專利名稱：基板處理裝置以及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及處理基板的基板處理裝置以及基板處理方法。作為處理對(duì)象的基板例如包括半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、FED (Field EmissionDisplay :場(chǎng)致發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽(yáng)能電池用基板等。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置及液晶顯示裝置等的制造工序中，對(duì)半導(dǎo)體晶片或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進(jìn)行使用處理液的處理。例如，在日本專利特開2007-318016中記載有進(jìn)行傾斜蝕刻(Bevel Etching)的 單張式(a single substrate treatment type)基板處理裝置。該基板處理裝置具備水平地保持基板并使其繞鉛垂軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤；與旋轉(zhuǎn)卡盤所保持的基板的下表面中央部相向的下表面噴嘴。從下表面噴嘴噴出的藥液供給至旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板的下表面中央部。然后，供給至基板的下表面中央部的藥液通過基板的旋轉(zhuǎn)而沿著基板的下表面向外方擴(kuò)散，并經(jīng)過基板的周端面而蔓延到基板的上表面周緣部。由此，藥液供給至基板的上表面周緣部的全部區(qū)域。同樣，在日本特開2007-142077中記載有進(jìn)行傾斜蝕刻的單張式基板處理裝置。該基板處理裝置具備水平保持基板并使其繞鉛垂軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤；與旋轉(zhuǎn)卡盤所保持的基板的上表面周緣部相向的周緣處理噴嘴。從周緣處理噴嘴噴出的藥液供給至旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板的上表面周緣部。由此，藥液供給至基板的上表面周緣部的全部區(qū)域。另外，在美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2006/0151008A1號(hào)中記載有使用高粘度液體來(lái)清洗(clean)基板的清洗方法。在該清洗方法中，高粘度的液體被供給到基板的上表面。之后，基板開始旋轉(zhuǎn)。供給到基板的上表面的液體通過基板的旋轉(zhuǎn)而在基板上向外方移動(dòng)。由此，高粘度的液體從基板排出。附著于基板上表面的異物與高粘度液體一起從基板排出。由此，從基板除去異物。在日本特開2007-318016以及日本特開2007-142077記載的基板處理裝置中，供給到基板的上表面周緣部的藥液通過基板的旋轉(zhuǎn)而向外方排出。因此，就需要在通過藥液處理基板的期間，從噴嘴噴出藥液。由此，維持基板的上表面周緣部與藥液相接觸的狀態(tài)，并且具有充分處理能力的藥液被持續(xù)供給到基板的上表面周緣部。但是，若從噴嘴持續(xù)噴出藥液則藥液的消耗量便會(huì)增加。另一方面，在美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2006/0151008A1號(hào)記載的清洗方法中，向基板的上表面供給高粘度的液體。由于液體的粘度高，所以能夠使該液體保持在基板上。從而，即便不對(duì)基板持續(xù)供給高粘度液體，亦能夠維持基板與液體相接觸的狀態(tài)。由此，能夠降低液體的消耗量。但是，在該清洗方法中，在附著于基板上表面的異物牢固地附著于基板的情況下，有時(shí)候就不能從基板除去異物。為了降低藥液消耗量，并且從基板可靠地除去異物，人們考慮例如對(duì)基板供給能夠溶解基板的高粘度藥液這一方法。根據(jù)該方法，由于藥液的粘度高，所以能夠使藥液保持在基板上。由此，能夠降低藥液的消耗量。進(jìn)而，通過使基板與藥液發(fā)生反應(yīng)來(lái)溶解基板的一部分，能夠?qū)⒏街诨宓漠愇锱c基板的一部分一起從基板剝離(Lift off)。由此，能夠從基板可靠地除去異物。但是在該方法中，由于與基板相接觸的藥液不能置換成新藥液，所以有時(shí)基板與藥液充分地反應(yīng)將花費(fèi)時(shí)間，就無(wú)法充分地確保處理速度。雖然直到基板與藥液充分地反應(yīng)為止使基板位于該處(被供給藥液的位置)，但在此情況下，在已供給藥液的基板被搬出以前不能對(duì)后續(xù)基板供給高粘度的藥液。從而，生產(chǎn)量(單位時(shí)間的基板處理張數(shù))下降。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠降低藥液消耗量并能夠抑制或者防止生產(chǎn)量減少的基板處理裝置以及基板處理方法。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供一種基板處理裝置，具有第一處理室以及第二處理室；第一基板保持單元，用于在所述第一處理室保持基板；藥液供給單元，用于向被所述第一基板保持單元保持的基板供給含有蝕刻成分和增稠劑的藥液；基板搬運(yùn)單元，用于在所述藥液保持在所述基板上的狀態(tài)下，將該基板從所述第一處理室搬運(yùn)(transfer)到所述第二處理室；以及，第二基板保持單元，用于在所述第二處理室，對(duì)保持有所述藥液的多張基板進(jìn)行保持。根據(jù)這一結(jié)構(gòu)，含有蝕刻成分和增稠劑的藥液供給至在第一處理室通過第一基板保持單元保持的基板。之后，在基板保持有藥液的狀態(tài)下，該基板通過基板搬運(yùn)單元從第一處理室搬運(yùn)到第二處理室。然后，反復(fù)進(jìn)行這樣的動(dòng)作，保持有藥液的多張基板被搬入第二處理室。被搬入第二處理室的多張基板以保持有藥液的狀態(tài)被第二基板保持單元保持。然后，從在第二處理室中的滯留時(shí)間達(dá)到規(guī)定時(shí)間的基板起，從第二處理室依次搬出第二基板保持單元所保持的多張基板。這樣，就沒有停滯地進(jìn)行基板的處理?；逅┙o的藥液的粘度通過添加增稠劑而變大。亦即，藥液的流動(dòng)性通過添加增稠劑而下降。從而，即便不持續(xù)向基板供給藥液，基板被藥液覆蓋的狀態(tài)亦得以維持。由此，能夠降低藥液的消耗量。而且，由于藥液中含有蝕刻成分，所以能夠使顆粒等附著于基板的異物與基板的一部分一起從基板剝離(Lift off)或者通過蝕刻成分溶解異物而從基板除去異物。由此，能夠從基板可靠地除去異物。如上所述，在第一處理室已供給了藥液的基板以保持有藥液的狀態(tài)從第一處理室搬運(yùn)到第二處理室，進(jìn)而，以保持有藥液的狀態(tài)在第二處理室保持規(guī)定時(shí)間。從而，充分地確?；搴退幰悍磻?yīng)的時(shí)間。進(jìn)而，由于基板和藥液的反應(yīng)在第一處理室之外進(jìn)行，所以能夠在使基板與藥液發(fā)生反應(yīng)的期間，在第一處理室對(duì)后續(xù)的基板供給藥液。由此，能夠抑制或者防止生產(chǎn)量(單位時(shí)間的基板的處理張數(shù))降低。所述基板處理裝置還可以具有第三處理室；第三基板保持單元，用于在所述第三處理室保持基板，以及，沖洗液供給單元，用于向所述第三基板保持單元所保持的基板供給沖洗液。在此情況下，所述基板搬運(yùn)單元可以從所述第二處理室向所述第三處理室搬運(yùn)基板。