專利名稱：用雙金剛石涂層涂布微機(jī)械零件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯，的方法，以便降低表面粗糙度、增強(qiáng)摩擦性能和減少工作表面上的灰塵積聚。本發(fā)明還涉及相應(yīng)的微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯。本發(fā)明可用于微機(jī)械手表機(jī)芯，尤其是用于實(shí)現(xiàn)擒縱輪和擒縱叉以及其它摩擦相關(guān)零件。發(fā)明
背景技術(shù)：
對(duì)微機(jī)械零件的技術(shù)需求在不斷增長。除了最高的精確度，還需要提供在機(jī)械系統(tǒng)中的最高的能效、長壽命，且在盡可能的范圍內(nèi)完全放棄潤滑劑。在過去幾年中，發(fā)表了許多涉及該主題的文章。其中描述的方法完成了某些任務(wù)，但主要由于所用材料的限制，未能提出一個(gè)完備的解決方法。通過機(jī)械加工(模切或仿形切割)制備的微機(jī)械零件表現(xiàn)出兩個(gè)主要缺點(diǎn)。第一，它們或者價(jià)格昂貴，或者僅在大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)才在經(jīng)濟(jì)上有利可圖，原因在于需要昂貴的生產(chǎn)工具投資。第二，這些工藝受其技術(shù)所限，精度水平僅在正負(fù)5微米。因而在文獻(xiàn)中已經(jīng)討論了一些替代方法。其中一個(gè)最有前途的想法涉及在硅晶片上刻蝕微機(jī)械部件以實(shí)現(xiàn)最高的精度，甚至超過迄今為止機(jī)械加工技術(shù)的結(jié)果。公差能降低至亞微米范圍，但要以犧牲壽命為代價(jià):實(shí)際結(jié)果顯示，無潤滑劑時(shí)這些部件的機(jī)械強(qiáng)度以及磨料磨損不達(dá)標(biāo)。EP專利1904901提出了該問題的一種解決方案:用氧處理微機(jī)械部件的表面。部件的強(qiáng)度和壽命能夠提聞，然而未能獲得最終的解決方案。在機(jī)械系統(tǒng)中使用特殊的油可以提高能效，但要以犧牲對(duì)干運(yùn)行(dry running)系統(tǒng)的需求為代價(jià)。
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通過鋼制造的傳統(tǒng)機(jī)械加工部件能獲得最長的壽命，但這些系統(tǒng)在高精度上有其局限，必須加以進(jìn)一步潤滑。潤滑的系統(tǒng)的進(jìn)一步問題是需要頻繁的保養(yǎng)間隔(service interval),其中機(jī)芯必須加以清潔和重新潤滑。因此，運(yùn)行周期受到限制，而且會(huì)產(chǎn)生額外費(fèi)用。由于隨時(shí)間推移所使用的油因?yàn)槔匣陨砥焚|(zhì)下降，因此，這些保養(yǎng)間隔是必需的。為能在一個(gè)系統(tǒng)中滿足上述所有需求，人們已經(jīng)實(shí)踐了大量的方法。EP0732635B1描述了一種方法，其中由硅晶片刻蝕微機(jī)械零件，然后涂布金剛石膜。通過該方法獲得的金剛石膜的表面粗糙度高于400nm。因此，如果所述金剛石涂布零件用在滑動(dòng)接觸應(yīng)用中，則這些膜由此需要后續(xù)的拋光。EP1233314公開了一種手表的機(jī)械發(fā)條組件，其具有包括擒縱輪和錨的機(jī)械擒縱裝置，其中擒縱輪的功能元件在其操作表面上至少部分涂有DLC (類金剛石)涂層。DLC具有高sp2含量(從30%到100% )，而且為無定形碳，其硬度不足以用于有效的磨損保護(hù)應(yīng)用。EP1622826公開了一種微機(jī)械零件，其包含第一表面和第二表面，它們之間大致相互垂直，其中第一和/或第二表面至少部分包含金剛石。US5308661公開了一種碳涂層基體的前處理工藝，以在基體上提供了均勻的高密度成核位置，用于隨后的連續(xù)金剛石膜沉積，而不必在基體上施加偏壓。EP1182274A1公開了一種金剛石涂層的后處理方法，其中在機(jī)械加工工具表面沉積粗晶粒(微米范圍)的金剛石涂層，隨后進(jìn)行等離子工藝處理。