用于清洗有機(jī)材料的方法和設(shè)備的制作方法
【專利摘要】提供了用于清洗積聚在將有機(jī)材料圖案沉積在襯底上所使用的掩模上的有機(jī)材料的方法和設(shè)備。所述設(shè)備包括等離子體生成單元、連接至所述等離子體生成單元并且容納有所述掩模的清洗室、被設(shè)置在所述清洗室內(nèi)且被配置為注入所述等離子體的注氣口、以及被設(shè)置在所述掩模的第一表面上的冷卻裝置，其中所述掩模的第一表面與所述掩模面向所述注氣口的相對(duì)表面相反。
【專利說明】用于清洗有機(jī)材料的方法和設(shè)備
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年5月2日向韓國(guó)專利局提交的第10-2013-0049607號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及用于清洗有機(jī)材料的方法和設(shè)備，更具體地涉及用于清洗積聚在沉積有機(jī)材料的工序中所使用的掩模上的有機(jī)材料的方法和設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0004]因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光顯示裝置比其它顯示裝置呈現(xiàn)更大的視野、更高的對(duì)比度和更快的響應(yīng)速度，有機(jī)發(fā)光顯示裝置作為下一代顯示器受到了許多關(guān)注。
[0005]一般地，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)電極即陽(yáng)極和陰極以及位于陽(yáng)極與陰極之間的發(fā)光層。這種有機(jī)發(fā)光顯示裝置根據(jù)分別從陽(yáng)極和陰極注入的空穴和電子在發(fā)光層重組以發(fā)光的原理來(lái)顯示顏色。然而，因?yàn)榭赡茈y以使用這種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率，例如電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL)的中間層可附加地位于發(fā)光層與每個(gè)電極之間。
[0006]制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置常常包括通過使用沉積方法以精細(xì)圖案形成有機(jī)薄膜(例如，發(fā)光層和中間層)。沉積方法包括將具有相同圖案的掩模作為薄膜放置為與襯底的待形成有機(jī)薄膜的表面形成緊密接觸；以及通過掩模將薄膜材料沉積在襯底上以形成具有期望圖案的薄膜。
[0007]在用于沉積精細(xì)圖案化的有機(jī)薄膜的沉積室內(nèi)，當(dāng)重復(fù)執(zhí)行沉積工序時(shí)對(duì)包括掩模的裝置進(jìn)行定期的預(yù)防性維護(hù)(PM)。在使用精細(xì)金屬掩模(FMM)制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的過程中，F(xiàn)MM可根據(jù)預(yù)定的PM周期(例如，在襯底上每80次沉積之后)被分離用于清洗。
[0008]在【背景技術(shù)】部分公開的信息是發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)示例性實(shí)施方式之前已知的或者是實(shí)現(xiàn)示例性實(shí)施方式的過程中所需要的技術(shù)信息。因此，它可包含不形成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的不形成現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]提供了用于清洗積聚在將有機(jī)材料圖案沉積在襯底上所使用的掩模上的有機(jī)材料的方法和設(shè)備。
