專利名稱：清潔片、清潔構件、清潔方法以及導通測試裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有用于除去附著在導通測試(“導通測試”的日語導通梭查；英語continuity test)用探針卡的探針上的異物的清潔層的清潔片。另外，涉及在輸送構件上設有這種清潔片的清潔構件。另外，還涉及使用這種清潔構件清潔導通測試裝置的方法。進而，涉及利用這種清潔方法進行清潔的導通測試裝置。
背景技術：
形成于半導體晶片上的芯片的導通測試所使用的是探針卡。在這種導通測試中，使探針卡的探針與形成于芯片的表面的電極片(electrode pad )接觸,測定該接觸電阻值，從而判斷是良品或是不良品。例如在使探針與由鋁形成的電極片接觸時，施加一定的按 壓，探針的尖端刮掉形成于電極片表面的由氧化鋁等形成的自然氧化膜，使探針與電極片可靠地進行電連接，從而進行晶片的檢查。這樣，若由探針刮掉的、具有絕緣性的氧化鋁等作為異物附著在探針的尖端上，則探針與電極片接觸時的接觸電阻值發(fā)生變化，有時會對其后的導通測試造成妨礙。因而，需要定期地除去附著在探針的尖端上的異物。作為除去附著在探針的尖端上的異物的方法，例如提出了使探針的尖端與將金剛石粉、氧化鋁、碳化硅、玻璃等研磨材料分散在樹脂中而形成的層進行接觸的方法，或者使探針的尖端與利用粘接劑對金剛石粉、氧化鋁、碳化硅、玻璃等研磨材料進行固定而形成的層進行接觸的方法(例如參照專利文獻I 3)。但是，在通過使含有金剛石粉等研磨材料的清潔層與探針的尖端接觸而除去異物的方法中，在清潔時因研磨材料而導致探針自身摩擦磨損，因此，探針卡的壽命變短。尤其是近年來，伴隨著芯片的精密化，已在逐步使用具有數(shù)萬根探針的探針卡，因而，探針卡變得十分昂貴。因此，強烈地需求不磨耗探針就可有效地除去附著在探針上的異物的清潔裝置。專利文獻I :日本特開平7-244074號公報專利文獻2 日本特開平10-300777號公報專利文獻3 日本特開平10-339766號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明的課題在于提供一種清潔裝置，其特征在于，是用于除去附著在導通測試用探針卡的探針上的異物的清潔裝置，且所述清潔裝置不磨耗探針就可有效地除去附著在探針上的異物。解決課題的手段本發(fā)明提供清潔片。本發(fā)明的清潔片是具有用于除去附著在導通測試用探針卡的探針上的異物的清潔層的清潔片，所述清潔層的按照JIS-B-0601求出的算數(shù)平均粗糙度Ra為IOOnm以下。
在優(yōu)選的實施方式中，上述清潔層的動態(tài)硬度為O. 0001 O. I。在優(yōu)選的實施方式中，本發(fā)明的清潔片在支承體的單面具有上述清潔層。在優(yōu)選的實施方式中，在上述支承體的、上述清潔層的相反側的面具有膠粘劑層。本發(fā)明還提供清潔構件。本發(fā)明的清潔構件在輸送構件上設有本發(fā)明的清潔片。本發(fā)明還提供導通測試裝置的清潔方法。本發(fā)明的導通測試裝置的清潔方法是將本發(fā)明的清潔構件輸送到具有導通測試用探針卡的導通測試裝置內(nèi)，除去附著在該導通測試用探針卡的探針上的異物。 本發(fā)明還提供導通測試裝置。本發(fā)明的導通測試裝置是利用本發(fā)明的清潔方法進行清潔的裝置。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可提供清潔片，其特征在于，其具有用于除去附著在導通測試用探針卡的探針上的異物的清潔層，所述清潔片不磨耗探針就可有效地除去附著在探針上的異物。另外，可提供在輸送構件上設有這種清潔片的清潔構件。還可提供使用這種清潔構件清潔導通測試裝置的方法。進而，可提供被利用這種清潔方法清潔的導通測試裝置。


圖I是本發(fā)明的清潔片的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。圖2是本發(fā)明的清潔片的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。圖3是本發(fā)明的清潔片的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。圖4是本發(fā)明的清潔片的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。圖5是本發(fā)明的清潔片的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。圖6是本發(fā)明的清潔片的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。圖7是本發(fā)明的清潔構件的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。圖8是本發(fā)明的清潔構件的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。圖9是本發(fā)明的清潔構件的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。圖10是本發(fā)明的導通測試裝置的清潔方法的實施方式中的一種的示意剖面圖的一例。符號說明I.清潔片2.清潔層3.膠粘劑層4.支承體5.隔離層6.輸送構件7.清潔構件21.探針22.探針的最尖端部23.異物
