(dǎo)電材料進行RIE處 理。最后，三甲胺、CH4/H2/Ar或者H2/Ar可用于對沉積在基板10 上的諸如CdS、 CdTe或者CdSe (不限于)之類的(多個)半導(dǎo)體材 料進行RIE處理。
RIE工作方式如下。將沉積真空腔4中的反應(yīng)氣體暴露于強大 的RF (射頻)電磁場，該電磁場把反應(yīng)氣體轉(zhuǎn)換成等離子。RF電磁 場的典型頻率為13.56兆赫，施加了幾百瓦特的功率。通過剝離電子， 產(chǎn)生等離子，振蕩的電場使得反應(yīng)氣體分子電離。在電場的每個周期 中，在沉積真空腔4中，電子被電加速或者減速，有時撞擊沉積真空 腔4和定位于其中的陰影掩模12 (或者沉積在陰影掩模上的材料) 的兩個內(nèi)表面。同時，響應(yīng)于RF電磁場，體積稍大的離子移動得相 對較少。當(dāng)電子被吸入沉積真空腔4的內(nèi)表面時，它們只是被饋送到 接地端，并沒有改變該系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，吸入沉積真空腔4 內(nèi)部的陰影掩模12 (或者沉積在陰影掩模上的材料)的電子使得陰 影掩模12堆積負(fù)電荷，該負(fù)電荷產(chǎn)生了很大的負(fù)電壓，例如，大約幾百伏特。由于正離子與自由電子相比密集度較高，等離子本身產(chǎn)生 了少量的正電荷。
因為存在大電壓差，正離子向陰影掩模12漂移，由于一個或多 個沉積事件之間在材料上的沉積，正離子與在陰影掩模12上沉積的 材料發(fā)生碰撞。這些離子與通過相應(yīng)的沉積源8沉積在陰影掩模表面 上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并且通過轉(zhuǎn)換它們中的一些動能來除去(濺 蝕) 一些材料。
理想地，RIE離子沿基本上垂直于陰影掩模12朝向沉積源8的 表面的方向行進，從而RIE產(chǎn)生了基本上各向異性的腐蝕輪廓。然 而，這并非看作是對本發(fā)明的限制。
原位進行對沉積在系統(tǒng)2的陰影掩模12上(即，在裝有陰影掩 模12陰影掩模12的真空腔4中)的材料的RIE處理的優(yōu)勢在于， 可以在無需從其真空腔4中去除陰影掩模12的情況下進行陰影掩模 12的這種清潔，從而保持了真空腔4內(nèi)用于在另一基板IO上進行接 下來的材料沉積的陰影掩模12的對齊。陰影掩模12的原位RIE清 潔的另一優(yōu)勢在于，相對于從系統(tǒng)2的沉積真空腔4中去除陰影掩模 12以用于清潔，從而至少需要從生產(chǎn)使用中臨時去除系統(tǒng)2的至少 一個真空腔4的方式，所述的原位RIE清潔增加了系統(tǒng)2的可用生 產(chǎn)時間。另一優(yōu)勢在于，RIE通?？梢杂脕硎龟幱把谀?2保持清潔， 從而由所述陰影掩模12產(chǎn)生的圖案更一致，并且可以避免一貫的較 長時間的RIE處理的次數(shù)。
參考圖IO和返回參考圖1，現(xiàn)在描述用于形成電子器件的生產(chǎn) 系統(tǒng)2(例如，陰影掩模汽相沉積系統(tǒng))的一個或多個陰影掩模的使 用和清潔方法。
首先，該方法從開始步驟100行進到步驟102。在步驟102，將 基板推進通過多個順序連接的沉積真空腔4。每個沉積真空腔4具有 定位于其中的至少一個材料沉積源8以及一個陰影掩模12。
該方法隨后行進到步驟104，其中，在沉積真空腔4為真空的情 況下通過定位于其中的陰影掩模12中的孔14的圖案在基板10上沉 積來自定位于每個沉積真空腔4的至少一個材料沉積源8的材料。該材料還被沉積在了陰影掩模12朝向材料沉積源8的表面上。
隨后該方法行進到步驟106，其中，在從沉積真空腔4中去除基 板后，將反應(yīng)氣體導(dǎo)入沉積真空腔4。
隨后該方法行進到步驟108，其中，在沉積真空腔4中使得反應(yīng) 氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模12上的材料。
針對圖1所示順序連接的沉積真空腔4的每個沉積真空腔，可 以根據(jù)需要重復(fù)步驟104-108。因此，例如，理想地，比起用來沉積 另一材料(例如，絕緣體或者導(dǎo)體)的每個陰影掩模，更經(jīng)常地對用 于沉積一種材料(例如，半導(dǎo)體材料)的每個陰影掩模進行清潔。同 樣或者可替換地，用于清潔每個陰影掩模的時間可以取決于其上沉積 的材料的量。因此，用于沉積大量材料的陰影掩模比用于沉積少量材 料的陰影掩模需要更經(jīng)常的RIE處理。
理想地，當(dāng)對陰影掩模上的材料進行RIE處理時，沒有在沉積 真空腔中放置基板以防止對其上沉積的任何材料，特別是通過陰影掩 模12的孔徑14沉積的材料進行無意的RIE處理。
返回參考圖10的流程圖，在步驟108—完成在陰影掩模上對材 料進行的RIE處理，該方法就行進到步驟110，進行判斷沉積真空腔 4是否用于在通過其中的另一基板10上沉積材料。如果出現(xiàn)了在移 動通過沉積真空腔4的另一基板10上的材料的額外沉積，則該方法 行進到步驟112，其中將其他基板推進通過順序連接的沉積真空腔。 隨后，針對推進通過圖1中順序連接的沉積真空腔4的每個額外基板， 根據(jù)需要重復(fù)步驟104-110和步驟112。
如果進行完步驟110的任何重復(fù)步驟，則確定不用在推進通過 圖1的沉積真空腔4的其他基板上沉積額外材料，該方法行進到停止 步驟114。
在結(jié)合圖1所示的順序連接的沉積真空腔4來描述圖10的流程 圖時，可以理解的是該方法對于單個沉積真空腔4的情況下也適用。
已經(jīng)參考優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明。在閱讀并理解前面具體說 明后，任何人將會做出各種變型和替換。本發(fā)明意在被理解為包括落 在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)的所有這些變型和替換。
權(quán)利要求
