專利名稱：一種固定研磨粒拋光墊清洗裝置及清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝，具體地，涉及一種固定研磨粒拋光墊清洗裝置及清洗方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域，晶圓的制造過(guò)程涉及薄膜的淀積和生長(zhǎng)工藝，以及之后形成器件和器件內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)所需的多次圖形制作。越來(lái)越多的IC制作需要6層或更多層的金屬布線層，每層之間由層間介質(zhì)隔開(kāi)。建立器件結(jié)構(gòu)和多層內(nèi)連線會(huì)很自然地在層與層之間形成臺(tái)階。層數(shù)增加時(shí)，晶圓的表面起伏將更加顯著。對(duì)于芯片的成品率及長(zhǎng)期可靠性而言，一個(gè)可接受的平面度是極為重要的。因此需對(duì)被加工晶圓進(jìn)行平坦化處理，使晶圓具有平滑的表面。20世紀(jì)80年代，IBM公司將化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝進(jìn)入集成電路制造領(lǐng)域，并首先用于后道工藝的金屬間絕緣介質(zhì)(IMD)的平坦化?；瘜W(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝可以有效地兼顧表面的全局和局部平坦度，通過(guò)化學(xué)和機(jī)械的共同作用從工件表面去除極薄的一層材料，實(shí)現(xiàn)超精密表面加工，因而成為近年來(lái)IC制程中成長(zhǎng)最快、最受重視的一項(xiàng)技術(shù)。其基本原理即在無(wú)塵室的大氣環(huán)境中，利用機(jī)械力對(duì)晶圓表面作用，在表面薄膜層產(chǎn)生斷裂腐蝕的動(dòng)力，而這部分必須籍由研磨液中的化學(xué)物質(zhì)通過(guò)反應(yīng)來(lái)增加其蝕刻的效率。而研磨液、晶圓與拋光墊之間的相互作用，便是化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中發(fā)生反應(yīng)的關(guān)鍵所在，因此也帶來(lái)了工藝參數(shù)多、加工過(guò)程不穩(wěn)定、拋光表面殘留漿料不易清除及生產(chǎn)成本較高等問(wèn)題?；趥鹘y(tǒng)研磨液自由磨?；瘜W(xué)機(jī)械拋光的缺點(diǎn)和集成電路發(fā)展的趨勢(shì)，一種基于固定研磨粒的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(Fixed Abrasives CMP)被提出。通過(guò)將固定研磨?；瘜W(xué)機(jī)械拋光技術(shù)與微復(fù)制技術(shù)、磨粒涂層和粒子科學(xué)技術(shù)進(jìn)行獨(dú)特的結(jié)合，在生產(chǎn)實(shí)踐中突顯出平坦化效果好、易于控制、成本較低等優(yōu)點(diǎn)，受到了越來(lái)越多的應(yīng)用。固定研磨?；瘜W(xué)機(jī)械拋光工藝的基本原理為二體磨損原理，即利用固定在拋光墊上的磨粒對(duì)被加工工件進(jìn)行研磨，這就不可避免的在加工過(guò)程中產(chǎn)生如脫落的固定研磨粒等微粒子拋光副產(chǎn)品，若不及時(shí)的對(duì)其進(jìn)行清除，不僅影響到拋光效率，更使被拋光的產(chǎn)品產(chǎn)生劃傷，影響拋光精度與良品率。針對(duì)此問(wèn)題，中國(guó)專利申請(qǐng)98116968. 