后處理的目的在于將頂層sp3雜化金剛石涂層降級(jí)為sp2雜化型碳物種。期望通過填充表面粗晶粒之間的“表面凹谷”，來獲得更加平坦的表面。該方法的結(jié)果一種具有粗晶粒sp3金剛石的涂層，其上面為幾百納米厚的sp2雜化無定形碳頂層。頂層較軟且在高摩擦的應(yīng)用中會(huì)很快磨損。上述所有方法僅能解決提供特征在于摩擦系數(shù)小于0.05的微機(jī)械零件的部分問題，因此無法用于如在鐘表工業(yè)中所需的大規(guī)模生產(chǎn)。尤其采用鍍覆有金剛石的硅時(shí)，上述方法產(chǎn)生如下問題:由于金剛石的微晶結(jié)構(gòu)，涂布金剛石的微機(jī)械零件通常顯示高摩擦系數(shù)。該高摩擦系數(shù)嚴(yán)重限制了微機(jī)械系統(tǒng)的效率。眾所周知，粗糙度高于數(shù)百納米的表面不能獲得低摩擦系數(shù)。另外，在機(jī)械系統(tǒng)中使用粗糙金剛石膜需要非常平滑的匹配物。在這些情況下，粗糙金剛石膜將與相應(yīng)的匹配物摩擦，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生非?？斓哪チ夏p。理論上講，可以想象在特殊情況下，不同粗糙度的模型適應(yīng)特定的條件，因此產(chǎn)生低摩擦系數(shù)。然而，單晶粒上的壓力將過高，導(dǎo)致晶粒的破碎和/或互鎖。由此該機(jī)械系統(tǒng)將會(huì)很快喪失性能最終導(dǎo)致高摩擦系數(shù)，進(jìn)而系統(tǒng)阻塞。涂層破壞后，整個(gè)系統(tǒng)將會(huì)崩潰。在金剛石涂覆之后拋光打磨以獲得一個(gè)光滑的微機(jī)械零件表面的解決方案不可行，因?yàn)槌杀靖?、能效低和一個(gè)重要的技術(shù)原因:最重要的功能表面是微機(jī)械部分的側(cè)面，當(dāng)機(jī)械零件放置在晶片上時(shí)這些側(cè)面不能被機(jī)械打磨。由于微機(jī)械零件的眾多數(shù)量及小型化，在從晶片上移走機(jī)械部分后再進(jìn)行打磨也是不可能且不經(jīng)濟(jì)的。由于等離子拋光尤其在部件的側(cè)面一最重要的區(qū)域(見上文)的非均勻性，對(duì)含有微機(jī)械零件的金剛石涂層晶片進(jìn)行等離子蝕刻的解決方案同樣不可行。采用更小晶體尺寸(數(shù)百納米)的方案在更小尺寸上遭遇了相似問題。舉例來說，由于等離子刻蝕側(cè)面主要影響晶粒邊界和以各向異性刻蝕表面，所以這些工藝也是不可行的。另外，若干參數(shù)可能引起刻蝕處理的各向異性?？涛g效率極大的依賴于金剛石晶體的晶體取向。由于金剛石膜生長在非金剛石基體(大多數(shù)情況為硅)上，其呈現(xiàn)了復(fù)雜的晶體取向，使得刻蝕不均勻，其甚至?xí)黾咏饎偸砻娴拇植诙榷皇墙档退?br>
發(fā)明內(nèi)容
所以本發(fā)明的總體目標(biāo)在于提供一種允許為微機(jī)械系統(tǒng)提供微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯以提供最長的使用壽命的方法。本發(fā)明的另一目標(biāo)在于提供一種允許為微機(jī)械系統(tǒng)提供微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯以減少保養(yǎng)間隔的方法。本發(fā)明的另一目標(biāo)在于提供一種允許為微機(jī)械系統(tǒng)提供微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯以降低摩擦的方法。本發(fā)明 的又一目標(biāo)還在于為微機(jī)械系統(tǒng)提供微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯，以提高摩擦學(xué)性能。
