專利名稱：清洗基板的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明所描述的涉及一種半導體制造儀器，尤其涉及一種用激光沖擊波清 洗基板的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
通常，半導體基板通過薄膜沉積過程、蝕刻過程和清洗過程制造。特別地， 清洗過程移除在半導體基板制造過程中產(chǎn)生的殘留物質(zhì)或微粒。
所述清洗過程可以分為濕清洗和干清洗。濕清洗利用化學試劑清洗基板。 在濕清洗中使用的大量化學試劑引起了環(huán)境污染。另外，濕清洗具有作業(yè)速度 低和設(shè)備體積大的局限。
同時，干清洗用等離子或激光清洗基板而不損壞基板。利用等離子的干清 洗是通過使得自由基(radical )與基板表面的污染物相作用而清洗基板。利用
更詳細的，利用激光的干清洗聚焦激光束以在基板上面產(chǎn)生沖擊波，并且 外來物質(zhì)被沖擊波移除。然而，當產(chǎn)生沖擊波的時候，氣化物質(zhì)(pl腿es)或 殘留光束也隨著沖擊波一起產(chǎn)生。氣化物質(zhì)或者殘留光束造成了對基板的損害。
為了避免上述限制，將防護罩部署在基板上面以防止氣化物質(zhì)或殘留光束 入射到基板上。然而，在清洗基板時，僅是基板隨著激光的焦點旋轉(zhuǎn)而防護罩是固定的，因此，這樣氣化物質(zhì)和殘留光束不斷的入射到防護罩上的特定部分。 這就導致了防護罩的損壞并且防護罩的碎片落到基板上而污染基板。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了 一種基板清洗設(shè)備，該基板清洗設(shè)備能夠防止基板清洗過程 中的基板再污染。
本發(fā)明還提供了 一種利用基板清洗設(shè)備的基板清洗方法。
本發(fā)明的實施例提供的基板清洗設(shè)備，包括支撐板，光束發(fā)生器，透鏡和 防護單元。
所述支撐板支撐基板并且能夠旋轉(zhuǎn)。所述光束發(fā)生器發(fā)射光，該光用于生 成清洗基板用的沖擊波。所述透鏡將從光束發(fā)生器發(fā)射的光聚焦到基板上面。 所述防護單元在透鏡的焦點和基板之間保護基板。所述防護單元鄰近焦點的一 部分被切換。
在一些實施例中，所述防護單元可以包括防護罩和移動單元。所述防護罩 可以相對地部署在基板上面，并且當從頂面觀察時，覆蓋了基板的一部分。所 述移動單元可以與防護罩嚙合并且移動該防護罩。
在本發(fā)明的其他實施例中，基板清洗設(shè)備包括支撐單元和清洗單元。 所述支撐單元支撐基板。所述清洗單元產(chǎn)生用于清洗基板的沖擊波并將所 述沖擊波集中到基板。這樣，所述清洗單元可以包括沖擊波發(fā)生器和防護罩。 所述沖擊波發(fā)生器利用激光束在基板上面產(chǎn)生沖擊波。所述防護罩在激光束集 中的焦點和基板之間面向基板。
在本發(fā)明的其他實施例中，基板清洗方法包括在支撐板上部署基板；在 基板上面部署防護罩；在鄰近所述防護罩的點上聚焦光來在基板上面產(chǎn)生沖擊 波；利用所述沖擊波清洗基板，同時切換防護罩臨近光聚焦的聚焦點的部分。


在此包括相關(guān)附圖用以提供對本發(fā)明的進一步理解，并且所述附圖結(jié)合到
本發(fā)明中，組成本il明書的一部分。所述附圖顯示了本發(fā)明示范性的實施例，
并且結(jié)合說明書，用來解釋本發(fā)明的原理。在這些圖中 圖l是依照本發(fā)明實施例的基板清洗設(shè)備的示意圖； 圖2是圖1中所描述的防護部件的頂部平面視圖； 圖3是顯示圖1的基板清洗設(shè)備清洗基板的過程的示意圖； 圖4和圖5是顯示切換圖3中所述防護罩的防護位置的過程的頂部平面視
圖6依照本發(fā)明另 一實施例的基板清洗設(shè)備的示意圖7是圖6中所描述的防護單元的頂部平面^^圖8是顯示圖6的基板清洗設(shè)備清洗基板的過程的示意圖；以及
圖9是圖8中所描述的防護單元的頂部平面視圖。 優(yōu)選實施例的詳細描述
本發(fā)明的優(yōu)選實施例將在下面參照相應(yīng)附圖進行更詳細地描述。
圖1是依照本發(fā)明實施例的基板清洗設(shè)備的示意圖，圖2是圖1中所描述 的防護部件的頂部平面一見圖。
參照圖1，依照本發(fā)明實施例的基板清洗設(shè)備301包括用于支撐基板的支撐 單元100和利用沖擊波清洗基板的清洗單元201。
