軟?？蒞是鋼漉與橡膠漉的組合設(shè) 備，可W是鋼棍與橡膠板的組合設(shè)備，可W是橡膠漉與加熱板的組合設(shè)備，也可W是加熱板 與橡膠板的組合設(shè)備；其中，所述熱壓模具中加熱的部分是鋼漉或加熱板，柔軟的部分是橡 膠漉或橡膠板。
[0079] 本發(fā)明優(yōu)選將具有復(fù)合智能材料的膜與所述烙噴紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電 紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜復(fù)合后進(jìn)行熱壓，得到納米纖維復(fù)合膜；其中，所述復(fù)合智能材料 是指含有溫敏性智能材料，如；溫度敏感的智能凝膠材料；具有形狀記憶的聚氨醋材料；能 對(duì)不同的溫度做出反應(yīng)的膜材料。在本發(fā)明中，所述具有復(fù)合智能材料的膜與所述烙噴紡 低烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜復(fù)合后進(jìn)行熱壓的溫度優(yōu)選為80°C~ 450°C，更優(yōu)選為85°C~445°C，最優(yōu)選為90°C~440°C，最最優(yōu)選為100°C~420°C;所述熱 壓的壓強(qiáng)優(yōu)選為0.IMPa~lOMPa，更優(yōu)選為0. 2MPa~9MPa，最優(yōu)選為0. 3MPa~8MPa;所 述熱壓的時(shí)間優(yōu)選為0. 0比~比，更優(yōu)選為0. 05h~0.化，最優(yōu)選為0.比~0.她。
[0080] 完成所述靜電紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜和烙噴紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜復(fù)合熱壓處 理后，本發(fā)明優(yōu)選將得到的納米纖維復(fù)合濕膜恒壓降溫冷卻至室溫后進(jìn)行第=干燥。本發(fā) 明可W在模具內(nèi)恒壓降溫或去掉模具恒壓降溫，本發(fā)明對(duì)所述恒壓降溫的方式?jīng)]有特殊的 限定。本發(fā)明對(duì)所述第=干燥的方法沒(méi)有特殊的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的干燥 技術(shù)方案即可。在本發(fā)明中，所述第=干燥優(yōu)選為真空干燥，所述第=干燥的溫度優(yōu)選為 50°C~200°C，更優(yōu)選為55°C~190°C，最優(yōu)選為60°C~180°C，最最優(yōu)選為65°C~150°C; 所述第立干燥的時(shí)間優(yōu)選為Ih~20h，更優(yōu)選為化~19h，最優(yōu)選為化~1她。
[0081] 本發(fā)明提供了一種納米纖維復(fù)合膜的制備方法，包括W下步驟：
[0082] 將高烙點(diǎn)聚合物烙融，得到高烙點(diǎn)聚合物的烙體；
[0083] 將低烙點(diǎn)聚合物溶于紡絲溶劑中，得到低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液；
[0084] 所述高烙點(diǎn)聚合物與低烙點(diǎn)聚合物的烙點(diǎn)差不低于10°C;
[0085] 將得到的高烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴紡絲，得到烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜；
[0086] 將得到的低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液進(jìn)行靜電紡絲，得到靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維 胺；
[0087] 將得到的烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜復(fù)合熱壓，得 到納米纖維復(fù)合膜。
[0088] 本發(fā)明將高烙點(diǎn)聚合物烙融，得到高烙點(diǎn)聚合物的烙體；將低烙點(diǎn)聚合物溶于紡 絲溶劑中，得到低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液；所述高烙點(diǎn)聚合物與低烙點(diǎn)聚合物的烙點(diǎn)差不低 于10°C。本發(fā)明對(duì)所述低烙點(diǎn)聚合物與紡絲溶劑的混合順序沒(méi)有特殊的限制，優(yōu)選將所述 低烙點(diǎn)聚合物加入到紡絲溶劑中。
[0089] 在技術(shù)方案中，所述高烙點(diǎn)聚合物的種類(lèi)與上述技術(shù)方案所述高烙點(diǎn)聚合物的種 類(lèi)范圍相同，在此對(duì)高烙點(diǎn)聚合物的種類(lèi)不再寶述。在本發(fā)明中，所述高烙點(diǎn)聚合物的烙 體的烙融指數(shù)（MeltFlowRates縮寫(xiě)為MFR)依照ASTMD1238測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)得的低烙點(diǎn)聚 合物的MFR值優(yōu)選為Ig/min~200g/min，更優(yōu)選為50g/min~150g/min，最優(yōu)選為80g/ min~120g/min。