1. 一種對用于形成電子器件的陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的一個或多個陰影掩模的使用和清潔方法，該方法包括步驟(a)將基板推進通過多個順序連接的沉積真空腔，每個沉積真空腔具有定位于其中的至少一個材料沉積源以及一個陰影掩模；(b)在每個沉積真空腔為真空情況下通過定位于其中的陰影掩模在基板上沉積來自定位于沉積真空腔中的至少一個材料沉積源的材料，其中所述材料也被沉積在了陰影掩模朝向該材料沉積源的表面上；(c)接著在步驟(b)中所進行的在所述多個順序連接的沉積真空腔的至少一個沉積真空腔中的陰影掩模的表面上的材料沉積之后，在所述至少一個沉積真空腔中沒有基板時將反應(yīng)氣體導(dǎo)入所述至少一個沉積真空腔；以及(d)使得所述多個順序連接的沉積真空腔的所述至少一個沉積真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材料。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，進一步包括步驟(e) 推進另一基板通過多個順序連接的沉積真空腔；(f) 在每個沉積真空腔為真空情況下通過定位于其中的陰影掩模在另一基板上沉積來自定位于沉積真空腔中的至少一個材料沉積 源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材料沉積源的表面上；(g) 接著在步驟(f)中所進行的在所述多個順序連接的沉積 真空腔的至少一個沉積真空腔中的陰影掩模的表面上的材料沉積之 后，在所述至少一個沉積真空腔中沒有基板時將反應(yīng)氣體導(dǎo)入所述至 少一個沉積真空腔；以及(h) 使得所述多個順序連接的沉積真空腔的所述至少一個沉積 真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體去除了沉積在陰影掩模上的材料。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在步驟(d)中，電離后的氣 體通過濺射法去除了沉積在陰影掩模上的材料。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在步驟(c)中，所述至少一 個沉積真空腔中反應(yīng)氣體的壓力在1毫托到500毫托之間。
5. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料 是絕緣體時，反應(yīng)氣體是CF4或者SF6。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中絕緣體是Si02。
7. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料 是導(dǎo)電體時，反應(yīng)氣體是氯型氣體。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中氯型氣體包括Cl2和BCl3中的一個或者其組合；并且導(dǎo)電材料是Cu或者Al。
9. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中當(dāng)沉積在陰影掩模上的材料 是半導(dǎo)體時，反應(yīng)氣體是三甲胺、或CH4/H2/Ar的組合、或H2/Ar的 組合。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中半導(dǎo)體是CdS、 CdTe或者 CdSe。
11. 一種對用于形成電子器件的陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的一個或多個陰影掩模的使用和清潔方法，該方法包括步驟(a)將基板導(dǎo)入沉積真空腔，在該沉積真空腔中包括材料沉積源和陰影掩模；(b)在沉積真空腔為真空情況下通過陰影掩模在基板上沉積來 自材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材 料沉積源的表面上；(C)接著在步驟(b)中所進行的在沉積真空腔中的陰影掩模 的表面上的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒有基板時將反應(yīng)氣體 導(dǎo)入該沉積真空腔；以及(d) 使得該沉積真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體 去除了沉積在陰影掩模上的材料。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，進一步包括步驟(e) 將另一基板導(dǎo)入沉積真空腔；(f) 在沉積真空腔為真空情況下通過陰影掩模在另一基板上沉 積來自材料沉積源的材料，其中所述材料還被沉積在了陰影掩模朝向 該材料沉積源的表面上；(g) 接著在步驟(f)中所進行的在沉積真空腔中的陰影掩模 的表面上的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒有其他基板時將反應(yīng) 氣體導(dǎo)入該沉積真空腔；以及(h) 使得該沉積真空腔中的反應(yīng)氣體電離，從而電離后的氣體 去除了沉積在陰影掩模上的材料。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中在步驟(d)中，電離后的 氣體通過濺射法去除了沉積在陰影掩模上的材料。
14. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中在步驟(C)中，該沉積真 空腔中反應(yīng)氣體的壓力在1毫托到500毫托之間。
全文摘要
公開了一種連續(xù)陰影掩模汽相沉積系統(tǒng)的陰影掩模的原位腐蝕方法，其中將基板推進通過多個順序連接的沉積真空腔。隨著基板推進通過每個沉積真空腔，通過定位于沉積真空腔中的陰影掩模在基板上沉積來自定位于沉積真空腔中的材料沉積源的材料。該材料還被沉積在了陰影掩模朝向該材料沉積源的表面上。接著在至少一個沉積真空腔中的陰影掩模的表面上所進行的材料沉積之后，在該沉積真空腔中沒有基板時將反應(yīng)氣體導(dǎo)入該沉積真空腔。隨后使得反應(yīng)氣體電離以去除沉積在陰影掩模上的材料。
文檔編號B08B7/00GK101413124SQ20081016829
公開日2009年4月22日 申請日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月15日
發(fā)明者托馬斯·彼得·布羅迪, 約瑟夫·A·馬爾卡尼奧 申請人:阿德文泰克全球有限公司