根據(jù)這一結(jié)構(gòu)，在第二處理室保持了規(guī)定時(shí)間的基板，通過基板搬運(yùn)單元從第二處理室搬運(yùn)到第三處理室。亦即，在第二處理室與藥液充分地反應(yīng)的基板被搬入第三處理室。然后，向在第三處理室通過第三基板保持單元保持的基板供給沖洗液。由此，基板所保持的藥液通過沖洗液而洗掉。這樣，由于藥液的供給、基板和藥液的反應(yīng)以及藥液的除去在不同的處理室中實(shí)施，所以能夠抑制或者防止各處理室內(nèi)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。所述藥液供給單元可以向所述第一基板保持單元所保持的基板的主面(majorsurface)的全部區(qū)域供給所述藥液 。另外，所述藥液供給單元可以向所述第一基板保持單元所保持的基板的主面的局部供給所述藥液。在為表層未形成薄膜的基板(例如裸晶圓)的情況下，基板的主面為基板本身的面。另外，在為表層形成有薄膜的基板的情況下，基板的主面既可以是薄膜的外表面，也可以是薄膜基底的外表面。通過對(duì)基板的主面的局部供給藥液，與對(duì)基板的主面的全部區(qū)域供給藥液這一情況相比，能夠降低藥液的消耗量。另外，在對(duì)基板的主面的局部供給藥液時(shí)，被供給藥液的范圍可以是針對(duì)每個(gè)基板設(shè)定的范圍。具體而言，所述基板處理裝置可以還具有異物測(cè)定單元，該異物測(cè)定單元對(duì)附著于基板的主面的異物的位置進(jìn)行測(cè)定，所述藥液供給單元向所述主面上的包含有異物的范圍供給所述藥液。根據(jù)這一結(jié)構(gòu)，由于向包含有異物的范圍可靠地供給藥液，所以能夠可靠地除去附著于基板的異物。而且，由于能夠僅向包含有異物的范圍供給藥液，所以能夠抑制或者防止向不需要供給藥液的范圍供給藥液。由此，能夠抑制或者防止在不需要供給藥液的范圍受到藥液造成的影響。另外，在通過所述異物測(cè)定單元來(lái)測(cè)定附著于基板的主面上的異物的位置時(shí)，異物的測(cè)定既可以在第一處理室、第二處理室以及第三處理室中的任一個(gè)處理室中進(jìn)行，也可以在不同于這些處理室的地方進(jìn)行。具體而言，所述基板處理裝置還具有測(cè)定室，在該測(cè)定室中，通過所述異物測(cè)定單元來(lái)對(duì)附著于基板的異物的位置進(jìn)行測(cè)定，所述基板搬運(yùn)單元從所述測(cè)定室向所述第一處理室搬運(yùn)基板。根據(jù)這一結(jié)構(gòu)，由于在與第一處理室、第二處理室以及第三處理室不同的地方利用異物測(cè)定單元進(jìn)行異物測(cè)定，所以能夠抑制或者防止各處理室內(nèi)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。另外，在向基板的主面的局部供給藥液時(shí)，被供給藥液的范圍還可以是預(yù)先確定的范圍。具體而言，所述藥液供給單元可以向所述主面的預(yù)先確定的范圍供給所述藥液。所述主面的預(yù)先確定的范圍可以是所述主面的周緣部。根據(jù)這一結(jié)構(gòu)，由于被供給藥液的范圍預(yù)先確定，所以不用針對(duì)每個(gè)基板變更藥液的供給位置。本發(fā)明的其他實(shí)施方式提供一種基板處理方法，包括藥液供給工序，向基板供給含有蝕刻成分和增稠劑的藥液，并使該藥液保持在所述基板；搬運(yùn)工序，在進(jìn)行了所述藥液供給工序之后，在所述基板保持有所述藥液的狀態(tài)下搬運(yùn)該基板；以及，反應(yīng)處理工序，在進(jìn)行了所述搬運(yùn)工序之后，使保持有所述藥液的基板與所述藥液發(fā)生反應(yīng)。所述蝕刻成分可以是氫氟酸和過氧化氫的混合物、或者氫氧化銨和過氧化氫的混合物。所述增稠劑可以是從甲基纖維素、羧甲基纖維素、聚乙二醇、聚丙烯酸鈉以及聚乙烯醇中選擇的一種以上的物質(zhì)。根據(jù)這一方法能夠取得與上述效果同樣的效果。本發(fā)明中的上述或者進(jìn)一步其他目的、特征以及效果通過參照附圖，下面敘述的實(shí)施方式的說(shuō)明將會(huì)明了。


圖I表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的布局的圖解性的俯視圖。圖2是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的藥液供給單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3是本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的藥液噴嘴以及與其相關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖4是本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的藥液噴嘴以及與其相關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖5是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的反應(yīng)單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的沖洗單元的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7是用于說(shuō)明由本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置所進(jìn)行的基板處理的一個(gè)例子的圖。
圖8是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的布局的圖解性的俯視圖。圖9是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的異物測(cè)定單元的概略結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖。圖10是用于說(shuō)明由本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置所進(jìn)行的基板處理的一個(gè)例子的圖。
具體實(shí)施例方式[第一實(shí)施方式]圖I表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置I的布局的圖解性的俯視圖?；逄幚硌b置I是通過藥液、沖洗液等處理液逐張地處理半導(dǎo)體晶片等圓形基板W的單張式基板處理裝置。基板處理裝置I具備分度器2 ;與分度器2相結(jié)合的處理部3 ；控制基板處理裝置I所具備的裝置的動(dòng)作及閥的開閉的控制裝置4。分度器2具備托架保持部5、分度器機(jī)械手IR(基板搬運(yùn)單元)、IR移動(dòng)機(jī)構(gòu)6。托架保持部5保持能夠容置多張基板W的托架C。多個(gè)托架C以沿著水平托架排列方向U排列的狀態(tài)被托架保持部5保持。IR移動(dòng)機(jī)構(gòu)6使分度器機(jī)械手IR沿托架排列方向U進(jìn)行移動(dòng)。分度器機(jī)械手IR進(jìn)行將基板W搬入托架保持部5所保持的托架C上的搬入動(dòng)作以及從托架C上搬出基板W的搬出動(dòng)作?；錡由分度器機(jī)械手IR以水平姿勢(shì)搬運(yùn)。另一方面，處理部3具備用于處理基板W的多個(gè)(例如4個(gè)以上)處理單元7;中心機(jī)械手CR(基板搬運(yùn)單元)。俯視觀察，多個(gè)處理單元7以包圍中心機(jī)械手CR的方式配置。