專利名稱：濕法脫模去除犧牲抗反射材料的組合物和方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種用于硅酸鹽脫模的濕法脫模組合物和方法，例如，從上面沉積有犧牲抗反射硅酸鹽材料的基片或制品上濕法脫模去除這些犧牲抗反射硅酸鹽材料，尤其是在這些犧牲抗反射硅酸鹽材料和希望不受濕法脫模組合物影響的永久性硅酸鹽材料一起出現(xiàn)的地方去除這些犧牲抗反射硅酸鹽材料。
相關(guān)技術(shù)描述在制作集成電路的過程中，硅酸鹽材料可以用作犧牲層，因?yàn)闋奚鼘涌梢栽谠O(shè)備完成之前去除。美國(guó)專利6,365,529(轉(zhuǎn)讓給Intel)“Method for Patterning Dual Damascene Interconnects Using a LightAbsorbing Material”描述了在光刻構(gòu)圖的過程中使用染色的旋涂式玻璃(SOG)材料作為最小化反射率變化的犧牲抗反射涂層，以制作雙波形花紋結(jié)構(gòu)的方法。最后需要選擇性地去除犧牲材料，這典型地通過使用濕浸蝕劑的濕法浸蝕來實(shí)現(xiàn)，與可能出現(xiàn)在該結(jié)構(gòu)中的其它材料相比，所述材料包括層間電介質(zhì)(ILD)、金屬和阻擋層，濕浸蝕劑對(duì)該犧牲層表現(xiàn)出較高選擇性。
可以充分確定的是氟化氫(HF)溶液可以用來浸蝕氧化硅材料。但是，HF溶液浸蝕氧化硅很迅速并且沒有選擇性，因此可能導(dǎo)致設(shè)備中其它含硅材料的損壞或損失，尤其是通常用作ILD的硅酸鹽材料的損壞或損失。例如，這些ILD材料包括二氧化硅、氟化的硅酸鹽玻璃(FSG)、和有機(jī)硅酸鹽玻璃(OSG)，上述例子包括多孔和無孔材料。
為了更小心地控制氟化物溶液對(duì)氧化硅的浸蝕速度和選擇性，HF酸性溶液可以用胺或其它堿如氨或烷基胺緩沖，因?yàn)榫彌_作用降低了活性HF的濃度。
另外，氟化物溶液對(duì)硅酸鹽玻璃的浸蝕速度和/或選擇性可以通過添加特定的螯合劑到溶液中控制。螯合劑與氟化硅酸鹽反應(yīng)物相互作用，這樣能夠促進(jìn)或延遲浸蝕速度。螯合劑通過對(duì)于螯合劑和基片都是特異的特定交互作用與不同的基片相互作用。這種特異性允許改變?nèi)芤簩?duì)不同基片的浸蝕速度選擇性。
因此，在本領(lǐng)域中的實(shí)質(zhì)進(jìn)步是提供一種具有高浸蝕速度選擇性的濕清潔劑，即在犧牲硅酸鹽材料和永久硅酸鹽材料都存在于原始材料中的應(yīng)用中，該濕清潔劑在犧牲硅酸鹽材料上的高浸蝕速度和在永久硅酸鹽ILD材料上的低浸蝕速度。
另外，需要提供如下類型的濕清潔劑，其利用安全、不燃的溶劑體系如表現(xiàn)低毒性和低可燃性特征的半水的溶劑體系。
如下文中更充分描述的，通過本發(fā)明的組合物和方法能完成這些和其它目的。
關(guān)于本發(fā)明，如下文中更充分描述的，形成本發(fā)明背景的技術(shù)狀態(tài)包括以下美國(guó)專利，由此它們的公開內(nèi)容以其各自的全文引入本文。
美國(guó)專利5,698,503和5,571,447(Ashland)描述了在具有pH為4至7的酸性緩沖體系中包含二醇類溶劑、氟化銨、二甲亞砜和水的清潔組合物。
美國(guó)專利5,630,904、5,962,385和6,265,309(Mitsubishi Gas)描述了用于半導(dǎo)體基片的殘?jiān)鍧嵟浞剑渲性撉鍧嵟浞桨?、溶劑和緩沖體系。
美國(guó)專利5,905,063和5,792,274(Tokyo Ohka Kogyo)描述了用于半導(dǎo)體基片的殘?jiān)鍧嵟浞?，其中清潔配方包含帶無金屬堿的氫氟酸鹽、溶劑和具有pH為5至8的緩沖體系。
美國(guó)專利6,235,693和6,248,704(EKC Technology)描述了包含氟化物、水和溶劑的清潔配方，用于從半導(dǎo)體基片上清潔殘?jiān)?，其中該清潔配方的pH為6至10。
美國(guó)專利6,365,765和6,268,457(Honeywell)描述了通過使烷氧基硅烷與有機(jī)染料反應(yīng)來制備染色的旋涂式玻璃(SOG)聚合物的方法，這里的旋涂式玻璃用作犧牲抗反射涂層(SARC)。
美國(guó)專利6,365,529(Intel)描述了使用染色的旋涂式玻璃(SOG)材料作為SARC材料制作雙波形花紋結(jié)構(gòu)的方法。
美國(guó)專利6,306,807(ATMI)公開了從半導(dǎo)體基片上清潔等離子浸蝕后殘?jiān)呐浞?，該配方包含硼酸、胺、水和任選的二醇類溶劑或螯合劑。
美國(guó)專利6,224,785(ATMI)公開了包含氟化銨、胺、水和螯合劑的配方，該配方用于從半導(dǎo)體基片上清潔等離子浸蝕后殘?jiān)?br> 美國(guó)專利6,383,410(ATMI)公開了利用包含氟化鹽、螯合劑和二醇類溶劑的組合物來選擇性浸蝕氧化硅的配方。
