專利名稱：等離子清洗設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
等離子清洗設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及玻璃基板清洗技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及等離子清洗設(shè)備。
技術(shù)背景[0002]在玻璃基板的生產(chǎn)過(guò)程中，需要對(duì)玻璃基板表層存在的有機(jī)物及氧化物等雜質(zhì)進(jìn)行清洗。當(dāng)前水洗設(shè)備等傳統(tǒng)清洗設(shè)備對(duì)清洗有機(jī)物及薄膜表層的氧化物作用小，而等離子清洗設(shè)備可以通過(guò)其產(chǎn)生等離子噴流去除玻璃基板上的有機(jī)物以及薄膜表層氧化物等雜質(zhì)。[0003]現(xiàn)有的等離子清洗設(shè)備采用單體中空陽(yáng)極離子源對(duì)科研實(shí)驗(yàn)中的硅片等小尺寸基板進(jìn)行清洗，中空陽(yáng)極離子源的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，包括陰極101，陰極下部為水冷腔102，陰極上部為離化室103，陰極外依次套裝絕緣套和金屬套筒，水冷腔102下端口為貫通焊接有進(jìn)水管104和出水管105的蓋板106，出水管105經(jīng)水管絕緣套107、水管密封圈 108與法蘭109絕緣密封連接，離化室103底部連通有其下端部位于氣管孔110中的離化室進(jìn)氣管111，該離化室進(jìn)氣管經(jīng)氣管絕緣套112、氣管密封圈113與氣管孔110絕緣密封連接，氣管孔110的底部焊接進(jìn)氣管114，絕緣套與法蘭109間設(shè)置有密封圈115，金屬套筒的上端與陽(yáng)極116固定連接，下端與法蘭109抵觸連接。通過(guò)該中空陽(yáng)極離子源噴射等離子噴流進(jìn)行清洗基板作業(yè)。[0004]現(xiàn)有技術(shù)的等離子清洗設(shè)備采用一單體中空陽(yáng)極離子源實(shí)現(xiàn)基板的清洗，但由于單體中空陽(yáng)極離子源口徑小，外層噴射離子束流耗散嚴(yán)重，造成等離子清洗設(shè)備只能應(yīng)用在科研實(shí)驗(yàn)中的硅片等小尺寸基板的清洗中。實(shí)用新型內(nèi)容[0005]本實(shí)用新型提供一種等離子清洗設(shè)備，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的等離子清洗設(shè)備只能應(yīng)用在科研實(shí)驗(yàn)中的硅片等小尺寸基板的清洗中的問(wèn)題。[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案[0007]—種等離子清洗設(shè)備，包括承重板、第一密封罩和第二密封罩；[0008]所述第一密封罩設(shè)置在所述承重板的第一表面，所述第一密封罩內(nèi)均勻分布有多個(gè)中空陽(yáng)極離子源，所述中空陽(yáng)極離子源設(shè)置有等離子噴射口的一端遠(yuǎn)離所述承重板，所述中空陽(yáng)極離子源的另一端固定在所述承重板上，所述第一密封罩上設(shè)置有與所述等離子噴射口對(duì)應(yīng)的第一開口；[0009]所述第二密封罩設(shè)置在所述承重板第二表面，所述第二表面與第一表面相對(duì)，所述第二密封罩內(nèi)設(shè)置有工作氣體管道，所述工作氣體管道穿過(guò)所述承重板與其對(duì)應(yīng)的中空陽(yáng)極離子源連接，所述第二密封罩設(shè)置有與所述工作氣體管道的進(jìn)氣口對(duì)應(yīng)的第二開口。[0010]優(yōu)選的，所述中空陽(yáng)極離子源包括等離子噴射口，所述等離子噴射口外罩有防護(hù)罩，所述防護(hù)罩內(nèi)設(shè)置有永磁體及陽(yáng)極，所述防護(hù)罩上開有電源接入口，電源線的一端穿過(guò)所述電源接入口與所述陽(yáng)極進(jìn)行電學(xué)連接，所述電源線的另一端穿過(guò)所述承重板，并通過(guò)第二密封罩上設(shè)置的用于引出電源線的第三開口穿出，所述中空陽(yáng)極離子源還包括帶有工作氣體接入口的陰極，所述陰極設(shè)置在所述中空陽(yáng)極離子源的另一端，所述工作氣體接入口與所述工作氣體管道連接，所述陽(yáng)極與所述陰極之間設(shè)置有絕緣層。