專利名稱：基板處理方法及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于對基板實施利用處理液的處理的基板處理方法及基板處理裝置。 成為處理對象的基板例如包括半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子顯示器用基板、FED (Field Emission Display 場致發(fā)射顯示裝置)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、 光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等基板。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置、液晶顯示裝置的制造工序中，為了對半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板等基板的表面實施利用藥液的處理，往往使用一張一張地處理基板的單張式基板
處理裝置。單張式基板處理裝置具有旋轉(zhuǎn)卡盤，將基板保持為大致水平，并使基板旋轉(zhuǎn)；藥液噴嘴，對通過旋轉(zhuǎn)卡盤實現(xiàn)旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給藥液；純水噴嘴，對通過旋轉(zhuǎn)卡盤實現(xiàn)旋轉(zhuǎn)的基板的表面的中央部供給純水。在單張式基板處理裝置中，從藥液噴嘴對旋轉(zhuǎn)中的基板的表面供給藥液。由此，對基板的表面實施利用藥液的處理(藥液處理)。在停止供給藥液后，從純水噴嘴對基板的表面的中央部供給純水。供給到基板的表面上的純水受到基板旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力，在基板的表面上向周緣流動。由此，用純水來沖洗附著于基板的藥液(沖洗處理)。沖洗處理時的基板的轉(zhuǎn)速與藥液處理時的基板的轉(zhuǎn)速相同。另外，從純水噴嘴供給的純水的供給流量與藥液的供給流量為大致相同，并且是恒定的。在停止供給純水后，使基板的旋轉(zhuǎn)加速，從而附著于基板上的純水被甩掉而除去。由此，基板干燥，結(jié)束一系列的處理。對基板供給藥液的方式分為中心噴出方式和掃描方式這兩種。在中心噴出方式中，向通過旋轉(zhuǎn)卡盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板的表面的旋轉(zhuǎn)中心噴出藥液(參照日本特開 2005-286221號公報)。在掃描方式中，藥液噴嘴在基板的上方移動(日本特開2007-88381 號公報)。即，通過旋轉(zhuǎn)卡盤使基板旋轉(zhuǎn)，另一方面，從藥液噴嘴對旋轉(zhuǎn)著的基板的表面供給藥液，并且該藥液噴嘴在基板之上移動。在單張式基板處理裝置中，有時例如為了提高處理速度，而使用加熱為高溫的藥液。藥液噴嘴供給的藥液在剛剛供給至基板的表面之后是高溫的，但在基板的表面流動的過程中被基板及周圍空氣奪去熱，液溫降低。因此，從藥液噴嘴對基板的表面供給的高溫的藥液在供給位置發(fā)揮最強(qiáng)的處理能力。通過中心噴出方式供給藥液時，供給到基板表面的中央部的藥液，受到基板旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力，在基板表面上向周緣流動，遍及基板表面的整個區(qū)域。在使用加熱為高溫的藥液的情況下，在基板上，在中央部藥液的溫度相對高，在中央部以外的區(qū)域，藥液的溫度相對低。其結(jié)果，在基板表面內(nèi)處理效率有偏差。即，在基板表面的中央部，利用藥液的處理相對快地進(jìn)行，相對地，在基板表面上的除中央部以外的區(qū)域，處理相對慢。其結(jié)果，在基板表面內(nèi)處理不均勻。另一方面，在利用掃描方式供給藥液時，伴隨著噴嘴的移動，基板表面上的藥液供
6給位置也移動。即，藥液供給位置在基板的表面的旋轉(zhuǎn)中心與周緣部之間移動(掃描)。但是，利用該掃描方式對基板供給加熱為高溫的藥液時，也不能對基板表面實施均勻的藥液處理。即，基板表面上的位置越遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)中心越高速移動，所以如果藥液供給流量恒定，則藥液供給位置越遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)中心，單位面積內(nèi)的藥液供給量越少。其結(jié)果，在基板表面內(nèi)處理效率有偏差。即，在基板表面的中央部，利用藥液的處理相對快地進(jìn)行，相對地， 在基板表面的中央部以外的區(qū)域，利用藥液的處理相對慢。因此，即使在使用掃描方式對基板供給高溫藥液的情況下，也不能對基板表面實施均勻的藥液處理。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供能夠?qū)灞砻娴恼麄€區(qū)域均勻地實施利用藥液的處理的基板處理方法及基板處理裝置。本發(fā)明的基板處理方法，在處理室內(nèi)包括高溫藥液供給工序，對基板表面供給溫度比所述處理室的溫度高溫的藥液；沖洗液供給工序，在進(jìn)行了所述高溫藥液供給工序后， 對基板表的面供給用于沖洗藥液的沖洗液。所述沖洗液供給工序包括周緣部處理工序， 選擇性地對基板的表面的中央部供給沖洗液，從而抑制該中央部的藥液處理，并且使基板的表面的周緣部的藥液處理得以進(jìn)行；整個面沖洗工序，在進(jìn)行了所述周緣部處理工序之后，使沖洗液遍及基板的表面的整個區(qū)域，從而在基板的表面的整個區(qū)域?qū)⑺幰褐脫Q成沖洗液。優(yōu)選周緣部處理工序在所述沖洗液供給工序的初期進(jìn)行。在周緣部處理工序中，通過殘留于基板表面的周緣部的藥液，選擇性地對該周緣部進(jìn)行處理。在對基板表面供給高溫藥液的高溫藥液供給工序中，在基板表面的中央部，利用藥液的處理相對快地進(jìn)行，相對地，在基板表面的除中央部以外的區(qū)域，利用藥液的處理相對慢。因此，在基板表面內(nèi)，利用藥液的處理不均勻。根據(jù)本發(fā)明的方法，在接著高溫藥液供給工序執(zhí)行的沖洗液供給工序的例如初期，執(zhí)行周緣部處理工序。在周緣部處理工序中，選擇性地對基板表面的中央部供給沖洗液。通過選擇性地供給該沖洗液，基板表面的中央部的藥液快速地置換成沖洗液，而在基板表面的周緣部，置換為沖洗液的置換效率低，因此，在基板表面的周緣部會殘留有藥液。因此，一方面，在基板表面的中央部，利用藥液的處理停止，另一方面，利用殘留藥液選擇性地對基板表面的周緣部進(jìn)行處理。通過這樣的利用殘留藥液的處理，能夠補(bǔ)償基板表面的周緣部的處理的緩慢。由此，能夠利用藥液對基板表面的整個區(qū)域?qū)嵤┚鶆虻奶幚?。另外，因為在沖洗液供給工序中執(zhí)行周緣部處理工序，所以無需追加使用藥液選擇性地對基板表面的周緣部進(jìn)行處理的工序。即，能夠在不延長整體的處理時間的情況下， 利用藥液對基板表面實施均勻的處理。本發(fā)明的一個實施方式的基板處理方法還包括藥液處理旋轉(zhuǎn)工序，使所述基板以規(guī)定的第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并且，該藥液處理旋轉(zhuǎn)工序與所述高溫藥液供給工序并行執(zhí)行。并且，所述周緣部處理工序包括低速旋轉(zhuǎn)工序，在該低速旋轉(zhuǎn)工序中，一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使所述基板以慢于所述第一轉(zhuǎn)速的第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。根據(jù)該方法，周緣部處理工序包括使基板以比高溫藥液供給工序中的基板的轉(zhuǎn)速慢的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的低速旋轉(zhuǎn)工序。在該低速旋轉(zhuǎn)工序中，對供給至基板的表面的沖洗液所作用的離心力小或者幾乎沒有。因此，供給至基板表面的中央部的沖洗液會滯留在該中央部。由此，在沖洗液供給工序的初期，能夠選擇性地對基板表面的中央部供給沖洗液。所述周緣部處理工序還可以在所述低速旋轉(zhuǎn)工序之前包括高速旋轉(zhuǎn)工序，在該高速旋轉(zhuǎn)工序中，一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使所述基板以與所述第一轉(zhuǎn)速相等的速度旋轉(zhuǎn)。