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一種導電合成革結構的制作方法

文檔序號:11975692閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種導電合成革結構,其特征在于:從下到上,所述導電合成革結構依次包括基布層、濕法PU層、PU結著層、干法導電PU紋路層和處理層,所述基布層上設置有若干個透氣微孔,所述干法導電PU紋路層的厚度為0.001mm-0.15mm。

2.根據權利要求1所述的導電合成革結構,其特征在于:所述干法導電PU紋路層包括干法PU層和嵌入所述干法PU層內的石墨粉體顆粒、金屬粉體顆粒、季銨鹽化合物顆?;驅щ娎w維。

3.根據權利要求1所述的導電合成革結構,其特征在于:所述透氣微孔的孔徑為100nm-50μm。

4.根據權利要求1所述的導電合成革結構,其特征在于:所述基布層的厚度為0.05mm-0.5mm,所述濕法PU層的厚度為0.03mm-0.3mm,所述PU結著層的厚度為0.01mm-0.2mm,所述處理層的厚度為0.01mm-0.2mm。

5.根據權利要求4所述的導電合成革結構,其特征在于:所述基布層的厚度為0.1mm-0.3mm,所述濕法PU層的厚度為0.08mm-0.2mm,所述PU結著層的厚度為0.05mm-0.15mm,所述處理層的厚度為0.05mm-0.15mm,所述干法導電PU紋路層的厚度為0.01mm-0.1mm。

6.根據權利要求5所述的導電合成革結構,其特征在于:所述基布層的厚度為0.2mm,所述濕法PU層的厚度為0.1mm,所述PU結著層的厚度為0.1mm,所述處理層的厚度為0.1mm,所述干法導電PU紋路層的厚度為0.05mm。

7.根據權利要求2所述的導電合成革結構,其特征在于:所述石墨粉體顆粒的粒徑為50nm-10μm,所述金屬粉體顆粒的粒徑為50nm-20μm,所述季銨鹽化合物顆粒的粒徑為50nm-15μm,所述導電纖維的長度為100nm-5μm。

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