專利名稱：：使用氧氣和/或水氣體混合物去除氣載分子污染物的方法使用氧氣和/或水氣體混合物去除氣載分子污染物的方法本申請是2006年1月26日提交的申請?zhí)枮?00480021874.X的中國發(fā)明專利申請的分案申請。相關(guān)申請本申請是2003年10月10日遞交的美國申請第10/683,903號的延續(xù)部分，該專利要求了2003年6月2日遞交的美國臨時申請第60/475,145號的利益。本申請也是2003年10月10日遞交的美國申請第10/683,904號的延續(xù)部分，該專利要求了2003年6月2日遞交的美國臨時申請第60/475，145號的利益。上述申請的全部教導(dǎo)內(nèi)容引入本文作為參考。
背景技術(shù)：
：在高純產(chǎn)品例如打算用于半導(dǎo)體襯底的硅片的制造中或者在半導(dǎo)體制造的光刻步驟中，需要維持高度的清潔。產(chǎn)品自身必須是清潔的，整個制造工藝中其周圍的氣氛必須是清潔的，并且制造中使用的各步驟和設(shè)備必須不能對清潔有不利影響。公知在將微小尺寸的電路和組件結(jié)合入半導(dǎo)體芯片中時，沉積到芯片表面上的甚至是極小的污染物顆粒也會毀壞芯片。通常，制造期間由于系統(tǒng)污染造成的晶片和芯片的損失率成為總生產(chǎn)的相當大的部分。晶片和芯片的制造商已經(jīng)付出了大量且持續(xù)的努力來提高其制造設(shè)備("febs")的清潔，包括獲得高純度的制造和工藝材料及氣體。這種努力在過去通常是成功的，因為已經(jīng)獲得了由污染物水平定義的氣體純度在百萬分之一(ppm)并且甚至在十億分之一(ppb)范圍內(nèi)的高純氣體。通常，工藝系統(tǒng)清潔度的提高與芯片的組件密度的增加和芯片組件和電路尺寸的降低是相對應(yīng)的。但是，最近隨著芯片組件的尺寸繼續(xù)降低和組件密度繼續(xù)增加，現(xiàn)有技術(shù)實現(xiàn)這種氣體相應(yīng)改進的能力已經(jīng)嚴重地不堪重負。在向198納米和157納米半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展中，產(chǎn)品容許污染物的能力已經(jīng)極大降低，并且先前足夠純度的工藝氣體不再適用。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)先前實現(xiàn)了充分提高這種氣體純度的按比例放大(Scale-up)技術(shù)在這些產(chǎn)生更低的納米級技術(shù)的那些"超高純度"(UHP)系統(tǒng)中是無效的。此外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在更小IC尺寸上先前認為是不重要的污染物成為主要的污染物，并且已經(jīng)發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)的氣體在去除這種污染物材料方面是無效的。超高純度產(chǎn)品和工藝設(shè)備對可以降低產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)率的氣載分子污染物(AMC)敏感。AMC通常包括，但不局限于SOx、NOx、硅氧烷、有機磷化合物、氨、濕氣、氧氣和烴(>4個碳原子)。對于本發(fā)明，認為氧氣和濕氣不是AMC。在半導(dǎo)體工業(yè)晶片的生產(chǎn)中，有三個主要的污染物源晶片存儲容器(例如前端開口式晶片傳送盒(Front-OpeningUnifiedPod)或FOUP)自身、隨著晶片在設(shè)備間移動進入容器內(nèi)的清潔室空氣和在各個制造工藝期間可能吸附污染物的晶片自身。已經(jīng)發(fā)展了在制造工藝中充分降低水和氧氣污染物的方法。另外，己經(jīng)發(fā)展了去除晶片與可能在晶片表面上形成的水和氧氣的反應(yīng)產(chǎn)物(例如硅的氧化物)的方法。但是，還沒有發(fā)展有效去除大量氣載污染物及其在晶片上形成的反應(yīng)產(chǎn)物的技術(shù)。各種污染物具有不同的作用。例如，在光刻中簡單的烴可能在透鏡組件上凝結(jié)并且導(dǎo)致透射損失。重?zé)N和顯著濃度的輕烴不可逆地沉積到光學(xué)表面上并且被紫外(UV)曝光石墨化。按照相似的方式，含硅有機物質(zhì)，例如硅氧烷在UV照射下反應(yīng)，產(chǎn)生會折射并吸收入射光的Si02晶粒。其它的AMC，例如NOx和SOx(典型地其中0<x《3)，引起光學(xué)混濁。堿性的AMC(例如胺)除了引起光學(xué)混濁外，還會猝滅光酸(photoacids)。在光刻前后，氧氣和水對于生產(chǎn)工藝是有害的并且在現(xiàn)有技術(shù)中典型地認為是AMC。最近，Veillerot等已經(jīng)報道當晶片在氣體氧化物和多晶硅的沉積步驟之間在連續(xù)的清洗氣流中儲備時，大氣壓下的烴污染物對于4.5納米柵氧化層的完整性具有有害的影響(SolidStatePhenomena,第92巻，2003年，第105-108頁)。嘗試降低這種污染物的途徑包括工業(yè)規(guī)?；瘜W(xué)過濾清潔室空氣、從開口變成密閉的晶片盒(cassettes)，以及在儲備和傳輸期間氮氣清洗晶片。氮氣清洗UHP組件，例如閥和氣體輸送管已經(jīng)實行了許多年，并且對于去除氧和水是有效的。但是，工業(yè)規(guī)模使用氮氣清洗大體積的IC工藝設(shè)備和大量的晶片盒是昂貴的并有嚴重窒息的危險。另外，懷疑氮氣清洗烴污染的表面在去除烴方面不是完全有效的。分析氣流中污染物的方法是公知的。圖1是(現(xiàn)有技術(shù))是與氣相色譜儀氣體分析系統(tǒng)120聯(lián)用的雙稀釋系統(tǒng)100的示意流程圖。