根據(jù)該方法，例如在所述沖洗液供給工序開始時執(zhí)行高速旋轉(zhuǎn)工序，在高速旋轉(zhuǎn)工序后執(zhí)行低速旋轉(zhuǎn)工序。在高速旋轉(zhuǎn)工序中，供給至基板表面的沖洗液受到基板旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力，而在基板表面上擴(kuò)散。在高速旋轉(zhuǎn)工序之后執(zhí)行的低速旋轉(zhuǎn)工序中，基板的轉(zhuǎn)速降低，對在基板表面上流動的沖洗液所作用的離心力變小或變得幾乎沒有。因此，通過在沖洗液已覆蓋了基板表面中央部的整個區(qū)域的時刻執(zhí)行低速旋轉(zhuǎn)工序，能夠使藥液僅殘留在基板表面的周緣部。由此，能夠利用藥液選擇性地僅對基板表面的周緣部進(jìn)行處理。在本發(fā)明的一個實施方式的基板處理方法中，所述周緣部處理工序中的沖洗液的供給流量比所述高溫藥液供給工序中的藥液的供給流量少。根據(jù)該方法，小流量地供給至基板表面的沖洗液幾乎不擴(kuò)散，而滯留在基板表面的中央部。由此，能夠在沖洗液供給工序的初期，選擇性地對基板表面的中央部供給沖洗液。優(yōu)選在所述沖洗液供給工序中供給至基板表面的沖洗液，溫度比所述處理室的溫度高。若在沖洗液供給工序中對基板表面供給常溫(例如與處理室內(nèi)的空氣溫度實質(zhì)上相等的溫度)的沖洗液，則在沖洗液供給工序開始時，基板表面上的藥液可能會被沖洗液奪去熱而溫度急劇地降低。因此，殘留于基板表面的周緣部的藥液的溫度可能降低，而該殘留藥液的處理能力降低。因此，通過對基板表面供給高溫的沖洗液，能夠抑制殘留于基板表面的周緣部的藥液的溫度降低。由此，能夠使殘留于基板表面的周緣部的藥液發(fā)揮強(qiáng)的處理能力。本發(fā)明的基板處理裝置包括處理室，旋轉(zhuǎn)單元，用于在所述處理室內(nèi)使基板旋轉(zhuǎn)，高溫藥液供給單元，用于對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液，沖洗液供給單元，用于對基板的表面供給用于沖洗藥液的沖洗液，控制單元，用于對所述旋轉(zhuǎn)單元的旋轉(zhuǎn)動作、所述高溫藥液供給單元的藥液供給動作及所述沖洗液供給單元的沖洗液供給動作進(jìn)行控制。所述控制單元包括周緣部處理控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來選擇性地對基板的表面的中央部供給沖洗液，從而一方面抑制對該中央部的藥液處理，而另一方面使對基板的表面的周緣部的藥液處理得以進(jìn)行，整個面沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，使得沖洗液遍及基板的表面的整個區(qū)域，從而在基板的表面的整個區(qū)域?qū)⑺幰褐脫Q成沖洗液。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)與基板處理方法的發(fā)明相關(guān)地闡述的作用效果同樣的作用效果。通過下面參照附圖陳述的實施方式的說明，進(jìn)一步明確本發(fā)明的上述的、或其他目的、特征及效果。


圖1是示意地表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是表示圖1所示的基板處理裝置的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。圖3是第一、第二、第三處理例的整體工序圖。圖3A、圖;3B及圖3C分別是用于說明第一、第二、第三處理例中的DIW供給工序(圖3的步驟S3)的詳細(xì)的流程圖。圖4是表示第一處理例中的晶片的轉(zhuǎn)速的變化的圖。圖5A、圖5B及圖5C是用于說明第一處理例的多個工序中的晶片的處理狀態(tài)的圖。圖6是表示第二處理例中的晶片的轉(zhuǎn)速的變化的圖。圖7是用于說明第二處理例的一個工序(DIW供給工序)中的晶片的處理狀態(tài)的圖。圖8是示意地表示本發(fā)明的第二實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖9是表示第三處理例中的處理液的供給流量的變化的圖。圖10A、圖IOB及圖IOC是用于說明第三處理例的多個工序中的晶片的處理狀態(tài)的圖。圖11是示意地表示本發(fā)明的第三實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖12是表示第四處理例的工序的工序圖。圖13是表示第一蝕刻試驗中的蝕刻量的面內(nèi)分布的曲線。圖14是表示第二蝕刻試驗中的蝕刻量的面內(nèi)分布的曲線。
具體實施例方式圖1是示意地表示本發(fā)明的一個實施方式(第一實施方式)的基板處理裝置1的結(jié)構(gòu)的剖視圖。該基板處理裝置1是對作為基板的一個例子的圓形半導(dǎo)體晶片W(下面，簡稱為“晶片W”)進(jìn)行處理的單張式裝置。在該實施方式中，對晶片W的器件形成區(qū)域一側(cè)的表面實施作為清洗處理的一個例子的蝕刻處理(例如，氧化膜蝕刻處理)。在蝕刻處理中，作為藥液利用蝕刻液。蝕刻液能夠例示氫氟酸?；逄幚硌b置1具有由隔離壁2劃分的處理室3。在處理室3內(nèi)具有旋轉(zhuǎn)卡盤4、 藥液噴嘴5、DIff噴嘴6及杯7。旋轉(zhuǎn)卡盤4，大致水平地保持晶片W，并且使晶片W圍繞穿過晶片W的中心的大致鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸線C旋轉(zhuǎn)。藥液噴嘴5，向旋轉(zhuǎn)卡盤4所保持的晶片W 的表面(即，上表面)供給高溫蝕刻液。DIW噴嘴6，對旋轉(zhuǎn)卡盤4所保持的晶片W的表面的中央部供給作為沖洗液的常溫(例如25°C )的DIW(去離子水)。杯7容置旋轉(zhuǎn)卡盤4。旋轉(zhuǎn)卡盤4包括旋轉(zhuǎn)馬達(dá)(旋轉(zhuǎn)單元)8、旋轉(zhuǎn)基座9及夾持構(gòu)件10。旋轉(zhuǎn)基座9 是借助旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力圍繞旋轉(zhuǎn)軸線C旋轉(zhuǎn)的圓盤狀的構(gòu)件。夾持構(gòu)件10，以大致相等的間隔設(shè)置于旋轉(zhuǎn)基座9的周緣的多處，并將晶片W夾持為大致水平的姿勢。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，旋轉(zhuǎn)卡盤4在通過多個夾持構(gòu)件10夾持著晶片W的狀態(tài)下，通過旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力使旋轉(zhuǎn)基座9旋轉(zhuǎn)。由此，旋轉(zhuǎn)卡盤4能夠使該晶片W以保持為大致水平的姿勢的狀態(tài)，與旋轉(zhuǎn)基座9 一起圍繞旋轉(zhuǎn)軸線C旋轉(zhuǎn)。作為旋轉(zhuǎn)卡盤4，不限于采用夾持式卡盤，也可以采用真空吸附式卡盤(真空卡盤)等其他結(jié)構(gòu)的卡盤。關(guān)于真空吸附式卡盤，通過真空吸附晶片W的背面，以水平的姿勢保持晶片W，進(jìn)而在該狀態(tài)下圍繞鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)。由此，真空吸附式卡盤能夠使所保持的晶片W旋轉(zhuǎn)。藥液噴嘴5例如是以連續(xù)液流的狀態(tài)噴出加熱為高溫(例如60°C )的蝕刻液的直線型噴嘴。藥液噴嘴5以使其噴出口朝向下方的狀態(tài)安裝于機(jī)械臂11的前端部。機(jī)械臂 11大致水平地延伸，機(jī)械臂11的基端部由在杯7的側(cè)方大致鉛垂地延伸的支撐軸12的上端部支撐著。支撐軸12與包括馬達(dá)的噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13相結(jié)合。通過從噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13 對支撐軸12輸入旋轉(zhuǎn)力而使支撐軸12轉(zhuǎn)動，能夠使機(jī)械臂11在旋轉(zhuǎn)卡盤4的上方擺動， 從而使藥液噴嘴5沿著晶片W的表面水平移動。藥液噴嘴5上連接有蝕刻液供給管14，該蝕刻液供給管14用于供給來自高溫蝕刻液供給源的高溫蝕刻液。在蝕刻液供給管14的途中部安裝有蝕刻液閥15，該蝕刻液閥15 用于對從藥液噴嘴5供給蝕刻液和停止供給進(jìn)行切換。