專利名稱：含水堿性蝕刻和清潔組合物以及處理硅基材表面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于處理硅基材表面的新型含水堿性蝕刻和清潔組合物。此外，本發(fā)明涉及一種處理硅基材表面的新方法，其中使用所述新型含水堿性蝕刻和清潔組合物。另外，本發(fā)明涉及一種制造在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的新方法，其中使用所述新型含水堿性蝕刻和清潔組合物和所述處理硅基材表面的新方法。引用的文件將在本申請中提到的文件的全部內(nèi)容引入本文供參考。
背景技術(shù)：
在太陽能電池的工業(yè)生產(chǎn)中，單晶或多晶的硅晶片是主要用鋸開從大型坯料切割下來的。這產(chǎn)生了粗糙表面，具有平均表面粗糙度為約20-30微米，在本領(lǐng)域中通常稱為鋸損傷。這種鋸損傷通常是由鋸線和殘余磨料的金屬磨損引起的。所以必須進行所謂的鋸損傷蝕刻以除去表面粗糙并且將硅晶片表面紋理化。以此方式，在表面上產(chǎn)生一定的粗糙度，所述粗糙度能多次反射在表面上入射的光，從而導致在硅晶片內(nèi)側(cè)更多地吸收光，即增加光限定作用。在紋理化之后， 可以用水或堿性溶液或酸性溶液對紋理化的晶片進行短暫處理。作為替代或另外，可以用含氟化氫的溶液短暫處理進行常規(guī)整理操作。氟化氫除去了位于硅晶片表面處的天然氧化物層，伴隨著形成硅-氟鍵。以此方式，產(chǎn)生活化的疏水性硅表面。通過氫氟酸處理作為中間體產(chǎn)生的四氟化硅可以與水反應(yīng)，產(chǎn)生膠態(tài)二氧化硅粒子，這些粒子傾向于粘附到活化硅表面上，并且可以形成點或斑，即所謂的“渾濁”。另外，由于水的表面張力，表面的疏水性導致在清洗步驟期間形成水滴。但是，膠態(tài)粒子傾向于在液滴的氣體-液體邊界上濃縮。在干燥步驟期間，液滴可以沿著硅晶片表面滾動，使得在液滴中所包含的膠態(tài)粒子粘附和再次污染硅晶片表面。此外，疏水性硅晶片表面很難被高極性的噴霧式磷發(fā)射極源潤濕，磷發(fā)射極源例如是含水或含醇的磷酸。所以，硅晶片表面必須在其與磷發(fā)射極源接觸之前被賦予親水性。在現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)建議了許多用于處理硅晶片表面的含水堿性蝕刻和清潔組合物。因此，日本專利申請JP50-158281公開了四甲基氫氧化銨(TMAH)和過氧化氫的水溶液用于清潔半導體硅晶片表面。美國專利US4，239，661建議使用含有膽堿和過氧化氫和另外含有非離子性表面活性劑、配合劑的水溶液用于處理和洗滌中間體半導體產(chǎn)品的表面、用于蝕刻金屬層和除去正型操作的光致抗蝕劑的用途，非離子性表面活性劑例如是多元醇或聚氧乙烯的脂族酯，配合劑例如是氰化物或乙二胺四乙酸(EDTA)、三乙醇胺、乙二胺或安息香虧。德國專利申請DE2749636公開了使用一種含水組合物，其含有TMAH，過氧化氫，配合劑例如氫氧化銨或鄰苯二酚，作為表面活性劑的氟化化合物例如六氟異丙醇，以及抑制劑，例如氟化銨、磷酸氫銨或氧氣。日本專利申請JP63-048830公開了在用含有膽堿和過氧化氫的含水組合物進行氫氟酸處理之后從娃基材表面除去金屬雜質(zhì)。日本專利申請JP63-274149公開了用含有TMAH、過氧化氫和非離子性表面活性劑的含水組合物從半導體晶片表面脫脂和除去無機污染物。美國專利US5，129，955描述了在用含有膽堿或TMAH和過氧化氫的水溶液進行氫氟酸處理之后對硅晶片表面進行清潔和親水化。同樣，美國專利US5，207，866公開了使用這些組合物對單晶硅進行各向異性蝕刻。歐洲專利申請EP0496602A2描述了用含有TMAH、過氧化氫和配合劑、例如膦酸或多磷酸的含水組合物從娃晶片表面除去金屬雜質(zhì)。美國專利US5，705，089描述了用含水組合物從硅晶片除去金屬雜質(zhì)，所述含水組合物含有TMAH，過氧化氫，配合劑例如多膦酸，潤濕劑例如多元醇，以及陰離子性、陽離子性、非離子性和氟化的表面活性劑，水溶性有機添加劑例如醇、二醇、羧酸、羥基羧酸、多羧酸和多元醇，其也可以被氧化。
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歐洲專利申請EP0665582A2建議了含水組合物作為表面處理組合物用于半導體和用于除去金屬離子，所述含水組合物含有TMAH、過氧化氫和具有至少三個N-羥基氨基氨基甲?；呐浜蟿?。美國專利US5，466，389公開了用含水組合物清潔硅晶片，使得表面微粗糙度降低，所述含水組合物含有TMAH、過氧化氫、非離子性表面活性劑、配合劑和緩沖組分，緩沖組分是例如無機礦物酸以及它們的鹽，銨鹽，弱有機酸以及它們的鹽，和弱酸以及它們的共軛堿。美國專利US5，498，293建議為此目的使用含水組合物，其含有TMAH，過氧化氫，兩親性表面活性劑例如甜菜堿、磺基甜菜堿、氨基羧酸衍生物、亞氨基二酸、氧化胺、氟烷基磺酸鹽或氟化烷基兩親性物質(zhì)，配合劑，以及丙二醇醚溶劑。美國專利US6，465，403B1公開了堿性清潔和剝離組合物，其含有TMAH、過氧化氫、季銨硅酸鹽、配合劑、水溶性有機溶劑、以及兩親性、非離子性、陰離子性或陽離子性表面活性劑。美國專利US6，585，825B1公開了相似的組合物，其另外含有浴穩(wěn)定試劑，例如弱酸性或堿性化合物，例如水楊酸。美國專利US6，417，147描述了用于從半導體晶片表面除去污染物的清潔組合物，所述組合物含有TMAH，過氧化氫，含氟的陰離子性表面活性劑例如按分子計具有至少6個碳原子的氟化鏈烯基磺酸，鏈烷醇胺，以及非離子性表面活性劑。國際專利申請W002/33033A1公開了用于具有金屬線和通路的半導體硅晶片的清潔組合物，所述組合物含有TMAH，過氧化氫，浴穩(wěn)定劑例如水楊酸，水溶性硅酸鹽，配合劑以及有機溶劑。美國專利申請US2006/0154839A1公開了含有TMAH、過氧化氫和亞磷酸酯或次磷酸酯的含水組合物作為剝離和清潔組合物主要用于灰塵殘余物的清潔。