所述防護(hù)罩為絕緣材料防護(hù)罩。通過(guò)電源線與陽(yáng)極進(jìn)行電學(xué)連接的方式，而陰極保持零電勢(shì)，并通過(guò)絕緣材料防護(hù)罩進(jìn)行絕緣，簡(jiǎn)化了所述中空陽(yáng)極離子源的結(jié)構(gòu)，降低了絕緣與真空密封的難度。[0011]優(yōu)選的，每個(gè)中空陽(yáng)極離子源連接的工作氣體管道匯聚到一個(gè)進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口通過(guò)所述第二開口進(jìn)入工作氣體。通過(guò)工作氣體管道匯聚到一個(gè)進(jìn)氣口，簡(jiǎn)化了工作氣體管道的布置，通過(guò)一個(gè)進(jìn)氣口即可控制全部中空陽(yáng)極離子源的進(jìn)氣。[0012]進(jìn)一步的，所述中空陽(yáng)極離子源內(nèi)部設(shè)置有冷卻水系統(tǒng)。中空陽(yáng)極離子源在長(zhǎng)時(shí)間工作溫度會(huì)提高，長(zhǎng)時(shí)間的高溫會(huì)使所述中空陽(yáng)極離子源的部件受損，通過(guò)冷卻水系統(tǒng)能夠降低所述中空陽(yáng)極離子源的溫度，延長(zhǎng)所述中空陽(yáng)極離子源連續(xù)工作時(shí)間和使用壽命。[0013]優(yōu)選的，所述冷卻水系統(tǒng)，包括螺線形冷卻水管路，所述螺線形冷卻水管路環(huán)繞在所述陰極的外層，所述多個(gè)中空陽(yáng)極離子源通過(guò)冷卻水管路串接形成一條冷卻水通路，所述冷卻水通路的進(jìn)水口與出水口均穿過(guò)所述承重板，并與所述第二密封罩相交，相交處設(shè)置有與所述進(jìn)水口對(duì)應(yīng)的第四開口以及與所述出水口對(duì)應(yīng)的第五開口。通過(guò)螺線形冷卻水管路對(duì)所述中空陽(yáng)極離子源進(jìn)行冷卻，提高了冷卻效率，延長(zhǎng)了中空陽(yáng)極離子源的工作時(shí)間，同時(shí)多個(gè)中空陽(yáng)極離子源通過(guò)冷卻水管路串接形成一條冷卻水通路，簡(jiǎn)化了冷卻水管路的管路布置，通過(guò)一條冷卻水通路即可控制整個(gè)等離子清洗設(shè)備的冷卻。[0014]優(yōu)選的，所述第一密封罩通過(guò)固定螺栓以及帶有螺紋的固定柱與所述承重板固定為一體。這樣可以使得所述第一密封罩與所述承重板固定牢固。[0015]優(yōu)選的，所述第二密封罩與所述承重板的交接處外圍、所述第二開口、所述第三開口、所述第四開口以及所述第五開口處均設(shè)置有圓形密封圈。通過(guò)圓形密封圈，能夠使得所述等離子清洗設(shè)備實(shí)現(xiàn)高真空密封，密封效果好。[0016]本實(shí)用新型提供的等離子清洗設(shè)備，由于通過(guò)承重板上設(shè)置的第一密封罩內(nèi)均勻分布有多個(gè)中空陽(yáng)極離子源，所述第二密封罩內(nèi)設(shè)置有所述多個(gè)中空陽(yáng)極離子源的工作氣體管道，所述工作氣體管道穿過(guò)所述承重板與其對(duì)應(yīng)的中空陽(yáng)極離子源連接，使得所述等離子清洗設(shè)備噴射的離子均勻度高，噴射范圍大，能夠清洗大尺寸的玻璃基板(如高世代玻璃基板)。本實(shí)用新型能夠解決由于單體中空陽(yáng)極離子源口徑小，外層噴射離子束流耗散嚴(yán)重，造成等離子清洗設(shè)備只能應(yīng)用在科研實(shí)驗(yàn)中的硅片等小尺寸基板的清洗中的問(wèn)題。


