專利名稱：用于干燥半導(dǎo)體晶片的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于干燥盤形物件的表面的方法和裝置。更具體地，本發(fā)明涉及用于通過用含水漂洗液漂洗并隨后用有機(jī)溶劑漂洗來干燥盤形物件的表面的方法和裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)中，通常使用用于干燥盤形物件的表面的技術(shù)來在生產(chǎn)過程中清潔硅晶片(例如，拍照前清潔、后CMP清潔以及后等離子體清潔)。但是，這種干燥方法可被應(yīng)用于其它盤狀物件，比如光盤、光掩模、分劃板、磁盤或平板顯示器。當(dāng)用在半導(dǎo)體工業(yè)中時，它還可被應(yīng)用于玻璃襯底(例如，在絕緣體上硅的工藝中)、II1- V襯底(例如，GaAs)或者用于生產(chǎn)集成電路的任何其它襯底或載體。在半導(dǎo)體工業(yè)中已知若干干燥方法。一種類型的干燥方法使用已限定的液體/氣體邊界層。這種干燥方法公知為馬蘭戈尼(Marangoni)干燥方法。美國專利US5，882，433公開了一種組合的馬蘭戈尼旋轉(zhuǎn)干燥方法，在該方法中，去離子水被分配到晶片上且同時氮與2-丙醇(異丙醇)的混合物被分配。氮中的2-丙醇影響液體/氣體邊界層，因?yàn)榇嬖诒砻鎯A斜度，從而促進(jìn)水分離開晶片而液滴留在晶片上(馬蘭戈尼效應(yīng))。當(dāng)液體分配器從晶片的中心向邊緣移動且晶片被旋轉(zhuǎn)時，氣體分配器直接跟在液體分配器之后，以便氣體直接取代晶片上的液體。美國專利US5，882，433還公開了通過有機(jī)溶液移除含水溶液的方法。然而，當(dāng)干燥晶片時，尤其是當(dāng)干燥300mm晶片(300mm晶片正在日漸取代較老的200mm晶片技術(shù)的使用)時，出現(xiàn)了瑕疵的增加。在半導(dǎo)體晶片上所形成的器件的不斷增長的微型化也使干燥晶片變得更難。這尤其要考慮到隨著半導(dǎo)體晶片上所形成的器件變得越來越小，它們的比例不一定保持相同。例如，鑒于需要提供足夠的表面積以達(dá)到目標(biāo)電容，相對于前代技術(shù)而言單元寬度減小的電容器不會一直成比例地變短。所以，隨著半導(dǎo)體器件變得越來越小，它們的深寬比頻繁增力口。可將此比擬為曼哈頓的房地產(chǎn)開發(fā):隨著水平方向上的空間變得越來越有限，能建設(shè)的唯一方向就是向上。越來越小的器件結(jié)構(gòu)的較高深寬比助長了不希望的“圖案崩塌(patterncollapse)”現(xiàn)象，其中，由于去離子水相對較高的表面張力，因此無論干燥受不受到氮?dú)饬鞯挠绊?，包圍器件結(jié)構(gòu)且自漂洗步驟余留下來的去離子水在旋轉(zhuǎn)干燥的過程中將破壞力施加于這些結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明反映了發(fā)明人的探索成果:當(dāng)異丙醇(“IPA”)被加熱至超過60°C且低于820C (IPA的沸點(diǎn))的溫度時，異丙醇能更加有效地清潔并干燥盤形物件的表面。雖然液體的表面張力通常隨著溫度的升高而降低，但是利用被加熱至超過60°C的溫度的IPA所達(dá)到的改善的干燥顯著優(yōu)于在這種溫度能預(yù)期的效果。因此，本發(fā)明可被體現(xiàn)為用于加強(qiáng)預(yù)防圖案崩塌的在濕法化學(xué)處理之后漂洗并干燥盤形物件的方法。本發(fā)明還被體現(xiàn)為用于濕法處理盤形物件的裝置，該裝置裝備有被配置來在超過60°C到接近82°C的溫度將IPA提供給盤形物件的表面的部件。本發(fā)明令人驚訝的是，不僅在于所達(dá)到的改善的干燥效果，而且在于探索到:IPA(其是易燃的且具有僅僅大約12°C的燃點(diǎn))可在接近其沸點(diǎn)的溫度被安全地使用。