美國專利申請US2006/0226122公開了含水蝕刻組合物，其含有TMAH、過氧化氫和芳族磺酸，例如芐基磺酸。所述組合物主要用于金屬氮化物的選擇性潤濕蝕刻。美國專利申請US2010/0319735A1公開了清潔組合物，其能除去粘附在用于電子裝置的基材上的有機污垢和顆粒污垢。所述清潔組合物含有含過渡金屬的水溶性鹽、螯合劑和過氧化物。另外，所述清潔組合物可以含有堿性試劑，例如氨、四甲基氫氧化銨和四乙基氫氧化銨，陰離子性表面活性劑，例如直鏈烷基苯磺酸鹽、烷基硫酸鹽和烷基醚硫酸鹽，以及非離子性表面活性劑，例如高級醇的氧化烯加合物。但是，這些現(xiàn)有技術(shù)的蝕刻和清潔組合物的親水化作用需要顯著改進，從而能滿足制造高效太陽能電池的現(xiàn)代工藝的日益嚴格的要求。尤其是，硅基材表面、尤其硅晶片表面的不滿意的親水性使得難以均勻分布高極性的噴霧式磷源，這進而導致不滿意的磷摻雜，所以導致具有不可接受的低效率的太陽能電池。在除去所述蝕刻和清潔組合物之后，磷發(fā)射極源可以在下一個工藝步驟中施用到硅晶片表面的一側(cè)或兩側(cè)上。所施用的磷發(fā)射極源進行加熱，例如在紅外加熱的帶式爐中，從而使磷發(fā)射極擴散到硅基材中。在此工藝步驟中，在硅晶片表面的頂部上形成磷硅酸鹽玻璃(PSG)的一層或區(qū)域以及所謂死層的第二個區(qū)域，后者由非電子活性的磷組成。但是，雖然PSG層可以基本上通過在下一個工藝步驟中通過氫氟酸處理除去，但是對于死層而言并不是這種情況。死層會損害太陽能的電性能，尤其是降低短路電流和進而損害效率。在現(xiàn)有技術(shù)中，氣態(tài)磷源例如POCl3也可以用于在硅基材中產(chǎn)生磷發(fā)射極。在這種情況下，在硅基 材的紋理化之后不需要親水化步驟。但是，與在PSG層去除之后剩余的死層相關(guān)的問題仍然需要彌補。此外，在磷摻雜之后存在于硅基材的兩側(cè)和/或邊緣上的磷發(fā)射極層必須分離，從而防止太陽能電池短路。邊緣分離可以通過在金屬化步驟之后的激光邊緣分離技術(shù)進行，或通過濕化學蝕刻進行。濕化學邊緣分離是通過將硅基材的后側(cè)和邊緣浸入含有氟化氫的組合物中進行的。由于在基材和含有氟化氫的組合物之間的表面張力作用，在前側(cè)上的發(fā)射極層并沒有暴露于蝕刻。但是，多孔硅的殘余物可能保留，其必須在硅基材的進一步加工之前除去。所以，在用于制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的現(xiàn)代工藝中，額外的濕清潔和表面改性步驟以及隨后的淋洗和干燥操作是在PSG去除步驟和/或濕邊緣分離步驟之后、且在施加氮化硅(SiNx:H)抗反射涂層之前進行的，例如通過物理改進的化學氣相沉積(PECVD)。通過這種額外的濕清潔和表面改性步驟，從PSG去除步驟和/或濕邊緣分離步驟留下的和/或已經(jīng)再次污染硅晶片表面的殘余物以及死層和/或多孔硅殘余物被除去，并且表面通過蝕刻和氧化得到改性。十分希望在經(jīng)濟和技術(shù)方面，在親水化步驟中使用的蝕刻和清潔組合物也可以用于額外濕清潔和表面改性步驟?，F(xiàn)有技術(shù)的蝕刻和清潔組合物可以在一定程度上對于這兩種目的都是合適的。但是，仍然需要進一步改進，從而滿足太陽能制造者的日益增加的技術(shù)和經(jīng)濟要求。
發(fā)明目的本發(fā)明的目的是提供一種新型的含水堿性蝕刻和清潔組合物，其特別適用于處理硅基材表面、尤其是硅晶片的表面，并且不具有現(xiàn)有技術(shù)的含水堿性蝕刻和清潔組合物的缺點。另外，新型含水堿性蝕刻和清潔組合物應(yīng)當具有特別高的清潔效率，從而避免形成渾濁和再污染硅基材表面。此外，所述新型含水堿性蝕刻和清潔組合物應(yīng)當具有特別強的親水化作用，從而所得的親水性表面可以特別好地用高極性噴霧式磷發(fā)射極源潤濕，所述磷發(fā)射極源是例如含水或含醇的磷酸，從而能準確地控制發(fā)射極的形成。另外，所述新型含水堿性蝕刻和清潔組合物應(yīng)當也特別好地適合在PSG去除步驟之后進行的額外濕清潔和改性步驟中作為濕清潔和改性組合物。尤其是，在額外的濕清潔和表面改性步驟中，新型堿性蝕刻和清潔組合物應(yīng)當能基本上完全地不僅除去在PSG去除步驟之后留下的和/或再污染硅基材表面的那些殘余物，而且能除去死層。其應(yīng)當還能通過蝕刻和氧化改性表面。以此方式,開放電路電流和進而光電池或太陽能電池的效率應(yīng)當?shù)玫斤@著改進。最后、但并不是不重要，所述新型含水堿性蝕刻和清潔組合物應(yīng)當也特別適合用于除去在濕邊緣分離步驟之后剩余的多孔二氧化硅殘余物。本發(fā)明的另一個目的是提供一種處理硅基材表面、尤其硅晶片表面的新方法，所述方法不具有現(xiàn)有技術(shù)的缺點。另外，所述處理硅基材表面的新方法應(yīng)當具有特別高的清潔效率，從而避免形成渾濁和再污染硅基材表 面。此外，所述處理硅基材表面的新方法應(yīng)當具有特別強的親水化作用，從而所得的親水性表面可以特別好地用高極性噴霧式磷發(fā)射極源潤濕，所述磷發(fā)射極源是例如含水或含醇的磷酸，從而能準確地控制發(fā)射極的形成。另外，所述處理硅基材表面的新方法應(yīng)當也特別好地適合在PSG去除步驟之后進行額外的濕清潔和改性步驟。尤其是，額外的濕清潔和表面改性步驟應(yīng)當能基本上完全地不僅除去在PSG去除步驟之后留下的和/或再污染硅晶片表面的那些殘余物，而且能除去死層。其應(yīng)當還能通過蝕刻和氧化改性表面。以此方式，開放電路電流和進而光電池或太陽能電池的效率應(yīng)當?shù)玫斤@著改進。最后、但并不是不重要，所述處理硅基材表面的新方法應(yīng)當也特別適合用于除去在濕邊緣分離步驟之后剩余的多孔二氧化硅殘余物。本發(fā)明的另一個目的是提供一種制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的新方法，所述裝置尤其是光電池或太陽能電池，特別是選擇性發(fā)射極太陽能電池、金屬電極繞通(MWT)太陽能電池和發(fā)射極電極繞通(EWT)太陽能電池，所述能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置具有提高的效率和填充因子(FF)，并且所述方法應(yīng)當不再具有現(xiàn)有技術(shù)的缺點。發(fā)明概述因此，發(fā)現(xiàn)了一種新型含水堿性蝕刻和清潔組合物，所述組合物含有⑷至少一種季銨氫氧化物；和(B)至少一種選自以下的組分
