一種凈化裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種凈化裝置，所述裝置包括水觸媒發(fā)生裝置、清洗水槽、超聲波換能器和水泵，其特征在于所述水觸媒發(fā)生裝置的電極為鈦合金電極，其上涂覆納米級粒徑的鋯、鈷、錫、鉑、鈰、釓和銪組成的經100—120℃下烘干、400～680℃下燒結制備的1～2微米厚的復合層；所述電極基材為鈦合金，按質量份計，含Al：6.6～7.3；Sn：7.2～7.3；Cr：7.2～7.3；Mo：7.2～7.3；Zr：7.2～7.3；Fe：0.28～0.29；C：0.08～0.15；O：0.11～0.25；N：0.004～0.1；H：0.0015～0.025；Si：0.1～0.25，其余為鈦和不可避免的雜質。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種凈化裝置，具體講涉及一種可用于生鮮食品、水、餐具、衣物的凈 化裝置。 一種凈化裝置

【背景技術】
[0002] 食品安全關系到廣大人民群眾的身體健康和生命安全，關系到經濟健康發(fā)展和社 會穩(wěn)定，食品安全已成為衡量人民生活質量、社會管理水平和國家法制建設的一個重要方 面。目前我國食品安全狀況并不樂觀，長期以來存在的細菌、病毒、寄生蟲等微生物污染，農 藥、激素、抗生素等化學污染物給食品帶來了巨大的安全隱患，食源性疾病仍是人類面臨的 最大健康殺手。同時，與飲食密切相關的餐具的消毒衛(wèi)生問題也是較大的安全隱患，目前由 于部分消毒企業(yè)的自律性差，消毒工藝簡單，不符合要求，導致消毒餐具不衛(wèi)生的狀況時有 發(fā)生，導致餐具表面成為細菌滋生的溫床，給消費者的健康生命帶來威脅。
[0003] 由于食品污染環(huán)節(jié)眾多，源頭治理難度較大，僅僅依靠強有力的政府監(jiān)管和職能 部門檢測，還不能在短時間內徹底解決食品的污染問題，因此，食品凈化消毒成為緩解食品 安全壓力、減少食物中毒風險、保障人民群眾飲食安全的必要手段。
[0004] 目前，還沒有一種安全高效、使用方便的凈化消毒裝置，能夠對生鮮食品、水、餐具 及衣物進行處理，現有的技術多是利用臭氧或含氯化學試劑進行處理，其缺陷是臭氧溶解 度較低，使用過程中會大量擴散到空氣中，對鼻和喉頭粘膜和眼睛有刺激作用，還會引起肺 活量減小，對人體造成傷害；而采用含氯化學試劑會造成含有致癌性反應產物的殘留。
[0005] 200320121904號實用新型專利公開了一種供水裝置，該裝置包括一個供水管，一 個連接在所述供水管上的電解裝置。所述的電解裝置包括一具有陰極室和陽極室的隔膜式 電解槽，所述的電解槽具有連接于電解槽的陰極室、通向洗滌桶上方的第一排水通道，所述 電解槽具有連接于陽極室的第二排水通道，所述的第二排水通道連接于洗滌桶的排水管路 上。
[0006] 200810147230. 5專利申請說明書公開了一種食品凈化裝置，該裝置包括清洗水 槽和水泵，水觸媒發(fā)生裝置，所述水觸媒發(fā)生裝置、清洗水槽和水泵都設置有進水口和出水 口，水觸媒發(fā)生裝置、清洗水槽和水泵通過管道連接成閉合循環(huán)回路。
[0007] 201110271764. 0號發(fā)明專利申請說明書公開了一種水觸媒殺菌解毒裝置，該裝置 包括水觸媒發(fā)生器（1)和為水觸媒發(fā)生器（1)進行供電的直流電源，所述水觸媒發(fā)生器（1) 包括兩個相配合使用的電極，且兩個所述電極為分別與所述直流電源的正負輸出端相接的 陽極電極和陰極電極；所述陽極電極和所述陰極電極均為鈦電極，且所述陽極電極的外表 面上均勻涂覆有一層復合材料涂層；所述復合材料涂層為對涂刷在所述陽極電極外表面上 的復合材料涂液進行烘干處理及燒結處理后獲得的涂層，復合材料涂液為由六種粉劑和無 水乙醇均勻混合而成且質量濃度為2. 5%?4%的混合液，六種所述粉劑分別為鉬粉或鉬 的化合物粉末、銥粉或銥的化合物粉末、釔粉或釔的化合物粉末、釕粉或釕的化合物粉末、 鈮粉或鈮的化合物粉末和鉭粉或鉭的化合物粉末。