多個(gè)處理單元7包括對(duì)基板W供給藥液的藥液供給單元7a ;使基板W與藥液發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)單元7b ;將供給至基板W的藥液沖洗掉的沖洗單元7c。中心機(jī)械手CR進(jìn)行將基板W搬入處理單元7的搬入動(dòng)作以及從處理單元7搬出基板W的搬出動(dòng)作。而且，中心機(jī)械手CR在多個(gè)處理單元7間搬運(yùn)基板W?；錡由中心機(jī)械手CR以水平姿勢(shì)搬運(yùn)。中心機(jī)械手CR從分度器機(jī)械手IR接受基板W，并且將基板W交接至分度器機(jī)械手IR。圖2是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的藥液供給單元7a的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3是本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的藥液噴嘴9以及與其相關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖4是本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的藥液噴嘴9以及與其相關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。藥液供給單元7a具備水平地保持基板W并使其進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的第一旋轉(zhuǎn)卡盤8 (第一基板保持單元);用于向第一旋轉(zhuǎn)卡盤8所保持的基板W的上表面供給藥液的藥液噴嘴9 (藥液供給單元);配置在第一旋轉(zhuǎn)卡盤8所保持的基板W的上表面附近的接近構(gòu)件10 ；用于向基板W與接近構(gòu)件10之間供給氮?dú)獾牡獨(dú)鈬娮?1 ;容置第一旋轉(zhuǎn)卡盤8、藥液噴嘴9、接近構(gòu)件10以及氮?dú)鈬娮?1的第一腔室12 (第一處理室)。第一旋轉(zhuǎn)卡盤8包括水平保持基板W并可以繞通過該基板W中心的鉛垂軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的圓盤狀旋轉(zhuǎn)底座13 ;使該旋轉(zhuǎn)底座13繞鉛垂軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)14。第一旋轉(zhuǎn)卡盤8既可以是在水平方向夾持基板W而水平地保持該基板W的夾持式卡盤，還可以是通過吸附作為非器件形成面的基板W背面(rear surface，下表面)而水平地保持該基板W的真空式卡盤。在第一實(shí)施方式中，第一旋轉(zhuǎn)卡盤8是夾持式卡盤。藥液噴嘴9與在途中安裝(interpose)有藥液閥15的藥液供給管16相連接。藥液向藥液噴嘴9的供給通過藥液閥15的開閉來(lái)控制。噴嘴 移動(dòng)機(jī)構(gòu)17使藥液噴嘴9在處理位置(圖2 圖4所不的位置)和待機(jī)位置之間移動(dòng)。處理位置是從藥液噴嘴9噴出的藥液供給到第一旋轉(zhuǎn)卡盤8所保持的基板W的上表面的位置，待機(jī)位置是藥液噴嘴9離開第一旋轉(zhuǎn)卡盤8的位置。第一實(shí)施方式中的藥液噴嘴9的處理位置，是從藥液噴嘴9噴出的藥液供給到基板W的上表面周緣部的規(guī)定位置。藥液噴嘴9的處理位置并不限于規(guī)定位置，還可以包含從藥液噴嘴9噴出的藥液供給到基板W的上表面的多個(gè)位置。亦即，藥液噴嘴9的處理位置還可以是從藥液噴嘴9噴出的藥液供給到基板W的上表面的任意位置的規(guī)定范圍。供給到藥液噴嘴9的藥液是通過增稠劑調(diào)整了粘度的高粘度的蝕刻液。藥液的粘度例如被調(diào)整成在室溫(20°C 30°C)下，藥液供給到以幾百rpm以下的轉(zhuǎn)速進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的基板W上表面時(shí)，藥液幾乎不會(huì)移動(dòng)離開被供給到基板W的位置，而留在該處。藥液的具體粘度范圍為IOOmPa s IOOPa S，優(yōu)選為I 70Pa S，更優(yōu)選3 50Pa s的范圍。藥液含有蝕刻成分和增稠劑。蝕刻成分是溶解基板W或者顆粒等附著于基板W的異物的液體。此外，這里所說(shuō)的基板W既可以是在表層未形成薄膜的基板(例如裸晶圓(bare wafer)),也可以是在表層形成有薄膜的基板。溶解基板W的蝕刻成分既可以是溶解基板本身(例如裸晶圓)的成分，也可以是溶解形成在基板W表層的薄膜的成分。增稠劑和蝕刻成分相混合。藥液一例是，氫氟酸與過氧化氫的混合物或者氫氧化銨與過氧化氫的混合物、和甲基纖維素、羧甲基纖維素、聚乙二醇、聚丙烯酸鈉以及聚乙烯醇中至少一種的混合物。氫氟酸與過氧化氫的混合物以及氫氧化銨與過氧化氫的混合物均是蝕刻成分的一例，甲基纖維素、羧甲基纖維素、聚乙二醇、聚丙烯酸鈉以及聚乙烯醇中的至少一種是增稠劑的一例。接近構(gòu)件10形成為至少能夠覆蓋基板W的上表面周緣部一部分的大小。就接近構(gòu)件10而言，既可以在俯視觀察時(shí)大于基板W，也可以在俯視觀察時(shí)小于基板W。在第一實(shí)施方式中，接近構(gòu)件10是在俯視觀察時(shí)小于基板W的板狀構(gòu)件。接近構(gòu)件10具有平坦的下表面。未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)使接近構(gòu)件10在處理位置(圖2 圖4所示的位置)與待機(jī)位置之間進(jìn)行移動(dòng)。處理位置是接近構(gòu)件10的下表面接近基板W的上表面且基板W的上表面周緣部的一部分被接近構(gòu)件10覆蓋的位置。待機(jī)位置是接近構(gòu)件10離開第一旋轉(zhuǎn)卡盤8的位置。接近構(gòu)件10的處理位置被設(shè)置于藥液噴嘴9的處理位置的內(nèi)方(靠近基板W的旋轉(zhuǎn)軸線的方向)。接近構(gòu)件10的處理位置和藥液噴嘴9的處理位置相接近。從而，在藥液噴嘴9以及接近構(gòu)件10位于各自的處理位置的狀態(tài)下，接近構(gòu)件10位于藥液噴嘴9的內(nèi)方，并且藥液噴嘴9和接近構(gòu)件10相接近。藥液噴嘴9還可以構(gòu)成為被接近構(gòu)件10保持,并與接近構(gòu)件10 —起進(jìn)行移動(dòng)。氮?dú)鈬娮?1與在途中安裝有氮?dú)忾y18的氮?dú)夤┙o管19相連接。氮?dú)庀虻獨(dú)鈬娮?1的供給通過氮?dú)忾y18的開閉來(lái)控制。氮?dú)鈬娮?1被接近構(gòu)件10保持。從而，氮?dú)鈬娮?1與接近構(gòu)件10 —起進(jìn)行移動(dòng)。就氮?dú)鈬娮?1而言，在接近構(gòu)件10位于處理位置的狀態(tài)下氮?dú)鈬娮?1噴出了氮?dú)鈺r(shí)，所噴出的氮?dú)庠诮咏鼧?gòu)件10的下表面與基板W的上表面之間向外方(離開基板W的旋轉(zhuǎn)軸線的方向)流動(dòng)。氮?dú)鈬娮?1還可以不是被接近構(gòu)件10保持,而是與接近構(gòu)件10相獨(dú)立地被保持。第一腔室12包括形成有第一開口 20的第一分隔壁21 ;覆蓋該第一開口 20的第一門擋板22。第一門擋板22配置于第一分隔壁21之外。在第一門擋板22上結(jié)合有第一門開閉機(jī)構(gòu)23。第一門開閉機(jī)構(gòu)23使第一門擋板22在第一門擋板22密閉第一開口 20的 關(guān)閉位置和第一開口 20被打開的打開位置之間移動(dòng)。