(bl)通式I的水溶性磺酸以及它們的水溶性鹽(R1-SCV)nXn+ (I),(b2)通式II的水溶性膦酸以及它們的水溶性鹽R-PO32H (II)，(b3)通式III的水溶性硫酸酯以及它們的水溶性鹽(RO-SCV)nXn+ (III)，(b4)通式(IV)的水溶性磷酸酯以及它們的水溶性鹽RO-PO廣(Xn+) 3_n (IV)，和(b5)通式(V)的水溶性磷酸酯以及它們的水溶性鹽[(RO)2PO2InXn+ (V)；其中指數(shù)n=l或2 ;符號X是選自氫、堿金屬和堿土金屬！R1是選自具有2_5個碳原子和至少一個烯屬不飽和雙鍵的脂族結(jié)構(gòu)部分，以及具有4-6個碳原子和至少一個烯屬不飽和雙鍵的脂環(huán)族結(jié)構(gòu)部分；R是選自具有2-5個碳原子和至少一個烯屬不飽和雙鍵的脂族結(jié)構(gòu)部分，具有4-6個碳原子和至少一個烯屬不飽和雙鍵的脂環(huán)族結(jié)構(gòu)部分，以及烷基芳基結(jié)構(gòu)部分，其中芳基結(jié)構(gòu)部分是選自苯和萘，烷基結(jié)構(gòu)部分是選自亞甲基、乙烷-二基和丙烷-二基，并且在通式II中的磷原子直接鍵連至脂族碳原子上，在通式III中的硫原子和在通式IV和V中的磷原子各自經(jīng)由氧原子鍵連至脂族碳原子上。在下文中，所述新型含水堿性蝕刻和清潔組合物稱為“本發(fā)明組合物”。另外，發(fā)現(xiàn)了本發(fā)明組合物用于處理半導體材料的新用途，所述用途在下文中稱為“本發(fā)明用途”。此外，發(fā)現(xiàn)了一種處理硅基材表面的新方法，所述方法包括以下步驟(I)提供一種含水堿性蝕刻和清潔組合物，其含有(A)至少一種季銨氫氧化物；和(B)至少一種選自以下的組分(bla)通式I的水溶性磺酸以及它們的水溶性鹽(R-SCV)nXn+ (Ia),(b2)通式II的水溶性膦酸以及它們的水溶性鹽R-PO32H (II)，(b3)通式III的水溶性硫酸酯以及它們的水溶性鹽(RO-SCV)nXn+(III)，(b4)通式(IV)的水溶性磷酸酯以及它們的水溶性鹽RO-PO廣(Xn+) 3_n (IV)，和(b5)通式(V)的水溶性磷酸酯以及它 們的水溶性鹽[(RO)2PO2InXn+ (V)；其中指數(shù)n=l或2 ;X是選自氫、堿金屬和堿土金屬；R是選自具有2_5個碳原子和至少一個烯屬不飽和雙鍵的脂族結(jié)構(gòu)部分，具有4-6個碳原子和至少一個烯屬不飽和雙鍵的脂環(huán)族結(jié)構(gòu)部分，以及烷基芳基結(jié)構(gòu)部分，其中芳基結(jié)構(gòu)部分是選自苯和萘，烷基結(jié)構(gòu)部分是選自亞甲基、乙烷-二基和丙烷-二基，并且在通式Ia和II中的硫原子和磷原子各自直接鍵連至脂族碳原子上，在通式III中的硫原子和在通式IV和V中的磷原子各自經(jīng)由氧原子鍵連至脂族碳原子上；(2)使硅基材的至少一個主表面與所述含水堿性蝕刻和清潔組合物接觸至少一次，其中接觸時間和接觸溫度足以獲得清潔的親水性表面；和(3)從與含水堿性蝕刻和清潔組合物的接觸除去至少一個主表面。在下文中，所述處理硅基材表面的新方法稱為“本發(fā)明處理方法”。此外，發(fā)現(xiàn)了一種制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的新方法，所述方法包括以下步驟(I)用蝕刻組合物將硅基材的至少一個主表面紋理化，從而產(chǎn)生疏水性表面；(II)使用本發(fā)明處理方法將所述疏水性表面親水化；(III)將至少一種噴霧式磷發(fā)射極源施用到親水性表面上；(IV)加熱與所述發(fā)射極源接觸的硅基材，從而在硅基材內(nèi)形成磷發(fā)射極，或者在娃基材內(nèi)形成磷發(fā)射極和在娃基材表面的頂部上形成磷娃酸鹽玻璃；(V)改性含有所述磷發(fā)射極的硅基材的上層，或從所述硅基材表面除去磷硅酸鹽玻璃，然后改性含有所述磷發(fā)射極的娃基材的上層；(VI)在含有磷發(fā)射極的硅基材材料的改性上層的頂部上沉積抗反射層，從而獲得中間體；和(VII)進一步加工所述中間體以獲得所述裝置。在下文中，這種制造 能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的新方法稱為“本發(fā)明的第一制造方法”。最后、但并非不重要，發(fā)現(xiàn)了一種制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的新方法，所述方法包括以下步驟(I)用蝕刻組合物將硅基材的至少一個主表面紋理化，從而產(chǎn)生疏水性表面；(II)在含有至少一種氣態(tài)磷發(fā)射極源的加熱氣氛中處理硅基材的疏水性表面，從而在硅基材內(nèi)形成磷發(fā)射極，或者在硅基材內(nèi)形成磷發(fā)射極和在硅基材表面的頂部上形成磷硅酸鹽玻璃；(III)通過本發(fā)明處理方法，改性含有所述磷發(fā)射極的硅基材的上層，或從所述硅基材表面除去磷硅酸鹽玻璃，然后改性含有所述磷發(fā)射極的硅基材的上層；(IV)在含有磷發(fā)射極的硅基材的改性上層的頂部上沉積抗反射層，從而獲得中間體；和(V)進一步加工所述中間體以獲得所述裝置。在下文中，這種制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的新方法稱為“本發(fā)明的第二制造方法”。本發(fā)明的優(yōu)點基于上述現(xiàn)有技術(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員驚奇地且無法預(yù)見地發(fā)現(xiàn)本發(fā)明目的能通過所述組合物、用途、處理方法和本發(fā)明的第一和第二制造方法實現(xiàn)。因此，驚奇的是，本發(fā)明組合物不再具有現(xiàn)有技術(shù)的用于處理硅基材表面、尤其硅晶片表面的含水堿性蝕刻和清潔組合物的缺點和缺陷。另外，驚奇的是，本發(fā)明組合物具有特別高的清潔效率，從而避免形成渾濁和再污染硅基材表面。