包含質(zhì)量流量控制器106、108、110和112的雙稀釋系統(tǒng)100能夠用載氣102精確地稀釋標準氣114至6個數(shù)量級(106)。使用系統(tǒng)100可以將通常獲得的百萬分之一范圍內(nèi)的標準氣有效地稀釋至萬億分之一(ppt)范圍。為了校準色譜儀126的響應(yīng)，通過將稀釋系統(tǒng)的出口H6與色譜儀氣體分析系統(tǒng)120的入口連接，可以使稀釋系統(tǒng)100與氣相色譜系統(tǒng)120聯(lián)用。在注入氣相色譜儀126前，冷肼124積聚樣品中的凝結(jié)的烴。按照這種方式，色譜儀的有效靈敏度可以增加并且可以可靠地測量ppt級的烴濃度。圖2(現(xiàn)有技術(shù))是與稀釋系統(tǒng)100聯(lián)用的分析系統(tǒng)120的信號響應(yīng)面積204對多種烴分子的樣品烴濃度202的校準曲線圖200，其中所述不同烴分子包括苯206、甲苯208、乙苯210、間,對-二甲苯212、鄰二甲苯214、第二甲苯216。數(shù)據(jù)200表明峰面積204和濃度202之間在幾乎6個數(shù)量級上成線性響應(yīng)關(guān)系，最小靈敏度為1ppt。圖3(現(xiàn)有技術(shù))是對于包含苯、甲苯、乙苯和二甲苯每種均為lppt的樣品，時間302對氣相色譜儀126檢測器信號304的圖300。此處，可以看出混合物中每種烴lppt水平的濃度導(dǎo)致苯306、甲苯308、乙苯310和二甲苯312明顯分辨的峰。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明一般地說旨在提供從表面上去除氣載分子污染物(AMC)的方法，該方法包括用凈化的清洗氣接觸至少一部分表面和所述表面的周圍區(qū)域，其中該清洗氣包含氧氣、水或其組合，并且該凈化的清洗氣的AMC濃度低于約十億分之一(ppb)體積；通過將一部分來自所述表面的污染物轉(zhuǎn)入所述凈化的清洗氣中產(chǎn)生污染的清洗氣；以及從所述表面上除去所述污染的清洗氣。本發(fā)明的目的是提供從通常在器件內(nèi)的表面上去除氣載分子污染物(AMC)的方法。在一個實施方案中，該方法包含向器件內(nèi)部引入包含氧氣并且優(yōu)選AMC濃度低于十億分之一體積的清洗氣；使至少一部分表面與該清洗氣接觸；通過將一部分來自所述表面的分子污染物轉(zhuǎn)入所述清洗氣中產(chǎn)生污染的清洗氣；以及從所述器件上除去所述污染的清洗氣。典型地繼續(xù)或重復(fù)上述步驟，直至所述污染的清洗氣中污染物濃度降低至預(yù)定水平，優(yōu)選低于十億分之一體積，更優(yōu)選低于100ppt體積污染物。另外，含氧的清洗氣還包括濕氣(即水)。在本發(fā)明另一個實施方案中，所述方法包含凈化含有氧氣且其濃度在1和25體積％之間、并且優(yōu)選分子污染物濃度小于lppb的清洗氣；將凈化的清洗氣引入器件內(nèi)部；使至少一部分表面與該凈化的清洗氣接觸；通過將一部分來自所述表面的分子污染物轉(zhuǎn)入該凈化的清洗氣中產(chǎn)生污染的清洗氣；以及從所述器件上除去所述污染的清洗氣。該方法典型地還包括繼續(xù)上述步驟，直至所述污染的清洗氣中污染物濃度降低至所需水平，優(yōu)選低于約1ppb，更優(yōu)選低于約100ppt。另外，含氧的清洗氣可以包含濃度介于約100ppm至約2體積％的水。在本發(fā)明的第三個實施方案中，所述方法包含凈化總混合物中分子污染物濃度小于1ppb的含水清洗氣(例如濃度介于約100ppm至約2體積％之間的濕氣)；將凈化的清洗氣引入器件內(nèi)部；使至少一部分表面與該凈化的清洗氣接觸；通過將一部分來自所述表面的分子污染物轉(zhuǎn)入該凈化的清洗氣中產(chǎn)生污染的清洗氣；以及從所述器件上除去所述污染的清洗氣。該方法典型地還包括繼續(xù)上述步驟，直至所述污染的清洗氣中污染物濃度降低至所需水平，優(yōu)選低于約lppb污染物體積，更優(yōu)選低于約100ppt污染物。本文公開的方法特別適用于從表面例如超高純度氣體線路的內(nèi)表面和氣體線路中存在的閥的內(nèi)表面，以及不銹鋼室內(nèi)表面(例如用來制造硅片的室)去除污染物。圖1是與氣相色譜儀氣體分析系統(tǒng)聯(lián)用的雙稀釋管線的示意流程圖。圖2是圖1設(shè)備的校準圖，表示了信號響應(yīng)面積對各種烴分子的樣品烴濃度的曲線圖。圖3是對于包含各種烴組分且每種為lppt的樣品的氣相色譜儀檢測器信號對時間的圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實施方案的試驗裝置的示意流程圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實施方案的晶片室的截面示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明實施方案的第一次清洗過程的工藝框圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明實施方案的第二次清洗過程的工藝框圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明實施方案的第三次清洗過程的工藝框圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明實施方案，對于離開圖5的晶片室(室中沒有晶片)的兩種清洗氣混合物中烴濃度對時間的圖。圖IO是根據(jù)本發(fā)明實施方案，對于離開圖5的晶片室(室中有硅10片)的兩種清洗氣混合物中烴濃度對時間的圖。圖11是圖10的放大圖，根據(jù)本發(fā)明實施方案更詳細地表示了從10小時至25小時的時間間隔。圖12是根據(jù)本發(fā)明實施方案，對于離開圖5的晶片室(室中有硅片)的三種清洗氣混合物中間二甲苯和對二甲苯濃度對時間的圖，其中清洗氣包含0%、1%和20%氧氣。