美國(guó)專利4,343,677(Kinsbron等人)公開了利用在水/乙二醇中摩爾比為約10∶1的氟化銨/氫氟酸來浸蝕二氧化硅的配方。
但是，上面的專利中沒有一個(gè)公開或提出濕法脫模以選擇性去除包括染色的硅酸鹽玻璃材料的犧牲抗反射涂層(SARC)的濕清潔劑或方法。因此，本發(fā)明在本領(lǐng)域達(dá)到了實(shí)質(zhì)性進(jìn)步，這將在后續(xù)描述中得到更充分的理解。
發(fā)明概述一般地，本發(fā)明涉及一種用于濕法脫模去除硅酸材料的組合物和方法，如從包含這些犧牲抗反射硅酸鹽材料、或其上面沉積有這些犧牲抗反射硅酸鹽材料的材料、基片、表面或制品上去除犧牲抗反射硅酸鹽材料，尤其是在犧牲抗反射材料和希望不受濕法脫模操作影響的永久硅酸鹽材料一起存在的地方。
在一個(gè)方面，本發(fā)明涉及一種濕法脫模組合物，包括含氮的氫氟化物；去離子水；有機(jī)溶劑；和任選的螯合劑和/或胺/羧酸緩沖劑。
含氮的氫氟化物可以為任何合適的類型，包括如氟化銨和其它胺氫氟酸鹽的化合物。
本發(fā)明的另一個(gè)方面涉及一種濕法脫模組合物，包括0.1-40.0wt％的氟化銨(NH4F)或其它胺氫氟化物，20-75wt％的去離子水(DIw)，25-79wt％的有機(jī)溶劑，0-10wt％的螯合劑，0-20wt％的胺/羧酸緩沖劑；其中重量百分?jǐn)?shù)是基于組合物的總重量，總重量百分?jǐn)?shù)不超過100wt％。
在還一個(gè)方面，本發(fā)明涉及一種選自配方A-K的濕法脫模組合物配方A0.5％IDA1.0％NH4F98.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方B1.5％IDA1.0％NH4F97.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方C0.5％IDA4.0％NH4F95.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方D1.5％IDA4.0％NH4F94.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方E0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％二甘醇配方F0.5％IDA
1.0％NH4F25％水73.5％丙二醇甲基醚配方G0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％二甘醇甲基醚配方H0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％三甘醇甲基醚配方I0.5％氟化銨2.25％NH4F25％甲基二乙醇胺2.75％丙二酸25％水69.5％二甘醇配方J10％N，N-二甲基二甘醇胺氫氟酸鹽25％水65％二甘醇配方K
40％N，N-二甲基二甘醇胺氫氟酸鹽25％水35％二甘醇其中，上述配方中組分的百分?jǐn)?shù)按重量計(jì)算，基于配方的總重量。
本發(fā)明的又一個(gè)方面涉及一種包括半水溶劑、氟化銨和賦予組合物在SARC和ILD材料之間浸蝕速度選擇性的氨基酸的濕法脫模組合物。
在另一個(gè)方面，本發(fā)明涉及一種從包含犧牲硅酸鹽材料的位置浸蝕性地去除犧牲硅酸鹽材料的方法，其中犧牲硅酸鹽材料暴露于浸蝕劑組合物中足夠長(zhǎng)的時(shí)間，以從該位置至少部分地浸蝕性地去除犧牲硅酸鹽，該浸蝕劑組合物包括含氮的氫氟化物；去離子水；有機(jī)溶劑；和任選的螯合劑和/或胺/羧酸緩沖劑。
將從后繼的公開內(nèi)容和附加的權(quán)利要求中，本發(fā)明的其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)更充分地顯而易見。
發(fā)明詳述及其優(yōu)選實(shí)施方案在一個(gè)例證性實(shí)施方案中，本發(fā)明提供了一種包括如下組分的濕法脫模組合物0.1-40.0wt％的氟化銨(NH4F)或其它氫氟胺鹽，20-75wt％的去離子水(DIW)，25-79wt％的有機(jī)溶劑，0-10wt％的螯合劑，
0-20wt％的胺/羧酸緩沖劑；其中組分的百分?jǐn)?shù)為按重量計(jì)的百分?jǐn)?shù)，基于組合物的總重量，且其中組合物的這些組分的總重量百分?jǐn)?shù)不超過100wt％。
上面指定的脫模組合物可以任選地包括附加組分，包括活性和非活性成分，例如穩(wěn)定劑、分散劑、抗氧化劑、填料、滲透劑、輔助劑、添加劑、填料、賦形劑等。
在一個(gè)優(yōu)選的方面，脫模組合物基本上由上面按重量百分?jǐn)?shù)列舉的指定組分組成，其中指定組分以在各自指定的重量百分?jǐn)?shù)范圍內(nèi)的濃度存在于組合物中。