另外，驚奇的是，本發(fā)明組合物具有特別強的親水化作用，從而所得的親水性表面可以特別好地用高極性噴霧式磷發(fā)射極源潤濕，所述磷發(fā)射極源是例如含水或含醇的磷酸，從而能準確地控制發(fā)射極的摻雜和形成。另外，本發(fā)明組合物也特別好地適合在制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的工藝中的PSG去除步驟之后進行的額外濕清潔和改性步驟中作為濕清潔和改性組合物，所述裝置尤其是光電池和太陽能電池。尤其是，在額外的濕清潔和表面改性步驟中，本發(fā)明組合物能基本上完全地不僅除去在PSG去除步驟之后留下的和/或已經(jīng)再污染硅晶片表面的那些殘余物，而且能除去死層。其還能通過蝕刻和氧化改性表面。以此方式，開放電路電流和進而光電池或太陽能電池的效率得到顯著改進。最后、但并不是不重要，本發(fā)明組合物也特別適合用于除去在濕邊緣分離步驟之后剩余的多孔二氧化硅殘余物。同樣，驚奇的是，本發(fā)明用途和本發(fā)明處理方法不具有現(xiàn)有技術(shù)的處理硅基材表面、尤其硅晶片表面的方法的缺點和缺陷。另外，本發(fā)明處理方法具有特別高的清潔效率，從而避免形成渾濁和再污染硅基材表面。

另外，本發(fā)明處理方法具有特別強的親水化作用，從而所得的親水性表面可以特別好地用高極性噴霧式磷發(fā)射極源潤濕，所述磷發(fā)射極源是例如含水或含醇的磷酸，從而能準確地控制發(fā)射極的摻雜和形成。另外，本發(fā)明處理方法特別好地適合在PSG去除步驟之后進行額外濕清潔和改性步驟。尤其是，額外的濕清潔和表面改性步驟能基本上完全地不僅除去在PSG去除步驟之后留下的和/或再污染硅基材表面的那些殘余物，而且能除去死層。其還能通過蝕刻和氧化改性表面。以此方式，開放電路電流和進而光電池或太陽能電池的效率得到顯著改進。最后、但并不是不重要，本發(fā)明處理方法也特別適合用于除去在濕邊緣分離步驟之后剩余的多孔二氧化硅殘余物。另外，驚奇的是，本發(fā)明的第一和第二制造方法不再具有現(xiàn)有技術(shù)制造方法的缺點和缺陷，而是獲得這樣的裝置，尤其是光電池或太陽能電池，特別是選擇性發(fā)射極太陽能電池、金屬電極繞通(MWT)太陽能電池和發(fā)射極電極繞通(EWT)太陽能電池，所述裝置能在暴露于電磁輻射時以提高的效率和填充因子(FF)發(fā)電。本發(fā)明的詳細描述本發(fā)明涉及所述的本發(fā)明組合物。本發(fā)明組合物特別有用地且合適地用于處理硅基材表面，包括硅合金材料，尤其是硅鍺合金材料。硅基材可以是無定形的、單晶的或多晶的硅半導體材料。最優(yōu)選，所述硅基材是硅晶片，其用于制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置，尤其是光電池或太陽能電池。這些硅晶片可以具有不同的尺寸。優(yōu)選，它們是100-210mm正方形或假方形。同樣，硅晶片的厚度可以變化。優(yōu)選，所述厚度是80-300 ym。如本領(lǐng)域中公知的那樣，硅晶片可以根據(jù)公知的和常規(guī)的方法制備。因此，硅晶片可以通過將硅坯料或塊料切割來生產(chǎn)。單晶坯料例如是用CzochralskUCZ)方法生長的，其中通過從裝在熔融爐中的熔融的硅緩慢拉出種子軸。也可以使用邊緣限定的膜進料生長(EFG)或繩-帶法。多晶硅可以通過將硅物質(zhì)在恰好高于其熔融溫度的溫度下加熱生產(chǎn)。這使得硅物質(zhì)一起生長，形成大塊的硅塊料，也稱為坯料。這種坯料通常用鋼絲鋸切割成塊料。這些塊料最后用帶鋸切成晶片。但是，如上所述，鋸損傷蝕刻必須在鋸操作之后進行。在硅晶片從切割漿液分離和清潔之后，通常檢查硅晶片的斷裂和其它錯誤，并將其送到光電池或太陽能電池生產(chǎn)工藝。通常，所述生產(chǎn)工藝是從紋理化和除去鋸損傷開始的。這之后通常是將硅晶片浸入不同的溶液中，包括含水的堿性和酸性溶液，從而獲得疏水性晶片表面。本發(fā)明組合物是一種含水組合物。這表示在下文中所述的組合物的組分能以分子水平完全溶解在水中，優(yōu)選去離子水，最優(yōu)選超純水。優(yōu)選，將本發(fā)明組合物施用于疏水性晶片表面上。優(yōu)選，本發(fā)明組合物是在下文中所述組分的高度稀釋的含水溶液。更優(yōu)選，其含有基于所述處理組合物總重量計的80-99. 9重量％、更優(yōu)選82. 5-99. 8重量％、最優(yōu)選85. 5-99. 75重量％的水。本發(fā)明組合物是堿性或堿性的組合物。其pH可以在寬范圍內(nèi)變化，所以可以根據(jù)本發(fā)明處理方法和制造方法的具體要求容易地和精確地調(diào)節(jié)。優(yōu)選，PH是8-13，最優(yōu)選9 - 12。本發(fā)明組合物的第一種基本組分是至少一種、優(yōu)選一種季銨氫氧化物(A)。季銨氫氧化物(A)是本領(lǐng)域公知的，例如參見美國專利申請US2006/0226122A1，詳見第2頁