在要向第一腔室12搬入基板W時(shí)或要從第一腔室12搬出基板W時(shí)，第一門擋板22預(yù)先配置于打開位置。然后，在第一開口 20已打開的狀態(tài)下，向第一腔室12搬入基板W以及從第一腔室12搬出基板W。之后，第一門擋板22配置于關(guān)閉位置，第一開口 20通過第一門擋板22而密閉。圖5是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的反應(yīng)單元7b的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。反應(yīng)單元7b具備水平地保持基板W的多個(gè)基板保持構(gòu)件24 (第二基板保持單元)；容置基板保持構(gòu)件24的第二腔室25 (第二處理室)；用于加熱第二腔室25的加熱器26。多個(gè)基板保持構(gòu)件24水平地保持多張基板W。多個(gè)基板保持構(gòu)件24既可以以使多張基板W呈水平姿勢(shì)上下排列的方式來(lái)保持多張基板W，也可以以使多張基板W呈水平姿勢(shì)水平排列的方式來(lái)保持多張基板W。而且，多個(gè)基板保持構(gòu)件24既可以通過從下方支撐基板W來(lái)保持該基板W，也可以通過水平地夾持基板W來(lái)保持該基板W。亦即，只要基板W被水平地保持，則多個(gè)基板保持構(gòu)件24以何種方式保持多張基板W均可。加熱器26的熱量被傳遞到保持于多個(gè)基板保持構(gòu)件24的基板W。由此，基板W在第二腔室25被加熱。第二腔室25包括形成有第二開口 27的第二分隔壁28 ;覆蓋該第二開口 27的第二門擋板29。第二門擋板29被配置于第二分隔壁28之外。在第二門擋板29上結(jié)合有第二門開閉機(jī)構(gòu)30。第二門開閉機(jī)構(gòu)30使第二門擋板29在第二門擋板29密閉第二開口 27的關(guān)閉位置和第二開口 27被打開的打開位置之間移動(dòng)。在要向第二腔室25搬入基板W或要從第二腔室25搬出基板W時(shí)，第二門擋板29預(yù)先配置于打開位置。然后，在第二開口 27已打開的狀態(tài)下，向第二腔室25搬入基板W以及從第二腔室25搬出基板W。之后，第二門擋板29配置于關(guān)閉位置，第二開口 27通過第二門擋板29而密閉。圖6是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的沖洗單元7c的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。沖洗單元7c具備水平地保持基板W并使其進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的第三旋轉(zhuǎn)卡盤31 (第三基板保持單元)；用于向第三旋轉(zhuǎn)卡盤31所保持的基板W的上表面供給沖洗液的沖洗液噴嘴32 (沖洗液供給單元);容置第三旋轉(zhuǎn)卡盤31以及沖洗液噴嘴32的第三腔室33 (第三處理室)。第三旋轉(zhuǎn)卡盤31包括水平地保持基板W并可以繞通過該基板W中心的鉛垂軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的圓盤狀旋轉(zhuǎn)底座13 ;使該旋轉(zhuǎn)底座13繞鉛垂軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)14。第三旋轉(zhuǎn)卡盤31既可以是夾持式卡盤，還可以是真空式卡盤。在第一實(shí)施方式中，第三旋轉(zhuǎn)卡盤31是夾持式卡盤。沖洗液噴嘴32與在途中安裝有沖洗液閥34的沖洗液供給管35相連接。沖洗液向沖洗液噴嘴32的供給通過沖洗液閥34的開閉來(lái)控制。未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)使沖洗液噴嘴32在處理位置(圖6所示的位置)與待機(jī)位置之間移動(dòng)。處理位置是從沖洗液噴嘴32噴出的沖洗液供給至第三旋轉(zhuǎn)卡盤31所保持的基板W的上表面中央部的位置，待機(jī)位置是沖洗液噴嘴32離開第三旋轉(zhuǎn)卡盤31的位置。作為供給至沖洗液噴嘴32的沖洗液能夠例示純水(DIW(Deionized Water):去離子水)、碳酸水、電解離子水、含氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10 IOOppm左右)的鹽酸水等。第三腔室33包括形成有第三開口 36的第三分隔壁37 ;覆蓋該第三開口 36的第三門擋板38。第三門擋板38被配置于第三分隔壁37之外。在第三門擋板38上結(jié)合有第三門開閉機(jī)構(gòu)39。第三門開閉機(jī)構(gòu)39使第三門擋板38在第三門擋 板38密閉第三開口 36的關(guān)閉位置和第三開口 36被打開的打開位置之間移動(dòng)。在要向第三腔室33搬入基板W時(shí)或要從第三腔室33搬出基板W時(shí)，第三門擋板38預(yù)先配置于打開位置。然后，在第三開口36已打開了的狀態(tài)下，向第三腔室33搬入基板W以及從第三腔室33搬出基板W。之后，第三門擋板38配置于關(guān)閉位置，第三開口 36通過第三門擋板38而密閉。圖7是用于說(shuō)明由本發(fā)明第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置I所進(jìn)行的基板W處理的一個(gè)例子的圖。以下參照?qǐng)DI以及圖7。控制裝置4通過分度器機(jī)械手IR搬出托架C上所容置的未處理基板W。然后，控制裝置4使從托架C搬出的基板W從分度器機(jī)械手IR移動(dòng)到中心機(jī)械手CR。之后，控制裝置4通過中心機(jī)械手CR將被交接至中心機(jī)械手CR的基板W搬入藥液供給單元7a。由此，如圖7所不,基板W被載置于第一旋轉(zhuǎn)卡盤8上。在要向第一旋轉(zhuǎn)卡盤8載置基板W時(shí),控制裝置4使藥液噴嘴9以及接近構(gòu)件10位于各自的待機(jī)位置。接著，如圖7所示，進(jìn)行向基板W的上表面周緣部供給藥液的藥液供給處理。具體而言，控制裝置4通過控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)14，通過第一旋轉(zhuǎn)卡盤8開始使基板W旋轉(zhuǎn)。然后，控制裝置4使藥液噴嘴9以及接近構(gòu)件10移動(dòng)到各自的處理位置。由此，藥液噴嘴9、接近構(gòu)件10以及氮?dú)鈬娮?1移動(dòng)到基板W的上表面周緣部的上方，接近構(gòu)件10的下表面接近基板W的上表面周緣部。之后，控制裝置4依次打開氮?dú)忾y18以及藥液閥15，一邊通過第一旋轉(zhuǎn)卡盤8使基板W進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，一邊從氮?dú)鈬娮?1以及藥液噴嘴9分別噴出氮?dú)庖约八幰?。從氮?dú)鈬娮?1噴出的氮?dú)庠诮咏鼧?gòu)件10的下表面和基板W的上表面之間向外方流動(dòng)。另外，位于處理位置的藥液噴嘴9朝向基板W的上表面周緣部的一部分噴出藥液?？刂蒲b置4 一邊使藥液從藥液噴嘴9噴出，一邊使基板W進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。從而，從藥液噴嘴9噴出的藥液遍布整周地供給到基板W的上表面周緣部。由此，藥液供給至基板W的上表面周緣部的全部區(qū)域。由于藥液具有大的粘性，所以從藥液噴嘴9供給到基板W的藥液幾乎不會(huì)移動(dòng)離開被供給的位置，而留在該處。從而，維持基板W的上表面周緣部的全部區(qū)域保持有藥液的狀態(tài)。基板W的上表面周緣部通過與藥液相接觸而被蝕刻。