最優(yōu)選地，脫模組合物只包含上面按重量百分?jǐn)?shù)列舉的指定組分，它們的濃度在各自指定的重量百分?jǐn)?shù)范圍內(nèi)，其中組合物中存在的所有這些指定組分的重量百分?jǐn)?shù)合計(jì)達(dá)100wt％。
本發(fā)明的脫模組合物中的有機(jī)溶劑可以包括任何合適的有機(jī)溶劑種類。在一個(gè)優(yōu)選的方面，本發(fā)明的脫模組合物中的有機(jī)溶劑包括一種或多種下述物質(zhì)(i)二醇類如乙二醇、丙二醇、新戊二醇等，(ii)聚二醇類如聚乙二醇、聚丙二醇等，(iii)二醇醚類，或(iv)聚二醇醚類；或者在本發(fā)明的這些脫模組合物中的有機(jī)溶劑可以選擇性地包括選自類(i)-(iv)中的兩種或多種溶劑組分的相容混合物、摻合物或溶液。
本發(fā)明的脫模組合物中的螯合劑可以為任何合適的類型。在一個(gè)優(yōu)選的方面，螯合劑包括α-氨基酸，如亞氨基二乙酸(IDA)，其結(jié)構(gòu)式如下 亞氨基二乙酸(IDA)
作為選擇或者以不同的結(jié)合，可以使用其它的有效螯合的種類，以給脫模組合物提供具有控制SARC和ILD材料之間的浸蝕速度選擇性的功能的螯合劑。
本發(fā)明的脫模組合物中的胺/羧酸緩沖劑可以為任何合適的類型，例如可以包括帶有單羧酸、二羧酸和/或三羧酸的烷基胺、二烷基胺和/或三烷基胺。緩沖劑具有適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定脫模組合物pH的功能，因?yàn)楣杷猁}浸蝕速度強(qiáng)烈地依賴pH。在使用脫模組合物的過程中，緩沖劑也可以具有控制SARC和ILD材料之間浸蝕速度選擇性的功能。
本發(fā)明的脫膜組合物通過相應(yīng)成分的簡(jiǎn)單添加并混合到均勻狀態(tài)而容易地配成。
在脫模應(yīng)用中，脫模組合物以任何合適的方式被涂敷到待脫模的材料上，例如通過將脫模組合物噴涂到待脫模材料的表面、通過將材料或包括被脫模材料的制品浸漬(在大量脫模組合物中)、通過將待脫模的材料或制品與另一種材料接觸，例如用脫模組合物飽和的襯墊或含纖維的吸附劑涂抹元件、或通過任何其它合適的方法、方式或技術(shù)，通過這些手段將脫模組合物與待脫模的材料脫模接觸。
當(dāng)應(yīng)用到半導(dǎo)體制造操作中，本發(fā)明的脫模組合物有效地用于從上面沉積有犧牲硅酸鹽材料的基片和半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)構(gòu)上浸蝕性地去除犧牲硅酸鹽材料。例如，犧牲硅酸鹽可以作為抗反射涂層涂敷到半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)構(gòu)上，以在光刻構(gòu)圖過程中最小化反射率變化。
由于本發(fā)明組合物對(duì)這些犧牲硅酸鹽的選擇性，相對(duì)于那些可能存在于半導(dǎo)體基片上并暴露于脫模組合物的其它材料，如ILD結(jié)構(gòu)、金屬化、阻擋層等，本發(fā)明組合物以高效的方式實(shí)現(xiàn)了浸蝕去除犧牲硅酸鹽。
在所需的脫模作用完成之后，脫模組合物容易地從前面涂敷它的基片或制品上去除，例如通過漂洗、洗滌或其它去除步驟，這在本發(fā)明組合物的給定最終用途的應(yīng)用中可能是所需的和有效的。
本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)通過下面的非限制性實(shí)施例得到更充分地闡明，除非特別另作說明，其中所有的部分和百分?jǐn)?shù)都是按重量計(jì)。
實(shí)施例1配方A、B、C和D按下面的描述制備，其中IDA為亞氨基二乙酸，NH4F為氟化銨(無水的)。
配方A0.5％IDA1.0％NH4F98.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方B1.5％IDA1.0％NH4F97.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方C0.5％IDA4.0％NH4F95.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方D1.5％IDA4.0％NH4F
94.5％混合物3∶1丙二醇∶水測(cè)定了配方A-D對(duì)涂覆在硅片上的薄膜的浸蝕速度。
硼磷酸鹽硅酸鹽玻璃(BPSG)和等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積的四乙氧基硅酸鹽(TEOS)的浸蝕速度示于下面的表1中，單位為埃/分鐘(/min)。
表1 配方A-D在BPSG和TEOS薄膜上的浸蝕速度(/min)
然后測(cè)定了各個(gè)配方A-D在下列材料上的浸蝕速度SARC，市售染色氧化硅犧牲材料；ILD，市售CVD多孔OSG電介質(zhì)材料；CORALTM電介質(zhì)，市售自Novellus Systems的OSG低k電介質(zhì)材料；和PECVD TEOS，使用原硅酸四乙酯通過等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積而沉積的二氧化硅涂層。