圖13是圖12的放大圖，根據(jù)本發(fā)明實施方案更詳細地表示了從5小時至25小時的時間間隔。圖14是根據(jù)本發(fā)明實施方案，對于離開圖5的晶片室(室中有硅片)的五種清洗氣混合物中烴濃度對時間的圖，其中清洗氣包含0%、0.001%、0.01%、0.1%禾131.0%氧氣。圖15是圖12的放大圖，根據(jù)本發(fā)明實施方案更詳細地表示了從10小時至24小時的時間間隔。圖16是在各種溫度下使用N2或者XCDA將乙苯水平降低至10ppt所需的時間的圖。圖17是在各種溫度下使用N2或者XCDA將間二甲苯和對二甲苯水平降低至10ppt所需的時間的圖。圖18是在各種溫度下使用N2或者XCDA將鄰二甲苯水平降低至10ppt所需的時間的圖。圖19是在各種氧氣濃度下將乙苯水平降低至10ppt所需的時間的圖。圖20是在各種氧氣濃度下將間二甲苯和對二甲苯水平降低至10ppt所需的時間的圖。圖21是在各種氧氣濃度下將鄰二甲苯水平降低至10ppt所需的時間的圖。圖22是實施例5中所述的濕氣清洗實驗的示意流程圖。圖23是對于離開圖5的晶片室的四種清洗氣混合物中乙苯濃度對時間的圖，其中清洗氣包括含20°/。氧氣的氮氣、100%氮氣、含0.5%水的氮氣和含lOOppm水的氮氣。圖24是對于離開圖5的晶片室的四種清洗氣混合物中組合的鄰二甲苯濃度對時間的圖，其中清洗氣包括含20%氧氣的氮氣、100%氮氣、含0.5%水的氮氣和含100ppm水的氮氣。圖25是對于離開圖5的晶片室的四種清洗氣混合物中間二甲苯和對二甲苯濃度對時間的圖，其中清洗氣包括含20%氧氣的氮氣、100%氮氣、含0.5%水的氮氣和含100ppm水的氮氣。圖26是在N2或者XCDA中使用各種濕氣濃度時將乙苯水平降低至10ppt所需的時間的圖。圖27是在N2或者XCDA中使用各種濕氣濃度時將間二甲苯和對二甲苯水平降低至10ppt所需的時間的圖。圖28是在N2或者XCDA中使用各種濕氣濃度時將鄰二甲苯水平降低至10ppt所需的時間的圖。圖29是根據(jù)本發(fā)明實施方案的實驗裝置的示意流程圖。圖30是典型的閥在安裝后立即除氣的色譜。圖31是典型的閥在8(TC除氣的色譜。具體實施例方式在許多應(yīng)用中需要清洗污染物。例如，清洗制造設(shè)備中的UHP組件和氣體輸送系統(tǒng)的做法已經(jīng)實行了許多年。在許多其它領(lǐng)域，包括但不局限于微電子、航天、清洗設(shè)備的光學(xué)組件，例如LCD襯底、納米結(jié)構(gòu)表面、晶片、標準片和光學(xué)組件中需要設(shè)備和襯底的清洗和清潔。本發(fā)明公開的方法通常適用于在這些領(lǐng)域使用。歷史上，在這些組件的"干燥去除"期間已經(jīng)使用高純的氮氣和氬氣(低于1ppb氧氣、水蒸氣、CO、C02和烴)作為清洗氣。如此命名"干燥去除"過程是因為用氮氣或氬氣清洗的主要目的是除去吸附在表面上的雜質(zhì)，例如水和氧氣。清洗氣典型地是惰性的。清洗氣去除污染物可以按照不同的機理來進行。在清洗過程期間，污染物擴散入清洗氣中并且通過在清洗氣中和在表面上污染物的濃度之間達到平衡而被載入氣流中。這就需要大量的足夠清潔的UHP氣體來吸收非常低水平典型地ppb水平的污染物。吸附到表面(例如硅或不銹鋼)上的污染物種類也可以通過動力學(xué)效應(yīng)解吸。當清洗氣以高流速沖洗表面并且與吸附的種類碰撞時會發(fā)生這種情況。動能在導(dǎo)致解吸的碰撞期間轉(zhuǎn)移。在上面的過程中，不能阻止污染物再吸附到表面上。在不受理論約束的情況下，相信本發(fā)明提供了從電正的表面(例如某些塑料、硅和不銹鋼)上清洗污染物的新的范例。有人建議除了動力學(xué)效應(yīng)外，例如氧氣和水的非惰性分子可以表現(xiàn)出化學(xué)效應(yīng)。這就在因為氧氣和水的電負性和極化特性而分別對表面的電正表面具有強的親合力并且形成弱的吸附薄層的隔層。另外，氧氣與烴的碰撞可能導(dǎo)致極化的中間產(chǎn)物，其中烴對金屬表面的親合力變?nèi)醪⑶覠N變得更容易被清洗。一旦碰撞導(dǎo)致脫附，氧氣薄層阻礙了污染物種類的再吸附。對于水，在形成更堅固表面層時，所述薄層是更加堅韌的并且阻止了再吸附。因為其電負性比氧氣弱，氮氣不太具有這種保護行為，并且所述薄層的結(jié)合非常弱并且不太有效。另外，N2比02輕，因此在相同的速度下具有更小的動力學(xué)效應(yīng)。這種建議的機理沒有限制本發(fā)明。在本發(fā)明中，如下所述，氧氣的有效濃度可以在寬的范圍內(nèi)變化。所述有效的濃度范圍包括標稱濃度為17至21%的氧氣(與常規(guī)空氣中的氧氣相應(yīng))，這就解決了成本和窒息危險的問題。此外，這些含氧清洗氣混合物可以凈化至很高程度，使污染物水平在低ppt范圍內(nèi)。目前技術(shù)(通常用于凈化氧氣)中公知的凈化過程可以適用于清潔干空氣(CDA)或其它氧氣混合物的凈化，清潔干空氣是在大多數(shù)工業(yè)制造設(shè)備廠中的常見試劑。用于本發(fā)明的凈化空氣(即包含低于約lppb污染物，特別是低于100ppt污染物，例如低于約10ppt污染物，舉例來說低于約1ppt污染物)被稱作XCDA(特別清潔的干空氣，XCDA是MykrolisCorporation的注冊商標)，從而與CDA明顯區(qū)分，CDA是本領(lǐng)域常用的術(shù)語，具有不大于100ppm污染物，典型地10-20ppm污染物的空氣。制備XCDA用的凈化器舉例來說由SanDiego,CA的Aeronex，Inc.制造(即GateKeepe。爭化器的OPTICS氣體凈化器系列；具體地說是O-系列)，該公司現(xiàn)在屬于Billerica，MA.的MykrolisCorporation制備足夠純度水平的氧氣和含氧氣體的方法是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的(例如參閱美國專利6,391,090，該專利引入本文作參考)。