通過在晶片W保持于旋轉(zhuǎn)卡盤4并在該晶片W的上方配置有藥液噴嘴5的狀態(tài)下， 從藥液噴嘴5供給蝕刻液，能夠?qū)琖的表面供給蝕刻液。在從藥液噴嘴5對晶片W的表面供給蝕刻液時，使機(jī)械臂11在規(guī)定的角度范圍內(nèi)擺動。由此，晶片W的表面上的蝕刻液的供給位置，在從晶片W的旋轉(zhuǎn)中心(晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C上的點(diǎn))到晶片W的周緣的范圍內(nèi)，描畫圓弧狀軌跡地移動。DIff噴嘴6例如是以連續(xù)液流的狀態(tài)供給DIW的直線型噴嘴。DIff噴嘴6以使供給口朝向晶片W的旋轉(zhuǎn)中心附近的方式固定配置在旋轉(zhuǎn)卡盤4的上方。在DIW噴嘴6上連接有DIW供給管16，該DIW供給管16用于供給來自DIW供給源的常溫(例如25°C )的DIW。 在DIW供給管16的途中部安裝有DIW閥18，該DIW閥18用于對從DIW噴嘴6供給DIW和停止供給進(jìn)行切換。杯7是為了捕獲在晶片W的處理中用過之后的蝕刻液及DIW而設(shè)置的，形成為有底圓筒容器狀。圖2是表示基板處理裝置1的電氣結(jié)構(gòu)的框圖?；逄幚硌b置1具有包括微型計算機(jī)的結(jié)構(gòu)的控制裝置20。該控制裝置20作為控制對象連接有旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8、噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13、蝕刻液閥15及DIW閥18等，控制裝置20被程序化以對這些控制對象進(jìn)行控制。圖3是表示在基板處理裝置1中執(zhí)行的蝕刻處理的一個例子的工序圖。圖3A是表示第一處理例中的DIW供給工序(圖3中的步驟S3)的詳細(xì)工序的流程圖。圖4是表示第一處理例中的晶片W的轉(zhuǎn)速的變化的圖。圖5A、圖5B及圖5C是用于說明第一處理例的多個工序中的晶片處理狀態(tài)的圖。作為處理對象的晶片W通過搬送機(jī)械手(未圖示)搬入到處理室3內(nèi)，以晶片W 的表面朝向上方的狀態(tài)被交接到旋轉(zhuǎn)卡盤4。此時，為了不妨礙搬入晶片W，藥液噴嘴5配置于杯7的側(cè)方的原位置。 晶片W保持于旋轉(zhuǎn)卡盤4之后，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8，使晶片W以第一液處理速度(第一轉(zhuǎn)速，例如300rpm)旋轉(zhuǎn)。另外，機(jī)械臂11回轉(zhuǎn)，藥液噴嘴5從原位置移動到晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C上。 當(dāng)藥液噴嘴5的移動結(jié)束時，控制裝置20使蝕刻液閥15打開，從藥液噴嘴5供給高溫(例如60°C )的蝕刻液(圖3的步驟SI 高溫蝕刻液供給工序，控制裝置20作為高溫藥液供給控制單元進(jìn)行工作)。在該高溫蝕刻液供給工序中，來自藥液噴嘴5的蝕刻液的供給流量例如為2.0L/min，且是恒定的(參照圖5A)。在高溫蝕刻液供給工序中，控制裝置 20控制噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13，使機(jī)械臂11在規(guī)定的角度范圍內(nèi)擺動。機(jī)械臂11的擺動是勻速的。通過機(jī)械臂11的擺動，藥液噴嘴5在晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C和晶片W的周緣部的上方之間往復(fù)移動。由此，晶片W的表面上的蝕刻液供給位置，在從晶片W的旋轉(zhuǎn)中心到晶片W的
10周緣部的范圍內(nèi)，一邊描畫與晶片W的旋轉(zhuǎn)方向交叉的圓弧狀的軌跡，一邊往復(fù)移動(參照圖5A)。在高溫蝕刻液供給工序中，晶片的轉(zhuǎn)速例如為300rpm，且是恒定的(參照圖4)。此外，所說的晶片W的周緣部例如為，以晶片W的旋轉(zhuǎn)中心為中心，半徑為晶片W 半徑的2/3左右的圓的外側(cè)的環(huán)狀區(qū)域。更具體而言，在外徑200mm的晶片W上，以晶片W 的旋轉(zhuǎn)中心為中心的半徑70mm左右的圓的外側(cè)的環(huán)狀區(qū)域相當(dāng)于周緣部。同樣地，在外徑 300mm的晶片W上，以晶片W的旋轉(zhuǎn)中心為中心的半徑IOOmm左右的圓的外側(cè)的環(huán)狀區(qū)域相當(dāng)于周緣部。從藥液噴嘴5供給到晶片W的表面的蝕刻液擴(kuò)散到晶片W的表面的整個區(qū)域。由此，蝕刻液均勻且快速地供給至晶片W的表面的整個區(qū)域。通過從藥液噴嘴5對晶片W的表面供給蝕刻液，能夠通過該蝕刻液的化學(xué)能力，除去形成于晶片W表面的氧化膜。當(dāng)從藥液噴嘴5開始供給蝕刻液起經(jīng)過規(guī)定時間(例如35秒鐘)時，控制裝置20 使蝕刻液閥15關(guān)閉，停止對晶片W供給蝕刻液(圖3的步驟S2 停止供給高溫蝕刻液)。 另外，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8，使晶片W的轉(zhuǎn)速減速到規(guī)定的低轉(zhuǎn)速(第二轉(zhuǎn)速，例如 IOrpm)(參照圖4)。然后，控制裝置20使機(jī)械臂11回轉(zhuǎn)，而使藥液噴嘴5返回到原位置。從藥液噴嘴5供給至晶片W的表面的高溫的蝕刻液，在剛剛落下至晶片W的表面后是高溫的，但在晶片W上流動的過程中，熱被晶片W和周圍空氣奪去，從而蝕刻液的液溫降低。即，來自藥液噴嘴5的高溫的蝕刻液在蝕刻液供給位置(落下位置)發(fā)揮最強(qiáng)的蝕刻力。另一方面，晶片W的表面位置越遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)軸線C越高速地移動。為此，當(dāng)如該第一處理例那樣，在高溫蝕刻液供給工序中的蝕刻液的供給流量恒定的情況下，隨著蝕刻液供給位置遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)軸線C，單位面積內(nèi)的蝕刻液的供給量變少。由此，晶片W的中央部的蝕刻效率高于晶片W的周緣部的蝕刻效率。即，在晶片W表面的中央部蝕刻處理相對快地進(jìn)行，相對地，在晶片W表面的除了中央部以外的區(qū)域，蝕刻處理相對慢。由此，在晶片W的表面內(nèi)蝕刻處理不均勻。在停止供給蝕刻液(圖3的步驟S2)及使晶片W減速(參照圖4)之后，控制裝置 20使DIW閥18打開，從DIW噴嘴6供給常溫(例如25°C )的DIW (圖3的步驟S3 =DIff供給工序)。從DIW噴嘴6噴出的DIW供給至旋轉(zhuǎn)中的晶片W的表面的旋轉(zhuǎn)中心附近(參照圖5B)。來自DIff噴嘴6的DIff的供給流量例如為2. OL/min,是恒定的。此時，如圖4所示，晶片W的轉(zhuǎn)速是低轉(zhuǎn)速(例如IOrpm)，所以晶片W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力幾乎不會作用于已供給至晶片W的表面的DIW。因此，供給至晶片W的表面的DIW滯留在晶片W表面的中央部，幾乎不會到達(dá)晶片W的周緣部。因此，晶片W表面的中央部的蝕刻液快速地置換成DIW，但在晶片W表面的周緣部，置換為DIW的置換效率低，因此，在晶片 W的表面的周緣部殘留有蝕刻液(參照圖5B)。在該第一處理例中，在處于圖5B的狀態(tài)時， DIff不會到達(dá)晶片W的表面的周緣部，而且DIW甚至不會到達(dá)晶片W的中央部的外周部分。 因此，在晶片W的中央部的外周部分也殘留有蝕刻液。通過該殘留蝕刻液，選擇性地對晶片 W的表面的周緣部及晶片W的中央部的外周部分進(jìn)行蝕刻處理。即，在從DIW噴嘴6開始供給DIW起的規(guī)定的低速旋轉(zhuǎn)期間Tl (例如1 10秒鐘)，控制裝置20執(zhí)行利用殘留藥液選擇性地對晶片W的周緣部進(jìn)行處理的周緣部處理工序(低速旋轉(zhuǎn)工序，圖3A的步驟S31)。 該動作是作為控制裝置20的周緣部處理控制單元或低速旋轉(zhuǎn)沖洗控制單元的功能。當(dāng)從DIW噴嘴6開始供給DIW起經(jīng)過規(guī)定的低速旋轉(zhuǎn)期間Tl時，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8，使晶片W的轉(zhuǎn)速加速到第二液處理速度(例如500rpm)，來執(zhí)行整個面沖洗工序(圖3A的步驟S32，并參照圖4)。