[0010]根據(jù)一個(gè)方面，提供了一種用于清洗積聚在將有機(jī)材料圖案沉積在襯底上所使用的掩模上的有機(jī)材料的設(shè)備，所述設(shè)備包括用于生成等離子體的等離子體生成單元、連接至所述等離子體生成單元并且容納有所述掩模的清洗室、被設(shè)置在所述清洗室內(nèi)且被配置為朝向所述掩模注入由所述等離子體生成單元生成的等離子體的注氣口、以及被設(shè)置在所述掩模的第一表面上的冷卻裝置，其中所述掩模的第一表面與所述掩模面向所述注氣口的相對(duì)表面相反。
[0011]所述冷卻裝置可與所述掩模的第一表面緊密接觸且聯(lián)接至所述掩模的第一表面。
[0012]所述冷卻裝置可接觸所述掩模。
[0013]所述冷卻裝置可包括制冷機(jī)、熱電模塊、熱管和散熱器中的至少一個(gè)。
[0014]所述設(shè)備還可包括磁性構(gòu)件，所述磁性構(gòu)件被設(shè)置在所述冷卻裝置的與所述冷卻裝置接觸所述掩模的表面相反的表面，所述磁性構(gòu)件將預(yù)定的磁力應(yīng)用至所述掩模。
[0015]所述磁性構(gòu)件可沿一個(gè)方向產(chǎn)生磁力使得所述掩模被拉向所述磁性構(gòu)件。
[0016]所述注氣口可分散所述等離子體的流動(dòng)或者改變所述等離子體的流動(dòng)方向。
[0017]所述注氣口可將所述等離子體從所述清洗室的下部朝向設(shè)置在所述清洗室上部的所述掩模注入所述等離子體。
[0018]根據(jù)另一方面，提供了一種用于清洗積聚在將有機(jī)材料圖案沉積在襯底上所使用的掩模上的有機(jī)材料的方法，所述方法包括:將冷卻裝置聯(lián)接至所述掩模的第一表面；通過使用所述冷卻裝置冷卻所述掩模；以及在冷卻室內(nèi)，提供朝向聯(lián)接至所述冷卻裝置的所述掩模引導(dǎo)的等離子體。
[0019]在聯(lián)接所述冷卻裝置的過程中，所述冷卻裝置可緊密接觸且聯(lián)接至所述掩模的第一表面，所述掩模的第一表面與所述掩模的面向所述注氣口的第二表面相反。
[0020]在冷卻所述掩模的過程中，所述冷卻裝置可接觸所述掩模以直接冷卻所述掩模。
[0021]所述冷卻裝置可包括制冷機(jī)、熱電模塊、熱管和散熱器中的至少一個(gè)。
[0022]將所述聯(lián)接裝置聯(lián)接至所述掩模的第一表面可包括:將用于將預(yù)定的磁力施加于所述掩模的磁性構(gòu)件設(shè)置在所述冷卻裝置的與所述冷卻裝置接觸所述掩模的表面相反的表面。
[0023]所述磁性構(gòu)件可沿一個(gè)方向產(chǎn)生磁力使得所述掩模被拉向所述磁性構(gòu)件。
[0024]提供朝向聯(lián)接至所述冷卻裝置的所述掩模引導(dǎo)的等離子體可包括從注氣口噴射等離子體，所述注氣口可分散所述等離子體的流動(dòng)或者改變所述等離子體的流動(dòng)方向。
[0025]提供朝向聯(lián)接至所述冷卻裝置的所述掩模引導(dǎo)的等離子體可包括從主氣口噴射等離子體，所述注氣口可從所述清洗室的下部朝向被設(shè)置在所述清洗室的上部的所述掩模注入所述等離子體。
[0026]用于清洗有機(jī)材料的方法和設(shè)備可顯著減少灰化期間沉積的有機(jī)材料從所述掩模的剝落。此外，該方法和設(shè)備可在防止薄金屬板(例如，掩模)燃燒的同時(shí)使由等離子體加熱引起的薄金屬板的變形最小化。盡管普通的等離子體干法清洗器需要單獨(dú)的翻轉(zhuǎn)裝置來(lái)翻轉(zhuǎn)掩模以移除沉積在掩模上的材料，但是根據(jù)本公開的設(shè)備可在不使用翻轉(zhuǎn)裝置的情況下從所述掩模清洗有機(jī)材料，由此減少所需設(shè)備的設(shè)備成本和尺寸。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的上面和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見，在附圖中:
[0028]圖1是用于清洗在用于將有機(jī)材料圖案沉積在襯底上的掩模上所積聚的有機(jī)材料的方法的流程圖；
[0029]圖2是示出了在沉積室內(nèi)使用掩模將有機(jī)材料沉積在用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板的襯底上的示意性側(cè)視圖；
[0030]圖3示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的用于清洗有機(jī)材料的設(shè)備；以及