如果商業(yè)來源的清洗氣對于預(yù)計應(yīng)用是足夠純的，那么不需要使用凈化器和原位凈化。清洗氣中污染物的濃度可以通過適當?shù)撵`敏度技術(shù)來測量，例如Aemnex銷售的PACTM萬億分之一分析器車。典型地，該技術(shù)涉及從冷肼內(nèi)或氣流中收集污染物足夠長的時間，從而允許積累痕量的污染物至在氣體重新?lián)]發(fā)后可以使用商購的儀器精確定量的水平。含氧清洗氣混合物包括濃度介于99體積％和0.0001體積％之間，優(yōu)選25體積％和0.1體積％之間(例如介于25體積％和1體積％之間)，并且更優(yōu)選介于21體積％和1.0體積％之間的氧氣。另外，清洗氣任選包含100ppm至2體積。/。，優(yōu)選100ppm至0.5體積％的水氣。剩余的混合物應(yīng)該是選自氮氣、氬氣、稀有氣體、二氧化碳和甲烷的惰性氣體。優(yōu)選，主要的惰性組分是氮氣，所有其它的惰性氣體組分低于約1體積％。優(yōu)選，非甲烷烴、揮發(fā)性堿、揮發(fā)性酸、難熔化合物和揮發(fā)性金屬化合物的水平應(yīng)該低于1ppb。優(yōu)選，污染物的水平應(yīng)該低于100ppt，更優(yōu)選低于10ppt，最優(yōu)選低于1ppt。具體的凈化方法對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是公知的。本發(fā)明清洗氣中水的有效濃度在存在時在待清洗設(shè)備中可以在約100ppm至約2體積％，典型地不大于0.5體積。/。內(nèi)變化。清洗氣的其它組分(例如氧氣、惰性氣體)如上面含氧清洗氣中所述。理論上，可以使用更高的水濃度，但是在使用前從設(shè)備中除去這么高的濃度是不實用的。因為氧氣和水原先被認為是雜質(zhì)，所以使用它們來去除污染物是意想不到的。表明并不只是氧氣和/水混合物能與UHP氮氣一樣有效地從表面上去除烴，它們實際上表現(xiàn)出改進的性能。本發(fā)明公開的清洗方法可以在廣泛的溫度下實施。典型地，該方法可以在環(huán)境溫度(約2(TC)和5(TC;^間實施。但是，所述方法任選地在不大于約100。C或者甚至是15(TC的溫度下實施。典型地根據(jù)如下標準來選擇溫度待清洗組件的耐熱性、污染物在各種溫度下的揮發(fā)性和在制造工藝的隨后步驟期間組件(例如硅片)要接受的溫度。圖4是根據(jù)本發(fā)明實施方案的試驗裝置的示意流程圖。使用前面說明的雙稀釋系統(tǒng)100通過標準氣體114產(chǎn)生已知的烴濃度。使用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的方法相似地確定其它污染物的濃度曲線。將氮氣、XCDA，或者其它含氧混合物進料到載氣輸入端102。當產(chǎn)生烴混合物來污染試驗裝置的表面時，在輸入端102選擇氮氣，烴組分的濃度通過質(zhì)量流量控制器108-110和標準氣體114中烴的濃度來確定。當評價清洗氣的清洗性能時，在閥109關(guān)閉和閥107和/或111的打開情況下，在輸入端102處選擇氮氣或者氮氣和氧氣的混合物。凈化器104凈化氮氣或氮氣-氧氣混合物。系統(tǒng)100產(chǎn)生的氣體混合物被導(dǎo)向在試驗中的裝置(DUT)402中。將離開DUT402的烴濃縮物引入氣相色譜儀氣體分析系統(tǒng)400的入口122中，在那里按照前面所述和本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員公知的方法測量烴的濃度。通常，通過用氮氣中的烴混合物先清洗試驗裝置，使表面用烴飽和，然后除去氣體中的烴，并用UHP氮氣或者凈化的氧氣混合物繼續(xù)清洗過程，并且測量離開DUT的氣體中烴的濃度方法來確定氧氣15混合物的清洗有效性。離開DUT的氣體中烴濃度下降得越快，清洗過程越有效。圖5是根據(jù)本發(fā)明實施方案的晶片室500的截面示意圖。晶片室用于評價清洗不銹鋼和硅表面上烴的有效性。晶片室具有入口506、出口508和在清洗氣環(huán)境下支撐直徑100毫米的硅襯底510的托架512。晶片室的內(nèi)表面是電拋光的不銹鋼316。晶片室的直徑D(標記502)為6.0英寸，高度H(標記504)為3.9英寸。如圖4中所示的系統(tǒng)中，晶片室500作為DUT連接。圖6是根據(jù)本發(fā)明實施方案第一清洗過程的工藝框圖l卯O。工藝從凈化含氧清洗氣混合物的步驟1902開始。如果添加，典型地使用步驟1928通過增濕裝置1930的通道向凈化后含氧氣體混合物添加濕氣。可選地，清洗氣包含濕氣，但不含氧氣。可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的任何方法添加濕氣(例如鼓泡器)。但是，允許仔細控制所加濕氣量的方法是優(yōu)選的。大量類型的具有規(guī)定滲水性的校準管是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員公知的并且可以商購。管子由尼龍、硅、Tefloif(聚四氟乙烯；PTFE)和NafioiADupont)制成。凈化的清洗氣通過包含純水(低于lppb污染物)流動的管線通過晶片室。進入凈化清洗氣中的濕氣的量可以用水和清洗氣的流速比來確定。這種方法是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員公知的。在步驟1932中將增濕的清洗氣輸送到器件中。在步驟1904中，將包含氧氣和/或水的凈化清洗氣進料到待清洗的器件中。任選地，在步驟1908中加熱該器件以減少清洗時間。如果使用加熱，工藝沿著路徑1906和1910進行至步驟1912。在步驟1912中，一部分內(nèi)表面與包含氧氣和/或水的清洗氣接觸。