更詳細的，所述支撐單元100可以包括支撐板110,轉(zhuǎn)軸120和固定軸130。 所述支撐板11G形成于圓盤狀，并且基板部署在所述支撐板11G的頂部表面。 這樣，基板的背面面對支撐板110。此外，支撐板110可以包括多個卡盤銷111 和多個支撐銷113。所述卡盤銷111設(shè)置在支撐板110的頂面來固定地支撐基板的外部周邊。所述支撐銷113放置在相對于所述卡盤銷111的內(nèi)側(cè)來支撐基板 的底面邊緣。
所述轉(zhuǎn)軸120和固定軸130安裝在支撐板11G的下面。轉(zhuǎn)軸120與支撐板 110嚙合并且連接到外部驅(qū)動單元(未示出)來旋轉(zhuǎn)。轉(zhuǎn)軸120的轉(zhuǎn)矩(旋轉(zhuǎn)力) 傳送給支撐板，并且所述支撐板110與轉(zhuǎn)軸12 0 —起旋轉(zhuǎn)。所述轉(zhuǎn)軸12 0與固 定軸130嚙合。所述固定軸130的第一末端部分與轉(zhuǎn)軸120嚙合并且支撐所述 轉(zhuǎn)軸120。然而，固定軸130不與轉(zhuǎn)軸120 —起旋轉(zhuǎn)。
同時，所述清洗單元201在支撐板110上產(chǎn)生沖擊波(SW)清洗基板。
參照圖1和圖2，所述清洗單元201包括光束產(chǎn)生單元210，透鏡220,和 防護單元230。所述光束產(chǎn)生單元210產(chǎn)生激光束并且將所述激光束集中到透鏡 220。所述透鏡220把激光束LB聚焦到支撐板11Q上。從而，在支撐板110上 面產(chǎn)生沖擊波。所述沖擊波在參照激光束聚焦的焦點FP的各個方向傳播，并且 與基板10的表面相碰撞來從基板移除外部物質(zhì)。
在一實施例中，所述透鏡220的焦點FP定位于支撐板110的中心部位并且 在基板清洗的過程中固定。
同時，所述防護單元230設(shè)置在支撐板11Q的上面。所述防護單元230保 護基板免受與沖擊波SW —起產(chǎn)生的氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB的污染。
更詳細的，所述防護單元230可以包括防護罩231，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元233,和 連接單元235。所述防護罩231安裝在支撐板110的上面并且空間上遠離所述支 撐板IIO。這樣，所述防護罩231的背面面對支撐板110的頂面。所述防護罩 231設(shè)置在支撐板11G和焦點FP之間來保護基板免受來自氣化物質(zhì)/殘留光束 P/RB的污染。
在一實施例中，所述防護罩231可以可位于焦點FP的一側(cè)并且成形于圓盤狀。此外，所述防護罩231可以由硅制成。
在此實施例中，所述防護罩231成形于圓狀。然而，本發(fā)明并不受此結(jié)構(gòu) 的限制。例如，所述防護罩231可以成形于橢圓形。
所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元233和連接單元235安裝在防護罩231上面。所述旋轉(zhuǎn) 驅(qū)動單元233是提供轉(zhuǎn)矩給防護罩231的步進電機。所述連接單元235與防護 罩231的頂面嚙合，并且將防護罩231連接到旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元233。
所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元233的轉(zhuǎn)矩經(jīng)過連接單元2 35傳送給防護罩231。所述防 護罩231在所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元233的轉(zhuǎn)矩的作用下反向旋轉(zhuǎn)。在一實施例中， 所述防護罩231的旋轉(zhuǎn)角度小于180° 。
更詳細的，所述防護罩231包括第一到第四防護區(qū)域231a, 231b， 231c和 231d。所述第一到第四防護區(qū)域231a， 231b， 231c和231d通過^黃越所述防護 罩231的中心點的線定義。例如，所述防護區(qū)域231a， 231b, 231c和231d成 形于弧狀。
