一種用于集成電路襯底硅片的清洗劑及其制備方法
【專利摘要】一種用于集成電路襯底硅片的清洗劑，由下列重量份的原料制成：烏洛托品3-4、檸檬酸鈉2-3、碳酸鈉1-2、纖維素酶2-3、硫代琥珀酸鈉3-4、乙醇30-40、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、助劑4-5、去離子水100-120。本發(fā)明清洗劑的表面活性劑協(xié)同效應好，對有機物、金屬離子溶解能力強，對無機物清除能力強；對氧化膜清除效果好，清洗徹底，腐蝕性小，適用于集成電路襯底硅片清洗。本發(fā)明的助劑能夠在硅片表面形成保護膜，隔絕空氣，防止大氣中水及其他分子腐蝕硅片，抗氧化，方便下一步制作工藝進行。
【專利說明】一種用于集成電路襯底硅片的清洗劑及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及清洗劑領域，尤其涉及一種用于集成電路襯底硅片的清洗劑及其制備方法。
【背景技術】
[0002]硅片清洗劑廣泛應用于光伏，電子等行業(yè)硅片清洗；由于硅片在運輸過程中會有所污染，表面潔凈度不是很高，對即將進行的腐蝕與刻蝕產生很大的影響，所以首先要對硅片表面進行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機沾污，然后溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷進”，會引起外延缺陷；再去除顆粒、金屬等，同時使硅片的表面鈍化。
[0003]目前多數(shù)娃片清洗劑米用RAC清洗中的一號液和三號液,但是一號液顯堿性,可能會造成硅表面粗糙，要嚴格控制溫度、濃度和時間；三號液顯酸性，有強腐蝕性，對人體健康也不利，生產成本高，有刺激性氣味，污染環(huán)境，因此需要進一步改進配方，以達到清潔徹底、無污染、腐蝕小、對人體健康、電路安全、降低成本的目的。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種用于集成電路襯底硅片的清洗劑及其制備方法，該清洗劑具有清潔徹底、清潔速度快的優(yōu)點。
[0005]本發(fā)明的技術方案如下:
一種用于集成電路襯底硅片的清洗劑，其特征在于由下列重量份的原料制成:烏洛托品3-4、檸檬酸鈉2-3、碳酸鈉1-2、纖維素酶2-3、硫代琥珀酸鈉3_4、乙醇30-40、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、助劑4-5、去離子水100-120 ；
所述助劑由下列重量份的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570 2-3、抗氧劑1035 1_2、植酸1-2、嗎啉3_4、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制備方法是將硅烷偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至60-70°C，攪拌20-30分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至80-85°C，攪拌30-40分鐘，即得。
[0006]所述用于集成電路襯底硅片的清洗劑的制備方法，其特征在于包括以下步驟:將去離子水、檸檬酸鈉、碳酸鈉、硫代琥珀酸鈉、乙醇、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯、月桂醇聚氧乙烯醚混合，在1000-1200轉/分攪拌下，以6-8°C /分的速率加熱到60_70°C，再冷卻到35°C以下，加入其他剩余成分，繼續(xù)攪拌15-20分鐘，即得。
[0007]本發(fā)明的有益效果
本發(fā)明清洗劑的表面活性劑協(xié)同效應好，對有機物、金屬離子溶解能力強，對無機物清除能力強；對氧化膜清除效果好，清洗徹底，腐蝕性小，適用于集成電路襯底硅片清洗。本發(fā)明的助劑能夠在硅片表面形成保護膜，隔絕空氣，防止大氣中水及其他分子腐蝕硅片，抗氧化，方便下一步制作工藝進行。【具體實施方式】
[0008]一種用于集成電路襯底硅片的清洗劑，由下列重量份(公斤)的原料制成:烏洛托品3.5、檸檬酸鈉2.5、碳酸鈉1.5、纖維素酶2.5、硫代琥珀酸鈉3.5、乙醇35、正丁醇4.5、月硅酸聚氧乙烯酯1.5、月桂醇聚氧乙烯醚4、助劑4.5、去離子水110 ；
所述助劑由下列重量份(公斤)的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570 2.5、抗氧劑1035
1.5、植酸1.5、嗎啉3.5、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯3.5、乙醇14 ;制備方法是將硅烷偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至65°C，攪拌25分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至84°C，攪拌34分鐘，即得。
[0009]所述用于集成電路襯底硅片的清洗劑的制備方法，包括以下步驟:將去離子水、檸檬酸鈉、碳酸鈉、硫代琥珀酸鈉、乙醇、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯、月桂醇聚氧乙烯醚混合，在1100轉/分攪拌下，以7V /分的速率加熱到65°C，再冷卻到30°C，加入其他剩余成分，繼續(xù)攪拌18分鐘，即得。
[0010]該用于集成電路襯底硅片的清洗劑用于清洗集成電路襯底硅片,洗凈率為99.5%,對洗凈硅片表面不會殘留不溶物， 不產生新污染，不影響產品的質量，洗凈后的硅片表面干凈，色澤一致，無花斑。
【權利要求】
1.一種用于集成電路襯底硅片的清洗劑，其特征在于由下列重量份的原料制成:烏洛托品3-4、檸檬酸鈉2-3、碳酸鈉1-2、纖維素酶2-3、硫代琥珀酸鈉3_4、乙醇30-40、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、助劑4-5、去離子水100-120 ； 所述助劑由下列重量份的原料制成:硅烷偶聯(lián)劑KH-570 2-3、抗氧劑1035 1_2、植酸1-2、嗎啉3_4、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制備方法是將硅烷偶聯(lián)劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至60-70°C，攪拌20-30分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至80-85°C，攪拌30-40分鐘，即得。
2.根據(jù)權利要求1所述用于集成電路襯底硅片的清洗劑的制備方法，其特征在于包括以下步驟:將去離子水、檸檬酸鈉、碳酸鈉、硫代琥珀酸鈉、乙醇、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯、月桂醇聚氧乙烯醚混合，在1000-1200轉/分攪拌下，以6-8°C /分的速率加熱到60-700C，再冷卻到35°C以下，加入其他剩余成分，繼續(xù)攪拌15-20分鐘，即得。
【文檔編號】C11D10/02GK103571665SQ201310527930
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年10月31日 優(yōu)先權日:2013年10月31日
【發(fā)明者】郭萬東, 孟祥法, 董培才 申請人:合肥中南光電有限公司