在上面列舉的材料上測(cè)定的浸蝕速度示于下面的表2中，單位為/min。
表2 配方A-D在SARC、ILD、CORAL和PECVD TEOS材料上的浸蝕速度(/min)
實(shí)施例2配方E、F、G和H按下面的描述制備。
配方E0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％二甘醇配方F0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％丙二醇甲基醚配方G0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％二甘醇甲基醚配方H0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％三甘醇甲基醚然后測(cè)定了各個(gè)配方E-H在下列材料上的浸蝕速度SARC，和實(shí)施例1中的一樣；ILD，和實(shí)施例1中的一樣；CORAL，和實(shí)施例1中的一樣；和FSG，低k電介質(zhì)的氟化硅酸鹽玻璃。
在上面列舉的材料上測(cè)定的浸蝕速度示于下面的表3中，單位為/min。
表3配方E-H在SARC、ILD、CORAL和FSG材料上的浸蝕速度(/min)
實(shí)施例3配方I(pH＝6.0)按下面的描述制備。
配方I
0.5％氟化銨2.25％甲基二乙醇胺2.75％丙二酸25％水69.5％二甘醇然后測(cè)定了配方I在下列材料上的浸蝕速度CORAL，和在實(shí)施例1中一樣；AuroraTM2.4和AuroraTM2.7，通常市售自ASM International的ILD材料，介電常數(shù)分別為k＝2.4和k＝2.7；LKD-5109，旋涂式多孔的低k的OSG電介質(zhì)材料，市售自JSR；OrionTM電介質(zhì)，CVD的多孔的低k的OSG電介質(zhì)材料，市售自Trikon；DUO 248TM和DUO 193TM，旋涂式SARC材料(具有包含有機(jī)的光吸收生色團(tuán)的硅氧烷骨架)，通常市售自Honeywell ElectronicMaterials，商業(yè)上分別用于248nm和193nm光刻法。
配方I在上面列舉的材料上測(cè)定的浸蝕速度示于下面的表4中，單位為/min。
表4 配方I在DUO 193、DUO 248、Aurora 2.4、Aurora 2.7、CORAL、LKD-5109和Orion材料上的浸蝕速度(/min)
實(shí)施例4配方J(pH＝7.1)按下面的描述制備。
配方J10％N，N-二甲基二甘醇胺氫氟酸鹽25％水65％二甘醇然后測(cè)定了配方J在下面材料上的浸蝕速度DUO 248TM，和實(shí)施例3中的一樣；FSG，和實(shí)施例3中的一樣；PECVD TEOS，和實(shí)施例1中的一樣；和CORAL，和實(shí)施例1中的一樣。
配方J在上面列舉的材料上測(cè)定的浸蝕速度示于下面的表5中，單位為/min。
表5 配方I在DUO 248、FSG、PECVD TEOS和CORAL材料上的浸蝕速度(/min)
實(shí)施例5配方K(pH＝8)按照下面描述的方法制備。
配方K40％N，N-二甲基二甘醇胺氫氟酸鹽25％水35％二甘醇然后測(cè)定了配方K在下面材料上的浸蝕速度DUO 248TM，和實(shí)施例3中的一樣；FSG，和實(shí)施例3中的一樣；PECVD TEOS，和實(shí)施例1中的一樣；CORAL，和實(shí)施例1中的一樣。
配方K在上面列舉的材料上測(cè)定的浸蝕速度示于下面的表6中，單位為/min。
表6配方K在DUO 248、FSG、PECVD TEOS和CORAL材料上的浸蝕速度(/min)
上述實(shí)施例證明，本發(fā)明的脫模組合物具有高浸蝕速度選擇性，在犧牲硅酸鹽材料上顯示了高浸蝕速度而在永久硅酸鹽ILD材料上顯示低浸蝕速度。因此，本發(fā)明的脫模組合物在犧牲和永久硅酸鹽都存在于原始材料中的應(yīng)用中非常有用。
本發(fā)明的脫模組合物可以容易地用合適的溶劑體系，例如具有低毒和低可燃性的半水溶劑體系配成。
因此，本發(fā)明的脫模組合物在去除犧牲硅酸鹽材料領(lǐng)域內(nèi)，例如，在集成電路設(shè)備制造中犧牲硅酸鹽和永久硅酸鹽材料一起存在的應(yīng)用中，達(dá)到實(shí)質(zhì)性進(jìn)步。
盡管本發(fā)明已經(jīng)在本文中參照說明性的實(shí)施方案和特征進(jìn)行了各種公開，但是應(yīng)理解上文描述的實(shí)施方案和特征不是用于限制本發(fā)明，其它的變化、修正和其它實(shí)施方案對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員是可以預(yù)見的。因此，本發(fā)明將被廣泛地解釋，與后文陳述的權(quán)利要求書一致。