具體實施例方式《I.清潔片》本發(fā)明的清潔片是具有用于除去附著在導通測試用探針卡的探針上的異物的清潔層的清潔片。只要本發(fā)明的清潔片具有清潔層，則可采用任意適合的實施方式。如圖I所示，清潔片I可以僅由清潔層2構成。如圖2所示，清潔片I可以由清潔層2和膠粘劑層3構成。如圖3所示，清潔片I可以由清潔層2、膠粘劑層3和支承體4構成。本發(fā)明的清潔片可以具有隔離層。如圖4所示，在由清潔層2構成的清潔片I的雙面可以具有隔離層5。如圖5所示，在由清潔層2和膠粘劑層3構成的清潔片I的雙面可以具有隔離層5。如圖6所示，在由清潔層2、膠粘劑層3和支承體4構成的清潔片I的雙 面可以具有隔離層5。<1-1.清潔層 >本發(fā)明的清潔片中的清潔層的按照JIS-B-0601求出的算數(shù)平均粗糙度Ra為IOOnm以下，優(yōu)選為90nm以下，較優(yōu)選為80nm以下，更優(yōu)選為50nm以下，特別優(yōu)選為30nm以下。上述算數(shù)平均粗糙度Ra的下限值優(yōu)選為Inm以上。在本發(fā)明的清潔片中，如果清潔層的上述算數(shù)平均粗糙度Ra在上述范圍內(nèi)，則可形成不磨耗探針就可有效地除去附著在探針上的異物的清潔片。本發(fā)明的清潔片中的清潔層的動態(tài)硬度優(yōu)選為O. 0001 O. I，較優(yōu)選為O. 0002 O. 05，更優(yōu)選為O. 0003 O. 03，特別優(yōu)選為O. 004 O. 02。在本發(fā)明的清潔片中，只要清潔層的動態(tài)硬度在上述范圍內(nèi)，就可形成不磨耗探針就可更有效地除去附著在探針上的異物的清潔片。特別地，在本發(fā)明的清潔片中，若清潔層的動態(tài)硬度不足O. 0001，則清潔層過于柔軟，清潔層的成分有可能附著在探針上，進而產(chǎn)生粘聚力，因此，使探針陷于清潔層中，有可能導致破損。另外，在本發(fā)明的清潔片中，若清潔層的動態(tài)硬度超過O. 1，則清潔層變硬，探針沒有扎入到清潔層中，因此，有可能無法發(fā)揮除去異物的性能。本發(fā)明的清潔片中的清潔層可由任意適合的材料構成。作為這種材料，例如可舉出熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光固性樹脂、硅樹脂等。這種材料可以僅為I這種，也可以為2種以上。作為熱塑性樹脂，例如可舉出天然橡膠、丁基橡膠、異戊橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍或6，6_尼龍等聚酰胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以僅為I種，也可為2種以上。在這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、可確保半導體元件的可靠性的樹脂。作為丙烯酸樹脂，可采用任意適合的丙烯酸樹脂。作為用于形成這種丙烯酸樹脂的單體，例如可舉出具有碳數(shù)30以下的直鏈或支鏈的烷基的(甲基)丙烯酸的酯，優(yōu)選可舉出具有碳數(shù)4 18的直鏈或支鏈的烷基的(甲基)丙烯酸的酯。這種丙烯酸樹脂可以僅為I種，也可以為2種以上。作為上述烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基環(huán)己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、十二烷基等。應予說明，在本說明書中，“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸。作為用于形成丙烯酸樹脂的其他單體，例如可舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基丙烯酸酯、羧戊基丙烯酸酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基的單體；馬來酸酐、無水衣康酸等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(4-羥基甲基環(huán)己基)甲基丙烯酸酯等含羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基的單體；2_羥基乙基丙烯?；姿狨サ鹊暮姿峄膯误w等。作為熱固性樹脂，例如可舉出環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰亞胺樹脂等。這些熱固性樹脂可以僅為一種或者為2種以上。在這些熱固性樹脂中，優(yōu)選為含腐蝕半導體元件的離子性雜質(zhì)等少的樹脂。 作為環(huán)氧樹脂，可采用任意適合的環(huán)氧樹脂。作為這種環(huán)氧樹脂，例如可舉出雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等二官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂；乙內(nèi)酰脲型、三縮水甘油異氰脲酸酯型、縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂；等。這樣的環(huán)氧樹脂可以僅為I種，也可以為2種以上。在這樣的環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選為酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹脂、四酚基乙烷型環(huán)氧樹脂。這是因為這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性高、耐熱性等優(yōu)異的原因。作為環(huán)氧樹脂，可并用在常溫下為固體的環(huán)氧樹脂和在常溫下為液體的環(huán)氧樹脂這2種。通過并用在常溫下為固體的環(huán)氧樹脂和在常溫下為液體的環(huán)氧樹脂，可改善得到的環(huán)氧樹脂的脆弱性，提高操作性。