更一般地說，本發(fā)明提供了一種用于干燥盤狀物件的方法，其包括: 用含水漂洗液漂洗盤狀物件；在用含水漂洗液開始所述漂洗之后，進(jìn)一步用具有質(zhì)量百分比含量小于20%的水的有機(jī)溶劑(例如，異丙醇)漂洗所述盤狀物件；其中所述有機(jī)溶液是液態(tài)的且被維持在超過60°C且低于所述有機(jī)溶劑的沸點(diǎn)(即，如果該有機(jī)溶劑是異丙醇，則在I巴(bar)下82°C的沸點(diǎn))的溫度。優(yōu)選的有機(jī)溶劑是那些與水形成溶液且溶劑與其其余成分(balance)是水的該溶液的質(zhì)量百分比至少在10%到50%的范圍內(nèi)的有機(jī)溶劑。該溶劑因此不需要能與水按各種比例溶混，但這樣的有機(jī)溶劑仍被包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。優(yōu)選的有機(jī)溶劑選自由酮類、醚類和醇類組成的群組中。該方法還可在壓強(qiáng)提高至2巴的情況下實(shí)施，壓強(qiáng)提高至2巴導(dǎo)致更高的沸騰溫度進(jìn)而導(dǎo)致有機(jī)溶劑溫度的更高上限。在一優(yōu)選的實(shí)施方式中，有機(jī)溶劑具有質(zhì)量百分比含量低于10%的水。在該方法的另一實(shí)施方式中，在用有機(jī)溶劑進(jìn)行漂洗的過程中旋轉(zhuǎn)所述盤狀物件。在該方法的又一實(shí)施方式中，有機(jī)溶劑以20毫升/分鐘到400毫升/分鐘的范圍內(nèi)的容積流率進(jìn)行供應(yīng)。在該方法的另一實(shí)施方式中，有機(jī)溶劑的溫度被維持在60°C以上且低于異丙醇的沸騰溫度之下2K (即，如果該有機(jī)溶劑是異丙醇，則在I巴下的80°C)的溫度。如前所述，沸騰溫度不僅取決于所用有機(jī)溶劑的種類，還取決于工藝進(jìn)行時的壓強(qiáng)。在該方法的另一實(shí)施方式中，進(jìn)一步包括將加熱的氣體供應(yīng)到盤狀物件的表面以促進(jìn)有機(jī)溶劑的蒸發(fā)。這樣的氣體可以是潔凈空氣，但優(yōu)選地是惰性氣體，比如稀有氣體或氮。優(yōu)選地，所用氣體的含氧量低于質(zhì)量百分比1%。在該方法的另一實(shí)施方式中，通過引起盤狀物件和氣體分配噴嘴之間的相對移動，所述加熱的氣體被供應(yīng)到所述盤狀物件的整個表面。在該方法的另一實(shí)施方式中，氣體流的量隨著分配噴嘴趨近盤狀物件的周邊而減少。在該方法的另一實(shí)施方式中，進(jìn)一步包括朝向所述盤狀物件的所述有機(jī)溶劑被施加到的側(cè)面的相對側(cè)面在該相對側(cè)面的至少周邊區(qū)域施加加熱的去離子水。本發(fā)明的另一方面包括一種用于干燥盤狀物件的裝置，其包括:用于用含水漂洗液漂洗盤狀物件且與含水漂洗液的源相通的漂洗噴嘴；與有機(jī)溶劑的源相通的有機(jī)溶劑供應(yīng)管，所述有機(jī)溶劑供應(yīng)管包括適于將通過所述管供應(yīng)的有機(jī)溶劑加熱到超過60°C且低于所述有機(jī)溶劑的沸騰溫度的溫度的加熱設(shè)備；以及
被構(gòu)造來將液態(tài)的有機(jī)溶劑施加到盤狀物件的表面的有機(jī)溶劑供應(yīng)噴嘴。在本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施方式中，該裝置進(jìn)一步包括加熱的氣體的源以及用于將加熱的氮?dú)庖龑?dǎo)至盤狀物件的表面的分配噴嘴。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，該裝置進(jìn)一步包括加熱的水(優(yōu)選地是去離子水)的源以及用于加熱的去離子水的分配噴嘴，該分配噴嘴被設(shè)置以便朝向盤狀物件的讓所述漂洗噴嘴和所述有機(jī)溶劑供應(yīng)噴嘴操作的側(cè)面的相對側(cè)面在該相對側(cè)面的至少周邊區(qū)域施加加熱的去離子水。在本發(fā)明的又一實(shí)施方式中，該裝置進(jìn)一步包括用于接收并處理所述盤狀物件的封閉的工藝模塊，其中所述裝置是用于半導(dǎo)體晶片的單晶片濕法處理的站。在另一實(shí)施方式中，所述加熱設(shè)備包括兩個串聯(lián)(inline)的加熱器，所述加熱器被構(gòu)造來加熱有機(jī)溶劑超過60°C且低于所述有機(jī)溶劑的沸騰溫度但不熱到超過所述有機(jī)溶劑的沸騰溫度的溫度。