6提供了一種化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺(tái)，設(shè)置有一履帶式調(diào)節(jié)刷，其至少包括一長(zhǎng)軸主體結(jié)構(gòu)；一履帶，其上分布有多個(gè)硬顆粒及多個(gè)滾輪，履帶包覆于長(zhǎng)軸主體外側(cè)，以一固定速率轉(zhuǎn)動(dòng)，滾輪軸向均平行排列，其均位于履帶內(nèi)側(cè)且與履帶相接觸，滾輪由履帶帶著轉(zhuǎn)動(dòng)，在履帶上還有多個(gè)硬顆粒，其分布于履帶的表面，用以刮平拋光墊的表面，去除殘留在拋光墊上的雜質(zhì)，在履帶式調(diào)節(jié)刷上還包括一清洗裝置，其可在調(diào)節(jié)刷刮平時(shí)，清洗殘留在履帶上的雜質(zhì)。盡管此種方案可以清除一部分拋光副產(chǎn)品，但履帶上顆粒精細(xì)度較低，且清洗裝置易被副產(chǎn)品污染，效率低且清洗能力有限。美國(guó)專利申請(qǐng)US2002/0090896A1提出了一種可用于固定研磨?；瘜W(xué)拋光的拋光墊清洗裝置，利用一個(gè)或多個(gè)與被清洗拋光墊表面成銳角設(shè)置的噴口，噴射出30 300磅/平方英寸或更高壓強(qiáng)的液體，以清洗微粒子副產(chǎn)品。盡管該發(fā)明提高了清洗效率，但簡(jiǎn)單的利用壓力噴射清洗，并不能及時(shí)對(duì)拋光墊表面的殘留微粒子進(jìn)行去除，拋光副產(chǎn)品還有可能進(jìn)入拋光接觸面而造成劃傷，不能有效地避免被加工工件表面的劃傷問(wèn)題。綜上所述，有必要提供一種新的固定研磨粒拋光墊清洗方案，以減少工件表面的劃傷，提高加工的良品率與生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所需解決的問(wèn)題是針對(duì)固定研磨?；瘜W(xué)機(jī)械拋光現(xiàn)有技術(shù)中使用的噴射清洗方法，利用壓力噴射清洗，并不能及時(shí)對(duì)拋光墊表面的殘留微粒子進(jìn)行去除，拋光副產(chǎn)品還有可能進(jìn)入拋光接觸面而造成劃痕，不能有效地避免被加工工件表面的劃傷問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種新的固定研磨粒拋光墊清洗裝置，包括清洗裝置主體；清洗液進(jìn)液口，位于裝置主體末端；與清洗液進(jìn)液口連通的清洗液噴射口，位于清洗裝置工作面；還包括清洗液排出口，位于裝置主體末端；及與清洗液排出口連通的清洗液回收口，位于清洗裝置工作面。可選地，所述拋光墊清洗裝置的噴射口數(shù)量大于或等于回收口數(shù)量。可選地，所述拋光墊清洗裝置包含1 4排的噴射口及1 4排的回收口。優(yōu)選地，所述拋光墊清洗裝置每排噴射口或回收口的數(shù)量為6 20個(gè)。本發(fā)明還提供一種新的固定研磨粒拋光墊清洗方法，包括提供固定研磨粒拋光墊，置于可旋轉(zhuǎn)拋光臺(tái)之上；還提供本發(fā)明所述的拋光墊清洗裝置，置于拋光墊上方；啟動(dòng)拋光臺(tái)以帶動(dòng)研磨墊旋轉(zhuǎn)，清洗裝置以清洗液對(duì)拋光墊進(jìn)行清洗；所述清洗裝置以噴射口噴射清洗液，以回收口回收清洗液?？蛇x地，所述清洗裝置工作過(guò)程包括拋光臺(tái)以第一轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)，噴射口及回收口同時(shí)工作；拋光臺(tái)以第二轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)，噴射口停止工作，回收口持續(xù)工作；所述第二轉(zhuǎn)速高于第一轉(zhuǎn)速。優(yōu)選地，所述第一轉(zhuǎn)速范圍為5 20轉(zhuǎn)/分鐘；所述第二轉(zhuǎn)速范圍為50 200轉(zhuǎn) /分鐘。可選地，所述噴射口及回收口與拋光墊的距離為1 10毫米?？蛇x地，所述清洗液為去離子水?？蛇x地，拋光臺(tái)以第一轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)，噴射口及回收口同時(shí)工作時(shí)，所述噴射口以第一流量噴射清洗液，回收口以第二流量吸入所述清洗液，所述第二流量大于第一流量。優(yōu)選地，所述第一流量為200 1000毫升/分鐘，所述第二流量為1000 5000毫升/分鐘。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供技術(shù)方案可有效減少固定研磨粒化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中對(duì)待加工工件的劃傷，提高生產(chǎn)的良品率及生產(chǎn)效率。