[0017]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的等離子清洗設(shè)備中的中空陽(yáng)極離子源的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；[0019]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的等離子清洗設(shè)備的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；[0020]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的等離子清洗設(shè)備的下視等軸側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖；4[0021]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的等離子清洗設(shè)備中的一單體中空陽(yáng)極離子源的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；[0022]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的等離子清洗設(shè)備的上視等軸側(cè)的結(jié)構(gòu)示意圖；[0023]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例在TFT工藝中的玻璃基板灰化后的形態(tài)示意圖；[0024]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例在TFT工藝中的玻璃基板灰化后未經(jīng)過(guò)等離子清洗后進(jìn)行蝕刻后的形態(tài)示意圖；[0025]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例在TFT工藝中的玻璃基板灰化后經(jīng)過(guò)等離子清洗后的形態(tài)示意圖；[0026]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例在TFT工藝中的玻璃基板灰化后經(jīng)過(guò)等離子清洗后進(jìn)行蝕刻后的形態(tài)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0027]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。[0028]為了使本實(shí)用新型技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)更加清楚，
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)說(shuō)明。[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的等離子清洗設(shè)備，如圖2所示，包括承重板21、第一密封罩22和第二密封罩23 ；[0030]所述第一密封罩22設(shè)置在所述承重板21的第一表面211，所述第一密封罩22內(nèi)均勻分布有多個(gè)中空陽(yáng)極離子源對(duì)，所述中空陽(yáng)極離子源M設(shè)置有等離子噴射口 241的一端遠(yuǎn)離所述承重板21，所述中空陽(yáng)極離子源M的另一端固定在所述承重板21上，所述第一密封罩22上設(shè)置有與所述等離子噴射口 241對(duì)應(yīng)的第一開口 221 ；[0031]所述第二密封罩23設(shè)置在所述承重板21的第二表面212，所述第二表面212與第一表面211相對(duì)，所述第二密封罩23內(nèi)設(shè)置有工作氣體管道25，所述工作氣體管道25穿過(guò)所述承重板21與其對(duì)應(yīng)的中空陽(yáng)極離子源M連接，所述第二密封罩23設(shè)置有與所述工作氣體管道25的進(jìn)氣口 251對(duì)應(yīng)的第二開口 231。[0032]具體的，所述中空陽(yáng)極離子源可以是如圖1或如圖4所示的結(jié)構(gòu)，但不僅局限于此。優(yōu)選的，所述中空陽(yáng)極離子源是如圖4所示的結(jié)構(gòu)。[0033]具體的，所述等離子清洗設(shè)備采用中空陽(yáng)極離子源，由于其產(chǎn)生的等離子噴流離子能量較小(離子能量小于30電子伏)，不會(huì)對(duì)玻璃基板的薄膜造成損傷。