圖1示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明的裝置的實(shí)施方式；以及圖2是圖1的噴嘴組件的示意性底視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考附圖更為詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。本發(fā)明的方法包括用含水漂洗液漂洗盤狀或碟狀物件，接著用IPA (液態(tài))漂洗，其中IPA優(yōu)選地具有質(zhì)量百分比含量不大于20%的水，其中IPA在高于60°C且低于82°C的溫度被供應(yīng)。含水溶液優(yōu)選地是去離子水(DI水)，但也可以是臭氧、氫氟酸、鹽酸、碳酸或氨的稀釋溶液。連續(xù)漂洗意思是在用IPA漂洗開始后，才開始用含水溶液漂洗。這意味著在用含水溶液漂洗之后可立即執(zhí)行用IPA漂洗；或者該兩個漂洗步驟之間可間隔一段時間；或者用IPA漂洗可在用含水溶液漂洗結(jié)束之前開始。有利地，IPA具有質(zhì)量百分比含量低于10%的起始水。這在溶劑殘留物蒸發(fā)時留下基本上無水的表面。該效果在水的質(zhì)量百分比含量低于5%甚或低于2%時更好。由于IPA和水的共沸混合物中異丙醇占87.9%重量而水占12.1%重量，因此這意味著IPA是通過共沸蒸餾制備的。一旦DI水的供應(yīng)被終止，流過盤狀物表面后的IPA便可被回收并再循環(huán)利用。由于IPA是吸濕的，所以這會導(dǎo)致IPA中的逐漸增加的含水量，除非在該再循環(huán)利用過程中用新鮮的IPA補(bǔ)充。在用IPA漂洗的過程中優(yōu)選地旋轉(zhuǎn)盤狀物件，但也可線性移動盤狀物件。IPA優(yōu)選地以20毫升/分鐘到400毫升/分鐘的范圍內(nèi)的容積流率進(jìn)行供應(yīng)。更優(yōu)選地，IPA的流量不大于200毫升/分鐘。事實(shí)上，在根據(jù)本發(fā)明所使用的IPA溫度下，有機(jī)溶劑的流率可小于100毫升/分鐘而不產(chǎn)生水印。這不僅符合環(huán)保需要也有助于保持低干燥成本。在另一實(shí)施方式中，含氟溶液(例如，含氟化氫、氟化銨)在實(shí)施干燥之前被分配到盤狀物件上。優(yōu)選地，這種含氟溶液是稀釋的氟化氫，是氟化氫的解析濃度低于ig/ι的含水溶液?，F(xiàn)在參考附圖，參考數(shù)字I表示室C中的旋轉(zhuǎn)卡盤，其優(yōu)選地是用于半導(dǎo)體晶片的單晶片濕法處理的處理模塊。室C優(yōu)選地是封閉模塊以便約束所使用的化學(xué)品，包括熱IPA。300mm的半導(dǎo)體晶片W被置于旋轉(zhuǎn)卡盤I上且被卡銷(未圖示)卡住。濕法處理被執(zhí)行，其中不同的液體通過噴嘴組件2被分配到晶片上。當(dāng)分配液體時，分配噴嘴組件可按選定的速度在整個晶片上移動，從中心向邊緣又返回中心。只要相應(yīng)的液體被分配，這種移動便可被重復(fù)。分配清潔液體過程中的旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選地被設(shè)定在300rpm到2000rpm的范圍內(nèi)。第一，分配具有0.0lg/Ι的HF濃度的稀釋氫氟酸；第二，分配漂洗液(例如去離子水)；第三，漂洗液被關(guān)閉且同時IPA供應(yīng)源被打開；第四，同時分配有機(jī)溶劑和氮?dú)?；以及第五，?zhí)行旋轉(zhuǎn)脫離步驟(spin off step)。該工藝使用包括噴嘴頭2的媒介臂3，噴嘴頭2包括多個噴嘴。