圖1是本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)原理示意圖。圖2是本發(fā)明所述固定研磨粒拋光墊清洗方法原理示意圖。圖3是本發(fā)明所述清洗裝置工作狀態(tài)圖。圖4是本發(fā)明所述清洗裝置工作原理圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)是基于自由磨粒的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，其系統(tǒng)是由一個(gè)旋轉(zhuǎn)的晶圓固定裝置(磨頭)、承載拋光墊的拋光臺(tái)和拋光(液)漿料供給系統(tǒng)三大部分組成。晶圓正面朝下固定在拋光頭上，化學(xué)機(jī)械拋光時(shí)，旋轉(zhuǎn)的晶圓工件以一定的壓力壓在隨工作臺(tái)一起旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，而由亞微米或納米磨粒和化學(xué)溶液組成的拋光液充滿晶圓工件與拋光墊之間，并在晶圓工件表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，表面形成的化學(xué)反應(yīng)物由磨粒的機(jī)械作用去除。其拋光墊一般用聚亞氨酯等聚酯類高分子化合物制成。在此基礎(chǔ)上所發(fā)展的固定研磨?；瘜W(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，同樣包含一個(gè)旋轉(zhuǎn)的晶圓固定裝置(磨頭)、承載拋光墊的拋光臺(tái)及清洗系統(tǒng)三大部分。因采用了固定于拋光墊的固定研磨粒替代自由磨粒，因此拋光液供給系統(tǒng)這一部分被省去。其中，拋光墊基本結(jié)構(gòu)類似砂紙，一般是用樹(shù)脂結(jié)合劑將亞微米級(jí)或納米級(jí)磨料凝聚成團(tuán)，形成具有特定形狀的三維結(jié)構(gòu)細(xì)小顆粒(長(zhǎng)寬大小約幾十至幾百微米、高約為幾十微米)，按照一定的分布精確地粘結(jié)在聚合物基材上，形成復(fù)合結(jié)構(gòu)的拋光墊，代替了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中的自由磨粒和拋光墊；清洗系統(tǒng)則一般采用清洗刷或清洗液噴射裝置，以刷除或沖洗的方式去除拋光過(guò)程中產(chǎn)生的脫落固定研研磨顆粒等微粒子。圖1示出了本發(fā)明所述一種固定研磨粒拋光墊清洗方法的現(xiàn)有技術(shù)原理圖。在此現(xiàn)有技術(shù)中，清洗系統(tǒng)包括一種清洗液噴射裝置，所述清洗液采用去離子水。待拋光晶圓工件1通過(guò)蠟連接或真空吸附的方式固定于旋轉(zhuǎn)的晶圓固定裝置(磨頭)之上。在晶圓工件 1拋光過(guò)程中，拋光臺(tái)運(yùn)轉(zhuǎn)以帶動(dòng)附帶有固定研磨粒的拋光墊2旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速為50 200轉(zhuǎn)/ 分鐘。在拋光接觸區(qū)域，拋光墊2與晶圓工件1之間存在壓力及轉(zhuǎn)速差，以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓工件 1的研磨拋光。清洗裝置3置于非拋光接觸區(qū)域，連接清洗液(去離子水)供給系統(tǒng)。在晶圓工件1的拋光過(guò)程中，清洗液(去離子水)通過(guò)進(jìn)口 4進(jìn)入清洗裝置3并由噴射口噴出， 將沉積于固定研磨粒拋光墊縫隙的微粒子移除。