專利名稱：太陽電池硅片殘酸堿水清洗裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及太陽能電池技術(shù)領域，尤其是一種太陽電池硅片殘酸堿水清洗裝置。
背景技術(shù)：
在太陽電池的制備過程中，常采用酸或堿溶液對硅片進行刻蝕，以防止PN結(jié)正面與背面產(chǎn)生短路，而經(jīng)過酸或堿溶液的硅片表面都會殘留有部分酸堿，如果不將殘留的酸堿清洗干凈，容易給硅片帶來污染，導致電流降低以及外觀不良，但目前對硅片殘酸堿所采用的水清洗效果并不很理想，清洗后硅片干凈度與所要求的存在差別。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)中之不足，提供一種清洗效果更佳、更干凈的太陽電池硅片殘酸堿水清洗裝置。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種太陽電池硅片殘酸堿水清洗裝置，包括存水槽，所述的存水槽上部設有對硅片進行噴淋的噴淋管，存水槽底部分別設有用于向存水槽內(nèi)補水的溢流進水管和可快速排放已清洗過的水流的快排出水管。為調(diào)節(jié)水流排放頻率，所述的存水槽外壁設有控制存水槽中水流排放頻率的控制
ο本實用新型的有益效果是本實用新型采用對太陽電池硅片上方噴淋加下部溢流補水以及清洗過的水流快速排放的方式，循環(huán)進行，可將硅片上殘留的酸堿清洗更加干凈， 達到較為理想的清洗效果。
以下結(jié)合附圖和實施方式對本實用新型進一步說明。


圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.存水槽2.噴淋管3.溢流進水管4.快排出水管5.控制器6.硅片具體實施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān)的構(gòu)成。如
圖1所示的一種太陽電池硅片殘酸堿水清洗裝置，包括存水槽1，所述的存水槽 1上部設有對硅片6進行噴淋的噴淋管2，噴淋管2從上方向硅片6進行噴淋，可確保水流最大程度地噴到硅片6上，存水槽1底部分別設有用于向存水槽1內(nèi)補水的溢流進水管3 和可快速排放已清洗過的水流的快排出水管4，快排出水管4的口徑大于溢流進水管3的口徑。為調(diào)節(jié)水流排放頻率，所述的存水槽1外壁設有控制存水槽1中水流排放頻率的控制器5，可根據(jù)工藝需要設置水流排放的循環(huán)頻率。本實用新型采用噴淋加溢流進水加快速排水的方式?jīng)_洗硅片6，當硅片6進入存水槽后，通過噴淋管2從硅片6上方進行噴淋加上存水槽1底部溢流進水管3溢流進水的方式，使存水槽1快速存滿水，存滿水后，溢流進水管3繼續(xù)溢流進水一定時間，具體時間可由工藝要求設置，使得硅片6上殘留的酸堿充分洗凈，然后由快排出水管4快速排放已清洗過硅片6的水流，而后再通過噴淋管2噴淋和溢流進水管3進水，快速將存水槽1補滿水， 如此循環(huán)進行，從而使硅片6上殘留的酸堿得到徹底的清洗，達到硅片6更加干凈和較為理想的清洗效果，其中循環(huán)次數(shù)根據(jù)工藝要求調(diào)整。上述實施方式只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍，凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種太陽電池硅片殘酸堿水清洗裝置，包括存水槽(1)，其特征是所述的存水槽 (1)上部設有對硅片(6)進行噴淋的噴淋管0)，存水槽(1)底部分別設有用于向存水槽 ⑴內(nèi)補水的溢流進水管⑶和可快速排放已清洗過的水流的快排出水管G)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池硅片殘酸堿水清洗裝置，其特征是所述的存水槽 (1)外壁設有控制存水槽(1)中水流排放頻率的控制器(5)。
專利摘要本實用新型公開了一種太陽電池硅片殘酸堿水清洗裝置，包括存水槽，所述的存水槽上部設有對硅片進行噴淋的噴淋管，存水槽底部分別設有用于向存水槽內(nèi)補水的溢流進水管和可快速排放已清洗過的水流的快排出水管。本實用新型采用對太陽電池硅片上方噴淋加下部溢流補水以及清洗過的水流快速排放的方式，循環(huán)進行，可使硅片清洗更加干凈，達到較為理想的清洗效果。
文檔編號B08B3/02GK202162156SQ20112022736
公開日2012年3月14日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者葉權(quán)華 申請人:常州天合光能有限公司