[0034]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的等離子清洗設(shè)備，由于通過(guò)承重板上設(shè)置的第一密封罩內(nèi)均勻分布有多個(gè)中空陽(yáng)極離子源，所述第二密封罩內(nèi)設(shè)置有所述多個(gè)中空陽(yáng)極離子源的工作氣體管道，所述工作氣體管道穿過(guò)所述承重板與其對(duì)應(yīng)的中空陽(yáng)極離子源連接，使得所述等離子清洗設(shè)備噴射的離子均勻度高，噴射范圍大，能夠清洗大尺寸的玻璃基板(如高世代玻璃基板)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型實(shí)施例能夠解決由于單體中空陽(yáng)極離子源口徑小，外層噴射離子束流耗散嚴(yán)重，造成等離子清洗設(shè)備只能應(yīng)用在科研實(shí)驗(yàn)中的硅片等小尺寸基板的清洗中的問(wèn)題。[0035]下面采用中空陽(yáng)極離子源為如圖4所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體闡述。[0036]優(yōu)選的，如圖3、圖4和圖5所示，所述中空陽(yáng)極離子源M包括等離子噴射口對(duì)1， 所述等離子噴射口 241外罩有防護(hù)罩M2，所述防護(hù)罩242內(nèi)設(shè)置有永磁體243及陽(yáng)極M4， 所述防護(hù)罩242上開有電源接入口 M5，電源線246的一端穿過(guò)所述電源接入口 245與所述陽(yáng)極244進(jìn)行電學(xué)連接，所述電源線M6的另一端穿過(guò)所述承重板21，并通過(guò)第二密封罩23上設(shè)置的用于引出電源線的第三開口 232穿出，所述中空陽(yáng)極離子源M還包括帶有工作氣體接入口 247的陰極M8，所述陰極248設(shè)置在所述中空陽(yáng)極離子源M的另一端，所述工作氣體接入口 247與所述工作氣體管道25連接，所述陽(yáng)極244與所述陰極248之間設(shè)置有絕緣層對(duì)9。優(yōu)選的，所述防護(hù)罩242為絕緣材料防護(hù)罩。通過(guò)電源線與陽(yáng)極進(jìn)行電學(xué)連接的方式，而陰極保持零電勢(shì)，并通過(guò)絕緣材料防護(hù)罩進(jìn)行絕緣，簡(jiǎn)化了所述中空陽(yáng)極離子源的結(jié)構(gòu)，降低了絕緣與真空密封的難度，同時(shí)所述等離子清洗設(shè)備設(shè)置第一密封罩，能夠防止外界的等離子體進(jìn)入所述中空陽(yáng)極離子源而對(duì)器件造成損傷。[0037]優(yōu)選的，如圖5所示，每個(gè)中空陽(yáng)極離子源M連接的工作氣體管道25匯聚到一個(gè)進(jìn)氣口 251，所述進(jìn)氣口 251通過(guò)所述第二開口 231進(jìn)入工作氣體。通過(guò)工作氣體管道匯聚到一個(gè)進(jìn)氣口，簡(jiǎn)化了工作氣體管道的布置，通過(guò)一個(gè)進(jìn)氣口即可控制全部中空陽(yáng)極離子源的進(jìn)氣。[0038]進(jìn)一步的，如圖4所示，所述中空陽(yáng)極離子源內(nèi)部設(shè)置有冷卻水系統(tǒng)41。中空陽(yáng)極離子源在長(zhǎng)時(shí)間工作溫度會(huì)提高，長(zhǎng)時(shí)間的高溫會(huì)使所述中空陽(yáng)極離子源的部件受損，通過(guò)冷卻水系統(tǒng)能夠降低所述中空陽(yáng)極離子源的溫度，延長(zhǎng)所述中空陽(yáng)極離子源連續(xù)工作時(shí)間和實(shí)用壽命。[0039]優(yōu)選的，如圖3、圖4和圖5所示，所述冷卻水系統(tǒng)41，包括螺線形冷卻水管路411， 所述螺線形冷卻水管路411環(huán)繞在所述陰極248的外層，所述多個(gè)中空陽(yáng)極離子源M通過(guò)冷卻水管路411串接形成一條冷卻水通路412，所述冷卻水通路412的進(jìn)水口與出水口均穿過(guò)所述承重板21，并與所述第二密封罩23相交，相交處設(shè)置有與所述進(jìn)水口對(duì)應(yīng)的第四開口 233以及與所述出水口對(duì)應(yīng)的第五開口 234。