酚醛樹脂可作為環(huán)氧樹脂的固化劑發(fā)揮作用。作為酚醛樹脂，可采用任意適合的酚醛樹脂。作為這種酚醛樹脂，例如可舉出苯酚酚醛清漆樹脂，苯酚芳烷基樹脂，甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂，Resol型酚醛樹脂，聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這種酚醛樹脂可以僅為I種，也可以為2種以上。在這種酚醛樹脂中，特別優(yōu)選為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可提高半導體裝置的連接可靠性的原因。在使用環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的情況下，就它們的配合比例而言，例如相對于環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基I當量，酚醛樹脂中的羥基優(yōu)選為O. 5 2. O當量，較優(yōu)選以達到O. 8 I. 2當量的方式進行配合。若上述配合比例不處于上述范圍，則有可能無法進行充分的固化反應，環(huán)氧樹脂的固化物的特性容易變差。作為聚酰亞胺樹脂，可采用任意適合的聚酰亞胺樹脂。作為這種聚酰亞胺樹脂，例如可舉出熱固性聚酰亞胺樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂等。這樣的聚酰亞胺樹脂可以僅為一種，也可為2種以上。一般而言，聚酰亞胺樹脂是使作為其前體的聚酰胺酸進行脫水縮合(酰亞胺化)而得的耐熱性樹脂。聚酰胺酸可通過實質(zhì)上使二胺成分和酸酐成分以等摩爾比在任意適合的有機溶劑中進行反應而制得。作為二胺，可采用任意適合的二胺。作為這樣的二胺，例如可舉出脂肪族二胺、芳香族ニ胺。這樣的ニ胺可以僅為ー種，也可為2種以上。作為脂肪族ニ胺，例如可舉出こニ胺、己ニ胺、1，8_ ニ氨基辛烷、1，10- ニ氨基癸烷、1，12- ニ氨基十二烷、4，9_ ニ氧雜-1，12-ニ氨基十二烷、1，3-雙(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基ニ硅氧烷(a、Co-雙氨基丙基四甲基ニ硅氧烷)等。作為芳香族ニ胺，例如可舉出4，4’-ニ氨基ニ苯基醚、3，4’-ニ氨基ニ苯基醚、3，3’-ニ氨基ニ苯基醚、間苯ニ胺、對苯ニ胺、4，4’-ニ氨基ニ苯基丙烷、3，3’-ニ氨基ニ苯基甲烷、4，4’ - ニ氨基ニ苯基硫醚、3，3’ - ニ氨基ニ苯基硫醚、4，4’ -ニ氨基ニ苯基砜、3，3’ -ニ氨基ニ苯基砜、1，4-雙(4-氨基苯氧基)苯、1，3_雙(4-氨基苯氧基)苯、1，3_雙(3-氨基苯氧基)苯、1，3_雙(4-氨基苯氧基)-2，2_ ニ甲基丙烷、4，4’_ ニ氨基ニ苯甲酮等。作為酸酐，可采用任意適合的酸酐。作為這樣的酸酐，例如可舉出四羧酸ニ酐。作為這種四羧酸ニ酐，例如可舉出3，3’，4，4’ -聯(lián)苯四羧酸ニ酐、2，2’，3，3’ -聯(lián)苯四羧酸ニ酐、3，3’，4，4’-ニ苯甲酮四羧酸ニ酐、2，2’，3，3’-ニ苯甲酮四羧酸ニ酐、4，4’-氧雙鄰苯ニ甲酸ニ酐、2，2_雙(2，3_ ニ羧基苯基)六氟丙烷ニ酐、2，2_雙(3，4_ ニ羧基苯基)六氟丙 烷ニ酐^FDA)、雙(2，3-ニ羧基苯基)甲烷ニ酐、雙(3，4-ニ羧基苯基)甲烷ニ酐、雙(2，3-ニ羧基苯基)砜ニ酐、雙(3，4-ニ羧基苯基)砜ニ酐、苯均四酸ニ酐、こニ醇雙苯偏三酸ニ酐等。這種酸酐可以僅為ー種，也可為2種以上。作為使ニ胺與酸酐進行反應的溶劑，可采用任意適合的溶剤。作為這種溶劑，例如可舉出N，N-ニ甲基こ酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-ニ甲基甲酰胺、環(huán)戊酮等。這種溶劑可以僅為ー種，也可為2種以上。為了對原材料、樹脂的溶解性進行調(diào)整，可將這種溶劑與甲苯、ニ甲苯等非極性溶劑進行混合后再使用。作為使聚酰胺酸進行脫水縮合(酰胺化)的方法，可采用任意適合的方法。作為這種方法，例如可舉出加熱酰亞胺化法、共沸脫水法、化學酰亞胺化法等。在這樣的方法中，優(yōu)選為加熱酰亞胺化法，加熱溫度優(yōu)選為150°C以上。另外，在加熱酰亞胺化法中，為了防止樹脂的氧化劣化，優(yōu)選在氮氣氛下或在真空中等惰性氣氛下進行處理。由此，可完全除去殘留在樹脂中的揮發(fā)成分。另外，在使四羧酸ニ酐與ニ胺進行反應的情況下，特別是在使用含有丁ニ烯丙烯腈共聚物骨架的ニ胺的情況下，優(yōu)選在100°C以上的溫度下進行反應。由此，可防止凝膠化。本發(fā)明的清潔片中的構成清潔層的材料可含有熱固化催化劑。作為熱固化催化劑的含有比例，例如相對于作為構成清潔層的材料的樹脂100重量份，優(yōu)選為0. 01 5重量份，較優(yōu)選為0. 05 3重量份，更優(yōu)選為0. I I重量份。相對于作為構成清潔層的材料的樹脂100重量份，將熱固化催化劑的含有比例設為0. 01重量份以上，從而可良好地顯示出清潔層的清潔效果。相對于作為構成清潔層的材料的樹脂100重量份，將熱固化催化劑的含有比例設為5重量份以下，從而可抑制清潔層的保存性的降低。作為這種熱固化催化齊U，可采用任意適合的熱固化催化劑。作為這種熱固化催化劑，例如可舉出咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、三苯基硼烷系化合物、三鹵硼烷系化合物等。這種熱固化催化劑可僅為I種，也可為2種以上。作為咪唑系化合物，可采用任意適合的咪唑系化合物。