在這個實施例中，第一到第四防護區(qū)域231a， 231b， 231c和231d具有相 同的中心角e,該中心角6與防護罩231的旋轉(zhuǎn)角是相同的。因此，第一到第 四防護區(qū)域231a, 231b， 231c和231d的數(shù)量會#4居防護罩231的旋轉(zhuǎn)角6而 變化。所述防護罩231的旋轉(zhuǎn)角6由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元233的旋轉(zhuǎn)運動所決定。也 就是說，如圖2中所示，當防護罩231的旋轉(zhuǎn)角是45。時，所述防護罩被分為 四個防護區(qū)域231a， 231b, 231c和231d并且每個防護區(qū)域231a， 231b， 231c 和231d的中心角是45° 。
在基板清洗過程中，所述45。，第一到第四防護區(qū)域231a, 231b, 231c和 231d之一》文置在鄰近焦點的位置。在一實施例中，/人頂面7見察時，鄰近焦點FP 的防護區(qū)域被部署，這樣一條把中心角6對分的線被定位在與焦點相同的線上。由于在基板清洗過程中，防護罩231在旋轉(zhuǎn)角6的作用下反向旋轉(zhuǎn)，氣化
物質(zhì)/殘留光束P/RB主要入射在鄰近焦點FP的防護區(qū)域。如上所述，鄰近焦點 的防護區(qū)域可能被損壞。為了防止此現(xiàn)象，防護罩2 31周期性地變換鄰近焦點 的防護區(qū)域。
如上所述，由于鄰近焦點的防護區(qū)域周期性地變換，防止了防護罩231上 氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB在特定部分的集中。結(jié)果，清洗單元201阻止了防護 罩231的損壞，并且阻止了基板的再污染。因此，提高了清洗效率。
在這個實施例中，在基板清洗過程中防護罩231在旋轉(zhuǎn)角6的作用下反向 旋轉(zhuǎn)。然而，防護區(qū)域可以周期性地變換而不反向旋轉(zhuǎn)防護罩231。例如，第一 防護區(qū)域231a第一個部署在鄰近焦點FP的位置并且執(zhí)行基板的清洗。當預(yù)定 的時間到時，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元233旋轉(zhuǎn)防護罩231,這樣第二防護區(qū)域231b在基 板清洗被執(zhí)行后被部署在鄰近焦點FP的位置。如上所述，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元233僅 在鄰近焦點的防護區(qū)域變換時旋轉(zhuǎn)。
此外，在這個實施例中，防護罩231可以由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元233旋轉(zhuǎn)或者線 性移動。
同時，所述清洗單元201進一步包括吸收單元240,用于吸引基板上的外來 物質(zhì)并且將所吸引的外來物質(zhì)排放到外側(cè)。所述吸收單元240部署在支撐板110 上面來吸收被沖擊波SW從基板分離的外來物質(zhì)(例如，微粒)。
下面將參照相應(yīng)附圖描述用所述清洗單元201的基板清洗方法。
圖3是顯示圖1的基板清洗設(shè)備清洗基板的過程的示意圖，圖4和圖5是 顯示切換圖3中所述防護罩的防護位置的過程的頂部平面視圖。
參照圖3和圖4，首先將基板10放置在支撐板110上，并且在支撐板110 上的基板10通過旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)軸120而旋轉(zhuǎn)。所述光束發(fā)生器210產(chǎn)生激光束LB并且將所述激光束LB集中到透鏡220。 所述透鏡220把激光束LB聚焦在基板10的頂面來產(chǎn)生沖擊波SW。當從頂面觀 察時，所述透鏡220的焦點FP位于中心點。
所述沖擊波與基板10的表面相碰撞以將外來物質(zhì)從基板10分離。吸收單 元2 4 0吸引在用沖擊波SW清洗基板10的過程中被分離成4鼓粒形式的外來物質(zhì) PC,并且將所吸引的外來物質(zhì)排放到外側(cè)。
在基板10的清洗過程中，防護罩231保護基板10免受氣化物質(zhì)/殘留光束 P/RB的污染。