在步驟1914中，器件內(nèi)表面上一部分污染物被轉(zhuǎn)移到清洗氣中，產(chǎn)生污染的清洗氣。待清洗的器件內(nèi)包含的表面可以是金屬、金屬氧化物、金屬互化物、硅、硅的氧化物、陶瓷、氮化物和/或塑料。優(yōu)選，所述表面是電拋光的不銹鋼、硅和硅的氧化物。另外，在步驟1914中，從器件中除去污染的清洗氣。在步驟1916中，繼續(xù)清洗過程，直至清洗氣中的污染物濃度低于預(yù)定的界限。該界限可以是低于1ppb，優(yōu)選低于100ppt，更優(yōu)選低于10ppt，最優(yōu)選低于1ppt。在優(yōu)選的任選步驟1918中，通過使用包括氧氣、氮氣或其它惰性氣體的干氣體清洗除去包含氧氣和水的清洗氣或者含水的清洗氣來除去與大量高純應(yīng)用相沖突的水。在另一個優(yōu)選的任選步驟1918中，如果器件將在認為氧氣不需要的情況下使用，通過使用氮氣或其它惰性氣體清洗來除去含氧清洗氣。這種任選的步驟1918優(yōu)選在加熱器件時進行。如果加熱了器件，則器件應(yīng)該在步驟1922中冷卻并且借助路徑1920和1924在步驟1926中繼續(xù)使用。圖7是根據(jù)本發(fā)明實施方案第二清洗過程的工藝框圖2000。工藝從凈化含氧清洗氣體混合物的步驟2002開始。惰性氣體的要求如上所述。獲得這種高純度氣體的凈化方法是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員公知的。在步驟2004中，包含氧氣的凈化清洗氣在步驟2030中任選地進料到增濕裝置2032中并且在步驟2034中返回并進料到待清洗的器件中?？蛇x地，增濕凈化的清洗氣，但不含氧氣。任選地，在步驟2008中加熱器件，減少清洗時間。如果使用加熱，工藝沿著路徑2006和2010進行至步驟2012。在步驟2012中，一部分內(nèi)表面與包含氧氣和/或水的清洗氣接觸。在步驟2016中，器件內(nèi)表面上一部分污染物被轉(zhuǎn)移到清洗氣中，產(chǎn)生污染的清洗氣。待清洗的器件內(nèi)包含的表面可以是金屬、金屬氧化物、金屬互化物、硅、硅的氧化物、陶瓷、氮化物和/或塑料。優(yōu)選，所述表面是電拋光的不銹鋼、硅和硅的氧化物。另外，在步驟2016中，從器件中除去污染的清洗氣。在步驟2018中，繼續(xù)清洗過程預(yù)定的時間。這比基于需要復(fù)雜且靈敏的分析設(shè)備測量污染物濃度來確定清洗時間更方便。在優(yōu)選的任選步驟2020中，通過使用包括氧氣、氮氣或其它惰性氣體的干氣體清洗除去包含氧氣和水的清洗氣或者含水的清洗氣來除去水。如果器件將在認為氧氣不需要的情況下使用，應(yīng)該使用氮氣或惰性氣體進行后清潔清洗。如果加熱了器件，則器件應(yīng)該在步驟2024中冷卻并且借助路徑2022和2026在步驟2028中繼續(xù)使用。圖8是根據(jù)本發(fā)明實施方案的第三清洗過程的工藝框圖2100。在步驟2102中，供應(yīng)惰性氣體。惰性氣體的要求如上所述。在步驟2104中，借助本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員公知的工藝凈化惰性氣體。在步驟2106中，供應(yīng)基本上純的氧氣或含氧混合物。在步驟2108中，借助本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員公知的工藝凈化氧氣或氧氣混合物。在步驟2110中，來自步驟2108的凈化的氧氣或氧氣混合物與來自步驟2104的凈化的惰性氣體組合。任選地，在步驟2110中氣體組合后實施凈化階段。在步驟2110后，在步驟2136中將凈化的含氧清洗氣任選進料到增濕裝置2138中并且在步驟2140中返回，從而將包含氧氣和/或水的凈化清洗氣進料到待清洗的器件中。任選地，在步驟2116中加熱器件以減少清洗時間。如果使用加熱，工藝沿著路徑2114和2118進行至步驟2120。在步驟2120中，一部分內(nèi)表面與包含氧氣的清洗氣接觸。在歩驟2122中，器件內(nèi)表面上一部分污染物(例如烴)被轉(zhuǎn)移到清洗氣中，產(chǎn)生污染的清洗氣。待清洗的器件內(nèi)包含的表面可以是金屬、金屬氧化物、金屬互化物、硅、硅的氧化物、陶瓷、氮化物和/或塑料。優(yōu)選，所述表面是電拋光的不銹鋼、硅和硅的氧化物。另外，在步驟2122中，從器件中除去烴清洗氣。在步驟2124中，繼續(xù)清洗過程至預(yù)定的時間，或者至預(yù)定的烴水平。該水平典型地小于100ppt，但是優(yōu)選小于10ppt。在優(yōu)選的任選步驟2126中，通過使用包括氧氣、氮氣或其它惰性氣體的干氣體清洗除去包含氧氣和水的清洗氣來除去水。如果器件將在認為氧氣不需要的情況下使用，應(yīng)該使用氮氣或惰性氣體進行后清潔清洗。如果加熱了器件，則器件應(yīng)該在步驟2130中冷卻并且借助路徑2128和2132在步驟2134中繼續(xù)使用。實施例1在本實施例中表明了使用氧氣混合物從316不銹鋼電拋光表面上除去烴的有效性。316不銹鋼電拋光表面在UHP氣體分配系統(tǒng)中的質(zhì)量流量控制器、壓力調(diào)節(jié)器和互連管道和管線中的廣泛使用。它們還廣泛地用作半導(dǎo)體制造設(shè)備中的工藝室材料。首先用包含大約每種均為IOppb的苯、甲苯、乙苯、間二甲苯和對二甲苯以及鄰二甲苯的氮氣-烴混合物清洗空晶片室(不存在硅片510)大約3.5小時。在暴露于烴中后，用UHP氮氣清洗晶片室并且測量離開晶片室的清洗氣中的烴濃度。然后，重復(fù)在烴中暴露。在第二次暴露于烴中后，使用包含大約20體積％氧氣的凈化XCDA清洗晶片室。圖9是根據(jù)本發(fā)明實施方案，對于離開圖5的晶片室(室中無晶片)的兩種清洗氣混合物中烴濃度604對時間602的圖600。虛線606表示在純氮氣清洗氣情況下離開晶片室的清洗氣中所有六種烴的總濃度衰減響應(yīng)。