作為這種咪唑系化合物，例如可舉出2-甲基咪唑、2-i^ —烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1，2-ニ甲基咪唑、2-こ基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、I-芐基-2-甲基咪唑、I-芐基-2-苯基咪唑、I-氰基こ基-2-甲基咪唑、I-氰基こ基-2- i^一烷基咪唑、I-氰基こ基-2-苯基咪唑ft偏苯三酸鹽、2，4_ ニ氨基-6-[2’ -甲基咪唑基-(I’ )]-こ基-S-三嗪、2，4_ ニ氨基-6-[2’ ^ 一烷基咪唑基-(I’ )]-こ基-S-三嗪、2，4_ ニ氨基-6-[2’ -こ基-4’ -甲基咪唑基-(I’ )]-こ基-S-三嗪、2，4_ ニ氨基-6-[2’ -甲基咪唑基-(I’ )]-こ基-S-三嗪異氰脲酸加成物、2_苯基_4，5- ニ羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等。這樣的咪唑系化合物可僅為ー種，也可為2種以上。作為三苯基膦系化合物，可采用任意適合的三苯基膦系化合物。作為這種三苯基膦系化合物，例如可舉出三苯基膦、三丁基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、ニ苯基甲苯基勝等ニ有機勝；四苯基鱗漠化物；甲基ニ苯基鱗;甲基ニ苯基鱗氣化物；甲氧基甲基三苯基鱗;芐基三苯基鱗氯化物；等。這種三苯基膦系化合物可以僅為I種，也可為2種以上。作為三苯基膦系化合物，優(yōu)選為實質(zhì)上對環(huán)氧樹脂顯示出不溶解性的化合物。若實質(zhì)上對環(huán)氧樹脂為不溶解性，則可抑制熱固化過度地進行。作為具有三苯基膦結構且實 質(zhì)上對環(huán)氧樹脂顯示出不溶解性的熱固化催化劑，例如可舉出甲基三苯基鱗等。應予說明，上述“不溶解性”是指由三苯基膦系化合物形成的熱固化催化劑在由環(huán)氧樹脂形成的溶劑中是不溶的，更詳細而言，是指在溫度10 40°C的范圍內(nèi)，10重量％以上不溶解。作為三苯基硼烷系化合物，可采用任意適合的三苯基硼烷系化合物。這樣的三苯基硼烷系化合物可以僅為ー種，也可為2種以上。另外，作為三苯基硼烷系化合物，還包括具有三苯基膦結構的化合物。作為這種具有三苯基膦結構和三苯基硼烷結構的化合物，可采用任意適合的化合物。作為這種具有三苯基膦結構和三苯基硼烷結構的化合物，例如可舉出四苯基_四苯基硼酸鹽、四苯基_四對三硼酸鹽、芐基三苯基_四苯基硼酸鹽、三苯基勝ニ苯基砸燒等。作為氨基系化合物，可采用任意適合的氨基系化合物。作為這種氨基系化合物，例如可舉出單こ醇胺三氟硼酸酷、雙氰胺等。這樣的氨基系化合物可僅為I種，也可為2種以上。作為三鹵硼烷系化合物，可采用任意適合的三鹵硼烷系化合物。作為這種三鹵硼烷系化合物，例如可舉出三氯硼烷等。這種三鹵硼烷系化合物可僅為I種，也可為2種以上。本發(fā)明的清潔片中的構成清潔層的材料可含有交聯(lián)劑。通過含有交聯(lián)劑，可提高高溫下的清潔效果，實現(xiàn)耐熱性的改善。作為這種交聯(lián)劑，可采用任意適合的交聯(lián)劑。作為這種交聯(lián)劑，例如可舉出甲苯ニ異氰酸酯、ニ苯基甲烷ニ異氰酸酯、對苯ニ異氰酸酷、1，5-萘ニ異氰酸酯、多元醇與ニ異氰酸酯的加成物等聚異氰酸酯化合物等。這種交聯(lián)劑可僅為ー種，也可為2種以上。作為這種交聯(lián)劑的含有比例，相對于作為構成清潔層的材料的樹脂100重量份，優(yōu)選為0. 05 7重量份。相對于作為構成清潔層的材料的樹脂100重量份，若交聯(lián)劑的量多于7重量份，則清潔層的清潔效果有可能降低。相對于作為構成清潔層的材料的樹脂100重量份，若交聯(lián)劑的量少于0. 05重量份，則清潔層的凝聚カ有可能不足。作為光固性樹脂，只要是具有利用活性能量進行固化而使分子結構形成三次元網(wǎng)狀的性質(zhì)的光固性樹脂即可，可采用任意適合的光固性樹脂。作為這種光固性樹脂，例如優(yōu)選含有壓カ敏感粘合性聚合物、分子內(nèi)具有I個以上不和飽和雙鍵的聚合性不飽和化合物、和聚合引發(fā)劑。在此，作為分子內(nèi)具有I個以上不飽和雙鍵的化合物(以下稱為聚合性不飽和化合物)，優(yōu)選為不揮發(fā)性且重均分子量為10000以下的低分子量體，較優(yōu)選為重均分子量為5000以下的低分子量體以使固化時的三維網(wǎng)狀化可有效地進行。作為這種聚合性不飽和化合物，例如可舉出苯氧基聚こニ醇(甲基)丙烯酸酷、e -己內(nèi)酯(甲基)丙烯酸酷、聚こニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、聚丙ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、ニ季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯等。這種聚合性不飽和化合物可僅為I種，也可為2種以上。作為壓カ敏感粘合性聚合物，例如可舉出以選自丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸酯為主要単體的丙烯酸系聚合物。在合成這樣的丙烯酸系聚合物時，可使用分子內(nèi)具有2個以上不飽和雙鍵的化合物作為共聚單體；或者，還可利用官能團之間的反應使合成后的丙烯酸系聚合物與分子內(nèi)具有不飽和雙鍵的化合物進行化合成鍵等，這樣以預先在丙烯酸系聚合物的分子內(nèi)導入不飽和雙鍵，從而可利用活性能量使其固化。 本發(fā)明的清潔片中的構成清潔層的材料可含有聚合引發(fā)劑。作為這種聚合引發(fā)齊U，可采用任意適合的聚合引發(fā)劑。