本發(fā)明的另一目標(biāo)在于提供一種允許為微機(jī)械系統(tǒng)提供微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯以減少零件表面的灰塵積聚的方法。這些目標(biāo)通過如權(quán)利要求所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件、尤其是手表機(jī)芯的方法，以及微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件實(shí)現(xiàn)。由此提供了一種涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件、尤其是手表機(jī)芯的方法，包括:.提供待涂布的基體零件；.為所述零件提供第一金剛石涂層，其是摻雜的以提高金剛石層的電導(dǎo)率；.為所述零件提供第二金剛石涂層；其中:.所述第二金剛石涂層是通過在反應(yīng)室中沉積來提供的；.在所述第二涂層的沉積過程中，在該反應(yīng)室內(nèi)提供可控地增大的碳含量，從而使涂層的基本上(su bstantially)外面部分的sp2/sp3碳鍵增加至sp2含量為大致(substantially) I % -75%。該雙涂層能獲得兩種互補(bǔ)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。第一涂層由于金剛石的硬度而提供長期的穩(wěn)定性且還提供金剛石與硅基體之間的高附著性。第二涂層高度耐磨損并同時(shí)提供了低摩擦和充分高的電導(dǎo)率。高電導(dǎo)率減少了涂層表面的灰塵積聚。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，所述sp2含量為大致I %至45 %，最優(yōu)選為15 %至30 %。在另一實(shí)施方案中，第一金剛石涂層摻雜有硼、磷、硫或鋁。再在又一實(shí)施方案中，第一和第二金剛石涂層是在反應(yīng)室中通過CVD提供的。用于提供第二層的反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選小于用于提供第一層的反應(yīng)時(shí)間。第一層的厚度優(yōu)選在500納米至100微米之間，最優(yōu)選小于10微米。第二層的厚度優(yōu)選在I至100微米之間，最優(yōu)選小于10微米。在一個(gè)進(jìn)一步的實(shí)施方案中，微機(jī)械零件為擒縱輪,且在處理(process)過程中，擒縱輪安置在難熔絲上，以使擒縱輪的旋轉(zhuǎn)軸基本上水平。碳含量的增大可以通過以下手段實(shí)現(xiàn):通過增大含碳反應(yīng)氣體的比例，通過添加額外的含碳?xì)怏w，通過提高處理反應(yīng)室內(nèi)的溫度和/或壓力，通過向反應(yīng)室中添加氣態(tài)氮，通過用氬替換氫，或者通過添加至少一種稀有氣體。本發(fā)明進(jìn)一步提供了通過前述方法獲得的用于微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯。在一個(gè)有利的實(shí)施方案中，表面層具有逐漸增大的sp2雜化碳含量。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，所述零件為擒縱輪。在另一實(shí)施例中，所述零件為擒縱叉。此類用于微機(jī)械系統(tǒng)的機(jī)械零件允許機(jī)械系統(tǒng)在干(無潤滑)條件下運(yùn)行，體具有高摩擦學(xué)性能(低摩擦系數(shù)，減少的磨損等)，并且是長期穩(wěn)定性的和高能效的。附圖簡要說明通過參照附圖對(duì)示例性而非限制性實(shí)施方案的以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的前述以及其它目的、功能、方面和優(yōu)勢將變得顯而易見:-

圖1為基體和在根據(jù)本發(fā)明所述兩個(gè)方法步驟之后的兩個(gè)金剛石膜的示意圖。-圖2a和2b為根據(jù)本發(fā)明的方法沉積的不同晶粒尺寸的金剛石膜的表面結(jié)構(gòu)，在晶粒尺寸最小時(shí)，導(dǎo)致了低粗糙度和由此低摩擦系數(shù)。-圖3為局部的sp2分布函數(shù)的實(shí)例示意圖。