為此，供給至晶片W的表面的DIW受到晶片W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力而在晶片W的表面上向周緣流動，從而擴(kuò)散到晶片W的表面的整個區(qū)域(參照圖5C)。由此，附著于晶片W的表面的蝕刻液被DIW沖洗。執(zhí)行該整個表面沖洗工序的控制裝置20的動作是作為整個表面沖洗控制單元的功能。該在第一處理例中，如圖4所示，晶片W加速到第二液處理速度(例如500rpm)之后，維持該第二液處理速度不變。但是，在規(guī)定的時刻(從開始供給DIW起經(jīng)過例如25秒鐘)以后，對晶片W的轉(zhuǎn)速進(jìn)行多級切換。具體而言，到了規(guī)定的時刻以后，通過控制裝置20對旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8的控制，晶片W的轉(zhuǎn)速以第三液處理速度(例如280rpm，例如5秒鐘)、第二液處理速度(例如1秒鐘)、第四液處理速度(例如30rpm，例如5秒鐘)、第五液處理速度(例如15rpm，例如3秒鐘)、第六液處理速度(例如lOrpm，例如5秒鐘)的順序變化。隨著該晶片W的轉(zhuǎn)速的變化，DIff從晶片W的周緣飛散的飛散方向發(fā)生變化，從而附著在杯7上壁、旋轉(zhuǎn)基座9的上表面等的蝕刻液等被沖洗掉。從DIW噴嘴6開始供給DIW起經(jīng)過規(guī)定時間(例如40秒鐘)時，控制裝置20使 DIff閥18關(guān)閉，停止對晶片W供給DIW(圖3的步驟S4 停止供給DIW)。之后，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8，使晶片W的轉(zhuǎn)速加速到規(guī)定的高轉(zhuǎn)速(例如 3000rpm)。由此，附著于晶片W的DIW被甩掉而除去(圖3的步驟S5 旋轉(zhuǎn)脫水)。晶片W的高速旋轉(zhuǎn)持續(xù)規(guī)定時間之后，控制裝置20使晶片W停止旋轉(zhuǎn)。由此，對一張晶片W的蝕刻處理結(jié)束，通過搬送機(jī)械手從處理室3搬出處理完畢的晶片W。如上所述，在第一處理例中，在接著高溫蝕刻液供給工序執(zhí)行的DIW供給工序開始時，晶片W的轉(zhuǎn)速降低為低轉(zhuǎn)速(例如lOrpm)。因此，晶片W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力幾乎不會作用于供給至晶片W表面的DIW。因此，供給至晶片W表面的中央部的DIW滯留在該中央部。由此，在DIW供給工序的初期，選擇性地向晶片W表面的中央部供給DIW。雖然通過該 DIff的供給，晶片W表面的中央部的蝕刻液快速地置換成DIW，但在晶片W表面的周緣部置換為DIW的置換效率低，因此，在晶片W表面的周緣部殘留有蝕刻液。通過該殘留蝕刻液， 選擇性地對晶片W的周緣部進(jìn)行蝕刻處理。即，通過選擇性地對晶片W表面的中央部供給 DIff,能夠補(bǔ)償晶片W表面的周緣部的蝕刻處理的緩慢。由此，能夠?qū)琖表面的整個區(qū)域?qū)嵤┚鶆虻奈g刻處理。另外，因為在DIW供給工序中選擇性地對晶片W的周緣部進(jìn)行蝕刻處理，所以無需另外追加選擇性地對晶片W的周緣部進(jìn)行蝕刻處理的工序。即，在不會使整體的處理時間變長的情況下，能夠?qū)琖的表面實施均勻的蝕刻處理。圖6是表示第二處理例中的晶片W的轉(zhuǎn)速的變化的圖。圖7是用于說明第二處理例的DIW供給工序的初期的晶片處理狀態(tài)的圖。并且，圖:3B是用于說明第二處理例中的 DIW供給工序(圖3的步驟S3)的詳細(xì)內(nèi)容的流程圖。參照圖3、圖6及圖7說明第二處理例。第二處理例與第一處理例同樣地，依次執(zhí)行高溫蝕刻液供給工序(圖3所示的步驟S 1)、停止供給高溫蝕刻液工序(圖3所示的步驟S》,DIff供給工序(圖3所示的步驟 S3)、停止供給DIW工序(圖3所示的步驟S4)及旋轉(zhuǎn)脫水(圖3所示的步驟S5)。該第二處理例與第一處理例的不同點(diǎn)在于，在DIW供給工序中，使將晶片W的轉(zhuǎn)速降低到低轉(zhuǎn)速(例如IOrpm)的時刻比開始DIW供給工序的時刻，延遲規(guī)定的延遲期間T2 (例如0. 5 1. 0秒鐘)。除此之外，因為與第一處理例相同，所以省略說明。具體而言，開始從DIW噴嘴6供給常溫(例如25°C )的DIW之后，到經(jīng)過延遲期間 T2為止的期間，控制裝置20使晶片W繼續(xù)以第一液處理速度旋轉(zhuǎn)，執(zhí)行高速旋轉(zhuǎn)工序(圖 3B的步驟S30)。因此，在延遲期間T2內(nèi)，落下至晶片W的表面的中央的DIW受到晶片W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力而在晶片W的表面上擴(kuò)散。延遲期間T2內(nèi)的控制裝置20的動作是作為控制裝置20的高速旋轉(zhuǎn)沖洗控制單元的功能。經(jīng)過延遲期間T2時，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8，使晶片W的轉(zhuǎn)速減速到低轉(zhuǎn)速 (例如IOrpm)(圖;3B的步驟S31，低速旋轉(zhuǎn)工序，低速旋轉(zhuǎn)沖洗控制單元)。通過該減速，離心力幾乎不會作用于晶片W表面的DIW。由此，覆蓋晶片W的表面上的DIW液膜停止擴(kuò)大， 在晶片W的表面的中央部能夠形成比較大的DIW的積液。延遲期間T2設(shè)定為從DIW噴嘴 6供給的DIW覆蓋晶片W的表面的中央部整個區(qū)域所需的足夠的時間。由此，DIW幾乎不會到達(dá)晶片W表面的周緣部，從而能夠僅在該周緣部殘留有蝕刻液(參照圖7)。由此，能夠利用殘留蝕刻液選擇性地僅對晶片W的周緣部進(jìn)行蝕刻處理。之后，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8，將晶片W的轉(zhuǎn)速加速到第二液處理速度(例如500rpm)，來執(zhí)行整個表面沖洗工序 (步驟S3》。這是作為控制裝置20的整個表面沖洗控制單元的功能。圖8是示意地表示本發(fā)明的第二實施方式的基板處理裝置101的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 在圖8中，對相當(dāng)于圖1所示的各部分的部分標(biāo)注與上述的各部分相同的參照附圖標(biāo)記。圖 8所示的基板處理裝置101與圖1所示的基板處理裝置1的不同點(diǎn)在于，在DIW供給管16 的途中部安裝有流量調(diào)節(jié)閥17，該流量調(diào)節(jié)閥17調(diào)節(jié)在DIW供給管16中流通的DIW的流量。流量調(diào)節(jié)閥17配置于DIW閥18與DIW噴嘴6之間。流量調(diào)節(jié)閥17與控制裝置20 (參照圖2)相連接而作為其控制對象。圖9是表示作為在基板處理裝置101中執(zhí)行的蝕刻處理的一個例子的第三處理例的處理液(蝕刻液及DIW)的供給流量的變化的圖。圖10A、圖IOB及圖IOC是用于說明第三處理例的多個工序中的晶片處理狀態(tài)的圖。另外，圖3C是用于說明第三處理例中的DIW 供給工序(圖3的步驟S3)的詳細(xì)內(nèi)容的流程圖。在第三處理例中，為了選擇性地對晶片W的表面的中央部供給DIW，DIff供給工序 (圖3的步驟S3)的初期的DIW的供給流量設(shè)定得比高溫蝕刻液供給工序中的蝕刻液的供給流量少。第三處理例與第一處理例同樣，依次執(zhí)行高溫蝕刻液供給工序(圖3所示的步驟 S 1)、停止供給高溫蝕刻液工序(圖3所示的步驟S2)、DIW供給工序(圖3所示的步驟 S3)、停止供給DIW工序(圖3所示的步驟S4)及旋轉(zhuǎn)脫水(圖3所示的步驟S5)。另外，晶片W的轉(zhuǎn)速與第一處理例同樣地進(jìn)行切換(參照圖4)。但是，也可以如圖4中以虛線A所示，省去低速旋轉(zhuǎn)期間Tl，在高溫蝕刻液供給期間之后將晶片W的轉(zhuǎn)速也維持液處理速度 (300rpm)。以下，參照圖3、圖3C、圖4、圖8 圖IOC說明第三處理例。作為處理對象的晶片W通過搬送機(jī)械手(未圖示)搬入處理室3內(nèi)，以晶片W的表面朝向上方的狀態(tài)被交接到旋轉(zhuǎn)卡盤4。此時，為了不妨礙搬入晶片W，藥液噴嘴5還配置于杯7的側(cè)方的原位置。