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段。最優(yōu)選使用四甲基氫氧化銨(TMAH)和/或四乙基氫氧化銨(TEAH)。季銨氫氧化物(A)的濃度也可以在寬范圍內(nèi)變化，所以，可以根據(jù)本發(fā)明處理方法和制造方法的具體要求容易地和精確地調(diào)節(jié)。優(yōu)選，所述濃度是0. 1-5重量％，更優(yōu)選0. 2-4. 5重量％，最優(yōu)選0. 3-4重量％，所述重量百分比是基于本發(fā)明組合物的總重量計。本發(fā)明組合物的第二種基本組分是至少一種、優(yōu)選一種選自以下的組分(B)(bl)通式I的水溶性磺酸以及它們的水溶性鹽(R1-SCV)nXn+ (I),(b2)通式II的水溶性膦酸以及它們的水溶性鹽R-PO32H (II)，(b3)通式III的水溶性硫酸酯以及它們的水溶性鹽(RO-SCV)nXn+ (III)，(b4)通式(IV)的水溶性磷酸酯以及它們的水溶性鹽RO-PO廣(Xn+) 3_n (IV)，和(b5)通式(V)的水溶性磷酸酯以及它們的水溶性鹽[(RO)2PO2InXn+ (V)；在本發(fā)明中，“水溶性”表示相應(yīng)的組分(B)以分子水平完全溶解在水中。在通式I和II中，指數(shù)n等于I或2，優(yōu)選1 。X是選自氫、堿金屬和堿土金屬,優(yōu)選選自氫和堿金屬，最優(yōu)選選自氫和鈉。通式I中的R1是選自具有2 - 5個、優(yōu)選2 - 4個、最優(yōu)選2或3個碳原子且具有至少一個、優(yōu)選一個烯屬不飽和雙鍵的脂族結(jié)構(gòu)部分，和具有4 - 6個、優(yōu)選5或6個、最優(yōu)選6個碳原子且具有至少一個、優(yōu)選一個烯屬不飽和雙鍵的脂環(huán)族結(jié)構(gòu)部分。結(jié)構(gòu)部分R1可以被至少一種惰性的、S卩非反應(yīng)性的取代基取代，例如氟或氯，如果這種取代基不損害組分(bl)在水中的溶解性的話。更優(yōu)選，結(jié)構(gòu)部分R1是未取代的。甚至更優(yōu)選，結(jié)構(gòu)部分R1是選自-乙烯基；-丙-1-稀-1-基，丙_2_稀-1-基(稀丙基),a-甲基-乙稀基；-丁-1-烯-1-基，丁-2-烯-1-基和丁-1-烯-1-基，2-甲基-丙-1-烯-1-基，丁 -2-烯-2-基；-戊-1-烯-1-基，戊-2-烯-1-基，戊-3-烯-1-基和戊-4-烯-1-基；-戊-1-烯-2-基，戊-1-烯-2-基，戊-3-烯-2-基和戊-4-烯_2_基；-戊-1-烯-3-基和戊-2-烯-3-基；-3-甲基-丁-1-烯-1-基，3-甲基-丁-2-烯-1-基和3-甲基-丁-3-烯-1-基；-3-甲基-丁 -2-烯-2-基和 3-甲基-丁 -3-烯-2-基；-新戍-1-烯-1-基和新戍-2-烯-1-基；-環(huán)丁-1-烯-1-基和環(huán)丁 -2-烯-1-基；-環(huán)戊-1-烯-1-基，環(huán)戊-2-烯-1-基和環(huán)戊-3-烯-1-基；和-環(huán)己-1-烯-1-基，環(huán)己-2-烯-1-基和環(huán)己-3-烯-1-基基團。最優(yōu)選使用乙稀基、丙_1_稀_1_基、丙_2_稀-1-基(稀丙基)和a-甲基-乙稀基。所以，最優(yōu)選使用的組分(bl)是選自乙烯基磺酸，烯丙基磺酸，丙-1-烯-1-基-磺酸，和a -甲基-乙烯基-磺酸以及它們的鈉鹽。通式I1-V中的R是選自上述結(jié)構(gòu)部分R1和烷基芳基結(jié)構(gòu)部分，其中芳基結(jié)構(gòu)部分是選自苯和萘，優(yōu)選苯，烷基結(jié)構(gòu)部分是選自亞甲基、乙烷-二基和丙烷-二基，優(yōu)選亞甲基，在通式II中的磷原子是直接鍵連至脂族碳原子上，在通式III中的硫原子和在通式IV和V中的磷原子是各自經(jīng)由氧原子鍵連至脂族碳原子上。芳基結(jié)構(gòu)部分可以被至少一種惰性的、S卩非反應(yīng)性的取代基取代，例如氟或氯，如果這種取代基不會損害組分(b2)在水中的溶解性的話。更優(yōu)選，芳基結(jié)構(gòu)部分是未取代的。所以，最優(yōu)選使用的組分(b2)是選自乙烯基膦酸、烯丙基膦酸、丙-1-烯-1-基-膦酸、a -甲基-乙烯基-膦酸和芐基膦酸，以及它們的鈉鹽。最優(yōu)選使用的組分(b3)是選自單乙烯基硫酸酯、單烯丙基硫酸酯、單丙-1-烯-1-基硫酸酯、單-a -甲基-乙烯基硫酸酯和單芐基硫酸酯，以及它們的鈉鹽。最優(yōu)選使用的組分(b4)是選自單乙烯基磷酸酯、單烯丙基磷酸酯、單丙-1-烯-1-基磷酸酯、單-a -甲基-乙烯基磷酸酯和單芐基磷酸酯，以及它們的鈉鹽。最優(yōu)選使用的組分(b5)是選自二乙烯基磷酸酯、二烯丙基磷酸酯、二丙-1-烯-1-基磷酸酯、二-a -甲基-乙烯基磷酸酯和二芐基磷酸酯，以及它們的鈉鹽。也可以使用含有兩種不同殘基R的混合的磷酸酯。本發(fā)明組合物中的組分⑶的濃度可以在寬范圍內(nèi)變化， 所以可以根據(jù)本發(fā)明相關(guān)處理方法和制造方法的具體要求而容易和精確地調(diào)節(jié)。優(yōu)選，濃度是0. 001-1. 5重量％，更優(yōu)選0. 005-1. 25重量％，最優(yōu)選0. 01-1重量％，重量百分比是基于本發(fā)明組合物的總重量計。在一個優(yōu)選實施方案中，本發(fā)明組合物另外含有至少一種酸(C)。優(yōu)選，酸(C)是揮發(fā)性的，以致它們能蒸發(fā)且不會在較低溫度下形成殘余物，即低于200° C的溫度。更優(yōu)選，使用至少兩種、最優(yōu)選兩種酸(C)。特別優(yōu)選，酸(C)是選自無機礦物酸，最優(yōu)選鹽酸和硝酸，以及水溶性羧酸，最優(yōu)選甲酸和乙酸。最特別優(yōu)選使用一種礦物酸(C)和一種水溶性羧酸(C)。本發(fā)明組合物中的酸(C)的濃度可以在寬范圍內(nèi)變化，所以可以根據(jù)本發(fā)明相關(guān)處理方法和制造方法的具體要求而容易和精確地調(diào)節(jié)。優(yōu)選，無機礦物酸(C)的濃度是0. 005-2重量％，更優(yōu)選0. 01-1. 75重量％，最優(yōu)選0. 015-1. 5重量％，重量百分比是基于本發(fā)明組合物的總重量計。在另一個優(yōu)選實施方案中，本發(fā)明組合物另外含有至少一種、優(yōu)選一種揮發(fā)性的水溶性堿(D)，其選自含有至少一個氮原子的無機堿和有機堿。更優(yōu)選，含有至少一個、優(yōu)選一個氮原子的揮發(fā)性水溶性無機堿(D)是氨或羥基胺，甚至更優(yōu)選氨。最優(yōu)選，揮發(fā)性的水溶性有機堿(D)是選自甲基胺，二甲基胺，乙基胺，甲基乙基