[0090] 在技術(shù)方案中，所述低烙點(diǎn)聚合物的種類(lèi)與上述技術(shù)方案所述低烙點(diǎn)聚合物的種 類(lèi)范圍相同，在此對(duì)低烙點(diǎn)聚合物的種類(lèi)不再寶述。在本發(fā)明中，所述低烙點(diǎn)聚合物紡絲液 的粘度優(yōu)選為0.IPa?S~22化?S，更優(yōu)選為0. 5化?S~18化?S，最優(yōu)選為1.OPa?S~ 12Pa?S。
[0091] 在技術(shù)方案中，所述低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液中的紡絲溶劑的種類(lèi)范圍與上述技術(shù) 方案所述紡絲溶劑的種類(lèi)范圍一致，在此對(duì)低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液中的紡絲溶劑的種類(lèi)不 再寶述。在本發(fā)明中，所述低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液中低烙點(diǎn)聚合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)優(yōu)選為3%~ 50%，更優(yōu)選為5%~35%，最優(yōu)選為10%~20%。
[0092]本發(fā)明將高烙點(diǎn)聚合物烙融，得到高烙點(diǎn)聚合物的烙體。在本發(fā)明中，所述高烙點(diǎn) 聚合物的烙體中優(yōu)選還包括無(wú)機(jī)納米粒子。在技術(shù)方案中，所述高烙點(diǎn)聚合物烙體中的無(wú) 機(jī)納米粒子與上述技術(shù)方案所述無(wú)機(jī)納米粒子的種類(lèi)范圍一致，在此對(duì)高烙點(diǎn)聚合物烙體 中的無(wú)機(jī)納米粒子的種類(lèi)不再寶述；所述無(wú)機(jī)納米粒子在高烙點(diǎn)聚合物烙體中的質(zhì)量分?jǐn)?shù) 優(yōu)選為0. 01%~30%，更優(yōu)選為0. 05%~25%，最優(yōu)選為1%~20〇/〇。
[0093] 本發(fā)明將低烙點(diǎn)聚合物溶于紡絲溶劑中，得到低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液。在本發(fā)明 中，所述低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液中優(yōu)選還包括無(wú)機(jī)納米粒子。在技術(shù)方案中，所述低烙點(diǎn)聚 合物的紡絲液中的無(wú)機(jī)納米粒子與上述技術(shù)方案所述無(wú)機(jī)納米粒子的種類(lèi)范圍一致，在此 對(duì)低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液中的無(wú)機(jī)納米粒子的種類(lèi)不再寶述；所述無(wú)機(jī)納米粒子在低烙點(diǎn) 聚合物的紡絲液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)優(yōu)選為0. 01%~30%，更優(yōu)選為0. 05%~25%，最優(yōu)選為1%~ 20〇/〇。
[0094] 得到高烙點(diǎn)聚合物的烙體后，本發(fā)明將所述高烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴紡絲， 得到烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜。本發(fā)明在高烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴紡絲前，優(yōu)選測(cè) 定得到的高烙點(diǎn)聚合物烙體的烙融指數(shù)，驗(yàn)證是否滿(mǎn)足上述高烙點(diǎn)聚合物的烙體的烙融指 數(shù)要求。
[0095] 在本發(fā)明中，所述高烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴紡絲采用的烙噴紡絲的裝置與上 述技術(shù)方案中所述低烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴紡絲時(shí)采用的烙噴紡絲的裝置一致，在此 不再寶述。在本發(fā)明中，所述高烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴紡絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)與上述 技術(shù)方案所述低烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴紡絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)可W-致，所述高烙點(diǎn) 聚合物的烙體進(jìn)行烙噴紡絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)也可W與低烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴時(shí) 要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)不一致，本發(fā)明對(duì)此沒(méi)有特殊的限制。在本發(fā)明中，所述高烙點(diǎn)聚合物的烙 體進(jìn)行烙噴時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)范圍與上述技術(shù)方案所述低烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴時(shí) 要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)范圍一致，在此對(duì)所述高烙點(diǎn)聚合物的烙體進(jìn)行烙噴紡絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參 數(shù)范圍不再寶述。