[0008] 本發(fā)明人長期研究、分析了上述已有技術中的報道，還仔細分析、認真研究了專利 文獻中記載的："一種結構簡單、設計合理、使用操作簡便凈化處理效果好的水觸媒殺菌解 毒裝置"、"所述的電解裝置包括一具有陰極室和陽極室的隔膜式電解槽"的裝置，該裝置 "能夠實現在洗滌時，向洗滌桶捉供堿性水；而在漂洗時，向洗滌桶提供酸性水；其進一步可 以在提供堿性水同時，提供改善洗滌效果的改質液"；"如何將羥基自由基的凈化、消毒、殺 菌功能應用到食品凈化領域中來，克服現有技術耗水量大、凈化不徹底、不節(jié)能環(huán)保的技術 缺陷，實現食品凈化方便、省力、高效、節(jié)水、干凈、徹底"。本發(fā)明人在上述基礎上發(fā)現，現有 的有資料、專利文獻未見其具體的處理效果，這些事實說明水觸媒殺菌解毒裝置離人們期 盼的"凈化方便、省力、高效、節(jié)水、干凈、徹底"的目的還有一定距離，仍存在著一些尚需改 進的缺陷，方可將其成為一種安全可靠的殺菌解毒裝置。


【發(fā)明內容】

[0009] 本發(fā)明就是針對上述缺陷提出的一種安全穩(wěn)定、凈化效果優(yōu)異，節(jié)能節(jié)水更好的 凈化裝置。
[0010] 為實現本發(fā)明的發(fā)明目的，本發(fā)明提供的凈化裝置中，所述裝置包括水觸媒發(fā)生 裝置、清洗水槽、超聲波換能器和水泵，其改進之處在于所述水觸媒發(fā)生裝置的電極為鈦 合金電極，其上涂覆納米級粒徑的鋯、鈷、錫、鉬、鈰、釓和銪組成的經100- 120°c下烘干、 400?680°C下燒結制備的1?2微米厚的復合層；所述電極基材為鈦合金，按質量份計，含 A1 :6· 6 ?7. 3 ;Sn :7· 2 ?7. 3 ;Cr :7· 2 ?7. 3 ;Mo :7· 2 ?7. 3 ;Zr :7· 2 ?7. 3 ;Fe :0· 28 ? 0· 29 ;C :0· 08 ?0· 15 ;0 :0· 11 ?0· 25 ;N :0· 004 ?0· 1 ;H :0· 0015 ?0· 025 ;Si :0· 1 ? 0. 25,其余為鈦和不可避免的雜質。
[0011] 本發(fā)明提供的優(yōu)選的凈化裝置中，所述復合層中：鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪質量 比=6?15 :15?30 :5?10 :5?15 :9?17 :2?8 :3?12,粒徑為5?30nm ;所述鈦合 金含 A1 :6· 7 ?7. 2 ;Sn :7. 3 ;Cr :7· 3。
[0012] 本發(fā)明提供的第三優(yōu)選的凈化裝置中，所述復合層中：鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪 質量比=6?13 :15?28 :5?9 :5?13 :10?17 :3?8 :4?12,粒徑為5?30nm ;所述 鈦合金含 M。：7. 3 ;Zr :7. 3 ;Fe :0· 29。
[0013] 本發(fā)明提供的第四優(yōu)選的凈化裝置中，所述復合層中：鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪 質量比=6?11 :15?26 :5?8 :5?11 :10?15 :3?7 :4?10,粒徑為5?30nm ;所述 鈦合金含 C :0· 1 ?0· 15 ;0 :0· 13 ?0· 25 ;N :0· 009 ?0· 1。