載有微粒子副產(chǎn)品的清洗液(去離子水) 最后被排出以完成對(duì)拋光墊的清洗。在上述固定研磨粒化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中，清洗裝置噴射的清洗液(去離子水)作用于拋光墊，需保持一定的液壓(30 300磅/平方英寸)方可實(shí)現(xiàn)對(duì)微粒子進(jìn)行沖洗，否則不足以將微粒子從拋光墊縫隙移除。但是因沖刷的液體在拋光墊表面受到反作用力，不能均勻的保持微粒子受到的液壓。在距離噴射口較遠(yuǎn)的拋光墊區(qū)域，沖洗壓力相對(duì)弱于距噴射口較近的區(qū)域，難以保證微粒子副產(chǎn)品被有效移除，依然會(huì)使微粒子進(jìn)入拋光接觸區(qū)域。因此，單純的依賴噴射清洗液以去除微粒子副產(chǎn)品的方法，不能完全解決微粒子殘留在拋光墊縫隙的問(wèn)題，依然會(huì)帶來(lái)晶圓工件表面劃傷及良品率低等問(wèn)題。針對(duì)此問(wèn)題，本發(fā)明的發(fā)明人通過(guò)引入一種新的拋光墊清洗裝置，提出了一種新的固定研磨?；瘜W(xué)機(jī)械拋光方法，有效解決被拋光晶圓工件表面劃傷及良品率低等問(wèn)題， 所述清洗裝置包括清洗裝置主體；清洗液進(jìn)液口，位于裝置主體末端；與清洗液進(jìn)液口連通的清洗液噴射口，位于清洗裝置工作面；還包括清洗液排出口，位于裝置主體末端；及與清洗液排出口連通的清洗液回收口，位于清洗裝置工作面。
本發(fā)明還提供一種新的固定研磨粒拋光墊清洗方法，包括提供固定研磨粒拋光墊，置于可旋轉(zhuǎn)拋光臺(tái)之上；還提供本發(fā)明所述的拋光墊清洗裝置，置于拋光墊上方；啟動(dòng)拋光臺(tái)以帶動(dòng)研磨墊旋轉(zhuǎn)，清洗裝置以清洗液對(duì)拋光墊進(jìn)行清洗；所述清洗裝置包括清洗液噴射口及回收口。其中清洗液噴射口用于噴射清洗液以沖洗微粒子副產(chǎn)品，回收口則吸取載有微粒子副產(chǎn)品的清洗液以將其移除。以下，結(jié)合圖2至圖4對(duì)本發(fā)明所提供技術(shù)方案的一個(gè)實(shí)施例做進(jìn)一步闡釋首先提供待拋光晶圓工件1，請(qǐng)參閱圖2，將待拋光晶圓工件固定于固定裝置(磨頭)上。所述待拋光晶圓工件1，可根據(jù)晶圓在半導(dǎo)體加工的具體環(huán)節(jié)為處于淺溝槽隔離 (STI)加工、金屬銅拋光、金屬鎢拋光、Ge-Sb-Te相變材料拋光或HiK門極金屬材料拋光等流程中的晶圓工件。除所列舉需拋光流程外，本發(fā)明所提供的固定研磨粒拋光墊清洗清洗裝置及清洗方法，適用于其它任何一種可使用固定研磨?；瘜W(xué)拋光的晶圓拋光工藝。本實(shí)施例中以淺溝槽隔離(STI)加工中所需待拋光晶圓工件為例進(jìn)行說(shuō)明。其次，所述待拋光晶圓工件1，可根據(jù)實(shí)際加工環(huán)境及晶圓自身?xiàng)l件，采用包括但不限于如蠟連接或真空吸附的方式固定于固定裝置(磨頭)之上。晶圓工件1固定方式的選擇，并不改變本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。本實(shí)施例以真空吸附的方式將晶圓工件1固定于固定裝置(磨頭)之上。其次，提供固定研磨粒拋光墊2，置于可旋轉(zhuǎn)拋光臺(tái)之上。請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2，所述固定研磨?？蔀閬單⒚准?jí)或納米級(jí)磨料凝聚成團(tuán)，形成具有特定形狀的三維結(jié)構(gòu)細(xì)小顆粒 (長(zhǎng)寬大小約幾十至幾百微米、高約為幾十微米)，以規(guī)則的分布精確地粘結(jié)在聚合物基材上構(gòu)成。所述磨粒材料可為剛玉(氧化鋁)、硅石(二氧化硅)、二氧化鈰或金剛石等，具體可根據(jù)加工環(huán)境進(jìn)行選擇。本實(shí)施例選擇以剛玉材料作為磨料的拋光墊進(jìn)行說(shuō)明。