作為這種聚合引發(fā)劑，例如在使用熱作為活性能量的情況下，可舉出過氧化苯甲酰、偶氮ニ異丁腈等熱聚合引發(fā)劑；在使用光作為活性能量的情況下，可舉出苯甲酰、苯偶姻こ醚、ニ芐基(dibenzyl)、異丙基苯偶姻醚、ニ苯甲酮、米希勒氏酮(Michler’s ketone)、氯噻噸酮、十二燒基噻噸酮、ニ甲基噻噸酮、苯こ酮ニこ基縮酮、節(jié)基ニ甲基縮酮、a -羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷、2，2- ニ甲氧基-2-苯基苯こ酮等光聚合引發(fā)劑。這樣的聚合引發(fā)劑可僅為I種，也可為2種以上。作為硅樹脂，可采用任意適合的硅樹脂。這樣的硅樹脂可僅為I種，也可為2種以上。作為本發(fā)明的清潔片中的構成清潔層的材料，若采用硅樹脂，則耐熱性變高，高溫下的弾性儲能模量、粘合力可達到適合的值。作為這種硅樹脂，例如可舉出過氧化物交聯(lián)型硅系膠粘劑、加成反應型硅系膠粘劑、脫氫反應型硅系膠粘劑、濕氣固化型硅系膠粘劑等。在這些硅樹脂中，從雜質(zhì)少的觀點出發(fā)，優(yōu)選加成反應型硅系膠粘劑。本發(fā)明的清潔片中的構成清潔層的材料根據(jù)需要可含有任意適合的其他的添加齊U。作為這種其他的添加剤，例如可舉出阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑、離子阱劑等。作為阻燃劑，例如可舉出三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂等。作為硅烷偶聯(lián)劑，例如可舉出0-(3、4-環(huán)氧環(huán)己基)こ基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基ニこ氧基硅烷等。作為離子阱劑，例如可舉出水滑石類、氫氧化鉍等。這樣的其他添加劑可僅為I種，也可為2種以上。本發(fā)明的清潔片中的構成清潔層的材料優(yōu)選不含研磨劑。若含有研磨劑，則有可能使探針受到研磨，使探針的使用壽命變短。本發(fā)明的清潔片中的清潔層的厚度優(yōu)選為50 300 u m。若清潔層的厚度比50 y m薄，則例如在將探針扎入清潔層吋，探針有可能扎到輸送構件，可能會導致探針的破損。另夕卜，若清潔層的厚度為300 y m以上，則清潔層的厚度的精度變差，有可能產(chǎn)生清潔層接觸不到應與清潔層接觸的探針的情況?！触?.膠粘劑層>本發(fā)明的清潔片中的膠粘劑層相對于硅片(鏡面)的90度剝離強度(剝離カ)優(yōu)選為o. 01 10N/10mm寬，較優(yōu)選為0. 03 8N/10mm寬，更優(yōu)選為0. 005 5N/10mm寬。若這種90度剝離強度(剝離力)過高，則在從基板等剝離除去清潔片時，有可能會破裂。若這種90度剝離強度(剝離カ)過低，則有可能無法顯示出足夠的粘合力。本發(fā)明的清潔片中的膠粘劑層可由任意適合的材料構成。作為這種材料，例如可舉出丙烯酸系膠粘劑、橡膠系膠粘劑等普通的膠粘劑。這種材料可僅為I種，也可為2種以上。在這種材料中，優(yōu)選為丙烯酸系膠粘劑，較優(yōu)選為以丙烯酸系聚合物為主劑的丙烯酸系膠粘劑，所述丙烯酸系聚合物含有重均分子量為10萬以下的成分10重量％以下。這種丙烯酸系聚合物能夠通過如下方法進行合成以(甲基)丙烯酸烷基酯作為主要単體，根據(jù)需要向所述主要單體中加入可共聚的其他的単體，使由此得到的単體混合物進行聚合反應，從而合成所述的丙烯酸系聚合物。本發(fā)明的清潔片中的膠粘劑層的厚度優(yōu)選為I 100 ii m，較優(yōu)選為3 50 ii m。<1-3.支承體〉 本發(fā)明的清潔片中的支承體可由任意適合的材料構成。作為這樣的材料，例如可舉出低密度聚こ烯、直鏈狀聚こ烯、中密度聚こ烯、高密度聚こ烯、超低密度聚こ烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，こ烯-こ酸こ烯共聚物、離聚物樹脂、こ烯_(甲基)丙烯酸共聚物、こ烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、こ烯-丁烯共聚物、こ烯-己烯共聚物、聚氨酷、聚對苯ニ甲酸こニ醇酯、聚萘ニ甲酸こニ醇酯等聚酯，聚碳酸酷，聚酰亞胺，聚醚醚酮，聚酰亞胺，聚醚酰亞胺，聚酰胺，全芳香族聚酰胺，聚苯硫醚，芳綸(紙)，玻璃，玻璃布，氟樹脂，聚氯こ烯，聚偏ニ氯こ烯，纖維素系樹月旨，硅樹脂，金屬(箔)，紙等。這種材料可僅為I種，也可為2種以上。為了提高本發(fā)明的清潔片中的支承體的表面與所鄰接的層的密合性、保持性等，可實施任意適合的表面處理。作為這樣的表面處理，例如可舉出鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離放射線處理等化學性或物理性處理；利用底層涂料的涂布處理；
坐寸o本發(fā)明的清潔片中的支承體的厚度優(yōu)選為5 200 ii m。<1-4.隔離層〉本發(fā)明的清潔片中的隔離層可由任意適合的材料構成。作為這種材料，例如可舉出用剝離劑等進行剝離處理的塑料膜等。作為剝離劑，例如可舉出有機硅系、長鏈烷基系、氟系、脂肪酰胺系、ニ氧化硅系的剝離劑等。作為塑料膜，可舉出聚こ烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁ニ烯、聚甲基戊烯等聚烯烴；聚氯こ烯；氯こ烯共聚物；聚對苯ニ甲酸こニ醇酯；聚對苯ニ甲酸丁ニ醇酯；聚氨酷；こ烯こ酸こ烯共聚物；離聚物樹脂；こ烯 (甲基)丙烯酸共聚物；こ烯 (甲基)丙烯酸酯共聚物；聚苯こ烯；聚碳酸酯；等。本發(fā)明的清潔片中的隔離層的厚度優(yōu)選為5 200 ii m?！?.清潔構件》本發(fā)明的清潔構件在輸送構件上設有本發(fā)明的清潔片。如圖7所示，本發(fā)明的清潔構件7可以在輸送構件6上設置僅由清潔層2構成的清潔片I。如圖8所示，本發(fā)明的清潔構件7可以在輸送構件6上設置由清潔層2和膠粘劑層3構成的清潔片I。如圖9所示，本發(fā)明的清潔構件7可以在輸送構件6上設置由清潔層2、膠粘劑層3和支承體4構成的清潔片I。