另外，在從藥液噴嘴9噴出藥液的期間，控制裝置4使氮?dú)鈬娮?1噴出氮?dú)?。從而，即便藥液具有較高的揮發(fā)性而在藥液噴嘴9和基板W之間產(chǎn)生了藥液氣體，也能夠通過向外方流動(dòng)的氮?dú)舛种苹蛘叻乐乖摎怏w向內(nèi)方移動(dòng)。特別是，在藥液噴嘴9附近，保持在基板W上的藥液與空氣相接觸，而且保持在基板W上的藥液和藥液噴嘴9之間，藥液與空氣相接觸。因此，在藥液噴嘴9附近，藥液與空氣相接觸的面積大于其他區(qū)域，比其他區(qū)域更易于產(chǎn)生藥液氣體。從而，通過將接近構(gòu)件10配置于藥液噴嘴9附近，向接近構(gòu)件10與基板W之間供給氮?dú)?，從而能夠有效地抑制或者防止基板W上表面的周緣部的內(nèi)方的區(qū)域暴露于藥液氣體中。從氮?dú)忾y18以及藥液閥15打開起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉氮?dú)忾y18以及藥液閥15，以停止噴出藥液以及氮?dú)?。進(jìn)而，控制裝置4通過控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)14，使基板W通過第一旋轉(zhuǎn)卡盤8的旋轉(zhuǎn)停止。之后，控制裝置4通過中心機(jī)械手CR從藥液供給單元7a搬出第一旋轉(zhuǎn)卡盤8所保持的基板W。然后，控制裝置4通過中心機(jī)械手CR將從藥液供給單元7a搬出的基板W搬入反應(yīng)單元7b。供給了藥液的基板W以水平姿勢(shì)從藥液供給單元7a搬運(yùn)到反應(yīng)單元7b。由此，以在基板W上保持有藥液的狀態(tài)，將該基板W從藥液供給單元7a搬運(yùn)到反應(yīng)單元7b。接著，如圖7所示，進(jìn)行在基板W上保持有藥液的狀態(tài)下使基板W與藥液發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)處理。具體而言，控制裝置4通過中心機(jī)械手CR將從藥液供給單元7a搬出的基板W水平地保持于某個(gè)基板保持構(gòu)件24上。由此，如圖7所示，在基板W的上表面周緣部保持有藥液的狀態(tài)下，該基板W水平地保持于基板保持構(gòu)件24上?；灞３謽?gòu)件24所保持的基板W在反應(yīng)單元7b中保持規(guī)定時(shí)間。在此規(guī)定時(shí)間的期間，使基板W與藥液發(fā)生反應(yīng)，來(lái)蝕刻基板W的上表面周緣部。從而，在基板W的上表面周緣部附著有異物的情況下，異物與基板W的一部分一起從基板W剝離(Lift off)，或者通過藥液溶解異物而從基板W除去。可以在使基板W保持于反應(yīng)單元7b期間，控制裝置4通過加熱器26對(duì)基板W上所保持的藥液和基板W進(jìn)行加熱。在藥液的活性伴隨于溫度上升而提高的情況下，通過加熱藥液及基板W，能夠縮短利用藥液處理基板W的處理時(shí)間。能夠根據(jù)異物的種類、附著程度進(jìn)行各種變更，但通常的處理時(shí)間為3分鐘 12個(gè)小時(shí)，優(yōu)選10分鐘 2個(gè)小時(shí)，處理溫度為15 100°C，優(yōu)選20 60°C。在利用基板處理裝置I開始基板W處理的初期階段，僅向反應(yīng)單元7b搬入基板W。然后，當(dāng)搬入反應(yīng)單元7b的基板W的張數(shù)達(dá)到2張以上的規(guī)定數(shù)時(shí)，控制裝置4從在反應(yīng)單元7b中的滯留時(shí)間達(dá)到規(guī)定時(shí)間的基板W起依次搬出多張基板W。亦即，當(dāng)搬入反應(yīng)單元7b的基板W的張數(shù)達(dá)到規(guī)定數(shù)時(shí)，控制裝置4交互地反復(fù)執(zhí)行通過中心機(jī)械手CR將一張基板W搬入反應(yīng)單元7b的搬入動(dòng)作和通過中心機(jī)械手CR將在反應(yīng)單元7b中已保持規(guī)定時(shí)間的一張基板W從反應(yīng)單元7b搬出的搬出動(dòng)作。然后，控制裝置4通過中心機(jī)械手CR將從反應(yīng)單元7b搬出的基板W搬入沖洗單元7c。由此，如圖7所示，基板W被載置于第三旋轉(zhuǎn)卡盤31上。在要向第三旋轉(zhuǎn)卡盤31載置基板W時(shí)，控制裝置4使沖洗液噴嘴32位于待機(jī)位置。接著，如圖7所示，進(jìn)行將沖洗液(例如純水)供給至基板W來(lái)沖洗保持在基板W的上表面周緣部的藥液的沖洗處理。具體而言，控制裝置4通過控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)14，使基板W開始通過第三旋轉(zhuǎn)卡盤31進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。然后，控制裝置4打開沖洗液閥34，一邊通過第三旋轉(zhuǎn)卡盤31使基板W進(jìn)行旋轉(zhuǎn)一邊從沖洗液噴嘴32朝向基板W的上表面中央部噴出沖洗液。從沖洗液噴嘴32噴出的沖洗液供給至基板W的上表面中央部，受到基板W旋轉(zhuǎn)所引起的離心力而沿基板W的上表面向外方擴(kuò)散。由此，沖洗液供給至基板W的上表面的全部區(qū)域，基板W的上表面周緣部所保持的藥液被洗掉。而且，通過基板W與藥液的反應(yīng)而與基板W的一部分一起從基板W的上表面周緣部剝離的異物、或者通過藥液溶解的異物，被沖洗液洗掉。由此，從基板W除去異物，而基板W被清洗。然后，從沖洗液閥34打開起過規(guī)定時(shí)間時(shí)，控制裝置4關(guān)閉沖洗液閥34而停止從沖洗液噴嘴32噴出沖洗液。接著，如圖7所示，進(jìn)行使基板W干燥的干燥處理(旋轉(zhuǎn)脫水)。具體而言，控制裝置4通過控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)14，使基板W以高轉(zhuǎn)速(例如幾千rpm)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。由此，對(duì)附著在基板W上的沖洗液作用大的離心力，該沖洗液被甩到基板W的周圍。這樣，從基板W除去沖洗液，將基板W干燥。在干燥處理進(jìn)行了規(guī)定時(shí)間以后，控制裝置4通過控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)14，使基板W通過第三旋轉(zhuǎn)卡盤31的旋轉(zhuǎn)停止。之后，控制裝置4通過中心機(jī)械手CR從沖洗單元7c搬出第三旋轉(zhuǎn)卡盤31所保持的基板W。從沖洗單元7c搬出了基板W以后，控制裝置4使從沖洗單元7c搬出的基板W從中心機(jī)械手CR移動(dòng)到分度器機(jī)械手IR。之后，控制裝置4將已交接至分度器機(jī)械手IR的基板W通過分度器機(jī)械手IR搬入托架C。由此，基板處理裝置I的一系列處理結(jié)束。控制 裝置4反復(fù)執(zhí)行這種動(dòng)作以逐一地處理多張基板W。如以上那樣，在第一實(shí)施方式中，含有蝕刻成分和增稠劑的藥液供給至通過第一旋轉(zhuǎn)卡盤8而保持在藥液供給單元7a (第一腔室12)中的基板W。之后，在基板W保持有藥液的狀態(tài)下，該基板W通過中心機(jī)械手CR從藥液供給單元7a搬運(yùn)到反應(yīng)單元7b (第二腔室25)。然后，反復(fù)進(jìn)行這種動(dòng)作，保持有藥液的多張基板W被搬入反應(yīng)單元7b。已搬入反應(yīng)單元7b的多張基板W以保持有藥液的狀態(tài)，保持于多個(gè)基板保持構(gòu)件24。