實線608表示在凈化的XCDA清洗氣情況下離開晶片室的清洗氣中所有六種烴的總濃度衰減響應(yīng)。標記610表示含烴清洗氣被氮氣或XCDA替換的點。在假設(shè)晶片室體積大約為1.5升并且清洗流速為0.75升/分鐘的情況下，將曲線606和608中烴的洗脫時間與將初始60ppb的烴濃度稀釋至10ppt所需花費的時間進行對比。對于均勻混合的系統(tǒng)，降低初始60ppb的烴濃度至10ppt將花費約8.7時間常數(shù)。時間常數(shù)定義為晶片室體積除以清洗流速。在大約2分鐘的時間常數(shù)下，簡單稀釋從60ppb的起始點達到10ppt將需要20分鐘。對于XCDA或純氮氣達到10ppt的實際時間要長得多，表明從不銹鋼內(nèi)表面的清除支配烴從晶片室的流出。其它的試驗表明一旦通過凈化的XCDA將烴降低至非常低的水平(10ppt及以下)，隨后使用UHP氮氣的清洗不會產(chǎn)生高于上次使用XCDA獲得的水平的烴濃度。實施例2在本實施方案中，除了在暴露于氮氣-烴混合物中前將100毫米(4英寸)裸硅襯底510放在晶片室500中外，重復(fù)實施例1中描述的試驗。圖10是根據(jù)本發(fā)明實施方案，在晶片室中有硅片的情況下，對于離開圖5的晶片室的兩種清洗氣混合物中總烴濃度704對時間702的圖700。曲線706表示在用UHP氮氣清洗晶片室和晶片時烴濃度的衰減。曲線708表示在用凈化的XCDA清洗晶片室和晶片時烴濃度的衰減。標記710表示停止氮氣-烴混合物進氣時的近似點。曲線706和708清晰地表明從硅襯底上去除烴明顯慢于從晶片室的不銹鋼表面上去除。同前面的實施例1一樣，與UHP氮氣(曲線706)相比，含氧清洗氣(曲線708)表現(xiàn)出更快的烴濃度降低。圖11是圖10的放大圖，更詳細地表示了從10小時到25小時的時間間隔。從圖800中可以更明顯地看出對于XCDA清洗的烴濃度804對時間802的曲線(曲線808)優(yōu)于UHP氮氣曲線806。在20ppt的濃度水平下，UHP氮氣響應(yīng)滯后XCDA響應(yīng)幾乎5小時。當然，這意味著使用UHP氮氣清洗晶片室和晶片至20ppt的水平將再需要5小時。實施例3圖12是根據(jù)本發(fā)明實施方案，在晶片室中有硅片的情況下，對于離開圖5的晶片室的三種清洗氣混合物中間二甲苯和對二甲苯濃度904對時間902的圖900，其中清洗氣包含0%、1°/。和20°/。氧氣。在本實施例中，1W氧氣和20。/。氧氣(在氮氣)與UHP氮氣比較。所用的烴混合物是包含約10ppb間二甲苯和10ppb對二甲苯的氮氣。同實施例2—樣，在暴露于烴前將硅襯底放入晶片室中。圖12中的曲線906表示在UHP氮氣清洗期間兩種二甲苯的濃度響應(yīng)作為時間的函數(shù)。曲線908表示在用含1體積％氧氣的氮氣清洗期間兩種二甲苯20的濃度響應(yīng)作為時間的函數(shù)。曲線910表示在用含20體積％氧氣的氮氣(XCDA)清洗期間兩種二甲苯的濃度響應(yīng)作為時間的函數(shù)。標記912表示停止烴混合物進氣時的點。圖13是圖12的放大圖，更詳細地表示了從5小時到25小時的時間間隔。從圖1000中可以更明顯地看出對于含1°/。氧氣的清洗氣(曲線1008)和含20%氧氣的清洗氣(曲線1010)的烴濃度1004對時間1002的曲線優(yōu)于UHP氮氣曲線1006。從三條曲線1006-1010的比較來看，可以指出對于在10ppt以上的烴水平，含1%氧氣與含20%氧氣一樣有效，但是更高的氧氣濃度在低于10ppt的水平略為有利。兩種含氧清洗氣表現(xiàn)出明顯優(yōu)于用UHP氮氣清洗。實施例4圖14是根據(jù)本發(fā)明實施方案，在晶片室中有硅片的情況下，對于離開圖5的晶片室的五種清洗氣混合物中的烴濃度1104對時間1102的圖1100，其中清洗氣包含0%、0.0001%、0.01%、0.1%和1.0%氧氣。如實施例1中所述，烴-氮氣污染物混合物是60ppb總烴濃度。圖1100中繪出了表示UHP氮氣(標記1106，曲線1116)、含0.0001體積％氧氣的氮氣1108、含0.01體積％氧氣的氮氣1110、含0.1體積%氧氣的氮氣1112和含1體積％氧氣的氮氣(標記1114，曲線1118)的數(shù)據(jù)。正如所料，所有數(shù)據(jù)落在0%氧氣曲線1116(UHP氮氣)和1%氧氣曲線111S之間。清洗有效性隨著氧氣濃度在所示氧氣濃度范圍內(nèi)的增加而增加。圖15是圖14的放大圖，更詳細地表示了從10小時到24小時的時間間隔。使用表示UHP氮氣(標記1206，曲線1216)、0.0001%氧氣1208、0.01%氧氣1210、0.1%氧氣1212和1%氧氣(標記1214，曲線1218)的清洗響應(yīng)的數(shù)據(jù)繪出烴濃度1204對時間1202的圖1200。參閱表示干燥去除時間對溫度或濃度的圖16-21。在本實施例中使用與實施例1類似的方法來表明使用水混合物從316不銹鋼電拋光表面上去除烴的有效性。參閱圖22。初始凈化的氮氣與六組分烴標準氣(苯、甲苯、乙苯、二甲苯、BTEX)混合，產(chǎn)生公知的60ppb總有機化合物(TOC)評價(challenge)氣體。在0.75slm、3Gpsig和環(huán)境溫度的標準工作條件下，用評價氣體清洗放置了晶片的晶片室。使用配備火焰離子化檢測器的氣相色譜儀測量晶片室流出氣中的烴濃度，直至其濃度達到60士2ppb烴。晶片室對條件的穩(wěn)定時間在4-5小時后發(fā)生。在晶片室用60ppb的TOC飽和后，關(guān)閉BTEX評價氣體并且向所示的氮氣流中添加濕氣或氧氣。監(jiān)控晶片室流出氣直至其TOC濃度降低至每種污染物低于10ppt水平。圖23是根據(jù)本發(fā)明實施方案，.對于離開圖5的晶片室的四種清洗氣混合物中乙苯濃度1604對時間1602的圖1600，其中清洗氣包含100%氮氣、20%氧氣、0.5%水和100ppm水。如實施例1中所述，烴-氮氣污染物混合物是60ppb總烴濃度。