然后提供拋光墊清洗裝置3，置于拋光墊2上方；請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2，所述拋光墊清洗裝置3設(shè)置有清洗液進(jìn)液口 4及排出口 5，還設(shè)置有噴射口 7及回收口 6，其中清洗液噴射口 7與進(jìn)液口 4相連通，用于噴射清洗液以沖洗微粒子副產(chǎn)品，回收口 6則與排出口 5相連通，用于吸取載有微粒子副產(chǎn)品的清洗液以將其移除。拋光墊清洗裝置3的形狀，可依據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境選擇設(shè)置為方形、梯形、橢圓形或其他規(guī)則或不規(guī)則的形狀。本實(shí)施例選擇以長(zhǎng)條形為例進(jìn)行說(shuō)明。拋光墊清洗裝置3上的清洗液噴射口 7及回收口 6的數(shù)量可各自依據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境進(jìn)行設(shè)置，優(yōu)選地，可使噴射口 7的數(shù)量大于或等于回收口 6的數(shù)量。優(yōu)選地，噴射口 7及回收口 6的數(shù)量可設(shè)置為1 4排，每排噴射口 7與回收口 6各自的數(shù)量可設(shè)置為6 20，殘留微粒子副產(chǎn)品清除效果較佳。本實(shí)施例以噴射口 7及回收口 6各自設(shè)置4排，每排設(shè)置6個(gè)噴射口 7及回收口 6為例進(jìn)行說(shuō)明。根據(jù)本實(shí)施例的一個(gè)變化例，亦可將噴射口 7及回收口 6各自設(shè)置1排，每排設(shè)置20個(gè)噴射口 7或回收口 6予以實(shí)現(xiàn)，并不影響本發(fā)明實(shí)質(zhì)，在此不予贅述。然后使固定裝置帶動(dòng)晶圓工件1旋轉(zhuǎn)，啟動(dòng)拋光臺(tái)以帶動(dòng)研磨墊2旋轉(zhuǎn)，并施加壓力使晶圓工件1與固定研磨粒拋光墊2相接觸，清洗裝置3以清洗液對(duì)拋光墊2進(jìn)行清洗。 在此環(huán)節(jié)中，拋光墊2與晶圓工件1接觸，開(kāi)始對(duì)晶圓進(jìn)行拋光。所述晶圓工件1的旋轉(zhuǎn)速度及施加壓力數(shù)值，可依據(jù)被加工晶圓工件的應(yīng)用環(huán)境及自身?xiàng)l件選擇設(shè)置為各種數(shù)值， 并不影響本發(fā)明實(shí)質(zhì)，在此不予贅述。拋光墊2在接觸區(qū)對(duì)晶圓工件1拋光結(jié)束以后，其研磨?？p隙攜帶微粒子副產(chǎn)品及進(jìn)入非接觸區(qū)，清洗裝置3開(kāi)始對(duì)拋光墊2進(jìn)行清洗。
請(qǐng)參考圖3，清洗裝置3開(kāi)始工作對(duì)拋光墊2進(jìn)行清洗。噴射口與回收口與拋光墊的距離可根據(jù)應(yīng)用環(huán)境選擇具體數(shù)值，優(yōu)選地，距離為1 10毫米。本實(shí)施例以噴射口與回收口距離拋光墊10毫米為例進(jìn)行說(shuō)明。首先，清洗液由進(jìn)液口 4進(jìn)入，通過(guò)清洗裝置 3的噴射口 7噴出以對(duì)拋光墊2進(jìn)行清洗。同時(shí)回收口 6進(jìn)行工作對(duì)載有微粒子副產(chǎn)品的清洗液進(jìn)行回收，將其由排出口 5排出，以此完成對(duì)拋光墊2的清洗。請(qǐng)進(jìn)一步參考圖4， 噴射口 7所噴射的清洗液帶有一定的液壓，將殘留于研磨顆粒8縫隙之間的微粒子副產(chǎn)品 9沖出，回收口 6以一定進(jìn)液流量對(duì)清洗液進(jìn)行吸入，經(jīng)排出口 5排出。因及時(shí)的將拋光的微粒子副產(chǎn)品9從縫隙移除，避免其進(jìn)入拋光接觸區(qū)域，從而有效地減少了晶圓工件1拋光面的劃傷。所述清洗液可依據(jù)具體需求為去離子水或加入化學(xué)制品調(diào)節(jié)PH值的其他液體。 本實(shí)施例以去離子水為例進(jìn)行說(shuō)明。