然后，從反應(yīng)單元7b中的滯留時(shí)間達(dá)到規(guī)定時(shí)間的基板W開始，從反應(yīng)單元7b依次搬出多個(gè)基板保持構(gòu)件24所保持的多張基板W。這樣，不會(huì)停滯地進(jìn)行基板W的處理。向基板W供給的藥液的粘度通過添加增稠劑而變大。亦即，藥液的流動(dòng)性通過添加增稠劑而下降。從而，即便不持續(xù)向基板W供給藥液，也能夠維持基板W被藥液覆蓋的狀態(tài)。由此，能夠降低藥液的消耗量。另外，通過降低藥液的消耗量，還能夠降低藥液的廢液量。進(jìn)而，由于在藥液中含有蝕刻成分，所以能夠使顆粒等附著于基板W的異物與基板W的一部分一起從基板W剝離，或者通過藥液將異物溶解。由此，能夠從基板W可靠地除去異物。進(jìn)而，由于藥液的粘度變大，所以能夠在基板W保持有藥液的狀態(tài)下搬運(yùn)該基板W。如上所述，在藥液供給單元7a中被供給了藥液的基板W，以保持有藥液的狀態(tài)從藥液供給單元7a搬運(yùn)到反應(yīng)單元7b,進(jìn)而，以保持有藥液的狀態(tài)在反應(yīng)單元7b保持規(guī)定時(shí)間。從而，充分地確保基板W與藥液進(jìn)行反應(yīng)的時(shí)間。而且，由于基板W與藥液的反應(yīng)在藥液供給單元7a之外進(jìn)行，所以能夠在基板W與藥液進(jìn)行反應(yīng)的期間，在藥液供給單元7a對(duì)后續(xù)的基板W供給藥液。由此，能夠抑制或者防止生產(chǎn)量(單位時(shí)間的基板W的處理張數(shù))的減少。另外，在第一實(shí)施方式中，在反應(yīng)單元7b中已保持規(guī)定時(shí)間的基板W，通過中心機(jī)械手CR從反應(yīng)單元7b搬運(yùn)到?jīng)_洗單元7c。亦即，在反應(yīng)單元7b與藥液充分地反應(yīng)的基板W被搬入沖洗單元7c。然后，對(duì)在沖洗單元7c中通過第三旋轉(zhuǎn)卡盤31保持的基板W供給沖洗液。由此，保持在基板W上的藥液被沖洗液洗掉。這樣，由于藥液的供給、基板W與藥液的反應(yīng)以及藥液的除去在不同的腔室內(nèi)實(shí)施，所以能夠抑制或者防止各腔室12、25、33內(nèi)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。
另外，在第一實(shí)施方式中，對(duì)基板W的上表面的局部供給藥液。具體而言，對(duì)基板W的上表面周緣部供給藥液。從而，與對(duì)基板W的上表面的全部區(qū)域供給藥液的情況相比，能夠降低藥液的消耗量。而且，由于預(yù)先確定供給藥液的范圍，所以可以對(duì)每個(gè)基板W不變更藥液的供給位置。另外，由于不向預(yù)先確定的范圍以外的范圍供給藥液，所以能夠抑制或者防止在不需要供給藥液的范圍造成藥液所引起的損害。而且，由于藥液具有高的粘性，所以在藥液已供給至基板W時(shí)所發(fā)生的藥液的彈回得以抑制。由此，能夠可靠地抑制或者防止藥液被供給至所希望的范圍以外。[第二實(shí)施方式]接著，就本發(fā)明第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。第二實(shí)施方式與上述第一實(shí)施方式的主要不同點(diǎn)在于，在基板處理裝置201上設(shè)有對(duì)附著于基板W的異物的位置進(jìn)行測(cè)定的異物測(cè)定單元40。而且，在第一實(shí)施方式中， 向預(yù)先確定的范圍(基板W的上表面周緣部)供給藥液，而在第二實(shí)施方式中，向針對(duì)每個(gè)基板W設(shè)定的范圍(包括異物的范圍)供給藥液。在以下的圖8 圖10中，對(duì)于與上述圖I 圖7所示的各部分等同的結(jié)構(gòu)部分，標(biāo)注與圖I等相同的參照附圖標(biāo)記并省略其說(shuō)明。圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置201的布局的圖解性的俯視圖。圖9是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的異物測(cè)定單元40的概略結(jié)構(gòu)的示意性的側(cè)視圖。第二實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置201，具備第一實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置I所具備的結(jié)構(gòu)，還具備用于對(duì)附著于基板W的異物的位置進(jìn)行測(cè)定的異物測(cè)定單元40。如圖8所示，在第二實(shí)施方式中，異物測(cè)定單元40配置于分度器機(jī)械手IR能夠存取的位置。分度器機(jī)械手IR進(jìn)行向異物測(cè)定單元40搬入基板W的搬入動(dòng)作以及從異物測(cè)定單元40搬出基板W的搬出動(dòng)作。而且，分度器機(jī)械手IR在托架保持部5所保持的托架C和異物測(cè)定單元40之間搬運(yùn)基板W，并且在異物測(cè)定單元40和中心機(jī)械手CR之間搬運(yùn)基板I如圖9所示，異物測(cè)定單元40具備水平地保持基板W并使其進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的第四旋轉(zhuǎn)卡盤41 ;測(cè)定有無(wú)異物以及異物位置的異物測(cè)定裝置42 (異物測(cè)定單元)；容置第四旋轉(zhuǎn)卡盤41的第四腔室43(測(cè)定室)。第四旋轉(zhuǎn)卡盤41包括水平地保持基板W并能夠繞通過該基板W中心的鉛垂軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的圓盤狀的旋轉(zhuǎn)底座13 ;使旋轉(zhuǎn)底座13繞鉛垂軸線進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)14。第四旋轉(zhuǎn)卡盤41既可以是夾持式卡盤，也可以是真空式卡盤。在第二實(shí)施方式中，第四旋轉(zhuǎn)卡盤41是夾持式卡盤。異物測(cè)定裝置42測(cè)定在基板W的上表面是否存在異物，并且測(cè)定異物在基板W上的位置。作為異物測(cè)定裝置42例如列舉包含顆粒計(jì)數(shù)器、全反射熒光X射線分析裝置(TRXRF)、能量擴(kuò)散式 X 射線分析裝置(EDX :Energy Dispersive X-ray spectrometer)、掃描式電子顯微鏡(SEM :Scanning Electron Microscope)以及圖像識(shí)別異物檢查裝置中的至少一種的裝置。在第二實(shí)施方式中，異物測(cè)定裝置42是通過激光來(lái)檢測(cè)有無(wú)異物以及異物位置的裝置。異物測(cè)定裝置42包括發(fā)出激光的照射頭44 ;用于使照射頭44進(jìn)行移動(dòng)的照射頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)45。照射頭44被配置于第四腔室43內(nèi)。照射頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)45使照射頭44移動(dòng)以使得來(lái)自照射頭44的激光在基板W的上表面中心和基板W的上表面外周端之間進(jìn)行移動(dòng)。控制裝置4通過控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)14以及異物測(cè)定裝置42，一邊通過第四旋轉(zhuǎn)卡盤41使基板W旋轉(zhuǎn)一邊使照射頭44移動(dòng)以使來(lái)自照射頭44的激光在基板W的上表面中心和基板W的上表面外周端之間進(jìn)行移動(dòng)。