-圖4和5分別為由AT399726中公開的方法獲得的膜的X射線衍射和原子力顯微鏡測量圖。
-圖6是sp2/sp3含量的變化與所沉積的金剛石膜的厚度之間的函數(shù)關(guān)系圖。
發(fā)明詳述
一旦準(zhǔn)備好待涂覆的基體后，就可以開始進(jìn)行包括兩個(gè)主要步驟的涂覆過程。
在步驟一中，將摻雜有硼的納米晶金剛石層施加到基體上。施加時(shí)間長到足以生長數(shù)微米厚的金剛石層:即1-約100小時(shí)，最優(yōu)選地約10小時(shí)。
如果涂布擒縱輪和擒縱叉，則在施加階段，擒縱輪有利地提供在支撐線上，該支撐線尤其適合抵抗極高的溫度。這使得擒縱輪的旋轉(zhuǎn)軸處于基本水平位置。
本文中進(jìn)一步給出了施加第一層的更多細(xì)節(jié)。
涂覆工藝的步驟二包括施加納米晶金剛石涂層，同時(shí)為獲得最優(yōu)的性能，提供重要的碳和硼供給。在該步驟中，sp2碳量逐漸增大至大約25%。該比例基于在氣相中的估算。施加時(shí)間長到足以生長數(shù)微米厚的金剛石層:即1-約100小時(shí)，最優(yōu)選地約10小時(shí)。第二層的施加時(shí)間可小于第一層的施加時(shí)間。
圖1顯示了一個(gè)涂層基體4的實(shí)例，其具有第一金剛石涂層2和一個(gè)第二金剛石涂層3，它們構(gòu)成金剛石雙層保護(hù)層I。
根據(jù)關(guān)于擒縱輪和擒縱叉的一個(gè)實(shí)施例，提供了如下厚度:
-擒縱輪:頂部9.8 μ m，側(cè)壁10 μ m ;
-2 X 2cm2的硅方形擒縱叉:7.0 μ m ;
-6mm 直徑球:8.3 μ m。
所述納米晶金剛石膜通過CVD (化學(xué)氣相沉積)方法制備。在具體的CVD方法(在此通過引用并入AT399726B的公開內(nèi)容)中，含碳?xì)怏w物類(例如甲烷)被熱活化，并被以金剛石(sp3雜化碳)、石墨(sp2雜化碳)，以及碳水化合物或者其它碳物類(sp2和sp3雜化碳的混合物)的形式沉積在基體上。為獲得純的金剛石層，必須使用第二種氣體:氫氣。氫氣也被熱活化，導(dǎo)致產(chǎn)生單原子氫，作為一個(gè)重要的方法步驟，活化過程的效率極高(超過50 % )，優(yōu)選的超過75 %，而且在特殊情況下達(dá)到90 %或者更高。AT399726B描述了這種方法。
采用這種方法，可以在基體(例如硅)上沉積納米晶金剛石涂層I (圖2a和2b)，金剛石晶粒尺寸小于8納米,表面粗糙度小于10納米,如圖2b所示。
圖4和圖5示出了通過AT399726B公開的方法所獲得的膜的X射線衍射和原子力顯微鏡分析。
步驟二中，如圖3所示，在金剛石膜生長過程中調(diào)節(jié)所述方法以實(shí)現(xiàn)基體4表面附近的sp3雜化層基質(zhì)(matrix)中sp2雜化碳含量6的逐步增大。圖3右手邊顯示了UNCD(超納米晶金剛石)涂層3的晶粒邊界的sp2含量的變化。
如下方法已經(jīng)被證明能導(dǎo)致這種逐漸的sp2富集(但不限于這些方法)。
-在生長過程的最后，可控地增大甲烷或含碳?xì)怏w的濃度或者添加額外的含碳?xì)怏w:在CVD金剛石生長的最后階段，逐步可控地增加含碳反應(yīng)氣體(例如甲烷)，或者添加額外的含碳?xì)怏w(例如乙炔)分別改變金剛石結(jié) 構(gòu)內(nèi)的sp2/sp3比率或金剛石主體材料導(dǎo)致，例如在表面含量最高或其它局部分布函數(shù)。
-沉積參數(shù)變化:根據(jù)以上所引用的方法(AT399726B)完成納米晶金剛石的沉積，具有大于97% (檢測極限)的最高的sp3含量，該沉積在包括真空系統(tǒng)的壓力、絲(filaments)的溫度、基體溫度、含碳?xì)怏w的氣流量、氫氣的氣流量和絲到基體間的距離的最佳參數(shù)設(shè)置下進(jìn)行。由于提高或降低基體溫度和/或壓力，會(huì)進(jìn)一步對(duì)sp2/sp3比率產(chǎn)生影響。應(yīng)當(dāng)在生長過程的最后實(shí)現(xiàn)這種變化，以實(shí)現(xiàn)靠近表面的逐漸sp2富集。