胺，二乙基胺，1-丙基胺，異丙基1胺，乙醇胺，二乙醇胺和乙二胺。揮發(fā)性的水溶性堿⑶的濃度也可以在寬范圍內(nèi)變化，所以可以根據(jù)本發(fā)明相關(guān)處理方法和制造方法的具體要求而容易和精確地調(diào)節(jié)。優(yōu)選，濃度是0. 05-3重量％，更優(yōu)選0. 075-2. 5重量％，最優(yōu)選0. 1-2重量％，重量百分比是基于本發(fā)明組合物的總重量計。在另一個優(yōu)選實施方案中，本發(fā)明組合物另外含有至少一種、優(yōu)選一種氧化劑(E)，其選自水溶性的有機和無機過氧化物，更優(yōu)選無機過氧化物。優(yōu)選，水溶性有機過氧化物(E)是選自芐基過氧化物，過乙酸，脲過氧化氫加合物，以及過氧化二叔丁基。優(yōu)選，無機過氧化物(E)是選自過氧化氫、過碳酸鹽、過硼酸鹽、單過硫酸鹽、二過硫酸鹽和過氧化鈉。氧化劑(E)在本發(fā)明組合物中的濃度可以在寬范圍內(nèi)變化，所以可以根據(jù)本發(fā)明相關(guān)處理方法和制造方法的具體要求而容易和精確地調(diào)節(jié)。優(yōu)選，濃度是0. 1-1. 5重量％，更優(yōu)選0. 2-1. 2重量％，最優(yōu)選0. 3-1重量％，重量百分比是基于本發(fā)明組合物的總重量計。在另一個優(yōu)選實施方案中，本發(fā)明組合物含有至少一種金屬螯合劑(F)，從而提高組合物將金屬離子保留在溶液中的能力和改進金屬殘余物在硅晶片表面上的溶解。原則上，可以使用任何常規(guī)和公知的金屬螯合劑(F)，只要其不會不利地干擾本發(fā)明組合物的其它組分即可，例如引起分解或不需要的沉淀。優(yōu)選，金屬螯合劑(F)是選自羧酸，羥基羧酸，氨基酸，羥基氨基酸，膦酸和羥基膦酸，以及它們的鹽，含有至少兩個羥基的醇和酚，所述化合物含有或不含具有至少一個氮原子的官能團。優(yōu)選，金屬螯合劑(F)的鹽是選自銨鹽，尤其是銨鹽，甲基銨鹽，二甲基銨鹽，三甲基銨鹽，乙基銨鹽，甲基乙基銨鹽，二乙基銨鹽，甲基二乙基銨鹽，三乙基銨鹽，1-丙基銨鹽，異丙基銨鹽，以及乙醇銨，二乙醇銨和亞乙基二銨鹽；以及堿金屬鹽，尤其是鈉鹽和鉀鹽。更優(yōu)選，金屬螯合劑(F)是選自氨基酸二乙酸酯，羥基氨基酸二乙酸酯，以及它們的鹽，尤其是甲基甘氨酸二乙酸酯(MGDA;TrilonTM M ; a -丙氨酸二乙酸酯)，P -丙氨酸二乙酸酯，谷氨酸二乙酸酯，天冬氨酸二乙酸酯，絲氨酸二乙酸酯和蘇氨酸二乙酸酯，以及它們的鹽，特別優(yōu)選MGDA及其鹽；(亞乙基二次氮基)四乙酸(EDTA)，亞丁基二胺四乙酸，(1，2_亞環(huán)己基二次氮基)四乙酸(CyDTA)，二亞乙基三胺五乙酸，乙二胺四丙酸，(羥基乙基)乙二胺三乙酸(HEDTA)，N，N，N’，N’ -乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)，三亞乙基四胺六乙酸(TTHA)，I, 3- 二氨基-2-羥基丙烷-N，N，N’，N’ -四乙酸(DHPTA)，甲基亞氨基二乙酸，丙二胺四乙酸，1，5，9-三氮雜環(huán)十二烷-N，N’，N"-三(亞甲基膦酸)(DOTRP)，1,4, 7, 10-四氮雜環(huán)十二烷-N，N’，N’ ’，N’ ’ ’ -四(亞甲基膦酸)，(DOTP)，次氮基三(亞甲基)三膦酸，二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)(DETAP)，氨基三(亞甲基膦酸)，1-羥基亞乙基-1，1-二膦酸，二(六亞甲基)三胺膦酸，1，4，7-三氮雜環(huán)壬烷-N，N’，N"-三(亞甲基膦酸)(NOTP)，2-膦基丁烷-1，2，4-三羧酸，次氮基三乙酸(NTA)，檸檬酸，酒石酸，戊二酸，糖酸，甘油酸，草酸，鄰苯二甲酸，馬來酸，扁桃酸，丙二酸，乳酸，水楊酸，5-磺基水楊酸，半胱氨酸和乙?；腚装彼幔灞蹲铀?，以及它們的鹽；間苯二酚，掊酸丙基酯，焦掊酚和8-羥基喹啉。合適的金屬螯合劑(F)的其它例子參見美國申請US2010/0319735A1，第2頁-
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段。最優(yōu)選，金屬螯合劑(F)含有至少一種具有PKa為10-13的基團，這是因為這些金屬螯合劑具有對于含金屬的殘余物的高親和性。本發(fā)明組合物中的金屬螯合劑(F)的濃度可以在寬范圍內(nèi)變化，所以可以根據(jù)本發(fā)明相關(guān)處理方法和制造方 法的具體要求而容易和精確地調(diào)節(jié)。優(yōu)選，濃度是0.01-5重量％，更優(yōu)選0. 05-2. 5重量％，最優(yōu)選0. 1-2重量％，重量百分比是基于本發(fā)明組合物的總重量計。最優(yōu)選，本發(fā)明組合物含有上述優(yōu)選濃度的組分(A)、⑶、(C)和(E)，最特別優(yōu)選(A)、⑶、(C)、⑶和/或(F)和(E)，在每種情況下余量是水。本發(fā)明組合物的制備沒有任何限制，但是可以優(yōu)選通過向水中加入上述組分(A)和⑶和任選地(C)、任選地⑶和任選地(F)來制備，更優(yōu)選加入(A)、(B)、(C)和任選地(D)和任選地(F)，最優(yōu)選加入(A)、(B)、(C)和(D)，當用于本發(fā)明處理方法和本發(fā)明制造方法中時，它們的濃度可以高于在本發(fā)明組合物中的濃度。