權(quán)利要求
1.一種濕法脫模組合物，該組合物包括含氮的氫氟化物；去離子水；有機(jī)溶劑；和任選的螯合劑和/或胺/羧酸緩沖劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法脫模組合物，其中含氮的氫氟化物包括氟化銨(NH4F)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法脫模組合物，其中含氮的氫氟化物包括胺氫氟酸鹽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法脫模組合物，其中按組合物的總重量計(jì)，含氮的氫氟化物以約0.1-約40.0wt％的量存在于所述組合物中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法脫模組合物，其中按組合物的總重量計(jì)，去離子水以約20-約75wt％的量存在于所述組合物中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法脫模組合物，其中所述有機(jī)溶劑包括選自(i)二醇類、(ii)聚二醇類、(iii)二醇醚類、(iv)聚二醇醚類中的一種或多種溶劑，和選自類(i)-(iv)中的兩種或多種溶劑組分的相容混合物、摻合物和溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法脫模組合物，其中所述有機(jī)溶劑包括一種或多種二醇。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濕法脫模組合物，其中所述的一種或多種二醇包括選自乙二醇、丙二醇和新戊二醇中的二醇。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法脫模組合物，其中所述有機(jī)溶劑包括一種或多種聚二醇。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濕法脫模組合物，其中所述的一種或多種聚二醇包括選自聚乙二醇和聚丙二醇中的聚二醇。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法脫模組合物，其中所述有機(jī)溶劑包括一種或多種二醇醚。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法脫模組合物，其中所述有機(jī)溶劑包括一種或多種聚二醇醚。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法脫模組合物，其中所述有機(jī)溶劑包括選自類(i)-(iv)中的兩種或多種溶劑組分的相容混合物、摻合物或溶液。
14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法脫模組合物，其中按組合物的總重量計(jì)，所述有機(jī)溶劑以約25-約79wt％的量存在于所述組合物中。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法脫模組合物，包括螯合劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的濕法脫模組合物，其中所述螯合劑為一種類型，以有效控制SARC和ILD材料之間的浸蝕速度選擇性的量存在，該濕法脫模組合物暴露于所述SARC和ILD材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的濕法脫模組合物，其中所述螯合劑包括α-氨基酸。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的濕法脫模組合物，其中所述螯合劑包括亞氨基二乙酸(IDA)。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的濕法脫模組合物，其中按組合物的總重量計(jì)，所述螯合劑以高達(dá)約10wt％的量存在于所述組合物中。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法脫模組合物，包括胺/羧酸緩沖劑。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的濕法脫模組合物，其中所述緩沖劑為一種類型，以將脫模組合物的pH穩(wěn)定在如下pH范圍內(nèi)的量存在，使?jié)穹撃＝M合物可有效浸蝕硅酸鹽。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的濕法脫模組合物，其中所述緩沖劑為一種類型，以有效控制SARC和ILD材料之間的浸蝕速度選擇性的量存在，該濕法脫模組合物暴露于所述SARC和ILD材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的濕法脫模組合物，其中所述緩沖劑包括選自烷基胺、二烷基胺、三烷基胺中的一種或多種胺。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的濕法脫模組合物，其中所述緩沖劑包括選自單羧酸、二羧酸、三羧酸中的一種或多種羧酸。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的濕法脫模組合物，其中按組合物的總重量計(jì)，所述緩沖劑以高達(dá)約20wt％的量存在于所述組合物中。