[0031]圖4示出了因等離子體加熱引起的掩模的溫度隨時(shí)間的變化。

【具體實(shí)施方式】
[0032]現(xiàn)在更詳細(xì)地參考本公開的實(shí)施方式，本公開的實(shí)施例在附圖中示出，其中相似的參考標(biāo)號(hào)指向相似的元件。應(yīng)該理解，本公開的各種示例性實(shí)施方式不同于彼此但是不需要相互排除。例如，本文關(guān)于示例性實(shí)施方式描述的具體形狀、結(jié)構(gòu)和特征可用于實(shí)現(xiàn)另一實(shí)施方式而不背離本公開的精神和范圍。還理解，所公開的示例性實(shí)施方式中單獨(dú)部件的位置或布置可改變而不背離本公開的精神和范圍。因此，隨后描述的詳細(xì)描述應(yīng)該被認(rèn)為是僅描述意義而不為了限制，并且包括本公開的范圍的所有改變或修改(包括所附權(quán)利要求及其等同)。
[0033]下文將參考附圖詳細(xì)描述不例性實(shí)施方式。例如“至少一個(gè)”的描述位于一列兀件之前時(shí)修改整列元件并且不修改列中的單個(gè)元件。
[0034]圖1是用于清洗在用于將有機(jī)材料沉積在襯底上的掩模的表面上所積聚的有機(jī)材料的方法的流程圖。
[0035]參考圖1，在清洗在用于將有機(jī)材料圖案沉積在襯底上的掩模表面上所積聚的有機(jī)材料之前，在沉積室內(nèi)對(duì)齊包括多個(gè)槽孔的掩模與襯底(操作al)，并且多次重復(fù)將有機(jī)材料沉積在襯底上(操作a2)。
[0036]襯底可例如為用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板的襯底。用于OLED面板的襯底包括用于在陽(yáng)極與陰極之間形成的發(fā)光層和中間層(例如，電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)和空穴注入層(HIL))的有機(jī)薄膜微圖案。為了通過沉積形成有機(jī)薄膜微圖案，準(zhǔn)備具有與有機(jī)薄膜微圖案對(duì)應(yīng)的掩模。在被維持在高真空狀態(tài)的沉積室內(nèi)對(duì)齊掩模和用于OLED面板的襯底，使得掩模的圖案與待形成于襯底上的圖案一致。根據(jù)當(dāng)前的示例性實(shí)施方式的方法可被應(yīng)用至如上所述用于OLED面板的襯底、或形成有機(jī)薄膜圖案的任意其它襯底。
[0037]已經(jīng)在沉積源中被蒸發(fā)的有機(jī)材料穿過掩模并且沉積在襯底上以形成與掩模的圖案對(duì)應(yīng)的預(yù)定有機(jī)材料圖案。當(dāng)執(zhí)行沉積工序時(shí)，可使用單個(gè)掩模將有機(jī)材料圖案沉積在多個(gè)襯底上。
[0038]在重復(fù)執(zhí)行沉積工序的情況下，以預(yù)定周期對(duì)沉積室內(nèi)包括掩模的裝置進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)(PM)。因?yàn)樵赑M執(zhí)行時(shí)沉積工序停止，因此可能花費(fèi)大量的時(shí)間恢復(fù)沉積條件(包括完成PM之后沉積工序所需的真空水平)。因此，短PM周期可能是降低生產(chǎn)率的主要原因。通常，在執(zhí)行PM的同時(shí)清洗掩模。在這種情況下，使用化學(xué)溶劑(例如，清洗用于普通半導(dǎo)體工序的掩模所使用的化學(xué)溶劑)的濕法清洗在用于OLED顯示裝置的沉積室內(nèi)的使用方面具有局限性，因?yàn)镺LED顯示裝置中的多個(gè)層易于受氧氣和濕氣的影響。因此，使用濕法清洗清洗掩模需要使用位于沉積室外的單獨(dú)的清洗系統(tǒng)。為了解決這個(gè)問題，根據(jù)示例性實(shí)施方式的用于清洗有機(jī)材料的設(shè)備在執(zhí)行操作al和a2之后還執(zhí)行下面的操作b至操作e。將用于多次沉積的掩模輸送至鄰近沉積室且被維持在高真空狀態(tài)中的清洗室，用于在清洗室內(nèi)清洗掩模(操作b)。將冷卻裝置聯(lián)接至掩模的一個(gè)表面，具體地，聯(lián)接至掩模與面向注氣口的表面相反的表面(操作C)，并且將磁性構(gòu)件附接至冷卻裝置的一個(gè)表面(操作d)。然后，通過使用冷卻裝置直接冷卻掩模而執(zhí)行等離子體清洗(操作e)。