[0096] 得到低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液后，本發(fā)明將所述低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液進(jìn)行靜電紡 絲，得到靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜。本發(fā)明在進(jìn)行靜電紡絲前，優(yōu)選測(cè)定得到的低烙點(diǎn)聚 合物的紡絲液的粘度，驗(yàn)證是否滿(mǎn)足上述低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液的粘度要求。
[0097] 在本發(fā)明中，所述低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液進(jìn)行靜電紡絲時(shí)采用的靜電紡絲的裝置 與上述技術(shù)方案所述高烙點(diǎn)聚合物的紡絲液進(jìn)行靜電紡絲時(shí)采用的靜電紡絲的裝置一致； 在本發(fā)明中，所述低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液進(jìn)行靜電紡絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)與上述技術(shù)方案 所述高烙點(diǎn)聚合物的紡絲液進(jìn)行靜電紡絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)可W-致，所述低烙點(diǎn)聚合物 的紡絲液進(jìn)行靜電紡絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)也可W與高烙點(diǎn)聚合物的紡絲液進(jìn)行靜電紡絲 時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)不一致，本發(fā)明對(duì)此沒(méi)有特殊的限制。在本發(fā)明中，所述低烙點(diǎn)聚合物的 紡絲液進(jìn)行靜電紡絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)范圍與上述技術(shù)方案所述高烙點(diǎn)聚合物的紡絲液 進(jìn)行靜電紡絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)范圍一致，在此對(duì)所述低烙點(diǎn)聚合物的紡絲液進(jìn)行靜電紡 絲時(shí)要求的實(shí)驗(yàn)參數(shù)范圍不再寶述。
[0098] 在本發(fā)明中，所述烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜可W是一層，也可W是多層，本發(fā)明 對(duì)此沒(méi)有特殊限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜應(yīng)用的技術(shù)領(lǐng)域不 同，選擇合適的烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜的層數(shù)。本發(fā)明提供的烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖 維膜的厚度優(yōu)選為2. 0ym~3. 0mm，更優(yōu)選為3. 0ym~2. 5mm，最優(yōu)選為5. 0ym~2. 0mm; 烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜的孔隙直徑優(yōu)選為Inm~5. 0ym，更優(yōu)選為5nm~4. 5ym，最 優(yōu)選為lOnm~4. 0ym，最最優(yōu)選為20nm~3. 0ym;烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜中的纖維 直徑優(yōu)選為5皿~5ym，更優(yōu)選為10皿~4000皿，最優(yōu)選為30皿~3000皿，最最優(yōu)選為 lOOnm~lOOOnm。
[0099] 在本發(fā)明中，所述靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜可W為一層，也可W為多層，本發(fā)明 對(duì)此沒(méi)有特殊的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜應(yīng)用的技術(shù)領(lǐng)域 不同，選擇合適的靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜的層數(shù)。本發(fā)明提供的靜電紡低烙點(diǎn)聚合 物纖維膜的厚度優(yōu)選為2. 0ym~3. 0mm，更優(yōu)選為3. 0ym~2. 5mm，最優(yōu)選為5. 0ym~ 2. 0mm;所述靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜的孔隙直徑優(yōu)選為Inm~5. 0ym，更優(yōu)選為5nm~ 4. 5ym，最優(yōu)選為10皿~4. 0ym，最最優(yōu)選為20皿~3. 0ym;所述靜電紡低烙點(diǎn)聚合物 纖維膜中納米纖維的直徑優(yōu)選為5皿~5ym，更優(yōu)選為10皿~4000皿，最優(yōu)選為30皿~ 3000nm，最最優(yōu)選為lOOnm~lOOOnm。
