專利名稱：太陽能硅片超聲波清洗槽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及太陽能硅片切割技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于清洗硅片表面雜質(zhì)的太陽能硅片超聲波清洗槽。
背景技術(shù)：
太陽能電池作為可再生的環(huán)保能源已經(jīng)越來越受到人們的關(guān)注，世界太陽能電池近幾年的年銷售增長率超過40%，與其相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)備也得到迅猛的發(fā)展。硅片清洗在硅片生產(chǎn)中起至關(guān)重要的作用，清洗的好壞直接影響硅片質(zhì)量，半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機物和無機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面?，F(xiàn)有清洗硅片一般采用人工清洗，清洗效率低，效果差。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種太陽能硅片超聲波清洗槽，以解決現(xiàn)有技術(shù)中硅片清洗效率低，效果差的問題。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案如下太陽能硅片超聲波清洗槽，其特征在于，包括上端敞口的清洗槽體，所述清洗槽體的側(cè)邊設(shè)置有若干超聲波振子，所述超聲波振子均通過導(dǎo)線與控制電源連接。本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述超聲波振子的軸線與清洗槽體的側(cè)邊垂直。本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述超聲波振子位于同一水平線上。本實用新型可以有效的清理硅片表面的雜質(zhì)，具有清洗效率高，清洗效果好的優(yōu)點ο本實用新型的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實施例進一步闡述本實用新型。如圖1所示，太陽能硅片超聲波清洗槽，包括上端敞口的清洗槽體100，清洗槽體的側(cè)邊設(shè)置有若干超聲波振子200，超聲波振子位于同一水平線上，且超聲波振子的軸線與清洗槽體的側(cè)邊垂直。超聲波振子200均通過導(dǎo)線與控制電源連接。[0015]本實用新型可以有效的清理硅片表面的雜質(zhì)，具有清洗效率高，清洗效果好的優(yōu)點ο以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型的范圍內(nèi)。本實用新型要求的保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
權(quán)利要求1.太陽能硅片超聲波清洗槽，其特征在于，包括上端敞口的清洗槽體，所述清洗槽體的側(cè)邊設(shè)置有若干超聲波振子，所述超聲波振子均通過導(dǎo)線與控制電源連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能硅片超聲波清洗槽，其特征在于，超聲波振子的軸線與清洗槽體的側(cè)邊垂直。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能硅片超聲波清洗槽，其特征在于，所述超聲波振子位于同一水平線上。
專利摘要太陽能硅片超聲波清洗槽，包括上端敞口的清洗槽體，所述清洗槽體的側(cè)邊設(shè)置有若干超聲波振子，所述超聲波振子均通過導(dǎo)線與控制電源連接。本實用新型可以有效的清理硅片表面的雜質(zhì)，具有清洗效率高，清洗效果好的優(yōu)點。
文檔編號B08B3/12GK202290651SQ20112036208
公開日2012年7月4日 申請日期2011年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者王圖強 申請人:上海信富電子科技有限公司