圖1600中繪出了表示乙苯對UHP氮氣1606、含20體積％氧氣的氮氣1608、含100ppm體積水的氮氣1610和含0.5體積％水的氮氣1612清洗響應(yīng)的數(shù)據(jù)。清洗有效性隨著水濃度在所示水濃度范圍內(nèi)的增加而增加。圖24是根據(jù)本發(fā)明實施方案，對于離開圖5的晶片室的四種清洗氣混合物中鄰二甲苯濃度1704對時間1702的圖.1700，其中清洗氣包含100%氮氣、20%氧氣、0.5%水和100ppm水。如實施例1中所述，烴-氮氣污染物混合物是60ppb總烴濃度。圖1700中繪出了表示鄰二甲苯對UHP氮氣1706、含20體積°/。氧氣的氮氣1708、含100ppm體積水的氮氣1710和含0.5體積％水的氮氣1712清洗響應(yīng)的數(shù)據(jù)。清洗有效性隨著水濃度在所示水濃度范圍內(nèi)的增加而增加。圖25是根據(jù)本發(fā)明實施方案，對于離開圖5的晶片室的四種清洗氣混合物中對二甲苯和間二甲苯1804對時間1802的圖1800，其中清洗氣包含100%氮氣、20%氧氣、0.5%水和100ppm水。如實施例1中所述，烴-氮氣污染物混合物是60ppb總烴濃度。圖1800中繪出了表示對二甲苯和間二甲苯對UHP氮氣1806、含20體積°/。氧氣的氮氣1808、含100ppm體積水的氮氣1810和含0.5體積％水的氮氣1812清洗響應(yīng)的數(shù)據(jù)。清洗有效性隨著水濃度在所示水濃度范圍內(nèi)的增加而增加。表1使用濕氣時間干燥去除時間的降低千燥去除時間差異(小時)比較的清洗氣乙苯間,對二甲苯鄰二甲苯干N2和含0.1。/。H20的N25.039.607.57干N2和含0.5°/。H2O的N26.3712.259,57干XCDA和含0.1%H2O的XCDA2.235.424.83干XCDA和含0.5%H2O的XCDA3.706.934.93參閱表示干燥去除時間對溫度或濃度的圖26-28。實施例6在與用于凈化UHP設(shè)備的氮氣相比確定XCDA效率的比較試驗中，裝配了包括三個商業(yè)UHP隔膜閥的定量測量系統(tǒng)，每個閥購自不同的生產(chǎn)商。所述裝置表示在圖29,1300中。為了實施除氣試驗，在試驗中的每個闊(;VUT)iS02直接與所示的冷肼1304的上游連接。通過每個VUT輸送氣體純度規(guī)格小于1ppt烴的凈化樣氣(N2或XCDA)。分別使用惰性凈化器(Aeronex，SS-500KF-I-4R)和光學(xué)凈化器(Aeronex，SS-700KF-o-4R)凈化供應(yīng)的N2和XCDA。在VUT上纏繞加熱帶(heatertape)和溫度探針，加熱并監(jiān)控溫度(未顯示)。隨著清洗氣通過VUT，在冷肼下游收集任何解吸的污染物，用于在氣相色譜儀1304中進行烴分析。因為早先的研究已經(jīng)表明從閥中的彈性體組件除氣產(chǎn)生烴污染物的證據(jù)，所以選擇閥作為UHP系統(tǒng)污染物源的代表。通過冷肼收集和氣相色譜測量的方法進行檢測和測量。通過與公知標準進行柱(TOC)上的保留時間比較來確定污染物的尺寸。在圖30和31中表示了分別來自兩個不同溫度(即室溫和約8(TC)下的闊的除氣的色譜圖1400和1500，表示了以分鐘為單位的時間1402和1502對以毫伏為單位的1404和1504的圖。下面的表2中給出了基于色譜圖對污染物尺寸的粗略分析。表2GC/FID對污染物的總有機污染物(TOC)分析時間化合物除氣％<10分鐘<5碳10-20%10-16分鐘6-10碳0-5%16-25分鐘11-15碳20-40o/o>25分鐘>15碳50-80%應(yīng)當注意大多數(shù)釋放的污染物是高分子量的污染物。這與分析清洗出低分子量烴(即少于8個碳)的前面實施例形成對比。在室溫(大約2(TC)下對系統(tǒng)操作進行0分鐘和60分鐘測量，并且在80。C下測量0分鐘、60分鐘和720分鐘。包括對一次通過和二次通過清洗的不同氣體進行測量。在每種情況中，氮氣清洗后接著用XCDA清洗。在兩次通過試驗中，XCDA清洗后接著進行第二次氮氣清洗。三個不同UHP閥的試驗產(chǎn)生三種不同的結(jié)果。一個閥在低水平的烴除氣下開始并且甚至在升溫XCDA試驗期間也不超過100ppt，而另一個產(chǎn)生對溫度敏感的污染物結(jié)果。剩下的一個閥在100ppt下開始并且峰值在1000ppt。在正向側(cè)，所有通過適當清洗和熱循環(huán)的閥都能達到我們試驗儀器檢測能力的下限的1ppt或以下的水平。這表明通過適當?shù)念A(yù)處理這些閥中任何一個都可以在UHP管道系統(tǒng)中使用，向工藝中輸送1ppt的氣體。下面的表3中表示了產(chǎn)生24100-1000ppt除氣的閥的結(jié)果。表3氮氣與XCDA清洗UHP閥比較<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>從表3中的數(shù)據(jù)明顯看出在所有溫度和時間范圍內(nèi)，使用氮氣清洗僅產(chǎn)生有限且十分不可接受的閥中烴濃度的降低。隨后XCDA的清洗使烴污染物水平降低至更低的水平，比氮氣清洗下限要好2-25倍。此外，與氮氣清洗實現(xiàn)顯著降低所需的時間相比，XCDA清洗在非常短的時間內(nèi)可以將烴濃度降低至低水平。(據(jù)信在室溫下第一次氮氣清洗和在8(TC下XCDA清洗在0分鐘和60分鐘之間的增加是由于彈性體組件內(nèi)的一些烴污染物遷移到清洗表面上所需的時間所致。這是閥的彈性體材料的物理現(xiàn)象并且不代表各種氣體的清洗能力。)UHP氣體管線確認的公認規(guī)程需要用氮氣徹底清洗，接著確認管線在氮氣清洗環(huán)境中不含污染物。但是，對于所有的閥，XCDA使在UHP氮氣清洗和熱循環(huán)后仍保留的額外的烴揮發(fā)。甚至在室溫下，當暴露于富氧的清洗氣中時也會釋放出額外的烴。