值得說(shuō)明的是，可選擇在不同清洗階段同時(shí)開(kāi)啟噴射口 7及回收口 6工作或單獨(dú)開(kāi)啟其中之一工作進(jìn)行加工，同時(shí)也可對(duì)其噴射及回收流量進(jìn)行控制以進(jìn)行優(yōu)化。對(duì)于拋光墊的拋光及清洗過(guò)程可依據(jù)待加工晶圓工件的應(yīng)用環(huán)境及自身環(huán)境進(jìn)行選擇，并不影響本發(fā)明實(shí)質(zhì)。優(yōu)選地，該拋光清洗流程可為首先拋光臺(tái)2以第一轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)，噴射口 7及回收口 6同時(shí)工作；其次拋光臺(tái)2以第二轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)，噴射口 7停止工作，回收口 6持續(xù)工作；所述第二轉(zhuǎn)速高于第一轉(zhuǎn)速。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述第一轉(zhuǎn)速范圍為5 20轉(zhuǎn)/分鐘；所述第二轉(zhuǎn)速范圍為50 200轉(zhuǎn)/分鐘。具體地，本實(shí)施例選擇以第一轉(zhuǎn)速為5轉(zhuǎn)/分鐘，第二轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分鐘為例進(jìn)行說(shuō)明。根據(jù)本實(shí)施例的一個(gè)變化例，也可將第一轉(zhuǎn)速設(shè)置為20 轉(zhuǎn)/分鐘，第二轉(zhuǎn)速設(shè)置為200轉(zhuǎn)/分鐘，同樣可以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的技術(shù)效果。優(yōu)選地，拋光墊2以第一轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)，噴射口 7及回收口 6同時(shí)工作時(shí)，所述噴射口 7以第一流量噴射去離子水清洗液，回收口 6以第二流量吸入去離子水清洗液，所述第二流量大于第一流量。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述第一流量為200 1000毫升/分鐘，所述第二流量為1000 5000毫升/分鐘。具體地，本實(shí)施例選擇以第一流量為200毫升/分鐘，第二流量為1000毫升/分鐘進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施例中，拋光墊2首先以第一轉(zhuǎn)速5轉(zhuǎn)/分鐘進(jìn)行運(yùn)轉(zhuǎn)，噴射口 7及回收口 6同時(shí)工作，其中噴射口 7以流量200毫升/分鐘進(jìn)行去離子水噴射，回收口 6以1000毫升 /分鐘的流量吸入帶有微粒子副產(chǎn)品9的去離子水；其次拋光墊2以第二轉(zhuǎn)速50轉(zhuǎn)/分鐘運(yùn)轉(zhuǎn)，噴射口 7停止工作，回收口 6繼續(xù)以流量1000毫升/分鐘進(jìn)行回收工作。因每次拋光后，均及時(shí)的在非接觸區(qū)域?qū)埩粲谘心チ？p隙中的微粒子副產(chǎn)品進(jìn)行清洗回收，有效地減少了晶圓工件表面的劃傷，從而提高了產(chǎn)品的良品率及生產(chǎn)效率。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種固定研磨粒拋光墊清洗裝置，包括清洗裝置主體；清洗液進(jìn)液口，位于裝置主體末端；與清洗液進(jìn)液口連通的清洗液噴射口，位于清洗裝置工作面，其特征在于，還包括清洗液排出口，位于裝置主體末端；及與清洗液排出口連通的清洗液回收口，位于清洗裝置工作面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固定研磨粒拋光墊清洗裝置，其特征在于，所述清洗液噴射口數(shù)量大于或等于回收口數(shù)量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固定研磨粒拋光墊清洗裝置，其特征在于，所述拋光墊清洗裝置包含1 4排的噴射口及1 4排的回收口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固定研磨粒拋光墊清洗裝置，其特征在于，所述拋光墊清洗裝置每排噴射口或回收口的數(shù)量為6-20個(gè)。