[0039]現(xiàn)在參考圖2至圖4更詳細(xì)地描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的用于清洗積聚在用于沉積有機(jī)材料和形成有機(jī)材料圖案的掩模中的有機(jī)材料的方法和設(shè)備。
[0040]圖2是示出了在沉積室110內(nèi)使用精細(xì)金屬掩模(FMM) 140將有機(jī)材料沉積在用于OLED面板的襯底160上的示意性側(cè)視圖。
[0041]FMM140具有與襯底160相同的尺寸(即，在平面視圖中具有相同的面積，未示出)以具有與待形成于襯底160上的有機(jī)薄膜圖案相同的圖案。FMM140與襯底160緊密接觸且與襯底160對(duì)齊。
[0042]FMM140可具有例如條狀形狀。FMM140面向襯底160的表面包括沿一個(gè)方向彼此基本平行的多個(gè)第一槽孔141。在FMM140與面向襯底160的表面相反的表面上，第一槽孔141之間的邊界142在刻蝕FMM140的圖案期間相對(duì)于基底143傾斜地形成。盡管FMM140具有條狀形狀，但本公開不限于此，并且具有各種形狀(例如，點(diǎn)形狀)的掩?？捎筛鶕?jù)示例性實(shí)施方式的用于清洗有機(jī)材料的方法和設(shè)備清洗。
[0043]沉積源120例如為包含待被沉積在襯底160上的有機(jī)材料的坩堝。沉積室110可被保持在高真空狀態(tài)以允許有機(jī)材料沿直線移動(dòng)。沉積室110內(nèi)的真空水平可被維持在小于或等于約10E-7托。
[0044]有機(jī)材料從沉積源120被蒸發(fā)，穿過形成于FMM140中的第一槽孔141，并且被沉積在襯底160上。蒸發(fā)的有機(jī)材料可相對(duì)于FMM140的表面以預(yù)定角度被沉積。在這種情況下，未穿過第一槽孔141的有機(jī)材料積聚在FMM140的基底143和FMM140的第一槽孔141的邊界142上。
[0045]圖3示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的用于清洗有機(jī)材料的設(shè)備200。
[0046]參考圖3，根據(jù)當(dāng)前的示例性實(shí)施方式的用于清洗有機(jī)材料的設(shè)備200包括清洗室210、等離子體生成單元220、氣管230、注氣口 240、冷卻裝置250和磁性構(gòu)件260。在這種情況下，其上積聚有有機(jī)材料145的掩模140也可被設(shè)置在清洗室210內(nèi)。
[0047]設(shè)備200使用冷卻裝置250和磁性構(gòu)件260，冷卻裝置250和磁性構(gòu)件260聯(lián)接至待被清洗的掩模140的一側(cè)以直接冷卻掩模140，由此防止因等離子體加熱引起的掩模140的變形。設(shè)備200被配置為防止待被移除的有機(jī)材料因等離子體加熱引起的硬化，或者防止待被移除的有機(jī)材料因有機(jī)材料與掩模之間的熱膨脹差異而脫離掩模140并導(dǎo)致第二次污染。這種配置可允許穩(wěn)定的等離子體清洗。
[0048]更具體地，普通的等離子體干法清洗工序使用間接冷卻(例如，氦(He)冷卻)以在掩模被裝載到清洗室內(nèi)之后冷卻掩模。在使用直接冷卻取代間接冷卻的工序中，必須翻轉(zhuǎn)掩模，這需要使用單獨(dú)的裝置并且可能增加了設(shè)備成本。然而，間接冷卻因減少的導(dǎo)熱系數(shù)而在冷卻控制方面具有局限性。因此，間接冷卻的缺陷為，待移除的有機(jī)材料可能因等離子體加熱而燃燒，或者有機(jī)層可能因有機(jī)層與由金屬制成的掩模之間的熱膨脹系數(shù)差異而被剝落由此導(dǎo)致清洗室內(nèi)的第二次污染。