有噴嘴24用于分配稀釋氫氟酸或去離子水，噴嘴22用于分配熱IPA，噴嘴20用于在干燥過程中將氣體(優(yōu)選氮?dú)?吹送到晶片上，以及成對的幕噴嘴18 (curtain nozzle)用于將氣體供應(yīng)到室C的內(nèi)部以便維持希望的環(huán)境(atmosphere)。該干燥方法的順序按如下順序執(zhí)行:步驟A:作為最后的化學(xué)品分配步驟，在晶片以500_1200rpm范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)速度(例如800rpm)旋轉(zhuǎn)時，以1.7-2升/分鐘的流率在晶片中心分配稀釋的氟化氫(濃度在Ig/I到100g/l之間)，持續(xù)時間在30秒到200秒之間。媒介的溫度是220C。步驟B:也在晶片以500-1200rpm范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)速度(例如800rpm)旋轉(zhuǎn)時，以
1.7-2升/分鐘的流率在晶片中心從DI源6分配漂洗步驟(去離子水)持續(xù)20秒的時間。媒介的溫度是22 °C。步驟C:干燥步驟:噴嘴頭以lOmm/s的平均速度從中心到邊緣掃描晶片一次，其中在中心處的掃描速度是20mm/s且在向邊緣移動時掃描速度降到5mm/s。在掃描過程中，從晶片的中心分配IPA直到晶片的邊緣。同時，氣隨著IPA的供應(yīng)而吹送。IPA在晶片的邊緣處被關(guān)掉。在該實(shí)施例中，IPA具有75°C的溫度。為了實(shí)現(xiàn)通過加熱器的穩(wěn)定的IPA流以及高溫輸出，需要具有定義適當(dāng)?shù)募訜釡囟确秶员苊釯PA沸騰和可能的安全故障。根據(jù)該實(shí)施方式，IPA由儲液器8供應(yīng)，且在到達(dá)噴嘴頭2之前經(jīng)過兩個串聯(lián)的(in-line)加熱器15和17、輸送管線7、歧管11。通過串聯(lián)兩個IPA加熱器，總加熱被穩(wěn)定，從而使得能提高加熱器的設(shè)定值以在出口實(shí)現(xiàn)更高的IPA溫度。相較之下，當(dāng)使用單個加熱器時，需要較低的加熱設(shè)定值以避免超過IPA的溫度設(shè)定值。為了在晶片上實(shí)現(xiàn)較高的IPA溫度，還需要在傳送管線7內(nèi)維持IPA的溫度使得熱IPA不在輸送過程中冷卻下來。具體而言，管線7朝噴嘴端2的方向應(yīng)該被保持熱穩(wěn)定以便能夠?qū)鬟f給該管線的任何熱減到最少。在該實(shí)施方式中，該管線被加熱外殼12覆蓋以避免在IPA被傳送時溫度下降。加熱外殼的加熱溫度應(yīng)當(dāng)被控制好使得輸送管線內(nèi)部的IPA溫度將在低于其沸點(diǎn)的溫度以防止IPA泡被輸送到晶片上，晶片上的IPA泡在晶片干燥過程中可能造成嚴(yán)重的顆粒缺陷。當(dāng)晶片在旋轉(zhuǎn)卡盤上被處理時，由于晶片周邊相對于晶片較中心區(qū)域的旋轉(zhuǎn)動量更高，因此晶片邊緣的IPA溫度可能會顯著冷卻下來。類似地，圖案崩塌往往在邊緣處更嚴(yán)重，甚至是在利用加熱的IPA時也如此。為了避免晶片上的IPA溫降，熱DI從熱DI源9被供應(yīng)到晶片的反面，以保持晶片上的IPA溫度一致。相較于處理過程中沒有熱DI供應(yīng)到背面的常規(guī)條件，發(fā)明人所操控的實(shí)驗(yàn)已經(jīng)證明能夠在邊緣處達(dá)到較高的晶片溫度。當(dāng)IPA被用于晶片干燥時，氮?dú)馔ǔ１挥糜谠谛D(zhuǎn)的同時移除和/或蒸發(fā)晶片上殘余的IPA。由于常規(guī)N2流可在處理過程中冷卻IPA溫度，來自熱N2源4的熱N2可被用來使溫降最小化以及促進(jìn)IPA干燥。IPA流率優(yōu)選地被設(shè)定在50毫升/分鐘到160毫升/分鐘之間。噴嘴孔口的橫截面積是8mm2 (以1/8英寸的管子推導(dǎo)而來)。因此,流速在0.lm/s到0.33m/s的范圍內(nèi)。