專利名稱：改善切割晶片良率的固定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種改善切割晶片良率的固定方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今照相機(jī)鏡頭前的鏡片，主要以石英構(gòu)成，但石英并無法充份阻斷紫外光，為了成像的需要及保護(hù)人員健康不受傷害，有必要在石英鏡片外周電附著耐紫外光涂層，例如美國專利第4799963號便揭示含有膠態(tài)氧化鈰的耐紫外光涂層。
為簡化說明，在以下均以晶片代替該種石英鏡片、或其他須經(jīng)鍍膜作業(yè)的元件。
一般而言，廠商會先將石英加工成規(guī)格化的初胚晶片，再經(jīng)鍍膜耐紫外光涂層，才將該初胚晶片分割成所需尺寸的成品晶片，我們可以在圖1了解到習(xí)用制程須依序經(jīng)準(zhǔn)備材料10→貼合晶片11→切割12→浸水脫離13→清洗晶片14，現(xiàn)詳述如下1、準(zhǔn)備材料10請配合圖2觀之，準(zhǔn)備35×35×3mm玻璃基板20、及小于該基板20尺寸的初胚晶片30、以及水溶性膠合藥水40；2、貼合晶片11如圖3所示，以水溶性膠合藥水40將初胚晶片30直接貼合于玻璃基板20上，由于玻璃基板20具相當(dāng)硬度，且玻璃基板20與初胚晶片30間沒有任何保護(hù)結(jié)構(gòu)，很容易因人為或環(huán)境影響摩擦刮傷初胚晶片30接觸表面；3、切割12請配合圖4至圖7觀之，分A、B兩站切割出縱橫交錯的切道31、32，該切道31、32深度須到達(dá)玻璃基板20，以便將初胚晶片30確實分割成多數(shù)成品晶片300，惟該多數(shù)成品晶片300仍以水溶性膠合藥水40固結(jié)于玻璃基板20；4、浸水脫離13如圖8所示，然后將前述多數(shù)成品晶片300固結(jié)于玻璃基板20的整體結(jié)構(gòu)放入水中，以水逐步溶解其間的水溶性膠合藥水，使多數(shù)成品晶片300能由玻璃基板20上分離，惟該水溶性膠合藥水40須泡入水中長達(dá)20小時才能完全溶解，使多數(shù)成品晶片300、玻璃基板20分離；5、清洗晶片14成品晶片300本身有殘膠，需以人工耗時的將該成品晶片300一片一片存放于洗籃之中清洗，以完成如圖9所示之成品。
前述加工制法有以下若干無法突破的缺點(diǎn)1、生產(chǎn)速度過慢；由上說明得知，其成品晶片300必須經(jīng)過20小時，才能由玻璃基板20上脫離，且該等浸水脫離13程序無法以生產(chǎn)線連接，而清洗晶片14須以人工為之，該等重復(fù)作業(yè)不但累積工時及耗費(fèi)人力，致成品晶片300完成的工作效率亦無法提升，更難提經(jīng)濟(jì)效益的增長，此乃目前加工技術(shù)無法突破之處。
2、不良率高；在前述加工制法中，因水溶性膠合藥水40直接與初胚晶片30鍍膜面接觸，使該水溶性膠合藥水40滲入多層鍍膜的毛細(xì)孔中，而在毛細(xì)孔中起化學(xué)反應(yīng)，造成霧狀脫膜，進(jìn)而降低良率；再則，該成品晶片300在和玻璃基板20分離后，其鍍膜表面仍會有殘膠存在，若無法清除，將會導(dǎo)致不良品報廢情形；在前述容易失誤以致報廢率增加狀況，不但縮減生產(chǎn)效率，且材料成本、工時成本無謂地減損是為業(yè)者很大損失，令業(yè)者十分困擾。
有鑒于習(xí)用制法之不良率高及工時多，以致成本高漲，品質(zhì)、效率無法提升之缺點(diǎn)，乃以多年的專業(yè)經(jīng)驗與心得，經(jīng)不斷構(gòu)思、創(chuàng)研，乃研發(fā)出此種改善切割晶片良率之固定方法，以徹底解決習(xí)用裝置存在之問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可快速將切割后的成品晶片快速剝離的技術(shù)，以達(dá)成高良率的改善切割晶片良率的固定方法。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的解決方案是一種改善切割晶片良率的固定方法，其制造方法包括準(zhǔn)備材料一經(jīng)鍍膜處理的初胚晶片；一具有弱親和性膠合面、及一無膠固定面的UV膠膜；一膠合藥水，該膠合藥水具有強(qiáng)親和性的膠著力，涂附于UV膠膜的固定面；此弱親和性的膠合面的黏著力須大于以后切割加工的作用力；一具絕緣剛性的基板，該基板并有能彎曲的性質(zhì)；UV膠膜貼合將UV膠膜弱親和性的膠合面黏著初胚晶片，此UV膠膜固定面貼涂附有膠合藥水，并使UV膠膜固定面貼合于鋁基板上；切割在初胚晶片切割出縱橫交錯的切道，該縱橫切道深度須到達(dá)基板，以便將初胚晶片分割成多數(shù)成品晶片；折彎脫離將鋁基板施以彎曲應(yīng)力，使鋁基板接觸表面擴(kuò)張，令UV膠膜的弱親性膠合面同時放大該弧狀擴(kuò)張，使多數(shù)成品晶片能由膠合面上自動剝離，逕而直接獲致成品晶片。
所述膠合藥水為水溶性。