26.一種濕法脫模組合物，該組合物包括0.1-40.0wt％的氟化銨(NH4F)或其它胺氫氟酸鹽，20-75wt％的去離子水(DIW)，25-79wt％的有機(jī)溶劑，0-10wt％的螯合劑，0-20wt％的胺/羧酸緩沖劑；其中重量百分?jǐn)?shù)基于組合物的總重量，總重量百分?jǐn)?shù)不超過100wt％。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的濕法脫模組合物，其中總重量百分?jǐn)?shù)等于100wt％。
28.一種選自配方A-K的濕法脫模組合物配方A0.5％IDA1.0％NH4F98.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方B1.5％IDA1.0％NH4F97.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方C0.5％IDA4.0％NH4F95.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方D1.5％IDA4.0％NH4F94.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方E0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％二甘醇配方F0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％丙二醇甲基醚配方G0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％二甘醇甲基醚配方H0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％三甘醇甲基醚配方I0.5％氟化銨2.25％甲基二乙醇胺2.75％丙二酸25％水69.5％二甘醇配方J10％N，N-二甲基二甘醇胺氫氟酸鹽25％水65％二甘醇配方K40％N，N-二甲基二甘醇胺氫氟酸鹽25％水35％二甘醇其中在所述配方中組分的百分?jǐn)?shù)是按重量計(jì)的，基于配方的總重量。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方A。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方B。
31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方C。
32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方D。
33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方E。
34.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方F。
35.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方G。
36.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方H。
37.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方I。
38.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方J。
39.根據(jù)權(quán)利要求27所述的濕法脫模組合物，包括配方K。
40.一種濕法脫模組合物，該組合物包括半水溶劑、氟化銨和賦予所述組合物在SARC和ILD材料之間浸蝕速度選擇性的氨基酸。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的濕法脫模組合物，其中氨基酸包括亞氨基二乙酸。
42.根據(jù)權(quán)利要求39所述的濕法脫模組合物，還包括胺/羧酸緩沖劑，它們包括彼此相對(duì)比例的胺和羧酸，將組合物的pH穩(wěn)定在如下范圍，使組合物可有效浸蝕硅酸鹽材料。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的濕法脫模組合物，其中硅酸鹽材料包括染色的硅酸鹽玻璃材料。