熱IPA提高了晶片溫度，從而顯著減少了水印的數(shù)量——相信這是由于冷凝的減少，冷凝的減少是因?yàn)榫砻娴臏囟瓤杀槐３衷诃h(huán)境空氣的露點(diǎn)之上。在噴嘴頭從中心到邊緣的移動過程中，氮流率可被提高(從最大氮流的50%提高到100%)。在最大值(邊緣附近),氮流率是大約30升/分鐘。卡盤速度從IOOOrpm線性降低到450rpm,同時有機(jī)溶劑分配噴嘴從盤狀物件的中心向邊緣移動。在IPA的溫度在60°C以上的情況下，IPA流可選擇在100毫升/分鐘以下而不產(chǎn)生水印，這可顯著降低IPA的消耗。優(yōu)選的是，在DI漂洗步驟期間而不是在其完成之后開始對晶片W的熱IPA供應(yīng)。具體而言，在DI漂洗步驟期間，加熱的IPA (高達(dá)82°C，典型工藝是60 80°C)被帶到晶片使得即使DI流被關(guān)掉也可保持晶片濕潤。IPA加熱器15、17的加熱設(shè)定值應(yīng)當(dāng)保持盡可能高，但應(yīng)當(dāng)穩(wěn)定以避免加熱器過熱。加熱外殼12也被開啟且應(yīng)當(dāng)處于控制之下。加熱外殼12的加熱設(shè)定值也需要一定的設(shè)定值以避免安全問題。當(dāng)干燥臂3向晶片邊緣移動時，氮?dú)獗粠У骄愿稍镌摼?。氮?dú)饬鞯臄?shù)量隨著干燥(drying)向外移動而變化。一旦干燥臂移出晶片，該晶片旋轉(zhuǎn)達(dá)一定時間以確保晶片干燥。熱DI被施加到晶片的背面以在加熱的IPA被分配到晶片的正面時維持溫度。熱DI流率應(yīng)當(dāng)保持盡可能低以便在處理過程中避免來自室壁的回濺(backsplash)。還需要具有一定的流率以確保它的熱傳遞到晶片邊緣。當(dāng)干燥臂經(jīng)過晶片上的某個位置時，熱DI應(yīng)該被關(guān)掉以避免如上所述的回濺。隨著干燥臂向晶片邊緣移動，加熱的氮?dú)馀畔蚓愿稍镌摼５獨(dú)獾臏囟缺贿x定以促進(jìn)處理過程中的晶片干燥。加熱的N2流的量優(yōu)選地隨著干燥(drying)向外移動而變化。當(dāng)干燥臂經(jīng)過晶片上的某個位置時，熱DI應(yīng)該被關(guān)掉以避免如上所述的回濺。流過晶片W的表面后的熱IPA可在返回儲液器8之前被收集到熱IPA收集區(qū)14中并在熱IPA回收區(qū)16中被回收。如前所述，IPA的吸濕性意味著其中的含水量會逐漸增力口，尤其是在采用再循環(huán)利用時。為了抵消該上升的含水量，可從新鮮IPA源13供應(yīng)新鮮的IPA給儲液器8。含水量變得過高而不可用的IPA可被用作為燃料或者可通過諸如鹽析等已知技術(shù)重新凈化，基于鹽水溶液中的IPA的相當(dāng)?shù)偷娜芙舛?，通過鹽析，IPA和水可被分離。步驟D:最后的步驟是在不分配任何化學(xué)品的情況下以1500rpm的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)10秒。雖然該步驟不是必需，但它避免了液滴的任何回濺，液滴的回濺可附著在晶片的背面上和/或使晶片旋轉(zhuǎn)的卡盤上。雖然聯(lián)系本發(fā)明的各種說明性實(shí)施方式已對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但要理解的是，這些實(shí)施方式不應(yīng)該被用作為限制由所附權(quán)利要求的真實(shí)范圍和精神所賦予的保護(hù)范圍
的理由。
權(quán)利要求