由此，通過激光掃描(scan)基板W的上表面的全部區(qū)域，來(lái)自照射頭44的激光照射到基板W的上表面的全部區(qū)域。異物測(cè)定裝置42通過向基板W的上表面照射激光來(lái)檢測(cè)在基板W上有無(wú)異物。另夕卜，異物測(cè)定裝置42根據(jù)照射頭44通過照射頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)45的移動(dòng)量和基板W的旋轉(zhuǎn)角度，來(lái)對(duì)所檢測(cè)到的異物的位置進(jìn)行測(cè)定。具體而言，異物測(cè)定裝置42基于照射頭44通過照射頭移動(dòng)機(jī)構(gòu)45的移動(dòng)量，來(lái)測(cè)定從基板W的上表面中心到異物的距離。另外，異物測(cè)定裝置42從控制裝置4取得以設(shè)置于基板W周緣部的刻痕或定向平面(orientation flat)為基準(zhǔn)的基板W的旋轉(zhuǎn)角度(角度信息)。異物測(cè)定裝置42根據(jù)基板W的上表面中心到異物的距離和基板W的旋轉(zhuǎn)角度來(lái)測(cè)定異物的位置。然后，異物測(cè)定裝置42將異物位置作為位置信息輸出至控制裝置4。當(dāng)在藥液供給單元7a中向基板W供給藥液時(shí)，控制裝置4基于從異物測(cè)定裝置42取得的位置信息來(lái)控制噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)17 (參照?qǐng)D9)，來(lái)使藥液供給到包含異物的范圍內(nèi)。亦即，控制裝置4并非如第一實(shí)施方式那樣使藥液供給到預(yù)先確定的范圍(基板W的上表面周緣部)，而是使藥液供給到針對(duì)每個(gè)基板W設(shè)定的范圍(包括異物的范圍)。從而，第二實(shí)施方式中的藥液噴嘴9 (參照?qǐng)D9)的處理位置并非規(guī)定位置，而是使從藥液噴嘴9噴出的藥液供給到基板W的上表面的某一位置的規(guī)定范圍。第四腔室43包括形成有第四開口 46的第四分隔壁47 ;覆蓋第四開口 46的第四門擋板48。第四門擋板48配置于第四分隔壁47之外。在第四門擋板48上結(jié)合有第四門開閉機(jī)構(gòu)49。第四門開閉機(jī)構(gòu)49使第四門擋板48在第四門擋板48密閉第四開口 46的關(guān)閉位置和第四開口 46打開的打開位置之間移動(dòng)。在要向第四腔室43搬入基板W時(shí)或要從第四腔室43搬出基板W時(shí)，第四門擋板48預(yù)先配置于打開位置。然后，在第四開口 46已打開的狀態(tài)下，向第四腔室43搬入基板W以及從第四腔室43搬出基板W。之后，第四門擋板48配置于關(guān)閉位置，第四開口 46被第四門擋板48密閉。圖10是用于說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置201所進(jìn)行的基板W處理的一個(gè)例子的圖。以下參照?qǐng)D8以及圖10?？刂蒲b置4通過分度器機(jī)械手IR將容置在托架C上的未處理基板W搬出。然后，控制裝置4通過分度器機(jī)械手IR將從托架C搬出的基板W搬入異物測(cè)定單元40。由此，基板W被載置于第四旋轉(zhuǎn)卡盤41上。在要向第四旋轉(zhuǎn)卡盤41載置基板W時(shí)，控制裝置4使照射頭44從第四旋轉(zhuǎn)卡盤41的上方退讓。如圖10所示，如上所述，在異物測(cè)定單元40中，控制裝置4 一邊通過第四旋轉(zhuǎn)卡盤41使基板W進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，一邊通過異物測(cè)定裝置42使激光照射到基板W (異物測(cè)定處理)。由此，測(cè)定基板W上的異物位置，并且異物的位置信息從異物測(cè)定裝置42輸出到控制裝置4。然后，在測(cè)定出異物位置之后，控制裝置4通過分度器機(jī)械手IR從異物測(cè)定單元40搬出基板W。然后，從異物測(cè)定單元40搬出的基板W從分度器機(jī)械手IR交接到中心機(jī)械手CR。中心機(jī)械手CR將從分度器機(jī)械手IR接收的基板W搬入藥液供給單元7a。 如圖10所示，在藥液供給單元7a中，從藥液噴嘴9噴出的藥液供給至基板W的上表面的一部分(包括異物的范圍)(藥液供給處理)。由于藥液具有高的粘性，所以從藥液噴嘴9供給至基板W的藥液幾乎不會(huì)移動(dòng)離開被供給的位置，而留在該處。從而，維持在基板W的上表面的一部分保持有藥液的狀態(tài)?；錡的上表面的一部分(包含異物的范圍)通過與藥液的接觸而被蝕刻。然后，在藥液供給至基板W以后，配置于藥液供給單元7a內(nèi)的基板W通過中心機(jī)械手CR從藥液供給單元7a搬出。進(jìn)而，從藥液供給單元7a搬出的基板W通過中心機(jī)械手CR搬入反應(yīng)單元7b。如圖10所示，在反應(yīng)單元7b中，與第一實(shí)施方式同樣，在已搬入多張基板W以后，交互地反復(fù)執(zhí)行將一張基板W搬入反應(yīng)單元7b的搬入動(dòng)作和從反應(yīng)單元7b搬出一張基板W的搬出動(dòng)作?；灞３謽?gòu)件24所保持的基板W通過在反應(yīng)單元7b保持規(guī)定時(shí)間,使基板W與藥液發(fā)生反應(yīng)，基板W的上表面的一部分(包含異物的范圍)被蝕刻(反應(yīng)處理)。由此，異物與基板W的上表面的一部分一起從基板W剝離，或者藥液將異物溶解。在反應(yīng)單元7b保持了規(guī)定時(shí)間的基板W通過中心機(jī)械手CR從反應(yīng)單元7b搬出。之后，從反應(yīng)單元7b搬出的基板W通過中心機(jī)械手CR搬入沖洗單元7c內(nèi)。
如圖10所示，在沖洗單元7c中與第一實(shí)施方式同樣，從沖洗液噴嘴32向第三旋轉(zhuǎn)卡盤31所保持的基板W的上表面中央部噴出沖洗液。由此，沖洗液供給至基板W的上表面的全部區(qū)域，保持在基板W的上表面的藥液被洗掉(沖洗處理)。進(jìn)而，通過基板W與藥液的反應(yīng)而與基板W的一部分一起從基板W的上表面剝離的異物或者通過藥液溶解的異物，被沖洗液洗掉。由此，從基板W除去異物，基板W被清洗。然后，如圖10所示，通過基板W的高速旋轉(zhuǎn)從基板W除去附著于基板W的沖洗液，將基板W干燥(干燥處理)。在沖洗單元7c中進(jìn)行了干燥處理以后，通過中心機(jī)械手CR從沖洗單元7c搬出基板W。然后，從沖洗單元7c搬出的基板W從中心機(jī)械手CR交接至分度器機(jī)械手IR。分度器機(jī)械手IR將從中心機(jī)械手CR接收的已處理的基板W搬入保持于托架保持部5的托架C。由此，基板處理裝置201中的一系列處理結(jié)束?？刂蒲b置4反復(fù)執(zhí)行這樣的動(dòng)作，來(lái)逐一處理多張基板W。如以上那樣在第二實(shí)施方式中，附著于基板W的異物位置通過異物測(cè)定裝置42來(lái)測(cè)定，向包括異物的范圍供給藥液。從而，藥液被可靠地供給到包含異物的范圍，附著于基板W的異物可靠地除去。進(jìn)而，由于僅向包含異物的范圍供給藥液，所以能夠抑制或者防止不需要供給藥液的范圍造成藥液引起的損害。 另外在第二實(shí)施方式中，在第四腔室43中利用異物測(cè)定裝置42進(jìn)行異物測(cè)定。亦即，在不同于第一腔室12、第二腔室25以及第三腔室33的地方，利用異物測(cè)定裝置42進(jìn)行異物測(cè)定。從而，能夠抑制或者防止各腔室12、25、33、43內(nèi)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。