[0100] 得到烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜后，本發(fā)明將所述 烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜復(fù)合進(jìn)行熱壓，得到納米纖維復(fù) 合膜。本發(fā)明優(yōu)選W不小于低烙點(diǎn)聚合物烙點(diǎn)、小于高烙點(diǎn)聚合物烙點(diǎn)的溫度對(duì)烙噴紡高 烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜進(jìn)行熱壓，靜電紡低烙點(diǎn)聚合物微融化之 后與烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜粘合，W增加納米纖維復(fù)合膜的強(qiáng)度、初性，冷卻后得到性 能優(yōu)異的納米纖維復(fù)合膜。
[0101] 本發(fā)明優(yōu)選將烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜置于熱 壓模具與柔軟模之間，進(jìn)行熱壓，得到納米纖維復(fù)合膜。在本發(fā)明中，所述烙噴紡高烙點(diǎn)聚 合物纖維膜和靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜復(fù)合熱壓的溫度優(yōu)選為80°c~450°C，更優(yōu)選為 85°C~445°C，最優(yōu)選為90°C~440°C，最最優(yōu)選為100°C~420°C;所述熱壓的壓強(qiáng)優(yōu)選為 0.IMPa~lOMPa，更優(yōu)選為0. 2MPa~9MPa，最優(yōu)選為0. 3MPa~8MPa;所述熱壓的時(shí)間優(yōu)選 為0.Olh~比，更優(yōu)選為0. 0化~0. 9h，最優(yōu)選為0.比~0.她。
[0102] 本發(fā)明對(duì)所述熱壓模具的種類(lèi)沒(méi)有特殊的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的熱壓 模具即可，如可W為平板或熱漉；在本發(fā)明中，所述熱壓模具可W是加熱的鋼漉與橡膠漉的 組合設(shè)備，可W是鋼棍與橡膠板的組合設(shè)備，可W是橡膠漉與加熱板的組合設(shè)備，也可W是 加熱板與橡膠板的組合設(shè)備；其中，所述熱壓模具中加熱的部分是鋼漉或加熱板，柔軟的部 分是橡膠漉或橡膠板。
[0103]本發(fā)明優(yōu)選將具有復(fù)合智能材料的膜與所述烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電 紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜復(fù)合后進(jìn)行熱壓，得到納米纖維復(fù)合膜；其中，所述復(fù)合智能材料 是指含有溫敏性智能材料，如；溫度敏感的智能凝膠材料；具有形狀記憶的聚氨醋材料；能 對(duì)不同的溫度做出反應(yīng)的膜材料。在本發(fā)明中，所述具有復(fù)合智能材料的膜與所述烙噴紡 高烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜復(fù)合后進(jìn)行熱壓的溫度優(yōu)選為80°c~ 450°C，更優(yōu)選為85°C~445°C，最優(yōu)選為90°C~440°C，最最優(yōu)選為100°C~420°C;所述熱 壓的壓強(qiáng)優(yōu)選為0.IMPa~lOMPa，更優(yōu)選為0. 2MPa~9MPa，最優(yōu)選為0. 3MPa~8MPa;所 述熱壓的時(shí)間優(yōu)選為0. 0比~比，更優(yōu)選為0. 05h~0.化，最優(yōu)選為0.比~0.她。
[0104] 完成所述烙噴紡高烙點(diǎn)聚合物纖維膜和靜電紡低烙點(diǎn)聚合物纖維膜復(fù)合熱壓處 理后，本發(fā)明優(yōu)選將得到的納米纖維復(fù)合濕膜恒壓降溫冷卻至室溫后進(jìn)行第四干燥，得到 納米纖維復(fù)合膜。本發(fā)明可W在模具內(nèi)恒壓降溫或去掉模具恒壓降溫，本發(fā)明對(duì)所述恒壓 降溫的方式?jīng)]有特殊的限定。本發(fā)明對(duì)所述第四干燥的方法沒(méi)有特殊的限制，采用本領(lǐng)域 技術(shù)人員熟知的干燥的技術(shù)方案即可。在本發(fā)明中，所述第四干燥優(yōu)選為真空干燥，所述第 四干燥的溫度優(yōu)選為50°C~200°C，更優(yōu)選為55°C~190°C，最優(yōu)選為60°C~180°C，最最 優(yōu)選為65°C~150°C;所述第四干燥的時(shí)間優(yōu)選為比~20h，更優(yōu)選為化~1化，最優(yōu)選為 3h~18h〇
[0105] 本發(fā)明對(duì)得到的納米纖維復(fù)合膜進(jìn)行力學(xué)性能測(cè)試，具體過(guò)程如下：
[0106]