44.根據(jù)權(quán)利要求41所述的濕法脫模組合物，其中胺和羧酸的相對(duì)比例增強(qiáng)了所述組合物在SARC和ILD材料之間的浸蝕速度選擇性。
45.一種從包括犧牲硅酸鹽材料的位置浸蝕去除該犧牲硅酸鹽材料的方法，該方法包括使所述犧牲硅酸鹽材料暴露于浸蝕劑組合物中，該浸蝕劑組合物包括含氮的氫氟化物；去離子水；有機(jī)溶劑；和任選的螯合劑和/或胺/羧酸緩沖劑，暴露時(shí)間足以從所述位置上至少部分地浸蝕去除犧牲硅酸鹽。
46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述浸蝕劑組合物包括0.1-40.0wt％的氟化銨(NH4F)或其它胺氫氟酸鹽，20-75wt％的去離子水(DIW)，25-79wt％的有機(jī)溶劑，0-10wt％的螯合劑，0-20wt％的胺/羧酸緩沖劑，其中重量百分?jǐn)?shù)基于組合物的總重量，總重量百分?jǐn)?shù)不超過100wt％。
47.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中所述總重量百分?jǐn)?shù)等于100wt％。
48.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述浸蝕劑組合物選自配方A-K配方A0.5％IDA1.0％NH4F98.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方B1.5％IDA1.0％NH4F97.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方C0.5％IDA4.0％NH4F95.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方D1.5％IDA4.0％NH4F94.5％混合物3∶1丙二醇∶水配方E0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％二甘醇配方F0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％丙二醇甲基醚配方G0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％二甘醇甲基醚配方H0.5％IDA1.0％NH4F25％水73.5％三甘醇甲基醚配方I0.5％氟化銨2.25％甲基二乙醇胺2.75％丙二酸25％水69.5％二甘醇配方J10％N，N-二甲基二甘醇胺氫氟酸鹽25％水65％二甘醇配方K40％N，N-二甲基二甘醇胺氫氟酸鹽25％水35％二甘醇其中在所述配方中組分的百分?jǐn)?shù)按重量計(jì)，基于配方的總重量。
49.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中位置包括半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)構(gòu)。
50.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其中所述半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)構(gòu)包括ILD材料。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其中犧牲硅酸鹽材料包括犧牲抗反射涂層。
52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中犧牲抗反射涂層包括染色的硅酸鹽玻璃材料。
53.根據(jù)權(quán)利要求51所述的方法，其中染色的硅酸鹽玻璃材料已經(jīng)應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)構(gòu)，以使在半導(dǎo)體設(shè)備結(jié)構(gòu)上的光刻構(gòu)圖過程中的反射率變化降到最小。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于濕法脫模去除犧牲抗反射硅酸鹽材料的組合物和方法，例如從其上沉積有犧牲抗反射硅酸鹽材料的基片或制品上，尤其是在犧牲抗反射材料和希望不受濕法脫模組合物影響的永久硅酸鹽材料一起存在的地方使用該組合物和方法。
文檔編號(hào)C03C15/00GK1671821SQ03817397
公開日2005年9月21日 申請(qǐng)日期2003年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月23日
發(fā)明者托馬斯·H·鮑姆, 大衛(wèi)·伯恩哈德, 大衛(wèi)·明斯克, 梅麗莎·墨菲 申請(qǐng)人:高級(jí)技術(shù)材料公司