作為輸送構件，只要是可通過在所述輸送構件上設置本發(fā)明的清潔片，并將所述清潔片輸送到具有導通測試用探針卡的導通測試裝置內(nèi)，從而除去附著在該導通測試用探針卡的探針上的異物的輸送構件，就可采用任意適合的輸送構件。作為這樣的輸送構件，例如可舉出半導體晶片(例如硅片)，LCD、PDP等的平板顯示器用基板，光盤、磁阻磁頭等的基板。輸送構件的厚度可根據(jù)需要適當選擇?！?.導通測試裝置的清潔方法》本發(fā)明的導通測試裝置的清潔方法如下將本發(fā)明的清潔構件輸送到具有導通測試用探針卡的導通測試裝置內(nèi)，除去附著在該導通測試用探針卡的探針上的異物。本發(fā)明的導通測試裝置的清潔方法的實施方式的一種如圖10所示。圖10是本發(fā)明的清潔構件7依次具有清潔層2、支承體4、膠粘劑層3、輸送構件6的例子。首先，將本發(fā)明的清潔構件7載置于任意適合的固定用臺座上，以與導通測試裝置的探針卡相対的方 式配置本發(fā)明的清潔構件7。然后，如圖10(a)所示，探針21的最尖端部22扎入到清潔層2中后，如圖10(b)所示，將探針21拔出。通過該動作，附著在探針21的最尖端部22的氧化鋁等異物23殘留在清潔層2中，從而將異物23從探針21的最尖端部22除去。通常重復該動作規(guī)定次數(shù)(例如10 30次)；可以使探針21的最尖端部22扎入到清潔層2中的位置毎次移動少許，例如，使固定用臺座沿水平方向毎次移動少許，從而使探針21的最尖端部22依次扎入到未殘留異物23的部分的清潔層2中?！?.導通測試裝置》本發(fā)明的導通測試裝置可利用本發(fā)明的清潔方法進行清潔。即，本發(fā)明的導通測試裝置利用上述所說明這種清潔方法來有效地除去附著在導通測試裝置的探針卡的探針上的異物。利用本發(fā)明的清潔方法，可不磨耗探針就有效地除去附著在探針上的異物，因此，伴隨著近年來的芯片的精密化，針對逐漸普及的具有含數(shù)萬根探針的探針卡的導通測試裝置，能夠極其有效地除去附著在該探針卡的探針上的異物，能夠進行良好的管理和保養(yǎng)?！?.本發(fā)明的清潔片的制造方法》本發(fā)明的清潔片可利用任意適合的方法進行制造。例如，可通過將構成清潔層的材料涂布在任意適合的基板或片上，再通過固化等形成清潔層，從而制造所述清潔片。作為上述基板，例如可舉出支承體、輸送構件等。作為上述片，可舉出經(jīng)剝離處理的片等。作為上述涂布的方法，可采用任意適合的方法。作為這種涂布的方法，例如可舉出澆鑄、旋涂、輥涂等。作為上述固化的方法，可采用任意適合的方法。作為這種固化的方法，可舉出基于自然固化、活性能量線照射的固化、熱固化等。在本發(fā)明的清潔片具有膠粘劑層的情況下，例如可通過將構成膠粘劑的材料涂布在任意適合的基板或片上，再通過固化等形成膠粘劑層，從而制造清潔片。作為上述基板，例如可舉出本發(fā)明的清潔層、支承體、輸送構件等。作為上述片，可舉出經(jīng)剝離處理的片等。作為上述涂布的方法，可采用任意適合的方法。作為這種涂布的方法，例如可舉出澆鑄、旋涂、輥涂等。作為上述固化的方法，可采用任意適合的方法。作為這種固化的方法，可舉出基于自然固化、活性能量線照射的固化、熱固化等?！?.本發(fā)明的清潔構件的制造方法》本發(fā)明的清潔構件可利用任意適合的方法進行制造。例如，可通過利用任意適合的方法使本發(fā)明的清潔片貼附在輸送構件上而進行制造。另外，可通過在輸送構件上依次構筑構成本發(fā)明的清潔片的層而進行制造。[實施例]以下，基于實施例對本發(fā)明進行更詳細地說明，但本發(fā)明并不受這些實施例的限定。《算數(shù)平均粗糙度Ra》按照JIS-B-0601求出的算數(shù)平均粗糙度Ra是使用觸針式表面粗糙度測定裝置(Veeco公司制、DECTAK8)進行測定的。以測定速度I U m/s、按壓壓力Img使觸針進行運動。將測定范圍設為500i!m。該觸針的尖端部的曲率為2pm，觸針是使用金剛石制成的。 《動態(tài)硬度》動態(tài)硬度是使用微型硬度計(島津制作所制、DUH-210)進行測定的。將載荷設為0. 98mN0《拉伸彈性儲能模量》用割刀將測定對象切割為寬IOmm的長方形，利用固體粘弾性測定裝置(RSA-III、Rheometric Scientific公司制),在頻率IHz下,對所述長方形測定對象測定-50 250°C的拉伸彈性儲能模量，對23°C下的拉伸彈性儲能模量進行評價。《90°剝離強度》用膠帶(日東電エ(株)制、商品名BT-315)裱合測定對象,按照IOmmX IOOmm的尺寸切割測定對象，然后，在50°C的熱板上，通過往復一次2kg的輥，而將經(jīng)切割后的材料貼附在硅片(鏡面)上。直接在常溫環(huán)境下放置20分鐘，制作試驗片。接著，以90°固定貼附后的半導體晶片，利用拉伸試驗機(島津制作所制、AGS-H)測定90°剝離強度?！肚鍧嵲u價試驗》在探針器中，使探針卡(探針數(shù)20根)與鋁蒸鍍晶片以超過量(“超過量”的日語ォーバードラィブ；英語overdrive)60 ii m連續(xù)觸碰I萬次。在I萬次的觸碰結束后，使探針卡與載置在平臺上的清潔片以超過量50 y m觸碰3次，進行探針的清潔。應予說明，在使探針卡的探針的尖端與清潔片接觸時，移動平臺，以不與相同的地方觸碰的方式進行清潔。清潔結束后，用光學顯微鏡觀察探針的尖端，確認附著在針上的異物是否殘留。進而，在光學顯微鏡觀察中，還要確認清潔層的一部分是否附著在探針的尖端上，即，確認清潔層是否轉印在探針上?！