[其他實(shí)施方式]以上是本發(fā)明第一以及第二實(shí)施方式的說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于上述第一以及第二實(shí)施方式的內(nèi)容，能夠在權(quán)利要求所記載的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。例如，在上述第一以及第二實(shí)施方式中，就藥液供給單元7a具備一個(gè)藥液噴嘴9這一情況進(jìn)行了說(shuō)明，但藥液供給單元7a也可以具備多個(gè)藥液噴嘴9。另外，在上述第一以及第二實(shí)施方式中，就藥液供給單元7a具備接近構(gòu)件10這一情況進(jìn)行了說(shuō)明，但藥液供給單元7a也可以不具備接近構(gòu)件10。另外，在上述第一以及第二實(shí)施方式中，就對(duì)基板W的上表面的局部供給藥液這一情況進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以對(duì)基板W的上表面的全部區(qū)域供給藥液。進(jìn)而，不限于基板W的上表面，還可以對(duì)基板W的周端面和/或基板W的下表面供給藥液。另外，在上述第一以及第二實(shí)施方式中，就通過對(duì)基板W供給藥液來(lái)從基板W除去顆粒等附著于基板W的異物這一情況進(jìn)行了說(shuō)明，但基板W的處理還可以是異物除去處理以外的處理。例如，還可以對(duì)基板W進(jìn)行通過藥液來(lái)除去形成于基板W表面(frontsurface)的薄膜的蝕刻處理。另外，在上述第二實(shí)施方式中，就異物測(cè)定單元40配置于分度器機(jī)械手IR能夠存取的位置這一情況進(jìn)行了說(shuō)明，但異物測(cè)定單元40還可以配置于中心機(jī)械手CR能夠存取的位置。具體而言，只要多個(gè)處理單元7中的至少一個(gè)處理單元7為異物測(cè)定單元40即可。 另外，在上述第二實(shí)施方式中，就異物測(cè)定裝置42在異物測(cè)定單元40(第四腔室43)測(cè)定異物的位置這一情況進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以異物測(cè)定裝置42在藥液供給單元7a(第一腔室12)測(cè)定異物的位置。亦即，可以使得藥液供給單元7a還具備異物測(cè)定裝置42，而不設(shè)置異物測(cè)定單元40。在此情況下，可以不用從托架C向異物測(cè)定單元40搬運(yùn)基板W，并且不用從異物測(cè)定單元40向藥液供給單元7a搬運(yùn)基板W，所以能夠縮短基板W的搬運(yùn)時(shí)間。由此，能夠使生產(chǎn)量增加。另外，在上述第一以及第二實(shí)施方式中，就基板處理裝置1、201為處理半導(dǎo)體晶片等圓形基板W的裝置這一情況進(jìn)行了說(shuō)明，但基板處理裝置1、201還可以是處理液晶顯示裝置用玻璃基板等多邊形基板的裝置。就本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行了說(shuō)明，但這些只不過是用于闡明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容的具體例，本發(fā)明不應(yīng)該限定/解釋為這些具體例，本發(fā)明的精神以及范圍僅通過權(quán)利要求的范圍來(lái)進(jìn)行限定。本申請(qǐng)對(duì)應(yīng)于2011年3月4日向日本特許廳提出的日本特愿2011-048113號(hào)，該申請(qǐng)的全部公開內(nèi)容通過引用而并入這里。
權(quán)利要求
1.ー種基板處理裝置，其特征在于，具有 第一處理室以及第ニ處理室； 第一基板保持単元，用于在所述第一處理室保持基板； 藥液供給單元，用于向被所述第一基板保持単元保持的基板供給含有蝕刻成分和增稠劑的藥液； 基板搬運(yùn)單元，用于在所述藥液保持在所述基板上的狀態(tài)下，將該基板從所述第一處理室搬運(yùn)到所述第二處理室；以及， 第二基板保持単元，用于在所述第二處理室，對(duì)保持有所述藥液的多張基板進(jìn)行保持。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所記載的基板處理裝置，其特征在干， 還具有 第三處理室， 第三基板保持単元，用于在所述第三處理室保持基板，以及， 沖洗液供給單元，用于向被所述第三基板保持単元保持的基板供給沖洗液； 所述基板搬運(yùn)單元從所述第二處理室向所述第三處理室搬運(yùn)基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所記載的基板處理裝置，其特征在于，所述藥液供給單元向被所述第一基板保持単元保持的基板的主面的局部供給所述藥液。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所記載的基板處理裝置，其特征在干， 還具有異物測(cè)定單元，該異物測(cè)定單元對(duì)附著于基板的主面的異物的位置進(jìn)行測(cè)定， 所述藥液供給單元向所述主面上的包含有異物的范圍供給所述藥液。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所記載的基板處理裝置，其特征在干， 還具有測(cè)定室，在該測(cè)定室，通過所述異物測(cè)定單元來(lái)對(duì)附著于基板的異物的位置進(jìn)行測(cè)定， 所述基板搬運(yùn)單元從所述測(cè)定室向所述第一處理室搬運(yùn)基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所記載的基板處理裝置，其特征在于，所述藥液供給單元向所述主面上的預(yù)先確定的范圍供給所述藥液。
7.ー種基板處理方法，其特征在于，包括 藥液供給エ序，向基板供給含有蝕刻成分和增稠劑的藥液，并使該藥液保持在所述基板； 搬運(yùn)エ序，在進(jìn)行了所述藥液供給エ序之后，在所述藥液保持在所述基板上的狀態(tài)下搬運(yùn)該基板；以及， 反應(yīng)處理工序，在進(jìn)行了所述搬運(yùn)エ序之后，使保持有所述藥液的基板與所述藥液發(fā)生反應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所記載的基板處理方法，其特征在干， 所述蝕刻成分是氫氟酸和過氧化氫的混合物或者氫氧化銨和過氧化氫的混合物， 所述增稠劑是從甲基纖維素、羧甲基纖維素、聚こニ醇、聚丙烯酸鈉以及聚こ烯醇中選擇的ー種以上的物質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，具有第一處理室以及第二處理室；在所述第一處理室保持基板的第一基板保持單元；向所述第一基板保持單元所保持的基板供給含有蝕刻成分和增稠劑的藥液的藥液供給單元；在所述基板保持有所述藥液的狀態(tài)下，將該基板從所述第一處理室搬運(yùn)到所述第二處理室的基板搬運(yùn)單元；以及在所述第二處理室，對(duì)保持有所述藥液的多張基板進(jìn)行保持的第二基板保持單元。
文檔編號(hào)B08B3/08GK102683243SQ20121005915
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月4日
發(fā)明者東友之, 安藤幸嗣, 山田健二, 荒木浩之 申請(qǐng)人:三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社, 大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社