[0049]為了克服這些問題，根據(jù)當(dāng)前的示例性實(shí)施方式的設(shè)備200采用聯(lián)接至待清洗的掩模140 —側(cè)的冷卻裝置250和磁性構(gòu)件260以抑制掩模140的表面溫度上升。在等離子體干法清洗期間，這種配置可防止有機(jī)材料從掩模140掉落，還使掩模140因加熱引起的變形最小化。而且，設(shè)備200可在不使用單獨(dú)的翻轉(zhuǎn)裝置的前提下執(zhí)行等離子體干法清洗用于直接冷卻，由此實(shí)現(xiàn)低設(shè)備成本。
[0050]更具體地，等離子體生成單元220包括清洗氣體供應(yīng)源221和等離子體生成器222。由清洗氣體供應(yīng)源221供應(yīng)的清洗氣體通過等離子體生成器222轉(zhuǎn)變成等離子體并且通過氣管230供應(yīng)給清洗室210。清洗氣體可以是例如四氟化碳(CF4)和氧氣(O2)的混合物?？蛇x地，例如氮?dú)?N2)的載體氣體可被添加到混合物中。在這種情況下，由等離子體生成單元220生成的等離子體可以是等離子體激發(fā)的氣體并且可包含具有電荷的離子和不具有電荷的自由基。
[0051]氣管230將由等離子體生成單元220生成的等離子體傳送至清洗室210內(nèi)的注氣口 240。注氣口 240可具有淋浴頭(例如包括幾個(gè)小噴嘴)形狀，并且在清洗室210內(nèi)被設(shè)置在掩模140下方以從清洗室210的下部朝向掩模140注入等離子體。注氣口 260分散等離子體的流動(dòng)或者改變等離子體的流動(dòng)方向使得等離子體朝向掩模140被引導(dǎo)。
[0052]冷卻裝置250和磁性構(gòu)件260可被設(shè)置在掩模的與積聚有有機(jī)材料的表面相反的一個(gè)表面上。掩模140的積聚有有機(jī)材料145的表面面向注氣口 240。冷卻裝置250可被設(shè)置在掩模140的整個(gè)表面上且與其緊密接觸。
[0053]不同類型的冷卻器(例如，制冷機(jī))可用作冷卻裝置250。制冷機(jī)指用于具有壓縮機(jī)(除了離心式壓縮機(jī)以外)的冰箱且以蒸氣壓縮式制冷周期使用的水冷機(jī)。制冷機(jī)典型地包括組合在單個(gè)單元中的壓縮機(jī)、冷凝器、蒸發(fā)器和水冷器。
[0054]冷卻裝置250可例如為熱電模塊(例如，Peltier裝置)并且連接至外部的電源供應(yīng)器(未示出)以冷卻掩模140。熱電模塊使用Peltier效應(yīng)，由此當(dāng)電流跨過兩個(gè)不同金屬的接合被供給時(shí)，熱量從一個(gè)接合發(fā)出并且熱量被另一接合吸收。一般地，熱電模塊由η型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體形成，η型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體被用作冷卻接合并且由銅(Cu)板接合。
[0055]可選地，冷卻裝置250可例如為預(yù)定液體冷卻劑循環(huán)的熱管、或者包括用于使熱量消散到外部空氣的多個(gè)散熱片的散熱器。用于冷卻掩模140的其它各種部件可用作冷卻裝置250，并且一般地，能夠?qū)⒀谀?40冷卻至足夠低的溫度以防止掩模熱膨脹且能夠向整個(gè)掩模提供冷卻的任何冷卻裝置可作用冷卻裝置250。這種溫度為約15°C至約25°C，因?yàn)槔鋮s裝置250內(nèi)包含冷卻管路。
[0056]磁性構(gòu)件260還可被設(shè)置在冷卻裝置250的一個(gè)表面上，具體地設(shè)置在冷卻裝置250的與粘附至掩模140相反的表面，以提高冷卻裝置250的冷卻性能。磁性構(gòu)件260沿一個(gè)方向產(chǎn)生磁力使得掩模140被拉向磁性構(gòu)件260自身。因此,磁性構(gòu)件260還可加強(qiáng)冷卻裝置250與掩模140之間的聯(lián)接，由此實(shí)現(xiàn)它們之間的更有效的熱交換(掩模冷卻)。磁性構(gòu)件260可具有例如方形形狀。