通過(guò)螺線形冷卻水管路對(duì)所述中空陽(yáng)極離子源進(jìn)行冷卻，提高了冷卻效率，延長(zhǎng)了中空陽(yáng)極離子源的工作時(shí)間，同時(shí)多個(gè)中空陽(yáng)極離子源通過(guò)冷卻水管路串接形成一條冷卻水通路，簡(jiǎn)化了冷卻水管路的管路布置，通過(guò)一條冷卻水通路即可控制整個(gè)等離子清洗設(shè)備的冷卻。[0040]優(yōu)選的，如圖3所示所述第一密封罩22通過(guò)固定螺栓以及帶有螺紋的固定柱31 與所述承重板21固定為一體。這樣可以使得所述第一密封罩與所述承重板固定牢固。[0041]優(yōu)選的，所述第一密封罩22與所述承重板21的交接處外圍、所述第二密封罩23 與所述承重板21的交接處外圍、所述第二開口 231、所述第三開口 232、所述第四開口 233 以及所述第五開口 234處均設(shè)置有圓形密封圈。所述承重板21的第一表面211外圍區(qū)域可以增加凹形槽，并使用圓形密封圈與工作真空室的四壁實(shí)現(xiàn)工作真空室的真空密封。通過(guò)圓形密封圈，能夠使得所述等離子清洗設(shè)備實(shí)現(xiàn)高真空密封，密封效果好。[0042]進(jìn)一步的，所述等離子清洗設(shè)備可以與制造玻璃基板的反應(yīng)真空腔室進(jìn)行連接， 通過(guò)帶有真空機(jī)械臂的真空傳送腔室進(jìn)行真空搬運(yùn)，但不僅局限于此。這樣能夠避免大氣對(duì)清洗過(guò)的基板造成二次污染，提高了清洗效果。[0043]為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠了解本實(shí)用新型實(shí)施例提供的等離子清洗設(shè)備，下面針對(duì)所述等離子清洗設(shè)備在薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor, TFT)工藝中的應(yīng)用，做詳細(xì)說(shuō)明[0044]TFT工藝中的玻璃基板灰化(Ashing)后的形態(tài)如圖6所示，玻璃基板61上覆蓋有 a-硅層62、N+硅層63及金屬層64，在金屬層64上有光刻膠65，由于灰化過(guò)程中所述硅層62、N+硅層63及金屬層64將被氧化，所述硅層62、N+硅層63及金屬層64上還覆蓋有一層氧化層66，此時(shí)若沒(méi)有進(jìn)行等離子清洗，繼續(xù)蝕刻將會(huì)產(chǎn)生如圖7所示的形態(tài)，在所述玻璃基板61兩端將滯留有硅和氧化層形成的柵欄67 (Fence)，造成后續(xù)生產(chǎn)中TFT工藝不良。[0045]本實(shí)用新型實(shí)施例應(yīng)用氫氣、四氟化硅或六氟化硫作為工作氣體，但不僅局限于此。[0046]所述TFT工藝中的玻璃基板灰化(Ashing)后的形態(tài)經(jīng)過(guò)所述等離子清洗設(shè)備的清洗，能夠達(dá)到如圖8所示的形態(tài)，所述氧化層66被置換為氫和氟等元素的鈍化物68，進(jìn)而繼續(xù)蝕刻得到如圖9所示的形態(tài)，所述形態(tài)后續(xù)生產(chǎn)的玻璃基板質(zhì)量?jī)?yōu)。[0047]以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種等離子清洗設(shè)備，其特征在于，包括承重板、第一密封罩和第二密封罩；所述第一密封罩設(shè)置在所述承重板的第一表面，所述第一密封罩內(nèi)均勻分布有多個(gè)中空陽(yáng)極離子源，所述中空陽(yáng)極離子源設(shè)置有等離子噴射口的一端遠(yuǎn)離所述承重板，所述中空陽(yáng)極離子源的另一端固定在所述承重板上，所述第一密封罩上設(shè)置有與所述等離子噴射口對(duì)應(yīng)的第一開口；所述第二密封罩設(shè)置在所述承重板第二表面，所述第二表面與第一表面相對(duì)，所述第二密封罩內(nèi)設(shè)置有工作氣體管道，所述工作氣體管道穿過(guò)所述承重板與其對(duì)應(yīng)的中空陽(yáng)極離子源連接，所述第二密封罩設(shè)置有與所述工作氣體管道的進(jìn)氣口對(duì)應(yīng)的第二開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