專利名稱：濕法刻蝕清洗設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種濕法刻蝕清洗設(shè)備。
背景技術(shù)：
濕法刻蝕是半導(dǎo)體器件制造過程中常見的工藝。濕法刻蝕是一種傳統(tǒng)的刻蝕方法。在濕法刻蝕過程中，硅片被浸泡在一定的化學(xué)試劑或試劑溶液中，由此使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而被除去。如圖1所示，硅襯底30上的被刻蝕層20上布置了抗蝕劑10，未被抗蝕劑10覆蓋的被刻蝕區(qū)域A由于化學(xué)試劑的作用被去除。例如，用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態(tài)環(huán)境中進行刻蝕的方法稱為“濕法”刻蝕。濕法刻蝕的優(yōu)點操作簡便；對設(shè)備要求低； 易于實現(xiàn)大批量生產(chǎn)；刻蝕的選擇性好。但是，在濕法蝕刻中，晶片在化學(xué)藥液槽中完成濕法刻蝕后，機械手臂將晶片從化學(xué)藥液槽中取出，化學(xué)藥液殘留在晶片表面并繼續(xù)刻蝕晶片表面的二氧化硅膜。由此，需要將晶片放入水槽清洗；并且一般采用去離子水來清洗殘留的化學(xué)藥液。晶片進入水槽后，水管噴出去離子水沖洗晶片表面殘留化學(xué)藥液。去離子水流量大時，晶片表面殘留化學(xué)藥液被很快沖干凈，表面的二氧化硅膜被殘留化學(xué)藥液刻蝕量少。 反之，去離子水流量小時，晶片表面殘留化學(xué)藥液被沖洗干凈需要時間長，表面的二氧化硅膜被殘留化學(xué)藥液刻蝕量大。所以，當水槽里水管不同孔中噴出去離子水流量不均勻時，濕法刻蝕后的晶片之間的均勻性較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠改善濕法刻蝕后的晶片之間的均勻性的濕法刻蝕清洗設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種濕法刻蝕清洗設(shè)備，其包括去離子水管和用于布置晶片的水槽，每個去離子水管上均布置了多個排水孔，其中所述去離子水管用于利用排水孔向水槽中的晶片噴射去離子水。優(yōu)選地，每個去離子水管上布置了 3排水孔，其中第一排孔用于向晶片中心方向出水，第二排孔用于向水槽側(cè)壁方向出水，第三排孔用于向水槽底部方向出水。優(yōu)選地，每根去離子水管上的每排去離子水管的排水孔的數(shù)量為濕法刻蝕清洗設(shè)備的水槽中可布置的總晶片數(shù)加2。優(yōu)選地，每根去離子水管的直徑在0. 018-0. 03m的范圍內(nèi)。本發(fā)明通過優(yōu)化水槽里的去離子水管、去離子水管上的排水孔的尺寸、以及去離子水管上的排水孔的排列方式中的至少一個，可以使去離子水管上每個排水孔噴出去離子水流量均勻一致，從而使每片晶片上獲得均勻的去離子水流量和好的刻蝕速率片間均勻性。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中圖1示出了濕法刻蝕的示意圖。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的濕法刻蝕清洗設(shè)備的去離子水管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的濕法刻蝕清洗設(shè)備的去離子水管的另一結(jié)構(gòu)示意圖。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的濕法刻蝕清洗設(shè)備的去離子水管的結(jié)構(gòu)示意圖。根據(jù)本發(fā)明實施例的濕法刻蝕清洗設(shè)備包括去離子水管(如圖2所示)和用于布置晶片的水槽(未示出)，該去離子水管的結(jié)構(gòu)如圖2所示。該圖示出了兩個水管AA、BB的情況，需要說明的是，濕法刻蝕清洗設(shè)備中水管的數(shù)量并不限于兩個。去離子水管向水槽中的晶片噴射去離子水。優(yōu)選地，每個去離子水管均布置了 3排水孔。具體地說，例如，去離子水管AA上布置了 3排水孔Al、A2和A3，第一排孔Al用于向晶片中心方向出水，第二排孔A2用于向水槽側(cè)壁方向出水，第三排孔A3用于向水槽底部方向出水。同樣的，去離子水管BB上布置了 3排水孔Bi、B2和B3，第一排孔Bl用于向晶片中心方向出水，第二排孔B2用于向水槽側(cè)壁方向出水，第三排孔B3用于向水槽底部方向出水。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的濕法刻蝕清洗設(shè)備的去離子水管的另一結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，優(yōu)選地，為了在每片晶片上獲得均勻的去離子水流量，每根去離子水管上每排去離子水管的開孔量為濕法刻蝕清洗設(shè)備的水槽中可布置的總晶片數(shù)加2 (總晶片數(shù)+2)。這種開孔數(shù)量(去離子水管的排水孔數(shù)量)能保證每片晶片表面都有一個出水孔。具體地，以圖3的示例為例，其中示出了濕法刻蝕清洗設(shè)備可布置η個晶片(WF1、WF2、
WF3......WFn)的情況，針對η個晶片的情況，每個去離子水管XX和YY上都布置了 η+2個
排水孔，即圖3所示的1、2、3......η、η+1、η+2，這些排水孔用于向晶片噴射去離子水，如圖
3是箭頭所示。進一步優(yōu)選地，在本發(fā)明的實施例中，為了使得一個去離子水管的各個端口輸出均勻的去離子水流，去離子水管的直徑D應(yīng)該接近
權(quán)利要求
1.一種濕法刻蝕清洗設(shè)備，其特征在于包括去離子水管和用于布置晶片的水槽，每個去離子水管上均布置了多個排水孔，其中所述去離子水管用于利用排水孔向水槽中的晶片噴射去離子水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕清洗設(shè)備，其特征在于，每個去離子水管上布置了3 排水孔，其中第一排孔用于向晶片中心方向出水，第二排孔用于向水槽側(cè)壁方向出水，第三排孔用于向水槽底部方向出水。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濕法刻蝕清洗設(shè)備，其特征在于，每根去離子水管上的每排去離子水管的排水孔的數(shù)量為濕法刻蝕清洗設(shè)備的水槽中可布置的總晶片數(shù)加2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濕法刻蝕清洗設(shè)備，其特征在于，每根去離子水管的直徑在0. 018-0. 03m的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種濕法刻蝕清洗設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的濕法刻蝕清洗設(shè)備包括去離子水管和用于布置晶片的水槽，每個去離子水管上均布置了多個排水孔，其中所述去離子水管用于利用排水孔向水槽中的晶片噴射去離子水。每個去離子水管上布置了3排水孔，其中第一排孔用于向晶片中心方向出水，第二排孔用于向水槽側(cè)壁方向出水，第三排孔用于向水槽底部方向出水。本發(fā)明通過優(yōu)化水槽里的去離子水管、去離子水管上的排水孔的尺寸、以及去離子水管上的排水孔的排列方式中的至少一個，可以使去離子水管上每個排水孔噴出去離子水流量均勻一致，從而使每片晶片上獲得均勻的去離子水流量和好的刻蝕速率片間均勻性。
文檔編號B08B3/02GK102437014SQ20111038846
公開日2012年5月2日 申請日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月29日
發(fā)明者張凌越, 張瑞朋, 楊勇, 王強, 郭國超 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司