[0057]根據(jù)在本公開中使用的直接冷卻方法，當(dāng)有機(jī)材料積聚在薄金屬形成的掩模140上時(shí)，因等離子體引起的掩模140的熱膨脹可被最小化以抑制有機(jī)材料的脫離，并且可在不使用單獨(dú)的掩模翻轉(zhuǎn)裝置的情況下構(gòu)建直接冷卻系統(tǒng)。更具體地，因?yàn)檠谀?40中的掩模板(未示出)非常輕，所以當(dāng)掩模板的溫度因等離子體加熱而上升時(shí)掩模板可能在預(yù)定溫度下經(jīng)歷快速的熱變形。此外，因?yàn)楸〉难谀０灞扔袡C(jī)材料具有更大的熱變形程度，有機(jī)材料可在等離子體灰化發(fā)生之前從掩模140剝落。因此，為了防止有機(jī)材料的剝落，降低被傳遞至掩模140的熱量是絕對(duì)有必要的。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的，根據(jù)當(dāng)前的實(shí)施方式的用于清洗有機(jī)材料的設(shè)備200包括被設(shè)置在掩模140 —側(cè)的冷卻裝置250和磁性構(gòu)件260，并且通過使用直接冷卻方法冷卻掩模來(lái)執(zhí)行等離子體清洗。
[0058]圖4示出了因等離子體加熱引起的掩模隨時(shí)間的變化。圖4中的縱坐標(biāo)和橫坐標(biāo)分別表示掩模的溫度和時(shí)間。
[0059]參考圖4，與通過執(zhí)行間接冷卻(例如，He冷卻)清洗掩模相比，當(dāng)根據(jù)本公開的實(shí)施方式的用于清洗有機(jī)材料的設(shè)備使用直接冷卻來(lái)冷卻掩模時(shí)可顯著減少掩模溫度的增加。直接冷卻的使用有效地減少因等離子體加熱引起的掩模溫度的增加，由此顯著抑制有機(jī)材料從掩模剝落。
[0060]在圖4中，用于使用間接冷卻的條件1、條件2和條件3分別代表灰化速率(A/分鐘)為高(2.0μπι)、中(1.6μπι)和低(Ιμπι)的情況。類似地，根據(jù)實(shí)施方式的用于使用直接冷卻的工序的條件4、條件5和條件6分別代表灰化速率為高(2.0 μ m)、中(1.6ym)和低(Ιμπι)的情況。如從圖4的條件I至條件6的溫度曲線明顯看到的是，使用間接冷卻的工序在條件I至條件3之間呈現(xiàn)了大的溫度差，而直接冷卻在條件4至條件6之間僅呈現(xiàn)細(xì)微差異。而且，當(dāng)執(zhí)行使用間接冷卻的工序時(shí)，有機(jī)材料在條件I至條件3下從掩模被剝落。另一方面，當(dāng)執(zhí)行使用直接冷卻的工序時(shí)，在灰化速率低的條件5和條件6下沒有發(fā)生有機(jī)材料的剝落。僅在灰化速率高的條件4下，有機(jī)材料從掩模剝落，但是剝落程度比使用間接冷卻的工序的條件I至條件3小。
[0061]如上所述，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的用于清洗有機(jī)材料的方法和設(shè)備可顯著地減少灰化期間沉積的有機(jī)材料從掩模的剝落。此外，該方法和設(shè)備可在防止薄金屬板(例如，掩模)燃燒的同時(shí)使因等離子體加熱引起的薄金屬板的變形最小化。盡管普通的等離子體干法清洗器需要單獨(dú)的翻轉(zhuǎn)裝置用于翻轉(zhuǎn)掩模以移除沉積在掩模上的材料，但根據(jù)本公開的設(shè)備可在不使用翻轉(zhuǎn)裝置的情況下從掩模清洗有機(jī)材料，由此降低設(shè)備成本并減少尺寸。
[0062]盡管已經(jīng)參考示例性實(shí)施方式具體示出和描述了本公開，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可在本文內(nèi)進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的各種變化而不背離包括下面權(quán)利要求的本公開的精神和范圍。盡管在本文中未描述，還可想到所附權(quán)利要求的范圍及其等同的所有區(qū)別包括在本發(fā)明內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于清洗積聚在掩模上的有機(jī)材料的設(shè)備，其中所述掩模用于將有機(jī)材料圖案沉積在襯底上，所述設(shè)備包括: 等離子體生成單元，用于生成等離子體； 清洗室，連接至所述等離子體生成單元并且容納所述掩模； 注氣口，被設(shè)置在所述清洗室內(nèi)，被配置為朝向所述掩模注入由所述等離子體生成單元生成的等離子體；以及 冷卻裝置，被設(shè)置在所述掩模的第一表面上，所述掩模的第一表面與所述掩模面向所述注氣口的相對(duì)表面相反。