一種大電流高壓硅堆清洗工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種大電流高壓硅堆清洗工藝，步驟為：利用機(jī)械臂將高壓硅堆放入HF溶液中浸泡，將經(jīng)過HF溶液浸泡后的高壓硅堆放入溢水中清洗；然后，利用機(jī)械臂將高壓硅堆放入KOH溶液中進(jìn)行清洗；將經(jīng)過KOH溶液浸泡后的高壓硅堆進(jìn)行噴淋處理，噴淋的時間t2=300s±5s；將經(jīng)過噴淋后的高壓硅堆放入溢水中清洗；再將高壓硅堆利用EDTA-2Na超聲清洗；將經(jīng)過EDTA-2Na超聲清洗后的高壓硅堆進(jìn)行溢水清洗；將高壓硅堆進(jìn)行丙酮脫水處理；最后，利用熱N2將高壓硅堆吹干。本發(fā)明的優(yōu)點在于：利用本工藝對焊接后的大電流高壓硅堆進(jìn)行清溝，可以很好的去除附著在高壓硅堆表面的焊油、水汽等雜質(zhì)，相應(yīng)的增加其耐久性及可靠性。
【專利說明】一種大電流高壓硅堆清洗工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種大電流高壓硅堆清洗工藝。

【背景技術(shù)】
[0002] 高壓硅堆由多只高壓整流二極管(硅粒）串聯(lián)組成，是高壓整流中將交流變成直流 必不可少的原件。由于高壓整流是以陰極射線掃描的方式呈現(xiàn)圖像的屏幕(包括老式電視 機(jī)，電腦屏幕）中必不可少的部分。有很多廠家生產(chǎn)高壓硅堆。電壓從1KV~1000KV;電流 從1mA?100A不等。
[0003] 目前，在行業(yè)生產(chǎn)中，對于電流在350mA以上的高壓硅堆稱為大電流高壓硅堆。對 于大電流商壓娃堆在生廣的過程中，會有一道焊接工序，而在焊接工序后，在大電流商壓娃 堆表面長會附著有焊油、灰塵、水汽等雜質(zhì)，如果直接將這樣的高壓硅堆作為成品使用，會 對其耐久性、可靠性等性能造成影響，因此研究出一種大電流高壓硅堆清洗工藝以去除其 表面的雜質(zhì)勢在必行。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠很好的將高壓硅堆表面的雜質(zhì)清洗的 大電流高壓硅堆清洗工藝。
[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種大電流高壓硅堆清洗工藝，其創(chuàng) 新點在于：所述步驟為： a) 首先，利用機(jī)械臂將高壓硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的時間t1=84S± Is ; b) 將經(jīng)過HF溶液浸泡后的高壓硅堆放入溢水中清洗； c) 然后，利用機(jī)械臂將高壓硅堆放入Κ0Η溶液中進(jìn)行清洗； d) 將經(jīng)過Κ0Η溶液浸泡后的高壓硅堆進(jìn)行噴淋處理，噴淋的時間t2=300s±5s ; e) 將經(jīng)過噴淋后的高壓硅堆放入溢水中清洗； f) 再將高壓硅堆利用EDTA-2Na超聲清洗，清洗的時間t3=84s±ls ; g) 將經(jīng)過EDTA-2Na超聲清洗后的高壓硅堆進(jìn)行溢水清洗； h) 將高壓硅堆進(jìn)行丙酮脫水處理； i )最后，利用熱N2將商壓娃堆吹干。
[0006] 進(jìn)一步的，所述步驟b中溢水清洗一共有兩道清洗工序，分別為一級溢水清洗及 二級溢水清洗，其中一級溢水清洗的時間t 4=300s ± 5s，二級溢水清洗的時間t5=300s ± 5s。