述中空陽(yáng)極離子源包括等離子噴射口，所述等離子噴射口外罩有防護(hù)罩，所述防護(hù)罩內(nèi)設(shè)置有永磁體及陽(yáng)極，所述防護(hù)罩上開有電源接入口，電源線的一端穿過(guò)所述電源接入口與所述陽(yáng)極進(jìn)行電學(xué)連接，所述電源線的另一端穿過(guò)所述承重板，并通過(guò)第二密封罩上設(shè)置的用于引出電源線的第三開口穿出；所述中空陽(yáng)極離子源還包括帶有工作氣體接入口的陰極，所述陰極設(shè)置在所述中空陽(yáng)極離子源的另一端，所述工作氣體接入口與所述工作氣體管道連接，所述陽(yáng)極與所述陰極之間設(shè)置有絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，還包括每個(gè)中空陽(yáng)極離子源連接的工作氣體管道匯聚到一個(gè)進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口通過(guò)所述第二開口進(jìn)入工作氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述中空陽(yáng)極離子源內(nèi)部設(shè)置有冷卻水系統(tǒng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，所述冷卻水系統(tǒng)，包括螺線形冷卻水管路，所述螺線形冷卻水管路環(huán)繞在所述陰極的外層；所述多個(gè)中空陽(yáng)極離子源通過(guò)冷卻水管路串接形成一條冷卻水通路，所述冷卻水通路的進(jìn)水口與出水口均穿過(guò)所述承重板，并與所述第二密封罩相交，相交處設(shè)置有與所述進(jìn)水口對(duì)應(yīng)的第四開口以及與所述出水口對(duì)應(yīng)的第五開口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一密封罩通過(guò)固定螺栓以及帶有螺紋的固定柱與所述承重板固定為一體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一密封罩通過(guò)設(shè)置在所述第一密封罩上的螺孔以及固定螺栓與所述防護(hù)罩、永磁體、陽(yáng)極、絕緣層及陰極固定為一體。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一密封罩與所述承重板的交接處外圍、所述第二密封罩與所述承重板的交接處外圍、所述第二開口、所述第三開口、所述第四開口以及所述第五開口處均設(shè)置有圓形密封圈。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述防護(hù)罩為絕緣材料防護(hù)罩。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種等離子清洗設(shè)備，涉及玻璃基板清洗技術(shù)領(lǐng)域，解決了由于等離子清洗設(shè)備采用一單體中空陽(yáng)極離子源實(shí)現(xiàn)基板的清洗，所述單體中空陽(yáng)極離子源口徑小，外層噴射離子束流耗散嚴(yán)重，造成等離子清洗設(shè)備只能應(yīng)用在科研實(shí)驗(yàn)中的硅片等小尺寸基板的清洗中的問(wèn)題。本實(shí)用新型提供的等離子清洗設(shè)備，包括承重板、設(shè)置在所述承重板第一表面上的第一密封罩內(nèi)均勻分布的多個(gè)中空陽(yáng)極離子源，設(shè)置在所述承重板第二表面上的第二密封罩內(nèi)的工作氣體管道，所述工作氣體管道穿過(guò)所述承重板與其對(duì)應(yīng)的中空陽(yáng)極離子源連接。本實(shí)用新型可以應(yīng)用在玻璃基板制造領(lǐng)域，如高世代玻璃基板的制造。
文檔編號(hào)B08B11/04GK202316456SQ20112048125
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者丁欣, 侯智, 劉祖宏, 張巍, 徐大林, 鄭載潤(rùn) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司