[0014] 本發(fā)明提供的第五優(yōu)選的凈化裝置中，燒結溫度為400?450°C，所述復合層中： 鋯：鈷：錫：鉬：鈰：禮：銪質量比=6?10 :17?26 :6?8 :6?11 :11?15 :4?7 :5? 10,粒徑為5?30nm ;所述鈦合金含Η :0· 011?0· 021 ;Si :0· 12?0· 22。
[0015] 本發(fā)明提供的第六優(yōu)選的凈化裝置中，所述復合層中：鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪 質量比=6?9 :17?24 :6?7 :6?9 :11?13 :4?6 :5?8,粒徑為5?30nm ;所述鈦 合金含 A1 :6· 7 ?7. 2 ;Sn :7. 2 ;Cr :7. 2 ;Mo :7. 2 ;Zr :7· 2。
[0016] 本發(fā)明提供的第七優(yōu)選的凈化裝置中，所述復合層中：鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪 質量比=6?8 :17?22 :6?7 :6?8 :11?12 :4?5 :6?8,粒徑為5?30nm ;所述鈦 合金含 Fe :0· 28 ;C :0· 1 ?0· 15 ;0 :0· 13 ?0· 22 ;N :0· 009 ?0· 1 ;H :0· 013 ?0· 025 ;Si : 0· 12 ?0· 23。
[0017] 本發(fā)明提供的第八優(yōu)選的凈化裝置中，超聲波換能器包括發(fā)射頭、絕緣墊片、壓電 薄片、質量片和電極；所說發(fā)射頭、絕緣墊片、壓電薄片和質量片依次設置在同一軸線上； 所述電極是由金屬Au制備的電極；所述壓電薄片為70 μ m厚的9 -雙取代亞苯起化學反 應的聚合物；所述復合層中：錯：鉆：錫：銷：鋪：禮：錯質量比=7 :21 :6 :6 :12 :5 :8,粒徑為 5 ?30nm ;所述鈦合金含 A1 :6· 9 ?7. 2 ;Sn :7. 2 ;Mo :7. 2 ;Fe :0· 28 ;C :0· 09 ?0· 12 ;0 : 0· 16 ?0· 22 ;H :0· 018 ?0· 022 ;Si :0· 16 ?0· 22。
[0018] 本發(fā)明提供的第九優(yōu)選的凈化裝置中，絕緣墊片分別位于所述發(fā)射頭和質量片內 端的數目為兩個的絕緣片，其內端設有向左或右轉10?90度的軸向剖面為凹字型且其左 右突出部分別位于所述壓電薄片間的、其底端到圓心的半徑大于所述絕緣片的半徑的第一 電極片；位于所述凹字型電極片的內側軸向依次設置壓電材料片、直徑大于所述壓電材料 片的第二電極片和壓電材料片。
[0019] 與現有技術比，本發(fā)明的有益效果為：
[0020] A(mg/kg) =洗滌前的蔬菜或水果農藥量；B=mg/kg(洗滌后的蔬菜或水果農藥量）， 經檢測此量均低于蔬菜、水果農藥殘留新標準。
[0021]

【權利要求】
1. 一種凈化裝置，所述裝置包括水觸媒發(fā)生裝置、清洗水槽、超聲波換能器和水泵，其 特征在于所述水觸媒發(fā)生裝置的電極為鈦合金電極，其上涂覆納米級粒徑的鋯、鈷、錫、鉬、 鈰、釓和銪組成的經100- 120°c下烘干、400?680°C下燒結制備的1?2微米厚的復合層； 所述電極基材為鈦合金，按質量份計，含A1 :6. 6?7. 3 ;Sn :7. 2?7. 3 ;Cr :7. 2?7. 3 ;Mo : 7. 2 ?7. 3 ;Zr :7· 2 ?7. 3 ;Fe :0· 28 ?0· 29 ;C :0· 08 ?0· 15 ;0 :0· 11 ?0· 25 ;N :0· 004 ? 0. 1 ;H :0. 0015?0. 025 ;Si :0. 1?0. 25,其余為鈦和不可避免的雜質。
2. 根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪質量比=6? 15 :15?30 :5?10 :5?15 :9?17 :2?8 :3?12,粒徑為5?30nm ;所述鈦合金含A1 : 6. 7 ?7. 2 ;Sn :7. 3 ;Cr :7· 3。