1.一種用于干燥盤狀物件的方法，其包括: 用含水漂洗液漂洗盤狀物件； 在用含水漂洗液開始所述漂洗之后，進(jìn)一步用具有質(zhì)量百分比含量小于20%的水的有機(jī)溶劑漂洗所述盤狀物件； 其中所述有機(jī)溶液是液態(tài)的且被維持在超過60 V且低于所述有機(jī)溶劑的沸點(diǎn)的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)溶劑選自由酮類、醚類和醇類組成的群組中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)溶劑是醇。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)溶劑是異丙醇。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)溶劑與水形成溶劑與其其余成分是水的溶液的質(zhì)量百分比至少在10%到50%的范圍內(nèi)的溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)溶劑具有質(zhì)量百分比含量低于10%的水。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在用所述有機(jī)溶劑進(jìn)行漂洗的過程中旋轉(zhuǎn)所述盤狀物件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)溶劑以20毫升/分鐘到400毫升/分鐘的范圍內(nèi)的容積流率進(jìn)行供應(yīng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機(jī)溶劑的溫度被維持在60°C以上且低于80°C的溫度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括將加熱的氣體(例如，氮)供應(yīng)到所述盤狀物件的表面以促進(jìn)所述有機(jī)溶劑的蒸發(fā)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括朝向所述盤狀物件的所述有機(jī)溶劑被施加到的側(cè)面的相對側(cè)面在所述相對側(cè)面的至少周邊區(qū)域施加加熱的去離子水。
12.一種用于干燥盤狀物件的裝置，其包括: 用于用含水漂洗液漂洗盤狀物件且與含水漂洗液的源相通的漂洗噴嘴； 與有機(jī)溶劑的源相通的有機(jī)溶劑供應(yīng)管，所述有機(jī)溶劑供應(yīng)管包括適于將通過所述管供應(yīng)的有機(jī)溶劑加熱到超過60°C且低于所述有機(jī)溶劑的沸騰溫度的溫度的加熱設(shè)備；以及 被構(gòu)造來將液態(tài)的有機(jī)溶劑施加到盤狀物件的表面的有機(jī)溶劑供應(yīng)噴嘴。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其進(jìn)一步包括加熱的氣體和加熱的水中的一者的源以及用于將加熱的氣體或加熱的水引導(dǎo)至所述盤狀物件的表面的分配噴嘴。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其進(jìn)一步包括用于接收并處理所述盤狀物件的封閉的工藝模塊，其中所述裝置是用于半導(dǎo)體晶片的單晶片濕法處理的站。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述加熱設(shè)備包括兩個串聯(lián)的加熱器，所述加熱器被構(gòu)造來加熱有機(jī)溶劑超過60°C且低于所述有機(jī)溶劑的沸騰溫度但不熱到超過所述有機(jī)溶劑的沸騰溫度的溫度。
全文摘要
用于干燥半導(dǎo)體晶片的方法和裝置使用液態(tài)的溫度在60℃以上82℃以下的熱異丙醇。熱IPA的使用更好地避免了圖案崩塌且使得IPA的消耗減少。通過將熱的去離子水施加到晶片背面且通過利用加熱后的氮?dú)鈴木砻嬲舭l(fā)熱IPA，晶片溫度可被維持。
文檔編號B08B7/04GK103153490SQ201180049966
公開日2013年6月12日 申請日期2011年10月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月28日
發(fā)明者尹石民, 權(quán)漢照, 格哈德·伍爾茲, 弗雷德里克·科瓦奇 申請人:朗姆研究公司