為了確定使用清洗氣順序的任何作用，進行第二系列試驗。使用二個相同的來自同一生產(chǎn)商的商業(yè)閥試驗烴的凈化。一個(Al)用氮氣清洗，接著用XCDA清洗，并且另一個(A2)用XCDA清洗，接著用氮氣清洗。結(jié)果提供在下面的表4中。表4氮氣/XCDA清洗與XCDA/氮氣清洗比較<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>在室溫下XCDA步驟產(chǎn)生與氮氣清洗相似的結(jié)果。但是，當閥A2在XCDA清洗下加熱至8(TC時，烴的除氣速率顯著增加，然后快速降低至檢測設(shè)備的檢測限以下。在氮氣中重復(fù)試驗表現(xiàn)出很少的提高。當用氮氣清洗時，UHP組分使烴連續(xù)釋放。由于較重的烴通過管道系統(tǒng)遷移慢，通常直到清洗開始后很長時間后才達到實際的峰值。已經(jīng)參照優(yōu)選的實施方案具體地表示并說明了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員將理解，可以做出各種形式和細節(jié)上的改變而不會背離附加權(quán)利要求包涵的本發(fā)明的范圍。權(quán)利要求1.一種從表面去除氣載分子污染物的方法，其包括通過用凈化的清洗氣接觸表面周圍至少一部分區(qū)域使所述氣載分子污染物從所述表面脫附，其中該清洗氣包含特別清潔的干空氣(XCDA)、水或其組合，并且該凈化的清洗氣的氣載分子污染物濃度低于十億分之一(ppb)體積，其中XCDA、水或其組合不是所述氣載分子污染物；將從所述表面脫附的氣載分子污染物轉(zhuǎn)入所述的凈化的清洗氣中，以產(chǎn)生污染的清洗氣；以及從所述表面周圍的所述區(qū)域除去所述污染的清洗氣。2.—種從表面去除氣載分子污染物的方法，其包括凈化清洗氣，產(chǎn)生凈化的清洗氣，其中所述清洗氣包含特別清潔的干空氣(XCDA)、水或其組合，并且所述凈化的清洗氣的氣載分子污染物的濃度低于十億分之一(ppb)體積，其中XCDA、水或其組合不是所述氣載分子污染物；通過使至少一部分所述表面與所述凈化的清洗氣接觸使所述氣載分子污染物從所述表面脫附；將從所述表面脫附的氣載分子污染物轉(zhuǎn)入所述凈化的清洗氣中，以產(chǎn)生污染的清洗氣；以及從所述表面除去所述污染的清洗氣。3.—種從晶片制造設(shè)備表面去除氣載分子污染物的方法，其包括通過用凈化的清洗氣接觸晶片制造設(shè)備的至少一部分表面使所述氣載分子污染物從所述表面脫附，其中該清洗氣包含特別清潔的干空氣(XCDA)、水或其組合，并且該凈化的清洗氣的氣載分子污染物濃度低于十億分之一(ppb)體積，其中XCDA、水或其組合不是所述氣載分子污染物；將從所述表面脫附的氣載分子污染物轉(zhuǎn)入所述的凈化的清洗氣中，從而產(chǎn)生污染的清洗氣；以及從所述表面除去所述污染的清洗氣。4.一種從表面去除氣載分子污染物的方法，其包括通過在2(TC至IO(TC之間的溫度用凈化的清洗氣接觸所述表面周圍至少一部分區(qū)域使所述氣載分子污染物從所述表面脫附，其中該清洗氣包含特別清潔的干空氣(XCDA)、水或其組合，該凈化的清洗氣的氣載分子污染物濃度低于十億分之一(ppb)體積，其中XCDA、水或其組合不是所述氣載分子污染物；將從所述表面脫附的所述氣載分子污染物轉(zhuǎn)入所述的凈化的清洗氣中，從而產(chǎn)生污染的清洗氣；以及從所述表面周圍的所述區(qū)域除去所述污染的清洗氣。5.如權(quán)利要求l、2、3或4的方法，其中重復(fù)所述方法，直至所述污染的清洗氣中的所述污染物的濃度低于lppb體積的氣載分子污染物。6.如權(quán)利要求l、2、3或4的方法，其中所述凈化的清洗氣具有低于萬億分之(ppt)—百體積的氣載分子污染物濃度。7.如權(quán)利要求l、2、3或4的方法，其中所述凈化的清洗氣具有低于10ppt體積的氣載分子污染物濃度。8.如權(quán)利要求l、2、3或4的方法，其中所述凈化的清洗氣具有低于1ppt體積的氣載分子污染物濃度。9.如權(quán)利要求l、2、3或4的方法，其中所述凈化的清洗氣還包含水。10.如權(quán)利要求9的方法，其中所述水占所述清洗氣體積的100ppm至20/0。11.如權(quán)利要求10的方法，其中所述水占所述清洗氣體積的100ppm至0.5%。12.如權(quán)利要求l、2、3或4的方法，其中所述表面包括具有圍繞空間的器件的內(nèi)表面。13.如權(quán)利要求12的方法，其中所述器件圍繞至少一個硅襯底。14.如權(quán)利要求l、2、3或4的方法，其中所述表面是超高純度氣體管線組件的內(nèi)表面。15.如權(quán)利要求K2、3或4的方法，其中所述表面是閥的內(nèi)表面。16.如權(quán)利要求12的方法，其還包括在從所述器件除去所述污染的清洗氣后用惰性氣體清洗所述器件。17.如權(quán)利要求16的方法，其中所述惰性氣體選自氮氣、稀有氣體、甲垸以及它們的組合。18.如權(quán)利要求17的方法，其中所述惰性氣體是氬氣。全文摘要本發(fā)明公開了使用氧氣和/或水氣體混合物去除氣載分子污染物的方法。具體而言，本發(fā)明公開了從器件內(nèi)的表面上除去大量分子污染物的方法。將包含氧氣和/或水的清洗氣引入所述器件的內(nèi)部，接觸至少一部分所述內(nèi)表面。通過將所述內(nèi)表面上的一部分污染物轉(zhuǎn)入所述清洗氣中而產(chǎn)生污染的清洗氣。從所述器件中除去污染的清洗氣，并且繼續(xù)該過程至污染的清洗氣中的污染物濃度低于預(yù)定水平。文檔編號B08B9/00GK101599432SQ20091012692公開日2009年12月9日申請日期2004年6月1日優(yōu)先權(quán)日2003年6月2日發(fā)明者小丹尼爾·阿爾瓦雷斯,拉塞爾·J.·霍姆斯,杰弗里·J.·施皮格爾曼,艾倫·特拉姆申請人:安格斯公司