以此方式，制得濃縮物，其可以毫無問題地處理和儲存，并且可以在其用于本發(fā)明處理方法和本發(fā)明制造方法中之前用水進一步稀釋。優(yōu)選，組分(E)在使用之前不久加入。為了制備本發(fā)明組合物，可以使用常規(guī)和標準的混合方法以及抗腐蝕性混合裝置，例如攪拌容器、在線溶解器、高剪切高速攪拌機、超聲波混合器、均化器噴嘴或逆流混合器。本發(fā)明組合物尤其適用于本發(fā)明用途。本發(fā)明用途涉及處理硅基材，尤其是處理硅晶片。根據(jù)本發(fā)明用途，硅晶片是用于制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置，尤其是用于制造光電池和太陽能電池，特別是選擇性發(fā)射極太陽能電池、金屬電極繞通(MWT)太陽能電池和發(fā)射極電極繞通(EWT)太陽能電池。所以，電磁輻射優(yōu)選是太陽能輻射。根據(jù)本發(fā)明用途，本發(fā)明組合物最優(yōu)選用于通過蝕刻和氧化改性硅基材表面，除去由磷發(fā)射極摻雜產(chǎn)生的磷硅酸鹽玻璃和死層，除去由濕邊緣分離產(chǎn)生的多孔硅，和/或除去已經(jīng)再污染硅基材表面的殘余物。本發(fā)明處理方法使得硅基材的表面、尤其是硅晶片的表面具有親水性，和/或通過蝕刻和氧化改性硅基材的表面。在本發(fā)明處理方法的第一步中，提供含水堿性蝕刻和清潔組合物，優(yōu)選通過上文所述的方法。所述含水堿性蝕刻和清潔組合物含有至少一種上述季銨氫氧化物(A)。其另外含有至少一種選自以下的組分⑶(bla)通式I的水溶性磺酸以及它們的水溶性鹽
權(quán)利要求
1.ー種含水堿性蝕刻和清潔組合物，所述組合物含有 (A)至少ー種季銨氫氧化物；和 (B)至少ー種選自以下的組分 (bl)通式I的水溶性磺酸以及它們的水溶性鹽(R1-SCV)nXn+ (I), (b2)通式II的水溶性膦酸以及它們的水溶性鹽 R-PO32H (II)， (b3)通式III的水溶性硫酸酯以及它們的水溶性鹽 (RO-SCV)nXn+(III)， (b4)通式(IV)的水溶性磷酸酯以及它們的水溶性鹽RO-PO32-(Xn+)3_n (IV)，和 (b5)通式(V)的水溶性磷酸酯以及它們的水溶性鹽 [(RO)2PO2InXn+(V)； 其中指數(shù)n=l或2 ;X是選自氫、堿金屬和堿土金屬,是選自具有2-5個碳原子和至少ー個烯屬不飽和雙鍵的脂族結(jié)構(gòu)部分，以及具有4-6個碳原子和至少ー個烯屬不飽和雙鍵的脂環(huán)族結(jié)構(gòu)部分；R是選自具有2-5個碳原子和至少ー個烯屬不飽和雙鍵的脂族結(jié)構(gòu)部分，具有4-6個碳原子和至少ー個烯屬不飽和雙鍵的脂環(huán)族結(jié)構(gòu)部分，以及烷基芳基結(jié)構(gòu)部分，其中芳基結(jié)構(gòu)部分是選自苯和萘，烷基結(jié)構(gòu)部分是選自亞甲基、こ烷-ニ基和丙烷-ニ基，并且在通式II中的磷原子直接鍵連至脂族碳原子上，在通式III中的硫原子和在通式IV和V中的磷原子各自經(jīng)由氧原子鍵連至脂族碳原子上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的組合物，其特征在于季銨氫氧化物(A)是選自四甲基氫氧化銨和四乙基氫氧化銨。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的組合物，其特征在于R1是選自乙烯基、丙-1-烯-1-基、丙_2_稀-1-基(稀丙基)和ct_甲基-乙稀基，R是選自乙稀基、丙_1_稀_1_基、丙-2-稀-1-基(稀丙基)、a -甲基-乙稀基和節(jié)基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項的組合物，其特征在于所述組合物含有選自以下的至少一種酸(C):無機礦物酸，以及水溶性羧酸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的組合物，其特征在于所述組合物含有至少一種堿(D)，其選自含有至少一個氮原子的揮發(fā)性的無機堿和有機堿。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項的組合物，其特征在于所述組合物含有至少一種氧化劑(E)，其選自水溶性的有機和無機的過氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項的組合物，其特征在于所述組合物含有至少一種金屬螯合劑(F)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的組合物，其特征在于金屬螯合劑(F)是選自氨基酸ニ乙酸酷，羥基氨基酸ニ乙酸酷，以及它們的鹽。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項的組合物，其特征在于其pH是8-13。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任ー項的含水堿性蝕刻和清潔組合物用于處理硅基材的用途。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的用途，其特征在于硅基材是硅晶片。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的用途，其特征在于硅晶片是用于制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的用途，其特征在于所述裝置是光電池和太陽能電池。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的用途，其特征在于所述太陽能電池是選擇性發(fā)射極太陽能電池、金屬電極繞通(MWT)太陽能電池和發(fā)射極電極繞通(EWT)太陽能電池。
15.根據(jù)權(quán)利要求12-14中任ー項的用途，其特征在于電磁輻射是太陽能輻射。