-添加氮:在金剛石生長過程中，向反應(yīng)室中引入一定量的氣態(tài)氮。二次成核過程(新金剛石晶粒的生長，而不是那些已經(jīng)形成的晶粒的長大)得到增強(qiáng)，其導(dǎo)致晶粒尺寸下降，降至只有幾個(gè)納米。更小的晶粒使得涂層具有更低的粗糙度，且進(jìn)一步提高了 sp2雜化碳的量。同樣增大了金剛石的sp2含量的另一方法是，在sp3金剛石基質(zhì)中加入sp2晶粒。-添加氬:在金剛石生長過程中，提高甲烷濃度至非常高的水平和/或用氬或其它元素(如氮)替代最高100%的氫，也能實(shí)現(xiàn)相同效果。-添加其它元素:可采用其它任意種類氣體，如稀有氣體，氖氣、氦氣、氪氣或氙氣，但不限于這些。所描述的由于靜電充電效應(yīng)引起的灰塵問題，可通過提高金剛石膜的電導(dǎo)率由此降低納米晶金剛石膜的電阻率至幾Ohm.cm來解決,優(yōu)選降低至l(T20hm.cm。采用如下方法和過程，可以實(shí)現(xiàn)金剛石涂層的充分高的電導(dǎo)率及其表面極性(親水/憎水)的改變:-硼摻雜(P-型):該過程最優(yōu)選在金剛石生長過程中使用固態(tài)、液態(tài)或氣態(tài)硼源來完成。金剛石中的一部分(高至0.1% )碳原子被硼原子取代，導(dǎo)致了空穴的產(chǎn)生(缺少電子)。硼的電離能為0.37eV，非常低。這使得能夠產(chǎn)生足夠量的自由載流子，甚至是在室溫下。自由載流子(在這里為空穴)的可用性提高了金剛石膜的電導(dǎo)率。由此大大減少或完全消除灰塵吸引。反應(yīng)室中的硼濃度越高，電導(dǎo)率越高，在IO16-1O21cnT3范圍內(nèi)。電阻率可降低至10 2Ohm.cm。 本發(fā)明可被用于微機(jī)械手表機(jī)芯，尤其是用于實(shí)現(xiàn)擒縱輪、擒縱叉和其它摩擦相關(guān)的系統(tǒng)。以上參照附圖所作的詳細(xì)描述用于說明而不用于限制本發(fā)明。還有許多替代方式，它們落入所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。例如，本發(fā)明還可用在其它宏觀或微觀機(jī)械系統(tǒng)(其中至少一個(gè)零件或部件可被涂布金剛石)中提高摩擦學(xué)性能。應(yīng)用的例子有微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)、電動(dòng)機(jī)(尤其是微電動(dòng)機(jī))、泵(尤其是微型泵)、真空系統(tǒng)、靜態(tài)和/或動(dòng)態(tài)系統(tǒng)(如發(fā)動(dòng)機(jī))，諸如此類，這些均不脫離本發(fā)明。術(shù)語“包括”不排除存在權(quán)利要求中所列的那些之外的其它要素或步驟。在要素或步驟之前的術(shù)語“一個(gè)”或“一種”不排除存在復(fù)數(shù)個(gè)這些要素或步驟。盡管各個(gè)從屬權(quán)利要求分別限定各自的附加技術(shù)特征，但不排除這些附加技術(shù)特征的組合，其與從屬權(quán)利要求的組合相對(duì)應(yīng)。
權(quán)利要求
1.涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，尤其是涂布手表機(jī)芯的方法，包括: 提供待涂布的基體(4)零件； 為所述零件提供第一金剛石涂層(2)，其是摻雜的以提高金剛石層的電導(dǎo)率； 為所述零件提供第二金剛石涂層(3);其中: 所述第二金剛石涂層(3)是通過在反應(yīng)室中沉積來提供的； 在所述第二涂層(3)的沉積過程中，在所述反應(yīng)室內(nèi)提供可控地增大的碳含量，從而使涂層的基本上外面部分的SP2/SP3碳鍵(6)增加到SP2含量為大致1% -75%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中，所述sp2含量為大致1% -45%，最優(yōu)選為15% -30%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中第一金剛石涂層摻雜有硼、磷、硫或鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中第一和第二金剛石涂層是在反應(yīng)室內(nèi)通過CVD提供的。