晶片W保持于旋轉(zhuǎn)卡盤4之后，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8，使晶片W以規(guī)定的液處理速度(例如300rpm)旋轉(zhuǎn)。另外，控制裝置20使機(jī)械臂11回轉(zhuǎn)，以使藥液噴嘴5從原位置移動到晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C上。當(dāng)藥液噴嘴5的移動結(jié)束時，控制裝置20使蝕刻液閥15打開，從藥液噴嘴5供給高溫(例如60°C )的蝕刻液(圖3所示的步驟Sl 高溫蝕刻液供給工序)。在高溫蝕刻液供給工序中，來自藥液噴嘴5的蝕刻液的供給流量例如為2. OL/min，且是恒定的(參照圖 9)。另外，在高溫蝕刻液供給工序中，控制裝置20控制噴嘴驅(qū)動機(jī)構(gòu)13，使機(jī)械臂11在規(guī)定的角度范圍內(nèi)擺動。機(jī)械臂11的擺動是勻速的。通過該機(jī)械臂11的擺動，藥液噴嘴5 在晶片W的旋轉(zhuǎn)軸線C與晶片W的周緣部的上方之間往復(fù)移動。由此，晶片W的表面上的蝕刻液供給位置(落下點(diǎn))，在從晶片W的旋轉(zhuǎn)中心到晶片W的周緣部的范圍內(nèi)，一邊描畫與晶片W的旋轉(zhuǎn)方向交叉的圓弧狀的軌跡一邊往復(fù)移動(參照圖10A)。在高溫蝕刻液供給工序中，晶片的轉(zhuǎn)速例如為300rpm，且是恒定的(參照圖4、圖6及圖10A)。以上的利用蝕刻液的處理與上述的第一實施方式的第一處理例(圖4)及第二處理例(圖6)同樣。當(dāng)從藥液噴嘴5開始供給蝕刻液起經(jīng)過規(guī)定時間(例如35秒鐘)時，控制裝置 20使蝕刻液閥15關(guān)閉，停止向晶片W供給蝕刻液(圖3所示的步驟S2 停止供給高溫蝕刻液，并參照圖9)。另外，控制裝置20通過使機(jī)械臂11回轉(zhuǎn)來使藥液噴嘴5返回原位置。在步驟Sl的高溫蝕刻液供給工序中，如上所述，在晶片W表面的中央部，蝕刻處理相對快地進(jìn)行，相對地，在晶片W表面的除中央部以外的區(qū)域，蝕刻處理相對慢，在晶片W的表面內(nèi)蝕刻處理不均勻。停止供給蝕刻液之后，控制裝置20使DIW閥18打開，從DIW噴嘴6供給常溫(例如25°C)的DIW。從DIW噴嘴6供給的DIW供給于旋轉(zhuǎn)中的晶片W的表面的中央部(步驟 S3 :DIW供給工序)。此時，控制裝置20控制流量調(diào)節(jié)閥17，設(shè)定流量調(diào)節(jié)閥17的開度，使得來自DIW噴嘴6的DIW的供給流量為比蝕刻液供給工序中的蝕刻液的流量小的規(guī)定的小流量(例如0. 5L/min)，來執(zhí)行小流量沖洗工序(圖3C的步驟S35)。執(zhí)行該小流量沖洗工序的控制裝置20的動作是作為控制裝置20的小流量沖洗控制單元的功能。 因為來自DIW噴嘴6的DIW的供給流量是小流量，所以供給至晶片W的表面的DIW 滯留于晶片W表面的中央部。通過滯留于該晶片W的中央部的DIW，晶片W表面的中央部的蝕刻液被快速地置換成DIW，但在晶片W表面的周緣部，置換為DIW的置換效率低。因此，在晶片W的表面的周緣部殘留有蝕刻液(參照圖10B)。通過該殘留蝕刻液，選擇性地對該晶片W的表面的周緣部進(jìn)行蝕刻處理。然后，當(dāng)從DIW噴嘴6開始供給DIW起經(jīng)過規(guī)定的小流量期間T3 (例如1 10秒鐘)時，控制裝置20控制流量調(diào)節(jié)閥17的開度，使來自DIW噴嘴6的DIW的供給流量成為規(guī)定的大流量(例如2. OL/min)，來執(zhí)行大流量沖洗工序(圖3C的步驟S36)(參照圖9)。 執(zhí)行該大流量沖洗工序的控制裝置20的動作是作為控制裝置20的大流量沖洗控制單元的功能。大流量地供給至晶片W的表面的DIW，受到晶片W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力而在晶片W的表面上向周緣流動，從而擴(kuò)散至晶片W的表面的整個區(qū)域(參照圖10C，整個面沖洗工序)。 由此，附著于晶片W的表面的蝕刻液被Diw沖洗掉。
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在第三處理例中，也可以如圖4中以虛線A所示的，將晶片W的轉(zhuǎn)速維持為液處理速度(300rpm)。但是，在規(guī)定的時刻(從開始供給DIW起經(jīng)過例如25秒鐘)以后，與第一處理例同樣地切換晶片W的轉(zhuǎn)速(參照圖4)。隨著該晶片W的轉(zhuǎn)速的變化，DIff從晶片W 的周緣飛散的飛散方向發(fā)生變化，從而附著于杯7上壁、旋轉(zhuǎn)基座9的上表面等的蝕刻液等被沖洗掉。從DIW噴嘴6開始供給DIW起經(jīng)過規(guī)定時間(例如40秒鐘)時，控制裝置20使 DIff閥18關(guān)閉，停止對晶片W供給DIW(步驟S4 停止供給DIW)。之后，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)8，使晶片W的轉(zhuǎn)速加速到規(guī)定的高轉(zhuǎn)速(例如 3000rpm)。由此，附著于晶片W的DIW被甩掉而除去(步驟S5 旋轉(zhuǎn)脫水)。當(dāng)晶片W的高速旋轉(zhuǎn)持續(xù)規(guī)定時間時，控制裝置20使晶片W停止旋轉(zhuǎn)。由此，對一張晶片W的蝕刻處理結(jié)束，通過搬送機(jī)械手從處理室3搬出處理完畢的晶片W。如上所述，在第二實施方式(第三處理例)中，DIW供給工序的初期的DIW的供給流量是比高溫蝕刻液供給工序中的蝕刻液的供給流量小的小流量。因此，在DIW供給工序的初期，供給至晶片W表面的DIW幾乎不擴(kuò)散，而滯留于晶片W表面的中央部。由此，在DIW供給工序的初期，選擇性地對晶片W表面的中央部供給DIW。通過該 DIff的選擇性地供給，晶片W表面的中央部的蝕刻液快速地置換為DIW，而在晶片W表面的周緣部，置換為DIW的置換效率低。因此，在晶片W表面的周緣部殘留有蝕刻液。通過該殘留蝕刻液，選擇性地對晶片W的周緣部進(jìn)行蝕刻處理。這樣，能夠補(bǔ)償晶片W表面的周緣部的蝕刻處理的緩慢。由此，能夠?qū)琖表面的整個區(qū)域?qū)嵤┚鶆虻奈g刻處理。另外，在DIW供給工序中，通過殘留蝕刻液選擇性地對晶片W的周緣部進(jìn)行蝕刻處理，所以無需另外追加選擇性地對晶片W周緣部進(jìn)行蝕刻處理的工序。即，在不會使整體的處理時間變長的情況下，能夠?qū)琖的表面實施均勻的蝕刻處理。第三處理例也能夠與第一處理例(圖4)及第二處理例(圖6)中的任一個組合。 在將第一處理例及第三處理例組合的情況下，在DIW供給工序的初期，在低速旋轉(zhuǎn)期間Tl， 晶片W以低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并且在小流量期間T3小流量地供給DIW。在將第二處理例及第三處理例組合的情況下，在DIW供給工序的初期，從開始供給DIW延遲了延遲期間T2后，開始進(jìn)入低速旋轉(zhuǎn)期間Tl，并且在小流量期間T3，小流量地供給DIW。圖11是示意地表示本發(fā)明的第三實施方式的基板處理裝置201的結(jié)構(gòu)的剖視圖。 在該實施方式中，DIff噴嘴6與高溫DIW供給管202相連接，該高溫DIW供給管202供給來自高溫DIW供給源且加熱到約60°C的DIW(高溫DIW)。在高溫DIW供給管202的途中部安裝有高溫DIW閥203，該高溫DIW閥203用于對從DIW噴嘴6供給高溫DIW和停止供給進(jìn)行切換。高溫DIW閥203連接于控制裝置20 (參照圖2)而作為其控制對象。圖12是表示作為在基板處理裝置201中執(zhí)行的蝕刻處理的一個例子的第四處理例的工序圖。在第四處理例中，作為沖洗處理中利用的沖洗液，使用高溫(約60°C )的DIW來代替常溫的DIW。圖12所示的高溫蝕刻液供給工序(步驟Sll)、停止供給高溫蝕刻液工序(步驟 S12)、高溫DIW供給工序(步驟Si； )、停止供給高溫DIW工序(步驟S14)及旋轉(zhuǎn)脫水工序 (步驟SM)分別是與上述的第一、第二、第三處理例的高溫蝕刻液供給工序(圖3所示的步驟Si)、停止供給高溫蝕刻液工序(圖3所示的步驟S》、DIW供給工序(圖3所示的步驟 S3)、停止供給DIW工序(圖3所示的步驟S4)及旋轉(zhuǎn)脫水工序(圖3所示的步驟S5)同樣的處理。在上述的第一實施方式的第一處理例、第二處理例及第三處理例中，作為沖洗液的常溫的DIW供給至晶片W的表面。因此，在DIW供給工序(圖3所示的步驟S3)開始時， 晶片W的表面上的蝕刻液可能被供給至晶片W的表面的DIW奪去熱，從而溫度急劇地降低。 