[0007] 進(jìn)一步的，所述步驟c中Κ0Η溶液清洗一共有兩道工序，分別為第一級Κ0Η 溶液清洗及第二級Κ0Η溶液清洗，其中第一級Κ0Η溶液清洗的時間t6=84s±ls，溫度 I\=84°C ±4°C，第二級Κ0Η溶液清洗的時間心=848±1心溫度T2=84°C ±4°C。
[0008] 進(jìn)一步的，所述步驟e中的溢水清洗一共有兩道清洗工序，分別為一級溢水 清洗及二級溢水清洗，其中一級溢水清洗的時間t 8=300s±5s，二級溢水清洗的時間 t9=300s±5s。
[0009] 進(jìn)一步的，所述步驟g中的溢水清洗一共有兩道清洗工序，分別為一級溢水 清洗及二級溢水清洗，其中一級溢水清洗的時間t 1Q=30〇S±5s，二級溢水清洗的時間 tn=300s±5s。
[0010] 進(jìn)一步的，所述一級溢水清洗與二級溢水清洗之間還增設(shè)有超聲清洗工序，超聲 清洗的時間t 12=300s±5s。
[0011] 進(jìn)一步的，所述步驟h中的丙酮脫水處理一共有兩道工序，分別為一級丙酮脫水 處理及二級丙酮脫水處理，其中一級丙酮脫水處理的時間t 13=300s±5s，二級丙酮脫水處理 的時間 t14=300s±5s。
[0012] 本發(fā)明的優(yōu)點在于：利用本工藝對焊接后的大電流高壓硅堆進(jìn)行清溝，可以很好 的去除附著在高壓硅堆表面的焊油、水汽等雜質(zhì)，相應(yīng)的增加其耐久性及可靠性。

【具體實施方式】
[0013] 本發(fā)明的大電流高壓硅堆清洗工藝包括以下幾個步驟： 第一步，首先，利用機(jī)械臂將高壓硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的時間ti=84S± Is。
[0014] 第二步，將經(jīng)過HF溶液浸泡后的高壓硅堆放入溢水中清洗。
[0015] 在本步驟中，溢水清洗一共有兩道清洗工序，分別為一級溢水清洗及二級溢水清 洗，其中一級溢水清洗的時間t 4=300s±5s，二級溢水清洗的時間t5=300s±5s。
[0016] 第三步，然后，利用機(jī)械臂將高壓硅堆放入Κ0Η溶液中進(jìn)行清洗。
[0017] 在本步驟中，Κ0Η溶液清洗一共有兩道工序，分別為第一級Κ0Η溶液清洗及第二級 Κ0Η溶液清洗，其中第一級Κ0Η溶液清洗的時間t6=84s ± 1 s，溫度I\=84°C ±4°C，第二級Κ0Η 溶液清洗的時間t7=84s±ls，溫度T2=84°C ±4°C。
[0018] 第四步，將經(jīng)過Κ0Η溶液浸泡后的高壓硅堆進(jìn)行噴淋處理，噴淋的時間 t2=300s±5s。
[0019] 第五步，將經(jīng)過噴淋后的高壓硅堆放入溢水中清洗。
[0020] 在本步驟中，溢水清洗一共有兩道清洗工序，分別為一級溢水清洗及二級溢水清 洗，其中一級溢水清洗的時間t 8=300s±5s，二級溢水清洗的時間t9=300s±5s。
[0021] 第六步，再將高壓硅堆利用EDTA_2Na超聲清洗，清洗的時間t3=84s±ls。
[0022] 第七步，將經(jīng)過EDTA_2Na超聲清洗后的高壓硅堆進(jìn)行溢水清洗。
[0023] 在本步驟中，溢水清洗一共有兩道清洗工序，分別為一級溢水清洗及二級溢水清 洗，其中一級溢水清洗的時間t 1(l=300s±5s，二級溢水清洗的時間tn=300s±5s。
[0024] 同時，在本步驟中的一級溢水清洗與二級溢水清洗之間還增設(shè)有超聲清洗工序， 超聲清洗的時間t 12=300s±5s。
[0025] 第八步，將高壓硅堆進(jìn)行丙酮脫水處理。
[0026] 在本步驟中，丙酮脫水處理一共有兩道工序，分別為一級丙酮脫水處理及二級 丙酮脫水處理，其中一級丙酮脫水處理的時間t 13=300s±5s，二級丙酮脫水處理的時間 t14=300s±5s。
[0027] 第九步，最后，利用熱N2將高壓硅堆吹干。