16.根據(jù)權(quán)利要求10-15中任ー項的用途，其特征在于含水堿性蝕刻和清潔組合物是用于通過蝕刻和氧化改性硅基材表面，除去由磷發(fā)射極摻雜產(chǎn)生的磷硅酸鹽玻璃和死層，除去由濕邊緣分離產(chǎn)生的多孔硅，和/或除去已經(jīng)再污染硅基材表面的殘余物。
17.一種處理硅基材表面的方法，所述方法包括以下步驟 (1)提供ー種含水堿性蝕刻和清潔組合物，其含有 (A)至少ー種季銨氫氧化物；和 (B)至少ー種選自以下的組分 (bla)通式I的水溶性磺酸以及它們的水溶性鹽
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法,其特征在于娃基材的至少ー個主表面與所述含水堿性蝕刻和清潔組合物接觸至少兩次。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或18的方法，其特征在于硅基材是硅晶片。
20.一種制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的方法，所述方法包括以下步驟 (I)用蝕刻組合物將硅基材的至少ー個主表面紋理化，從而產(chǎn)生疏水性表面； (II)使用根據(jù)權(quán)利要求17-19中任ー項的處理娃基材表面的方法將所述疏水性表面親水化；(III)將至少一種噴霧式磷發(fā)射極源施用到親水性表面上； (IV)加熱與所述發(fā)射極源接觸的硅基材，從而在硅基材內(nèi)形成磷發(fā)射極，或者在硅基材內(nèi)形成磷發(fā)射極和在硅基材表面的頂部上形成磷硅酸鹽玻璃； (V)改性含有所述磷發(fā)射極的娃基材的上層，或從娃半導體表面除去磷娃酸鹽玻璃，然后改性含有所述磷發(fā)射極的硅基材的上層； (VI)在含有磷發(fā)射極的硅基材的改性上層的頂部上沉積抗反射層，從而獲得中間體；和 (VII)進ー步加工所述中間體以獲得所述裝置。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的制造方法，其特征在于根據(jù)權(quán)利要求17-19中任ー項的處理硅基材表面的方法用于エ藝步驟(V)中。
22.根據(jù)權(quán)利要求20和21的制造方法，其特征在于在エ藝步驟(VI)之前進行濕邊緣分尚步驟。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的制造方法，其特征在于在濕邊緣分離步驟之后進行根據(jù)權(quán)利要求17-19中任一項的處理娃基材表面的方法。
24.根據(jù)權(quán)利要求20-23中任一項的制造方法，其特征在于所述裝置是光電池和太陽能電池。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的制造方法，其特征在于所述太陽能電池是選擇性發(fā)射極太陽能電池、金屬電極繞通(MWT)太陽能電池和發(fā)射極電極繞通(EWT)太陽能電池。
26.—種制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的方法，所述方法包括以下步驟 (I)用蝕刻組合物將硅基材的至少ー個主表面紋理化，從而產(chǎn)生疏水性表面； (II)在含有至少ー種氣態(tài)磷發(fā)射極源的加熱氣氛中處理娃基材的疏水性表面，從而在硅基材內(nèi)形成磷發(fā)射極，或者在硅基材內(nèi)形成磷發(fā)射極和在硅基材表面的頂部上形成磷硅酸鹽玻璃； (III)根據(jù)權(quán)利要求17-19中任ー項的處理娃基材表面的方法,改性含有所述磷發(fā)射極的硅基材的上層，或從硅半導體表面除去磷硅酸鹽玻璃，然后改性含有所述磷發(fā)射極的娃基材的上層； (IV)在含有磷發(fā)射極的硅基材的改性上層的頂部上沉積抗反射層，從而獲得中間體；和 (V)進ー步加工所述中間體以獲得所述裝置。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的制造方法，其特征在于在エ藝步驟(VI)之前進行濕邊緣分離步驟。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的制造方法，其特征在于在濕邊緣分離步驟之后進行根據(jù)權(quán)利要求17-19中任一項的處理娃基材表面的方法。
29.根據(jù)權(quán)利要求26-28中任一項的制造方法，其特征在于所述裝置是光電池和太陽能電池。
30.根據(jù)權(quán)利要求29的制造方法，其特征在于所述太陽能電池是選擇性發(fā)射極太陽能電池、金屬電極繞通(MWT)太陽能電池和發(fā)射極電極繞通(EWT)太陽能電池。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于處理硅基材表面的含水堿性蝕刻和清潔組合物，所述組合物含有(A)至少一種季銨氫氧化物；和(B)至少一種選自通式(I)至(V)的水溶性酸以及它們的水溶性鹽(R1-SO3-)nXn+(I),R-PO32-(Xn+)3-n(II),(RO-SO3-)nXn+(III),RO-PO32-(Xn+)3-n(IV)，和[(RO)2PO2-]nXn+(V)；其中n=1或2；X是選自氫或堿金屬或堿土金屬；R1是烯屬不飽和的脂族或脂環(huán)族結(jié)構(gòu)部分；R是R1或烷基芳基結(jié)構(gòu)部分；涉及所述組合物用于處理硅基材的用途，處理硅基材表面的方法，以及制造能在暴露于電磁輻射時發(fā)電的裝置的方法。
文檔編號C11D7/34GK103038311SQ201180037424
公開日2013年4月10日 申請日期2011年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月9日
發(fā)明者B·費斯提爾, S·布勞恩, A·費森貝克爾 申請人:巴斯夫歐洲公司