此時，可能使殘留于晶片W的周緣部的蝕刻液的液溫降低，該蝕刻液發(fā)揮的蝕刻力變?nèi)?。相對地，在該第三實施方?第四處理例)中，對晶片W表面供給高溫的DIW。因此，能夠抑制殘留在周緣部的蝕刻液的液溫降低。由此，能夠使殘留于周緣部的蝕刻液發(fā)揮強(qiáng)的蝕刻力。另外，第三實施方式(第四處理例)能夠與上述的第一處理例、第二處理例及第三處理例中的任一處理例組合。即，在第一處理例、第二處理例及第三處理例中，只要使用高溫的DIW來代替常溫的DIW即可。尤其優(yōu)選第四處理例與第二處理例(參照圖6)相組合。 在DIW供給工序開始時，在第二處理例中，與第一處理例相比，殘留在晶片W的表面上的蝕刻液的量少。因此，如果使用高溫的DIW，則殘留在晶片W的表面上的蝕刻液保持高溫，由此發(fā)揮強(qiáng)的蝕刻力，所以能夠良好地對晶片W實施蝕刻處理。當(dāng)然，也能夠組合第一處理例、第三處理例及第四處理例。此時，在高溫DIW供給工序的初期，在低速旋轉(zhuǎn)期間Tl，晶片W以低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并且在小流量期間T3，小流量地供給高溫DIW。并且，也能夠組合第二處理例、第三處理例及第四處理例。此時，在高溫DIW供給工序的初期，從開始供給高溫DIW起延遲了延遲期間T2后，開始進(jìn)入低速旋轉(zhuǎn)期間Tl，并且在小流量期間T3，小流量地供給高溫DIW。接著，對第一蝕刻試驗進(jìn)行說明。使用在表面形成有氧化膜的硅晶片W(外徑300mm)作為樣品，使用基板處理裝置 1進(jìn)行下述的蝕刻處理?！吹谝粚嵤├祵悠穼嵤┝说谝惶幚砝?參照圖3A及圖4)的蝕刻處理。低轉(zhuǎn)速設(shè)為lOrpm，低速旋轉(zhuǎn)期間Tl設(shè)為10秒鐘?！吹诙嵤├祵悠穼嵤┝说诙幚砝?參照圖:3B及圖6)的蝕刻處理。低轉(zhuǎn)速設(shè)為lOrpm，低速旋轉(zhuǎn)期間Tl設(shè)為10秒鐘。另外，延遲期間T2設(shè)為0. 7秒鐘?！吹谝槐容^例〉與第一處理例中，在停止供給蝕刻液后，使晶片W的轉(zhuǎn)速還維持第一液處理速度不變(在圖4以虛線A所示)。從開始供給DIW起經(jīng)過例如10秒鐘之后，與第一處理例同樣地切換晶片W的轉(zhuǎn)速(參照圖4)。在第一實施例、第二實施例及第一比較例中，第一液處理速度(蝕刻液供給工序中的晶片W的轉(zhuǎn)速)設(shè)為300rpm，第二液處理速度(DIW供給工序中的晶片W的轉(zhuǎn)速)設(shè)為 300rpmo來自藥液噴嘴5的蝕刻液的供給流量及液溫分別是2. OL/min及60°C。作為蝕刻液使用氫氟酸。來自DIW噴嘴6的DIW的供給流量為2. OL/m，且是恒定的。另外，DIW的液溫是25°C。關(guān)于第一實施例、第二實施例及第一比較例，求出晶片W上的氧化膜的蝕刻量的面內(nèi)分布(半徑方向位置與蝕刻量之間的關(guān)系)。圖13示出了該蝕刻試驗的結(jié)果。圖13是表示第一蝕刻試驗中的蝕刻量的面內(nèi)分布的曲線，橫軸表示晶片W的半徑方向的位置(距晶片W中心的距離)，縱軸表示蝕刻量。接著，對第二蝕刻試驗進(jìn)行說明。使用在表面形成有氧化膜的硅晶片W(外徑300mm)作為樣品，利用基板處理裝置 1、101、201進(jìn)行下述的蝕刻處理。〈第三實施例〉使用基板處理裝置1，對樣品實施與第一處理例(參照圖3A及圖4)的蝕刻處理同樣的處理。低轉(zhuǎn)速設(shè)為lOrpm，低速旋轉(zhuǎn)期間Tl設(shè)為10秒鐘。另外，來自DIW噴嘴6的DIW 的液溫是25°C。該第三實施例的處理與第一處理例的不同點(diǎn)在于，在蝕刻液供給工序，使藥液噴嘴5的噴出口停止為朝向晶片W的表面的旋轉(zhuǎn)中心的狀態(tài)(所謂的中心噴出方式)。〈第四實施例〉使用基板處理裝置101 (參照圖8)，對樣品實施與第三處理例(參照圖3C及圖9) 的蝕刻處理同樣的處理。在小流量期間T3，來自DIW噴嘴6的DIW的供給流量為0. 5L/min。 另外，來自DIW噴嘴6的DIW的液溫為25°C。該第四實施例的處理與第三處理例的不同點(diǎn)在于，在蝕刻液供給工序中，使藥液噴嘴5的噴出口停止為朝向晶片W的表面的旋轉(zhuǎn)中心的狀態(tài)(所謂的中心噴出方式)?！吹谖鍖嵤├凳褂锰幚硌b置201 (參照圖11)，對樣品實施與將第一處理例(圖3A及圖4)、第三處理例(圖3C及圖9)和第四處理例(圖12)組合了的處理同樣的處理。即，在高溫DIW 供給工序的初期，在低速旋轉(zhuǎn)期間Tl使晶片W的轉(zhuǎn)速為低轉(zhuǎn)速，在小流量期間T3，高溫DIW 的供給流量為規(guī)定的小流量。具體而言，低轉(zhuǎn)速設(shè)為lOrpm，低速旋轉(zhuǎn)期間Tl及小流量期間 T3都設(shè)為10秒鐘。在小流量期間T3，來自DIW噴嘴6的DIW的供給流量為0. 5L/min。另外，來自DIW噴嘴6的DIW的液溫為60°C。在該第五實施例中，在蝕刻液供給工序中，使藥液噴嘴5的噴出口停止為朝向晶片W的表面的旋轉(zhuǎn)中心的狀態(tài)(所謂的中心噴出方式)。〈第二比較例〉與第一處理例中，在停止供給蝕刻液后，將晶片W的轉(zhuǎn)速還維持第一液處理速度不變(在圖4以虛線A所示)。從開始供給DIW起經(jīng)過10秒鐘之后，與第一處理例同樣地切換晶片W的轉(zhuǎn)速(參照圖4)。另外，與第一處理例不同，在蝕刻液供給工序中，使藥液噴嘴5的噴出口停止為朝向晶片W的表面的旋轉(zhuǎn)中心的狀態(tài)(所謂的中心噴出方式)。另外，來自DIW噴嘴6的DIW 的液溫為25 °C。在第三實施例、第四實施例、第五實施例及第二比較例中，第一液處理速度(蝕刻液供給工序中的晶片W的轉(zhuǎn)速)設(shè)為IOOOrpm，第二液處理速度(DIW供給工序及高溫DIW 供給工序中的晶片W的轉(zhuǎn)速)設(shè)為lOOOrpm。來自藥液噴嘴5的蝕刻液的供給流量及液溫分別為2. 0L/min及60°C。作為蝕刻液使用氫氟酸。另外，來自DIW噴嘴6的DIW的供給流量除了小流量期間T3以外，均為2. OL/mirio關(guān)于第三實施例、第四實施例、第五實施例及第二比較例，求出晶片W的氧化膜的蝕刻量的面內(nèi)分布(半徑方向位置與蝕刻量之間的關(guān)系)。圖14示出了該蝕刻試驗的結(jié)果。圖14是表示第二蝕刻試驗的蝕刻量的面內(nèi)分布的曲線，橫軸表示晶片W的半徑方向的位置(距晶片W的中心的距離)，縱軸表示蝕刻量。根據(jù)圖13及圖14可知，在第一 第五實施例中，能夠抑制晶片W的周緣部的蝕刻量減小。尤其可知，第二實施例的蝕刻的面內(nèi)均勻性佳。以上，說明了本發(fā)明的3個實施方式，但本發(fā)明還能夠以其他方式實施。例如，在第一實施方式的第一處理例中，也可以將晶片W的減速的時刻不是設(shè)定在高溫蝕刻液供給工序結(jié)束(步驟S》，而是設(shè)定在DIW供給工序開始(步驟S3)。另外，在DIW供給工序(圖3所示的步驟S； )或高溫DIW供給工序(圖12所示的步驟S13)中，也可以與停止供給蝕刻液連續(xù)地開始供給DIW(高溫DIW)。另外，例示了作為晶片W的低轉(zhuǎn)速(低速旋轉(zhuǎn)期間Tl的轉(zhuǎn)速)設(shè)置為例如lOrpm， 但希望低轉(zhuǎn)速在供給至晶片W的DIW不會因晶片W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力而移動的范圍內(nèi)，即 Orpm IOOrpm的范圍內(nèi)。另外，在第二實施方式的第三處理例中，可以在DIW供給工序(圖3所示的步驟 S3)或高溫DIW供給工序(圖12所示的步驟S13)的整個期間，使來自DIW噴嘴6的DIW的供給流量為小流量(例如0. 5L/min)。 另外，在上述的各實施方式中，蝕刻液供給工序(圖3所示的步驟Sl，圖12所示的步驟Sll)中的藥液噴嘴5的掃描，可以是僅在向一個方向移動中從藥液噴嘴5供給藥液的所謂的單向掃描。另外，藥液噴嘴5的掃描可以在隔著晶片W的旋轉(zhuǎn)中心為對置關(guān)系的一對周緣位置之間進(jìn)行。另外，在上述的各實施方式中，舉例說明了用于除去氧化膜的蝕刻處理，但對于用于除去晶片W的氮化膜的蝕刻處理，本發(fā)明也同樣適用。此時，可以采用例如磷酸作為蝕刻液。另外，對于用于減薄晶片W的蝕刻處理，本發(fā)明也適用。此時，可以采用例如氟硝酸作為蝕刻液。另外，也可以對晶片W實施清洗處理等利用藥液的其他處理。作為藥液的例子，除了上述的氟酸以外，能夠例示SCl (ammonia-hydrogen peroxide mixture 氨氣過氧化氫混合洗滌液)、SC2 (hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture 鹽酸過氧化氧混合洗滌液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture 硫酸過氧化氫混合洗滌液)、稀釋氫氟酸液(Buffered HF 氟酸與氟化銨的混合液)。另外，在上述的各實施方式中，作為沖洗液例示了 DIW，但作為其他的沖洗液，能夠例示碳酸水、電解離子水、臭氧水、再生水(含氫水)及磁化水。另外，如實施例說明那樣，在上述的各實施方式中，在高溫蝕刻液的供給中(圖3 所示的步驟Sl或圖12所示的步驟Sll)，可以使藥液噴嘴5停止在使其噴出口朝向晶片W 的表面的旋轉(zhuǎn)中心附近的狀態(tài)(所謂的中心噴出方式)。此時，對晶片W的表面的中央部供給蝕刻液。供給至晶片W的表面的蝕刻液受到晶片W旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力，而在晶片W的表面上向周緣流動，擴(kuò)散到晶片W的表面的整個區(qū)域。由此，對晶片W的表面的整個區(qū)域?qū)嵤├梦g刻液的處理。