[0028] 表1為利用本發(fā)明的小電流高壓硅堆清洗工藝對高壓硅堆進(jìn)行清洗后進(jìn)行測試 的數(shù)據(jù)表。測試環(huán)境是在溫度在25±5°C，相對濕度< 60%條件下，放置2小時以上24小時 以內(nèi)后按電性測試條件進(jìn)行測試。

【權(quán)利要求】
1. 一種大電流高壓硅堆清洗工藝，其特征在于：所述步驟為： a) 首先，利用機(jī)械臂將高壓硅堆放入HF溶液中浸泡，浸泡的時間tfSkils ; b) 將經(jīng)過HF溶液浸泡后的高壓硅堆放入溢水中清洗； c) 然后，利用機(jī)械臂將高壓硅堆放入KOH溶液中進(jìn)行清洗； d) 將經(jīng)過KOH溶液浸泡后的高壓硅堆進(jìn)行噴淋處理，噴淋的時間t2=300s±5s ; e) 將經(jīng)過噴淋后的高壓硅堆放入溢水中清洗； f) 再將高壓硅堆利用EDTA-2Na超聲清洗，清洗的時間t3=84s±ls ; g) 將經(jīng)過EDTA-2Na超聲清洗后的高壓硅堆進(jìn)行溢水清洗； h) 將高壓硅堆進(jìn)行丙酮脫水處理； i )最后，利用熱N2將商壓娃堆吹干。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流高壓硅堆清洗工藝，其特征在于：所述步驟b中溢水 清洗一共有兩道清洗工序，分別為一級溢水清洗及二級溢水清洗，其中一級溢水清洗的時 間t 4=300s±5s，二級溢水清洗的時間t5=300s±5s。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流高壓硅堆清洗工藝，其特征在于：所述步驟c中KOH 溶液清洗一共有兩道工序，分別為第一級KOH溶液清洗及第二級KOH溶液清洗，其中第 一級K0H溶液清洗的時間t6=84s ± 1 s，溫度I\=84 °C ±4 °C，第二級K0H溶液清洗的時間 t7=84s±ls，溫度 T2=84°C ±4°C。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流高壓硅堆清洗工藝，其特征在于：所述步驟e中的溢 水清洗一共有兩道清洗工序，分別為一級溢水清洗及二級溢水清洗，其中一級溢水清洗的 時間t 8=300s±5s，二級溢水清洗的時間t9=300s±5s。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流高壓硅堆清洗工藝，其特征在于：所述步驟g中的溢 水清洗一共有兩道清洗工序，分別為一級溢水清洗及二級溢水清洗，其中一級溢水清洗的 時間t 1(l=300s±5s，二級溢水清洗的時間tn=300s±5s。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的大電流高壓硅堆清洗工藝，其特征在于：所述一級溢水清洗 與二級溢水清洗之間還增設(shè)有超聲清洗工序，超聲清洗的時間t 12=300s±5s。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大電流高壓硅堆清洗工藝，其特征在于：所述步驟h中的丙 酮脫水處理一共有兩道工序，分別為一級丙酮脫水處理及二級丙酮脫水處理，其中一級丙 酮脫水處理的時間t 13=300s±5s，二級丙酮脫水處理的時間t14=300s±5s。
【文檔編號】B08B3/12GK104269350SQ201410519539
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月30日
【發(fā)明者】黃麗鳳, 王志敏, 張龍 申請人:如皋市大昌電子有限公司