更詳細的，當從頂部觀察時，當覆蓋基板IO的一部分時，防護罩231部署 在焦點FP的一側(cè)。此外，防護罩231空間上遠離所述支撐板10,并且該防護罩 的背面背對基板IO。在清洗基板的過程中，防護罩231以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)角度6反 向旋轉(zhuǎn)，以保護基板10免受氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB的污染。這樣，臨近焦點 FP的防護區(qū)域周期性的相繼轉(zhuǎn)換。
例如，當要被清洗的基板被替換時，防護罩231可轉(zhuǎn)換臨近焦點FP的防護 區(qū)域。也就是說，如圖4所示，清洗單元201利用臨近焦點FP設(shè)置的防護罩231 的防護區(qū)域231a執(zhí)行放置于支撐板110上的基板10的清洗過程。然后，如圖5 所示，當新基板20放置于支撐板110上時，清洗單元201利用臨近焦點FP設(shè) 置的防護罩231的防護區(qū)域231b執(zhí)行放置于支撐板110上的基板20的清洗過 程。
防護區(qū)域的轉(zhuǎn)換，可在同一基板的清洗過程中通過預(yù)定定時單元執(zhí)行，或 是根據(jù)累積的清洗的基板數(shù)量執(zhí)行。
圖6依照本發(fā)明另一實施例的基板清洗設(shè)備的示意圖，圖7是圖6中所描 述的防護單元的頂部平面視圖。參考圖6和圖7，本發(fā)明實施例的基板清洗設(shè)備302可包括用于支撐基板的 支撐單元IOO,以及用于產(chǎn)生清洗基板的沖擊波SW的清洗單元202。由于支撐 單元100具有與圖1所示的支撐單元IOO相同的結(jié)構(gòu)，為它們指定了相同的附 圖標記，并且在此省略詳細的描述。
清洗單元202利用激光束LB產(chǎn)生沖擊波。清洗單元202可包括用于產(chǎn)生激 光束LB的光束發(fā)生器210，用于聚焦來自于光束發(fā)生器210的激光束的透鏡 220，以及用于保護基板免受氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB的污染的防護單元。
透鏡將激光束LB聚焦到支撐單元100上，因此沖擊波SW就可在所述支撐 單元100上生成。在一實施例中，透鏡220的焦點位于支撐單元100的支撐板 110的中部。在利用沖擊波SW進行基板沖洗的過程中，焦點是固定的。
防護單元250保護基板免受與沖擊波一起生成的氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB 的污染。更詳細的，防護單元250可包括防護罩251,旋轉(zhuǎn)單元253，固定單元 255以及驅(qū)動單元257。
防護罩251設(shè)置在支撐板110上，并且所述防護罩251的背面背對支撐板 110。所述防護罩251設(shè)置在支撐板110和焦點FP之間。在一實施例中，防護 罩251位于焦點的一側(cè)并且成型于盤狀。所述防護罩251可由硅制成。所述防 護罩251成形于圓形?？墒?，本發(fā)明并不受此結(jié)構(gòu)的限制。例如，所述防護罩 251可成形于橢圓形。
所述防護罩251阻止氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB入射到支撐板110上的基板 上。也就是說，氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB參考焦點分布并且向支撐板110移動， 從而向臨近支撐板的防護罩251移動。
所述旋轉(zhuǎn)單元253嚙合到防護罩251的頂部，并且進一步的嚙合到固定單 元255以能夠旋轉(zhuǎn)。所述旋轉(zhuǎn)單元253連接到驅(qū)動單元257并且將來自于驅(qū)動
12單元257的轉(zhuǎn)矩傳送到防護罩251。這樣，固定單元255并不與旋轉(zhuǎn)單元253 — 起旋轉(zhuǎn)。因此，可防止氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB在防護罩251的特定區(qū)域的集 中。
也就是it氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB主要地入射到臨近焦點FP的防護罩251 的 一部分。因此，當清洗基板而旋轉(zhuǎn)防護罩251時，臨近焦點FP的防護罩2 51 的一部分不斷的變化，因此，氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB入射的部分可被分散。