對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了詳細(xì)地說明，但這些只不過是為了明確本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容所用的具體例，本發(fā)明不應(yīng)該限定解釋為這些具體例，本發(fā)明的保護(hù)范圍僅通過權(quán)利要求書來限定。本申請與2010年9月觀日向日本專利局提交的JP特愿2010-217217號相對應(yīng)， 在此通過引用包括了該申請的全部公開內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種基板處理方法，在處理室內(nèi)對基板實施使用藥液的處理，其特征在于， 包括高溫藥液供給工序，對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液， 沖洗液供給工序，在所述高溫藥液供給工序后，對基板的表面供給用于沖洗藥液的沖洗液；所述沖洗液供給工序包括周緣部處理工序，選擇性地對基板的表面的中央部供給沖洗液，從而一方面抑制對該中央部的藥液處理，而另一方面使對基板的表面的周緣部的藥液處理得以進(jìn)行，整個面沖洗工序，在所述周緣部處理工序之后，使沖洗液遍及基板的表面的整個區(qū)域， 從而在基板的表面的整個區(qū)域?qū)⑺幰褐脫Q成沖洗液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的基板處理方法，其特征在于，還包括藥液處理旋轉(zhuǎn)工序，在該藥液處理旋轉(zhuǎn)工序中，使所述基板以規(guī)定的第一轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并且，該藥液處理旋轉(zhuǎn)工序與所述高溫藥液供給工序并行執(zhí)行，所述周緣部處理工序包括低速旋轉(zhuǎn)工序，在該低速旋轉(zhuǎn)工序中，一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使所述基板以慢于所述第一轉(zhuǎn)速的第二轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2記載的基板處理方法，其特征在于，所述周緣部處理工序在所述低速旋轉(zhuǎn)工序之前還包括高速旋轉(zhuǎn)工序，在該高速旋轉(zhuǎn)工序中，一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使所述基板以與所述第一轉(zhuǎn)速相等的速度旋轉(zhuǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項記載的基板處理方法，其特征在于，所述周緣部處理工序包括，以比所述高溫藥液供給工序中的藥液的供給流量小的供給流量對基板的表面的中央供給沖洗液的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項記載的基板處理方法，其特征在于，在所述沖洗液供給工序中供給至基板的表面的沖洗液，是溫度比所述處理室的溫度高的高溫沖洗液。
6.根據(jù)權(quán)利要求4記載的基板處理方法，其特征在于，在所述沖洗液供給工序中供給至基板的表面的沖洗液，是溫度比所述處理室的溫度高的高溫沖洗液。
7.一種基板處理方法，在處理室內(nèi)對基板實施使用藥液的處理，其特征在于， 包括高溫藥液供給工序，一邊使所述基板以第一液處理速度旋轉(zhuǎn)，一邊對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液，沖洗液供給工序，在所述高溫藥液供給工序后，對基板的表面供給用于沖洗藥液的沖洗液；所述沖洗液供給工序包括低速旋轉(zhuǎn)工序，一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，該低轉(zhuǎn)速設(shè)定為使所述沖洗液能夠滯留在基板的表面的中央部，整個面沖洗工序，在所述低速旋轉(zhuǎn)工序之后，一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以快于所述低轉(zhuǎn)速的第二液處理速度旋轉(zhuǎn)，以使所述沖洗液遍及基板的表面的整個區(qū)域。
8.一種基板處理方法，在處理室內(nèi)對基板實施使用藥液的處理，其特征在于， 包括高溫藥液供給工序，一邊使所述基板以第一液處理速度旋轉(zhuǎn)，一邊對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液，沖洗液供給工序，在所述高溫藥液供給工序后，對基板的表面供給用于沖洗藥液的沖洗液；所述沖洗液供給工序包括高速旋轉(zhuǎn)工序，一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以所述第一液處理速度旋轉(zhuǎn)規(guī)定時間，該規(guī)定時間設(shè)定為使所述沖洗液能夠在基板的表面的中央部內(nèi)擴(kuò)散，低速旋轉(zhuǎn)工序，在所述高速旋轉(zhuǎn)工序之后，一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，該低轉(zhuǎn)速設(shè)定為使所述沖洗液能夠滯留在基板的表面的中央部，整個面沖洗工序，在所述低速旋轉(zhuǎn)工序之后，一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以快于所述低轉(zhuǎn)速的第二液處理速度旋轉(zhuǎn)，以使所述沖洗液遍及基板的表面的整個區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求7記載的基板處理方法，其特征在于，所述沖洗液供給工序還包括 小流量沖洗工序，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以規(guī)定的小流量對基板的表面的中央供給沖洗液，大流量沖洗工序，在所述小流量沖洗工序之后，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以大于所述小流量的大流量對基板的表面的中央供給沖洗液。
10.根據(jù)權(quán)利要求8記載的基板處理方法，其特征在于，所述沖洗液供給工序還包括 小流量沖洗工序，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以規(guī)定的小流量對基板的表面的中央供給沖洗液，大流量沖洗工序，在所述小流量沖洗工序之后，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以大于所述小流量的大流量對基板的表面的中央供給沖洗液。