5.根據(jù)權(quán)利要求14任一項(xiàng)所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中第一層的厚度為500nm_100 μ m,最優(yōu) 選小于10微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)微機(jī)械零件的方法，其中第二層的厚度為1-100 μ m,最優(yōu)選小于10微米。
7.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中所述微機(jī)械零件為擒縱輪，且其中在處理過程中，擒縱輪安置在難熔絲上，以使擒縱輪的旋轉(zhuǎn)軸基本上水平。
8.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中所述碳含量的增大是通過增大含碳反應(yīng)氣體的含量實(shí)現(xiàn)的。
9.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中所述碳含量的增大是通過添加額外的含碳?xì)怏w實(shí)現(xiàn)的。
10.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中所述碳含量的增大是通過提高處理反應(yīng)室內(nèi)的溫度和/或壓力實(shí)現(xiàn)的。
11.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中所述碳含量的增大是通過向反應(yīng)室內(nèi)添加氣態(tài)氮實(shí)現(xiàn)的。
12.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中所述碳含量的增大是通過用氬替代氫實(shí)現(xiàn)的。
13.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的涂布微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件的方法，其中所述碳含量的增大是通過添加至少一種稀有氣體實(shí)現(xiàn)的。
14.用于微機(jī)械系統(tǒng)的微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯，其中所述零件是用根據(jù)權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的方法獲得的。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微機(jī)械零件，其中所述零件為擒縱輪或擒縱叉。
全文摘要
涂布微機(jī)械系統(tǒng)中的微機(jī)械零件，尤其是手表機(jī)芯的方法，包括提供待涂布的基體(4)零件；為所述零件提供摻雜有硼的第一金剛石涂層(2)；為所述零件提供第二金剛石涂層(3)；其中所述第二金剛石涂層(3)在反應(yīng)室中通過CVD提供；在CVD沉積過程中，在生長過程的最后階段，在反應(yīng)室內(nèi)可控地增大碳含量，由此使sp2/sp3碳鍵(6)的增大到sp2含量大體上為1％至45％。另外還提供了相應(yīng)的微機(jī)械零件。
文檔編號(hào)D04B15/14GK103249864SQ201180055106
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2011年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月16日
發(fā)明者S·布爾班, D·里夏爾, B·吉洛門, D·施泰因米勒, H·德雷克澤爾, S·格霍德巴內(nèi) 申請(qǐng)人:斯沃奇集團(tuán)研究及開發(fā)有限公司