矊嵤├齀〕(清潔層溶液A)將聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯エ業(yè)制、商品名Coronate L) I. 0份均勻地混合在丙烯酸酯系聚合物(Nagase ChemteX(株)制、商品名SG_70L) 100份中，得到清潔層溶液A。(粘接劑層溶液A)以總量為200g的方式配合丙烯酸2-こ基己酯73份、丙烯酸正丁酯10份、N，N’_ニ甲基丙烯酰胺15份、丙烯酸5份、作為聚合引發(fā)劑的2，2’-偶氮ニ異丁腈0. 15份和こ酸こ酷100份，并將它們投入到具有溫度計、攪拌機、氮導入管和回流冷卻管的、內(nèi)容量為500ml的三ロ燒瓶型反應器內(nèi)，在導入氮氣約I小時的同時進行攪拌，用氮置換內(nèi)部的空氣。然后，使內(nèi)部的溫度達到58°C，在這種狀態(tài)下保持約4小吋，進行聚合，得到膠粘劑聚合物溶液。將聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯エ業(yè)制、商品名CoronateL) 3. O份均勻地混合在膠粘劑聚合物溶液100份中，得到膠粘劑層溶液A。(清潔片A)在單面由聚丙烯膜(三菱化學制、商品名MRF25)形成的隔離層的剝離處理面上涂布膠粘劑層溶液A以使得干燥后的厚度達到7 ym，在所形成的膠粘劑層上層疊長尺狀聚酷膜(三菱化學制、商品名N100C25)，進ー步在該膜上涂布清潔層溶液A以使得干燥后的厚度達到150 ym，使該表面與單面由經(jīng)有機硅烯剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(三菱化學制、商品名MRF50)的有機硅處理面貼合，得到清潔片A。(清潔構件A)剝離清潔片A的膠粘劑層側的剝離膜，以手推輥貼附至200mm硅片的鏡面上，然 后，剝離清潔層側的隔離層，制作清潔構件A。(清潔層A)在單面由經(jīng)有機硅系剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(三菱化學制、商品名MRF50)的剝離處理面上涂布清潔層溶液A以使得干燥后的厚度達到150iim，使該表面與單面由經(jīng)有機硅系剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(三菱化學制、商品名MRF50)的剝離處理面貼合，得到清潔片AA。從該清潔片AA中剝離雙面的保護膜，得到清潔層A0(評價)針對清潔構件A的清潔層表面，測定算數(shù)平均粗糙度Ra和動態(tài)硬度；針對清潔層A，測定拉伸彈性儲能模量和90°剝離強度；針對清潔構件A的清潔層表面，進行清潔評價試驗。結果如表I所示?！矊嵤├?〕(清潔層溶液A)與實施例I相同地得到清潔層溶液A。(清潔構件B)用旋涂器在8英寸的硅片的鏡面上涂布清潔層溶液A以使得干燥后的厚度達到150 u m,得到具有清潔層B的清潔構件B。(清潔層B)從清潔構件B中剝離清潔層，得到清潔層B。(評價)針對清潔構件B的清潔層表面，測定算數(shù)平均粗糙度Ra和動態(tài)硬度；針對清潔層B，測定拉伸彈性儲能模量和90°剝離強度；針對清潔構件B的清潔層表面，進行清潔評價試驗。結果如表I所示。〔實施例3〕(清潔層溶液C)將聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯エ業(yè)制、商品名Coronate L) I. 6份均勻地混合在丙烯酸酯系聚合物(Nagase ChemteX(株)制、商品名SG_600TEA) 100份中，得到清潔層溶液C。(清潔片C)
在單面由聚丙烯膜(三菱化學制、商品名MRF25)形成的隔離層的剝離處理面上涂布在實施例I中得到的膠粘劑層溶液A以使得干燥后的厚度達到7 ym，在所形成的膠粘劑層上層疊長尺狀聚酯膜(三菱化學制、商品名N100C25)，進ー步在該膜上涂布清潔層溶液C以使得干燥后的厚度達到150 ym，使該表面與單面由經(jīng)有機硅系剝離劑處理后的長鏈聚酯膜形成的保護膜(三菱化學制、商品名MRF50)的有機硅處理面貼合，得到清潔片C。(清潔構件C)剝離清潔片C的膠粘劑層側的剝離膜，以手推輥貼附至200mm硅片的鏡面，然后，剝離清潔層側的隔離層，作清潔構件C。(清潔層C)在單面由經(jīng)有機硅系剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(三菱化學制、商 品名MRF50)的剝離處理面上涂布清潔層溶液C以使得干燥后的厚度達到150iim，使該表面與單面由經(jīng)有機硅系剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(三菱化學制、商品名MRF50)的剝離處理面貼合，得到清潔片CC。從該清潔片CC中剝離雙面的保護膜，得到清潔
層Co(評價)針對清潔構件C的清潔層表面，測定算數(shù)平均粗糙度Ra和動態(tài)硬度；針對清潔層C，測定拉伸彈性儲能模量和90°剝離強度；針對清潔構件C的清潔層表面，進行清潔評價試驗。結果如表I所示?！矊嵤├?〕(清潔層溶液D)將催化劑(Toray Dow制、商品名SRX212 CATALYST) I. 5份均勻地混合在加成反應型的有機硅膠粘劑(Toray Dow制、商品名SD_4587L) 100份中，向其中添加2種加成反應型的硅橡膠(Toray .Dow 制、商品名SILASC0N RTV4086A、SILASCON RTV4086B)各 I 份，進行均勻地混合，得到清潔層溶液D。(清潔片D)在單面由聚丙烯膜(三菱化學制、商品名MRF25)形成的隔離層的剝離處理面上涂布在實施例I中得到的膠粘劑層溶液A以使得干燥后的厚度達到7 ym，在形成的膠粘劑層上層疊長尺狀聚酯膜(三菱化學制、商品名N100C25)，進ー步在該膜上涂布清潔層溶液D以使得干燥后的厚度達到150 ym，使該表面與單面由經(jīng)氟系剝離劑處理后的長鏈聚酯膜形成的保護膜(Nippa制、商品名SS4C)的氟處理面貼合，得到清潔片D。(清潔構件D)剝離清潔片D的膠粘劑層側的剝離膜，以手推輥貼附至200mm硅片的鏡面，然后，剝離清潔層側的隔離層，制作清潔構件D。(清潔層D)在單面由經(jīng)氟系剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(Nippa制、商品名SS4C)的剝離處理面上涂布清潔層溶液D以使得干燥后的厚度達到150 ym，使該表面與單面由經(jīng)氟系剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(Nippa制、商品名SS4C)的剝離處理面貼合，得到清潔片DD。從該清潔片DD中剝離雙面的保護膜，得到清潔層D。(評價)