11.一種基板處理方法，在處理室內(nèi)對基板實施使用藥液的處理，其特征在于， 包括高溫藥液供給工序，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以第一流量對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液，沖洗液供給工序，在所述高溫藥液供給工序后，對基板的表面供給用于沖洗藥液的沖洗液；所述沖洗液供給工序包括小流量沖洗工序，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以小于所述第一流量的第二流量對基板的表面的中央供給沖洗液，大流量沖洗工序，在所述小流量沖洗工序之后，一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以大于所述第二流量的第三流量對基板的表面的中央供給沖洗液。
12.根據(jù)權(quán)利要求6 11中任一項記載的基板處理方法，其特征在于，在所述沖洗液供給工序中供給至基板的表面的沖洗液，是溫度比所述處理室的溫度高的高溫沖洗液。
13.—種基板處理裝置，其特征在于， 包括處理室，旋轉(zhuǎn)單元，用于在所述處理室內(nèi)使基板旋轉(zhuǎn)，高溫藥液供給單元，用于對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液， 沖洗液供給單元，用于對基板的表面供給用于沖洗藥液的沖洗液， 控制單元，用于對所述旋轉(zhuǎn)單元的旋轉(zhuǎn)動作、所述高溫藥液供給單元的藥液供給動作及所述沖洗液供給單元的沖洗液供給動作進(jìn)行控制； 所述控制單元包括周緣部處理控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來選擇性地對基板的表面的中央部供給沖洗液，從而一方面抑制對該中央部的藥液處理，而另一方面使對基板的表面的周緣部的藥液處理得以進(jìn)行，整個面沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，使得沖洗液遍及基板的表面的整個區(qū)域，從而在基板的表面的整個區(qū)域?qū)⑺幰褐脫Q成沖洗液。
14.一種基板處理裝置，其特征在于， 包括處理室，旋轉(zhuǎn)單元，用于在所述處理室內(nèi)使基板旋轉(zhuǎn)，高溫藥液供給單元，用于對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液， 沖洗液供給單元，用于對基板的表面供給用于沖洗藥液的沖洗液， 控制單元，用于對所述旋轉(zhuǎn)單元的旋轉(zhuǎn)動作、所述高溫藥液供給單元的藥液供給動作及所述沖洗液供給單元的沖洗液供給動作進(jìn)行控制； 所述控制單元包括高溫藥液供給控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述高溫藥液供給單元，來一邊使所述基板以第一液處理速度旋轉(zhuǎn)，一邊對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液，低速旋轉(zhuǎn)沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，該低轉(zhuǎn)速設(shè)定為使所述沖洗液能夠滯留在基板的表面的中央部，整個面沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以快于所述低轉(zhuǎn)速的第二液處理速度旋轉(zhuǎn)，以使所述沖洗液遍及基板的表面的整個區(qū)域。
15.一種基板處理裝置，其特征在于， 包括處理室，旋轉(zhuǎn)單元，用于在所述處理室內(nèi)使基板旋轉(zhuǎn)，高溫藥液供給單元，用于對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液， 沖洗液供給單元，用于對基板的表面供給用于沖洗藥液的沖洗液， 控制單元，用于對所述旋轉(zhuǎn)單元的旋轉(zhuǎn)動作、所述高溫藥液供給單元的藥液供給動作及所述沖洗液供給單元的沖洗液供給動作進(jìn)行控制； 所述控制單元包括高溫藥液供給控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述高溫藥液供給單元，來一邊使所述基板以第一液處理速度旋轉(zhuǎn)，一邊對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液， 高速旋轉(zhuǎn)沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以所述第一液處理速度旋轉(zhuǎn)規(guī)定時間，該規(guī)定時間設(shè)定為使所述沖洗液能夠在基板的表面的中央部內(nèi)擴(kuò)散，低速旋轉(zhuǎn)沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，該低轉(zhuǎn)速設(shè)定為使所述沖洗液能夠滯留在基板的表面的中央部，整個面沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊對基板的表面的中央供給沖洗液，一邊使基板以快于所述低轉(zhuǎn)速的第二液處理速度旋轉(zhuǎn)，以使所述沖洗液遍及基板的表面的整個區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求14記載的基板處理裝置，其特征在于，所述控制單元還包括小流量沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以規(guī)定的小流量對基板的表面的中央供給沖洗液，大流量沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以大于所述小流量的大流量對基板的表面的中央供給沖洗液。
17.根據(jù)權(quán)利要求15記載的基板處理裝置，其特征在于，所述控制單元還包括小流量沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以規(guī)定的小流量對基板的表面的中央供給沖洗液，大流量沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以大于所述小流量的大流量對基板的表面的中央供給沖洗液。
18.—種基板處理裝置，其特征在于， 包括處理室，旋轉(zhuǎn)單元，用于在所述處理室內(nèi)使基板旋轉(zhuǎn)，高溫藥液供給單元，用于對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液， 沖洗液供給單元，用于對基板的表面供給用于沖洗藥液的沖洗液， 控制單元，用于對所述旋轉(zhuǎn)單元的旋轉(zhuǎn)動作、所述高溫藥液供給單元的藥液供給動作及所述沖洗液供給單元的沖洗液供給動作進(jìn)行控制； 所述控制單元包括高溫藥液供給控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述高溫藥液供給單元，來一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以第一流量對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液，小流量沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以小于所述第一流量的第二流量對基板的表面的中央供給沖洗液，大流量沖洗控制單元，控制所述旋轉(zhuǎn)單元及所述沖洗液供給單元，來一邊使所述基板旋轉(zhuǎn)，一邊以大于所述第二流量的第三流量對基板的表面的中央供給沖洗液。
19.根據(jù)權(quán)利要求13 18中任一項記載的基板處理裝置，其特征在于，所述洗控液供給單元對基板的表面供給溫度比所述處理室的溫度高的高溫沖洗液。
全文摘要
本發(fā)明的基板處理方法是在處理室內(nèi)對基板實施使用藥液的處理的方法，包括高溫藥液供給工序，對基板表面供給溫度比所述處理室的溫度高的藥液；沖洗液供給工序，在所述高溫藥液供給工序后，對基板表面供給用于沖洗藥液的沖洗液。所述沖洗液供給工序包括周緣部處理工序，選擇性地對基板表面的中央部供給沖洗液，從而一方面抑制對該中央部的藥液處理，而另一方面使對基板表面的周緣部的藥液處理得以進(jìn)行；整個面沖洗工序，在所述周緣部處理工序之后，使沖洗液遍及基板表面的整個區(qū)域，從而在基板表面整個區(qū)域?qū)⑺幰褐脫Q成沖洗液。
文檔編號B08B3/02GK102420112SQ201110290598
公開日2012年4月18日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者中村一樹 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社