單晶硅片清洗裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了單晶硅片清洗裝置，包括：一進料槽，一與進料槽順次連接的第一藥槽和第二藥槽，以及一與第二藥槽連接的自來水溢流槽，還包括一純水供水系統(tǒng)，所述純水供水系統(tǒng)包括一第一純水槽，一第二純水槽以及一第三純水槽，所述第一純水槽，第二純水槽以及第三純水槽相互連通，將通過第三純水槽、第二純水槽至第一純水槽的純水通過一溢流管通入純水溢流槽，所述進料槽和自來水溢流槽均連接一自來水供水管。將硅片清洗工藝的改進優(yōu)化與設備改造相結合，使我們現(xiàn)有的槽體較少，可以清洗（要求高，槽體多）單晶硅片，達到硅片表面質(zhì)量干凈，純水消耗降低，生產(chǎn)成本降低，而最終實現(xiàn)生產(chǎn)效益提高的目的。
【專利說明】單晶硅片清洗裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及硅生產(chǎn)領域，具體涉及單晶硅片清洗裝置。
【背景技術】
[0002]晶體硅作為太陽能電池的主要原料，在推動世界光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中起到了舉足輕重的作用。在太陽能電池的制造中，晶體硅占整個電池制造成本的68.5%，其中硅片(切片后)占12.3%。因此提高晶體硅在各道加工工序中的成品率是降低太陽能電池成本的一個關鍵步驟。
[0003]在硅片加工過程中，所有與硅片接觸的外部媒介都可能是硅片污染物的來源。由此可知，硅片表面的污染物來源主要有:加工器械帶來的污染，加工液的污染、環(huán)境污染、操作人員帶來的污染以及加工過程中硅片表面發(fā)生化學反應產(chǎn)生的污染等。
[0004]隨著太陽能工業(yè)的發(fā)展，對硅片表面潔凈度的要求也越來越高，這在一定程度上促進了硅片清洗技術的發(fā)展，也促進了人們對硅片清洗工藝的研究。
[0005]當前，濕法化學清洗技術在硅片表面清洗中仍處于主導地位。但在今后，由于化學試劑的存放以及環(huán)境問題，濕法化學清洗技術的使用會逐漸減少。據(jù)測算，目前某些工廠用于超純水的費用將接近百萬元。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型要解決的技術問題是提供單晶硅片清洗裝置，將硅片清洗工藝的改進優(yōu)化與設備改造相結合，使我們現(xiàn)有的槽體較少，可以清洗(要求高，槽體多)單晶硅片，達到硅片表面質(zhì)量干凈，純水消耗降低，生產(chǎn)成本降低，而最終實現(xiàn)生產(chǎn)效益提高的目的。
[0007]為達到上述目的，本實用新型的技術方案如下:
[0008]單晶硅片清洗裝置，包括:
[0009]一進料槽，
[0010]一與進料槽順次連接的第一藥槽和第二藥槽，
[0011]以及一與第二藥槽連接的自來水溢流槽，
[0012]還包括一純水供水系統(tǒng),所述純水供水系統(tǒng)包括一第一純水槽,一第二純水槽以及一第三純水槽，所述第一純水槽，第二純水槽以及第三純水槽相互連通，將通過第三純水槽、第二純水槽至第一純水槽的純水通過一溢流管通入純水溢流槽，
[0013]所述進料槽和自來水溢流槽均連接一自來水供水管，所述第一藥槽，第二藥槽，純水溢流槽，第二純水槽以及第三純水槽均連接一純水管。
[0014]在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述進料槽由一空氣鼓泡槽和一超聲槽構成。
[0015]在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述第二純水槽的進水管上安裝一進水控制閥。
[0016]在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述第三純水槽一側(cè)還設置一烘干箱。[0017]通過上述技術方案，本實用新型的有益效果是:
[0018]增加溢流槽，節(jié)省了純水的使用。通過后續(xù)的統(tǒng)計也證明了純水的使用量大大的減少。通過生產(chǎn)驗證改造后設備的性能大大的提高，使得硅片的清洗質(zhì)量幾乎很少存在問題，同時也減少了公司純水的用量，且對清洗設備也不再用更換，節(jié)省了許多資金。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為本實用新型的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0021]為了使本實用新型實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本實用新型。
[0022]參照圖1，單晶硅片清洗裝置，包括:一進料槽，一與進料槽順次連接的第一藥槽1#和第二藥槽2#，以及一與第二藥槽2#連接的自來水溢流槽3#,
[0023]還包括一純水供水系統(tǒng),所述純水供水系統(tǒng)包括一第一純水槽5#,—第二純水槽6#以及一第三純水槽7#，所述第一純水槽5#，第二純水槽6#以及第三純水槽7#相互連通，將通過第三純水槽7#、第二純水槽6#至第一純水槽5#的純水通過一溢流管通入純水溢流槽4#，其中溢流管上安裝一水箱，
[0024]所述進料槽和自來水溢流槽4#均連接一自來水供水管，所述第一藥槽1#，第二藥槽2#’純水溢流槽4#，第二純水槽6#以及第三純水槽7#均連接一純水管。
[0025]所述進料槽由一空氣鼓泡槽和一超聲槽構成。所述第二純水槽6#的進水管上安裝一進水控制閥。所述第三純水槽7# 一側(cè)還設置一烘干箱。
[0026]將清洗裝置的進料槽由單工位改成雙工位，其中前一個工位增加了鼓泡功能，后一個工位增加了超聲功能，這樣做可以使太陽能硅片進入清洗機時先得到一個初步超聲鼓泡清洗使表面大顆粒物脫落同時也減小后面槽的清洗壓力。
[0027]將藥槽移至1#、2#槽，這樣做可增加后續(xù)漂洗槽的數(shù)量，從而解決漂洗不凈的問題。后續(xù)通過實驗也證明通過這種方法使硅片的清洗質(zhì)量得到了極大的改善。
[0028]將3#槽改為自來水溢流槽，不再使用純水。將7#槽經(jīng)6#槽流至5#槽的純水不直接排放，而是溢流至水箱再通入4#槽，4#槽利用水箱的純水進行溢流。這樣就使溢流槽的數(shù)量增多，也節(jié)省了純水的使用。通過后續(xù)的生產(chǎn)也證明了純水的使用量大大的減少。
[0029]表I為改造前后硅片清洗質(zhì)量對比
[0030]表I
【權利要求】
1.單晶硅片清洗裝置，其特征在于，包括： 一進料槽， 一與進料槽順次連接的第一藥槽和第二藥槽， 以及一與第二藥槽連接的自來水溢流槽， 還包括一純水供水系統(tǒng)，所述純水供水系統(tǒng)包括一第一純水槽，一第二純水槽以及一第三純水槽，所述第一純水槽，第二純水槽以及第三純水槽相互連通，將通過第三純水槽、第二純水槽至第一純水槽的純水通過一溢流管通入純水溢流槽， 所述進料槽和自來水溢流槽均連接一自來水供水管，所述第一藥槽，第二藥槽，純水溢流槽，第二純水槽以及第三純水槽均連接一純水管。
2.根據(jù)權利要求I所述的單晶硅片清洗裝置，其特征在于：所述進料槽由一空氣鼓泡槽和一超聲槽構成。
3.根據(jù)權利要求I所述的單晶硅片清洗裝置，其特征在于：所述第二純水槽的進水管上安裝一進水控制閥。
4.根據(jù)權利要求I所述的單晶硅片清洗裝置，其特征在于：所述第三純水槽一側(cè)還設置一烘干箱。
【文檔編號】B08B7/04GK203508507SQ201320588616
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年9月23日 優(yōu)先權日:2013年9月23日
【發(fā)明者】牛龍, 王文, 童林劍, 張斌, 胡亞東, 董典謨, 樊帥 申請人:陜西天宏硅材料有限責任公司