5.一種使用權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述清洗裝置的固定研磨粒拋光墊清洗方法，包括提供固定研磨粒拋光墊，置于可旋轉(zhuǎn)拋光臺(tái)之上；提供拋光墊清洗裝置，置于拋光墊上方；啟動(dòng)拋光臺(tái)以帶動(dòng)研磨墊旋轉(zhuǎn)，清洗裝置以清洗液對(duì)拋光墊進(jìn)行清洗；所述清洗裝置以噴射口噴射清洗液，以回收口回收清洗液。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固定研磨粒拋光墊清洗方法，其特征在于，所述清洗裝置清洗過(guò)程包括拋光臺(tái)以第一轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)，噴射口及回收口同時(shí)工作；拋光臺(tái)以第二轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)， 噴射口停止工作，回收口持續(xù)工作；所述第二轉(zhuǎn)速高于第一轉(zhuǎn)速。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固定研磨粒拋光墊清洗方法，其特征在于，所述第一轉(zhuǎn)速范圍為5 20轉(zhuǎn)/分鐘，所述第二轉(zhuǎn)速范圍為50 200轉(zhuǎn)/分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固定研磨粒拋光墊清洗方法，其特征在于，所述噴射口及回收口與拋光墊的距離為1 10毫米。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固定研磨粒拋光墊清洗方法，其特征在于，拋光臺(tái)以第一轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，所述噴射口以第一流量噴射清洗液，回收口以第二流量吸入清洗液，所述第二流量大于第一流量。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固定研磨粒拋光墊清洗方法，其特征在于，所述第一流量為 200 1000毫升/分鐘。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固定研磨粒拋光墊清洗方法，其特征在于，所述第二流量為 1000 5000毫升/分鐘。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固定研磨粒拋光墊清洗方法，其特征在于，所述清洗液為去離子水。
全文摘要
本發(fā)明提供一種固定研磨粒拋光墊清洗裝置，包括清洗裝置主體；清洗液進(jìn)液口，位于裝置主體末端；與清洗液進(jìn)液口連通的清洗液噴射口，位于清洗裝置工作面，還包括清洗液排出口，位于裝置主體末端；及與清洗液排出口連通的清洗液回收口，位于清洗裝置工作面。還提供一種使用該固定研磨粒拋光墊清洗裝置對(duì)拋光墊進(jìn)行清洗的方法。本發(fā)明所提供方案可及時(shí)對(duì)拋光墊表面的微粒子加工副產(chǎn)品進(jìn)行去除，有效地避免對(duì)待加工晶圓工件表面的劃傷問(wèn)題，提高加工的良品率與生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)B08B13/00GK102553849SQ201010613438
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者陳楓 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司