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述冷卻裝置與所述掩模的第一表面緊密接觸且聯(lián)接至所述掩模的第一表面。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述冷卻裝置接觸所述掩模。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述冷卻裝置包括制冷機(jī)、熱電模塊、熱管和散熱器中的至少一個(gè)。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括磁性構(gòu)件，所述磁性構(gòu)件被設(shè)置在所述冷卻裝置的與所述冷卻裝置接觸所述掩模的表面相反的表面，所述磁性構(gòu)件將預(yù)定的磁力應(yīng)用至所述掩模。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中所述磁性構(gòu)件沿一個(gè)方向產(chǎn)生磁力，使得所述掩模被拉向所述磁性構(gòu)件。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述注氣口使所述等離子體的流動(dòng)分散或者改變所述等離子體的流動(dòng)方向。
8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述注氣口將所述等離子體從所述清洗室的下部朝向設(shè)置在所述清洗室上部的所述掩模注入所述等離子體。
9.一種用于清洗積聚在掩模上的有機(jī)材料的方法，其中所述掩模用于將有機(jī)材料圖案沉積在襯底上，所述方法包括: 將冷卻裝置聯(lián)接至所述掩模的第一表面； 通過使用所述冷卻裝置來(lái)冷卻所述掩模；以及 在冷卻室內(nèi)，提供等離子體，朝向聯(lián)接至所述冷卻裝置的所述掩模引導(dǎo)所述等離子體。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中在聯(lián)接所述冷卻裝置的過程中，所述冷卻裝置緊密接觸且聯(lián)接至所述掩模的第一表面，所述掩模的第一表面與所述掩模面向所述注氣口的第二表面相反。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中在冷卻所述掩模的過程中，所述冷卻裝置接觸所述掩模以直接冷卻所述掩模。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述冷卻裝置包括制冷機(jī)、熱電模塊、熱管和散熱器中的至少一個(gè)。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中將所述聯(lián)接裝置聯(lián)接至所述掩模的第一表面包括:將磁性構(gòu)件設(shè)置在所述冷卻裝置的與所述冷卻裝置接觸所述掩模的表面相反的表面上，其中所述磁性構(gòu)件用于將預(yù)定的磁力施加至所述掩模。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述磁性構(gòu)件沿一個(gè)方向產(chǎn)生磁力使得所述掩模被拉向所述磁性構(gòu)件。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中提供朝向聯(lián)接至所述冷卻裝置的所述掩模引導(dǎo)的等離子體包括從注氣口噴射等離子體，所述注氣口使所述等離子體的流動(dòng)分散或者改變所述等離子體的流動(dòng)方向。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，其中提供朝向聯(lián)接至所述冷卻裝置的所述掩模引導(dǎo)的等離子體包括從注氣口噴射等離子體，所述注氣口從所述清洗室的下部朝向設(shè)置在所述清洗室上部的所述掩模注入所述等離子體。
【文檔編號(hào)】B08B11/00GK104128342SQ201410162766
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月2日
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