如上所述，防護單元通過旋轉(zhuǎn)防護罩251而防止了氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB 在防護罩251的特定區(qū)域的集中。相應(yīng)地，防護單元250防止了防護罩251的 損壞，并且因此阻止了由基板的損壞而引起的基板的再污染。因此，提高了清 洗效率。
在此實施例中，在基板的清洗過程中，防護罩保持在一個方向上的旋轉(zhuǎn)。 可是，在基板的清洗過程中，這是可能的，即驅(qū)動單元257不是連續(xù)的旋轉(zhuǎn)防 護罩251,而是以小于360。的角度在每一預(yù)定單元時間旋轉(zhuǎn)防護罩，以周期性 的變換臨近焦點FP的防護罩。
同時，清洗單元202可進一步包括用于吸收被沖擊波由基板分離的外來物 質(zhì)的吸收單元240。由于吸收單元240與圖1中的吸收單元240相同，為它們分 配了相同的附圖標記，并且在此省略詳細的描述。
下面將結(jié)合相應(yīng)附圖描述利用清洗單元202的基板清洗方法。
圖8是顯示圖6的基板清洗設(shè)備清洗基板的過程的示意圖，圖9是圖8中 所描述的防護單元的頂部平面視圖。
參考圖8和圖9，基板10首先放置在支撐板110上，并且支撐板110上的 基板10通過旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸120而旋轉(zhuǎn)。
光束發(fā)生器210產(chǎn)生激光束LB,并且將激光束LB集中到透鏡220上。所述透鏡220將光束LB聚焦到基板10上以生成沖擊波SW。當從頂部觀察時，透鏡 220的焦點FP位于中點上。
沖擊波與基板10的表面相碰撞以從基板10上分離外來物質(zhì)。吸收單元240 吸收在基板清洗過程中用沖擊波SW分離的粒子形式的外來物質(zhì)PC，并且將吸收 的外來物質(zhì)排放到外側(cè)。
在基板IO的清洗過程中，防護罩251保護基板10免受氣化物質(zhì)/殘留光束 P/RB的污染。
更詳細的，當^a貞部觀察時，當覆蓋基板IO的一部分時，防護罩251設(shè)置 在焦點FP的一側(cè)。所述防護罩251空間上遠離所述支撐板10,并且該防護罩的 背面背對基板10。在利用沖擊波清洗基板的過程中，防護罩251保持一個方向 上的旋轉(zhuǎn)，而防止氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB入射到基板10上。
如上所述，由于基板10的清洗是在防護罩251的旋轉(zhuǎn)過程中實現(xiàn)，因此可 防止氣化物質(zhì)/殘留光束P/RB在特定區(qū)域的集中。相應(yīng)地，防護單元202防止 了防護罩251的損壞，并且因此阻止了由防護罩251的損壞而引起的基板的再 污染。
上述公開的目標應(yīng)被說明性地考慮，并且不受限制，并且所附權(quán)利要求期 望覆蓋所有這種修改、改進和其它實施例，其落入本發(fā)明的精神和范圍。因此， 對法律允許的最大范圍，本發(fā)明的范圍將由下述權(quán)利要求及其等價物的允許的 最寬泛說明確定，并且不應(yīng)由前述詳細描述限制或局限。
權(quán)利要求
1、一種基板清洗設(shè)備，包括支撐板，用于支撐基板，所述支撐板可以旋轉(zhuǎn)；光束發(fā)生器，用于發(fā)射光，所述光用來生成清洗基板的沖擊波；透鏡，用于將由所述光束發(fā)生器發(fā)送的光聚焦到所述基板上；用于保護基板的防護單元，位于透鏡的焦點和基板之間，所述防護單元臨近焦點的一部分可以切換。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗設(shè)備，其中所述防護單元包括 相對的設(shè)置在所述基板上的防護罩，當從頂部觀察時，所述防護罩覆蓋了基板的一部分；以及與所述防護罩嚙合并移動所述防護罩的移動單元。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板清洗設(shè)備，其中所述防護罩成形于圓形或橢 圓形。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板清洗設(shè)備，其中所述防護罩被橫越所述防護 罩的中心點的至少一條線分成多個防護區(qū)域，所述防護區(qū)域的中心角彼此相 同，并且所述中心角與所述防護罩的旋轉(zhuǎn)角度相同。