3. 根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪質量比=6? 13 :15?28 :5?9 :5?13 :10?17 :3?8 :4?12,粒徑為5?30nm ;所述鈦合金含Mo : 7. 3 ;Zr :7. 3 ;Fe :0. 29。
4. 根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪質量比=6? 11 :15?26 :5?8 :5?11 :10?15 :3?7 :4?10,粒徑為5?30nm ;所述鈦合金含C : 0· 1 ?0· 15 ;0 :0· 13 ?0· 25 ;N :0· 009 ?0· 1。
5. 根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述燒結溫度為400?450°C，所述鋯：鈷： 錫：鉬：鈰：釓：銪質量比=6?10 :17?26 :6?8 :6?11 :11?15 :4?7 :5?10,粒徑 為 5 ?30nm ;所述鈦合金含 Η :0· 011 ?0· 021 ;Si :0· 12 ?0· 22。
6. 根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪質量比=6? 9 :17?24 :6?7 :6?9 :11?13 :4?6 :5?8,粒徑為5?30nm;所述鈦合金含Al :6.7? 7. 2 ;Sn :7. 2 ;Cr :7. 2 ;Mo :7. 2 ;Zr :7. 2。
7. 根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪質量比=6? 8 :17?22 :6?7 :6?8 :11?12 :4?5 :6?8,粒徑為5?30nm;所述鈦合金含Fe :0.28 ; C :0· 1 ?0· 15 ;0 :0· 13 ?0· 22 ;N :0· 009 ?0· 1 ;H :0· 013 ?0· 025 ;Si :0· 12 ?0· 23。
8. 根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述超聲波換能器包括發(fā)射頭、絕緣墊片、 壓電薄片、質量片和電極；所說發(fā)射頭、絕緣墊片、壓電薄片和質量片依次設置在同一軸線 上；所述電極是由金屬Au制備的電極；所述壓電薄片為70μπι厚的9-雙取代亞苯起化學反 應的聚合物；所述鋯：鈷：錫：鉬：鈰：釓：銪質量比=7 :21 :6 :6 :12 :5 :8,粒徑為5?30nm ; 所述鈦合金含 Al :6. 9 ?7. 2 ;Sn :7. 2 ;Mo :7. 2 ;Fe :0· 28 ;C :0· 09 ?0· 12 ;0 :0· 16 ?0· 22 ; H :0. 018 ?0. 022 ;Si :0. 16 ?0. 22。
9. 根據權利要求8的凈化裝置，其特征在于所述絕緣墊片分別位于所述發(fā)射頭和質量 片內端的數目為兩個的絕緣片，其內端設有向左或右轉10?90度的軸向剖面為凹字型且 其左右突出部分別位于所述壓電薄片間的、其底端到圓心的半徑大于所述絕緣片的半徑的 第一電極片；位于所述凹字型電極片的內側軸向依次設置壓電材料片、直徑大于所述壓電 材料片的第二電極片和壓電材料片。
【文檔編號】B08B3/12GK104054979SQ201310289954
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2013年7月11日 優(yōu)先權日:2013年3月21日
【發(fā)明者】譚燕, 馮瑞芝, 曲玲玲 申請人:譚燕, 馮瑞芝