專利名稱：一種用于太陽能發(fā)電裝置上的硅片清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及清洗特殊材料領(lǐng)域，尤其是涉及到一種用于太陽能發(fā)電裝置上的硅片清洗方法。
背景技術(shù)：
目前，為了適應(yīng)太陽能干電池高速率、低成本、大規(guī)模生產(chǎn)進(jìn)展的需要，最管用的法子是不采用晶硅體材料，而直接采用薄膜材料，即開發(fā)薄膜太陽能干電池。20世紀(jì)70年代發(fā)端，國際上進(jìn)展了好些類型的薄膜太陽能干電池，例如=CuInSe (CIS)、CdTe薄膜和有機薄膜等。薄膜太陽能干電池具備安全、可折疊、便捷拼綴、輕巧、抗熱性能好、不易破損等特點。目下規(guī)模生產(chǎn)的薄膜非晶硅太陽能干電池的轉(zhuǎn)換速率已達(dá)8%左右，CIS的轉(zhuǎn)換速率已達(dá)10 11%，實驗室轉(zhuǎn)換速率超過20%。對于太陽能硅片來說，最大問題就是硅片表面容易污染，在這里可以將污染分為三類I、有機雜質(zhì)污染可通過有機試劑的溶解作用，結(jié)合兆聲波清洗技術(shù)來去除。2、顆粒污染運用物理的方法可采機械擦洗或兆聲波清洗技術(shù)來去除粒徑>
0.4 y m顆粒,利用兆聲波可去除彡0. 2 iim顆粒。3、金屬離子污染該污染必須采用化學(xué)的方法才能將其清洗掉。硅片表面金屬雜質(zhì)污染又可分為兩大類(1)、污染離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。(2)、帶正電的金屬離子得到電子后面附著(尤如“電鍍”)到硅片表面。因此如何更好的清洗太陽能發(fā)電裝置上的硅片成為了現(xiàn)在的當(dāng)務(wù)之急。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對硅片表面污染的清洗問題，提供一種用于太陽能發(fā)電裝置上的硅片清洗方法，其特征在于，依次采用酸性溶液A、堿性溶液、酸性溶液B、酸性溶液C對硅片進(jìn)行清洗，達(dá)到去油、去氧化物、移去破壞層、絡(luò)合表面的金屬離子的效果，可以很好的清洗硅片表面的污染。所述的酸性溶液A的成分為H2SO4: H2O2= 5:1或4:1。所述的堿性溶液的成為為1120:11202:順4011=5:2:1或5:1:1或7:2:1。 所述的酸性溶液B的成分為PH值為5. 0的HF溶液。所述的酸性溶液C的成分為HCl:H2O2:H2O=I: 1:4。所述的太陽能發(fā)電裝置上的硅片清洗方法的具體步驟為a、除油硅片先在酸性溶液A中清洗；b、用超純水清洗；C、去氧化物堿性溶液中進(jìn)行氧化10 min,以除去表面氧化物d、用超純水清洗；e、去破壞層將硅片放入酸性溶液B中刻蝕10 min，其目的是除去表面的氧化物、移去表面的破損層并得到平整的表面；f、用超純水清洗；g、去金屬離子將硅片放入酸性溶液C中進(jìn)行氧化10 min，其作用是絡(luò)合表面的金屬離子；h、置于超純水中。本發(fā)明提供的太陽能發(fā)電裝置上的硅片清洗方法可高效去除硅片表面吸附的微粒以及無機和有機污染物，同時具有泡沫少、氣味很小、環(huán)保等優(yōu)點。



圖I為本發(fā)明一種用于太陽能發(fā)電裝置上的硅片清洗方法的工藝流程圖
具體實施例方式以下結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明做詳細(xì)說明。選擇加工后被污染的硅片。按照H2SO4 = H2O2= 5:1或4:1的比例配置酸性溶液A ；按照1120:11202:順4011=5:2:1或5:1:1或7:2:1的比例配置堿性溶液;配置PH=5. 0的HF酸性溶液B ;按照HCl: H2O2: H2O=I: 1:4的比例配置酸性溶液C。先將硅片在酸性溶液A中清洗，除去表面的油污；然后用超純水清洗；接著把硅片放入堿性溶液中進(jìn)行氧化10 min,以除去表面氧化物；再用超純水清洗；再將硅片放入酸性溶液B中刻蝕10 min，除去表面的氧化物、移去表面的破損層并得到平整的表面；之后用超純水清洗；將硅片放入酸性溶液C中進(jìn)行氧化10 min，其作用是絡(luò)合表面的金屬離子；最后置于超純水中，完成整個清洗過程。以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.一種用于太陽能發(fā)電裝置上的硅片清洗方法，其特征在于依次采用酸性溶液A、堿性溶液、酸性溶液B、酸性溶液C對硅片進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的酸性溶液A、堿性溶液、酸性溶液B、酸性溶液C，其特征在于 所述的酸性溶液A的成分為H2SO4IH2O2= 5:1或4:1 ; 所述的堿性溶液的成為為％0:11202:順4011=5:2:1或5:1:1或7:2:1 ； 所述的酸性溶液B的成分為PH值為5. 0的HF溶液； 所述的酸性溶液C的成分為HC1:H202:H20=1:1:4。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅片清洗方法，其特征在于所述的硅片清洗方法的具體步 驟為 (1)除油硅片先在酸性溶液A中清洗； (2)用超純水清洗； (3)去氧化物堿性溶液中進(jìn)行氧化10min,以除去表面氧化物； (4)用超純水清洗； (5)去破壞層將硅片放入酸性溶液B中刻蝕10min，其目的是除去表面的氧化物、移去表面的破損層并得到平整的表面； (6)用超純水清洗； (7)去金屬離子將硅片放入酸性溶液C中進(jìn)行氧化10min，其作用是絡(luò)合表面的金屬離子； (8)置于超純水中。
全文摘要
對于太陽能硅片來說，最大問題就是硅片表面容易污染。如何更好的清洗太陽能發(fā)電裝置上的硅片成為了現(xiàn)在的當(dāng)務(wù)之急。本發(fā)明針對硅片表面污染的清洗問題，提供一種用于太陽能發(fā)電裝置上的硅片清洗方法，其特征在于，依次采用酸性溶液A、堿性溶液、酸性溶液B、酸性溶液C對硅片進(jìn)行清洗，達(dá)到去油、去氧化物、移去破壞層、絡(luò)合表面的金屬離子的效果，可以很好的清洗硅片表面的污染。本發(fā)明提供的太陽能發(fā)電裝置上的硅片清洗方法可高效去除硅片表面吸附的微粒以及無機和有機污染物，同時具有泡沫少、氣味很小、環(huán)保等優(yōu)點。
文檔編號C11D7/08GK102744227SQ20121024571
公開日2012年10月24日 申請日期2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月16日
發(fā)明者童學(xué)寶 申請人:安徽未來表面技術(shù)有限公司