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述基板清洗設(shè)備，其中，所述移動單元包括 與所述防護罩的頂部表面嚙合和的連接單元；以及 與所述連接單元嚙合并旋轉(zhuǎn)所述防護罩的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述基板清洗設(shè)備，其中，所述移動單元包括 與所述防護罩的頂部表面嚙合并旋轉(zhuǎn)所述防護罩的旋轉(zhuǎn)單元；以及 與所述旋轉(zhuǎn)單元嚙合的固定單元。
7、 根據(jù)權(quán)利要求2所述基板清洗設(shè)備，其中，當從頂部觀察時，所述防護 罩位于通過橫跨基板的中心點對分所述基板的線的一側(cè)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求2所述基板清洗設(shè)備，進一步包括在所述基板上臨近所 述防護單元并用于吸收粒子的吸收單元。
9、 一種基板清洗設(shè)備，包括 支撐基板的支撐單元；以及生成用來清洗基板的沖擊波并將所述沖擊波集中到基板上的清洗單元，其 中，所述清洗單元包括利用激光束在基板上生成沖擊波的沖擊波生成器；以及 在激光束聚焦的焦點和基板之間面向基板的防護罩，所述防護罩可以旋轉(zhuǎn)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述基板清洗設(shè)備，其中，當從頂部觀察時，所述防 護罩覆蓋了基板的一部分，并且所述防護罩成形于圓形或橢圓形。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述基板清洗設(shè)備，其中，當從頂部觀察時，所述防 護罩位于通過橫跨基板的中心點對分所述基板的線的一側(cè)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述基板清洗設(shè)備，進一步包括在所述基板上臨近 所述防護單元并用于吸收粒子的吸收單元。
13、 一種基板清洗方法，包括 將基板放置在支撐板上； 將防護罩放置在所述基板上；將光聚焦到臨近所述防護罩的點上以在基板上生成沖擊波；以及 當變換所述防護罩的臨近光聚焦的焦點的部分時，利用所述沖擊波清洗所 述基板。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板清洗方法，其中在基板的清洗過程中，所 述防護罩旋轉(zhuǎn)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板清洗方法，其中所述防護罩被橫越所述防護罩中心點的至少一條線分成多個防護區(qū)域，所述防護區(qū)域的中心角彼此相 同，并且所述中心角與所述防護罩的旋轉(zhuǎn)角度相同；以及所述基板的清洗過程中包括當在每個預(yù)定單元時間切換臨近所述焦點的 防護區(qū)域時，以與所述防護區(qū)域的中心角相同的角度反向旋轉(zhuǎn)防護罩。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板清洗方法，其中，在基板清洗的過程中， 所述防護罩保持在一個方向上旋轉(zhuǎn)。
17、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板清洗方法，其中，基板的清洗過程包括向 上吸收通過沖擊波由基板上分離的外來物質(zhì)，并將吸收到的外來物質(zhì)排放到外 側(cè)。
全文摘要
基板處理設(shè)備包括支撐基板的支撐板和設(shè)置在基板上用來保護基板的防護單元。所述防護單元臨近用于生成沖擊波的光聚焦的焦點的一部分被轉(zhuǎn)換。因此，所述基板清洗設(shè)備阻止了與沖擊波一起生成的氣化物質(zhì)/殘留光束在所述防護單元特定部分的集中，并且進一步的防止了由防護單元的損壞而引起的基板再污染。
文檔編號B08B7/00GK101577214SQ20081017655
公開日2009年11月11日 申請日期2008年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月6日
發(fā)明者李世原, 趙重根, 鄭載正 申請人:細美事有限公司