針對清潔構件D的清潔層表面，測定算數(shù)平均粗糙度Ra和動態(tài)硬度；針對清潔層D，測定拉伸彈性儲能模量和90°剝離強度，針對清潔構件D的清潔層表面，進行清潔評價試驗。結果如表I所示?！矊嵤├?〕(清潔層溶液E)將催化劑(Toray Dow制、商品名SRX212CATALYST) I. 5份均勻地混合在加成反應型的有機硅膠粘劑(Toray Dow制、商品名SD_4587L) 100份中，得到清潔層溶液E。(清潔片E)在單面由聚丙烯膜(三菱化學制、商品名MRF25)形成的隔離層的剝離處理面上 涂布在實施例I中得到的膠粘劑層溶液A以使得干燥后的厚度達到7 ym，在所形成的膠粘劑層上層疊長尺狀聚酯膜(三菱化學制、商品名N100C25)，進ー步在該膜上涂布清潔層溶液E以使得干燥后的厚度達到150 ym，使該表面與單面由經(jīng)氟系剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(Nippa制、商品名SS4C)的氟處理面貼合，得到清潔片E。(清潔構件E)剝離膠粘劑層側的剝離膜，以手推輥貼附至200mm硅片的鏡面上，然后，剝離清潔層側的隔離層，制作清潔構件E。(清潔層E)在單面由經(jīng)氟系剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(Nippa制、商品名SS4C)的剝離處理面上涂布清潔層溶液E以使得干燥后的厚度達到150 ym，使該表面與單面由經(jīng)氟系剝離劑處理的長鏈聚酯膜形成的保護膜(Nippa制、商品名SS4C)的剝離處理面貼合，得到清潔片EE。從該清潔片EE中剝離雙面的保護膜，得到清潔層E。(評價)針對清潔構件E的清潔層表面，測定算數(shù)平均粗糙度Ra和動態(tài)硬度；針對清潔層E，測定拉伸彈性儲能模量和90°剝離強度；針對清潔構件E的清潔層表面，進行清潔評價試驗。結果如表I所示。〔比較例I〕(清潔片F(xiàn))在單面由聚丙烯膜(三菱化學制、商品名MRF25)形成的隔離層的剝離處理面上涂布在實施例I中得到的膠粘劑層溶液A以使得干燥后的厚度達到7 ym，在所形成的膠粘劑層上層疊長尺狀聚酯膜(三菱化學制、商品名N100C25)，進ー步在該膜上涂布在實施例I中得到的清潔層溶液A以使得干燥后的厚度達到150 ym，使該表面與單面由經(jīng)壓花加工處理后的長鏈聚酯膜形成的保護膜(出光興產(chǎn)制、PBT)的壓花加工處理面貼合，得到清潔片F(xiàn)。(清潔構件F)剝離清潔片F(xiàn)的膠粘劑層側的剝離膜，以手推輥貼附至200mm硅片的鏡面上，然后，剝離清潔層側的隔離層，制作清潔構件F。(清潔層F)在單面由經(jīng)壓花加工處理后的長鏈聚酯膜形成的保護膜(出光興產(chǎn)制、PBT)的壓花加工處理面上涂布清潔層溶液F以使得干燥后的厚度達到150 ym，使該表面與單面由經(jīng)壓花加工處理后的長鏈聚酯膜形成的保護膜(出光興產(chǎn)制、PBT)的壓花加工處理面貼合，得到清潔片F(xiàn)F。從該清潔片F(xiàn)F中剝離雙面的保護膜，得到清潔層F。(評價)針對清潔構件F的清潔層表面，測定算數(shù)平均粗糙度Ra和動態(tài)硬度；針對清潔層F，測定拉伸彈性儲能模量和90°剝離強度；針對清潔構件F的清潔層表面，進行清潔評價試驗。結果如表I所示。[表 I]
權利要求
1.一種清潔片，其特征在于，其具有用于除去附著在導通測試用探針卡的探針上的異物的清潔層，所述清潔層的按照JIS-B-0601求出的算數(shù)平均粗糙度Ra為IOOnm以下。
2.根據(jù)權利要求I所述的清潔片，其中，所述清潔層的動態(tài)硬度為0.0001 0. I。
3.根據(jù)權利要求I所述的清潔片，其中，在支承體的單面具有所述清潔層。
4.根據(jù)權利要求3所述的清潔片，其中，在所述支承體的、所述清潔層的相反側面具有膠粘劑層。
5.一種清潔構件，其特征在于，在輸送構件上設有權利要求I 4中任一項所述的清潔片。
6.一種導通測試裝置的清潔方法，其特征在于，將權利要求5所述的清潔構件輸送到具有導通測試用探針卡的導通測試裝置內(nèi)，除去附著在所述導通測試用探針卡的探針上的異物。
7.—種導通測試裝置，其為利用權利要求6所述的清潔方法進行清潔的導通測試裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供用于除去附著在導通測試用探針卡的探針上的異物的清潔裝置，其特征在于，其不磨耗探針就可有效地除去附著的異物。本發(fā)明的清潔片具有用于除去附著在導通測試用探針卡的探針上的異物的清潔層，其特征在于，該清潔層的按照JIS-B-0601求出的算數(shù)平均粗糙度Ra為100nm以下。
文檔編號B08B1/00GK102768966SQ20121013488
公開日2012年11月7日 申請日期2012年4月28日 優(yōu)先權日2011年5月6日
發(fā)明者宇圓田大介, 并河亮, 松村健 申請人:日東電工株式會社