所述基板為鋁材料。
所述切割程序分A、B兩站作業(yè)。
所述鋁基析板固定于治具上，在其兩端施以彎曲應(yīng)力。
采用上述方案后，由于本發(fā)明主要以一貫加工的方式，使初胚晶片以UV膠膜貼合在可撓曲之鋁基板上，操作初胚晶片及UV膠膜間黏著親合性較U膠膜及鋁基板間親合性弱，然后在初胚晶片上切割出切道，使成品晶片的尺寸被加工出來，再彎曲鋁基板剝離成品晶片，令成品晶片完成，此一加工方式，除大幅節(jié)省工時與提升效率外，且在同步加工下達(dá)成下達(dá)到符合經(jīng)濟(jì)的原則及新穎功能，以去除習(xí)用制法的不良問題，有效地增進(jìn)品質(zhì)、提高生產(chǎn)效率，確實為晶片切割加工提出一有效解決的新穎技術(shù)。


圖1系習(xí)用制法的流程圖；圖2系習(xí)用制法的初胚晶片及基板分解示意圖；圖3系習(xí)用制法的初胚晶片及基板組合示意圖；圖4系習(xí)用制法于A站切割時的動作示意圖；圖5系圖4的加工完成示意圖；圖6系習(xí)用制法于B站切割時的動作示意圖；圖7系圖6的加工完成示意圖；圖8系習(xí)用制法于浸水脫離時的示意圖；圖9系成品晶片的剖面示意圖；圖10系本發(fā)明的流程圖；圖11系本發(fā)明初胚晶片、UV膠膜及基板分解示意圖；圖12系本發(fā)明于A站切割時的動作示意圖；圖13系圖12的加工完成示意圖；圖14系本發(fā)明于B站切割時的動作示意圖；圖15系圖14的加工完成示意圖；圖16系圖15的剖面示意圖；圖17系本發(fā)明折彎脫離的動作示意圖。
10準(zhǔn)備材料 11貼合晶片12切割 13浸水脫離14清洗晶片20基板 30初胚晶片31、32切道300成品晶片40水溶性膠合藥水
51準(zhǔn)備材料52UV膠膜貼合53切割54折彎脫離60初胚晶片600成品晶片61UV膠膜 610膠合面611固定面 62基板具體實施方式
請參看圖10，其系本發(fā)明的流程圖，由此圖可以發(fā)現(xiàn)本發(fā)明僅須經(jīng)過一貫自動化的方式，采準(zhǔn)備材料51→UV膠膜貼合52→切割53→折彎脫離54程序，即可完成晶片的加工。
(1)準(zhǔn)備材料51如圖11所示；一初胚晶片60，該初胚晶片60表面已經(jīng)多層鍍膜處理；一UV膠膜61，該UV膠膜61具有一弱親和性的膠合面610、及一無膠的固定面611，此弱親和性的膠合面610的黏著力須大于以后切割加工的作用力；一膠合藥水，該膠合藥水具有強(qiáng)親和性的膠著力，其不限定于水溶性，可涂附于UV膠膜61的固定面611；一基板62，該基板62系以絕緣剛性材為宜，并能有彎曲的撓性，本發(fā)明系采用鋁基板62，此材質(zhì)并非本發(fā)明的限制；(2)UV膠膜貼合52先將UV膠膜61弱親和性的膠合面610自動黏著初胚晶片60，令UV膠膜61及初胚晶片60固著成一體，值得一提的是，該UV膠膜61能對初胚晶片60提供一份保護(hù)作用；此UV膠膜61的固定面611貼涂附有膠合藥水，并使UV膠膜61固定面611貼合于鋁基板62上；(3)切割53請配合圖12至15觀之，分A、B兩站在初胚晶片60切割出縱橫交錯的切道，該縱橫切道深度須到達(dá)UV膠膜61，以便將初胚晶片60確實分割成多數(shù)成品晶片600，現(xiàn)在該多數(shù)成品晶片600仍以UV膠膜61固結(jié)于鋁基板62；(4)折彎脫離54請配合圖16及17所示，將鋁基板62固定于模具上，令鋁基板62兩端施以彎曲應(yīng)力，使鋁基板62接觸表面呈一弧狀擴(kuò)張，令U膠膜61之弱親性膠合面610同時放大該弧狀擴(kuò)張，令多數(shù)成品晶片600由膠合面610上自動剝離，逕而直接獲致成品，由于UV膠膜61固定面611系以強(qiáng)親合性膠合藥水固著，所以當(dāng)施以彎曲應(yīng)力在鋁基板62上時，該UV膠膜61仍是貼附于鋁基板62上，不會和多數(shù)成品晶片600混在一起，而須另外撿選。
因此依本發(fā)明之特殊設(shè)計，在以下之說明，即能了解本發(fā)明之進(jìn)步處。
1、具經(jīng)濟(jì)效益在加工的過程中，其準(zhǔn)備材料51→UV膠膜貼合52→切割53→折彎脫離54可以自動的方式作動，自然較習(xí)用過多的人工作業(yè)更為方便快速，而規(guī)格化的UV膠膜61花費(fèi)并不高，但能大幅減少習(xí)用須花費(fèi)20小時進(jìn)行浸水脫離的時間，令本發(fā)明確能發(fā)揮革命性的高度創(chuàng)作與經(jīng)濟(jì)效益，使生產(chǎn)效率得更具有效的產(chǎn)業(yè)利用，故符合經(jīng)濟(jì)之效益。
2、不良率低由于UV膠膜61系以弱親合性的膠合面610黏著成品晶片600，該種黏著方式并不會滲入多層鍍膜的毛細(xì)孔中，且UV膠膜61的弱親性膠合面610在勻稱彎曲擴(kuò)張時，均勻的受力可將多數(shù)成品晶片600一一剝離，所以大幅克服習(xí)用制法容易霧狀脫膜及有殘膠缺點(diǎn)，進(jìn)而提升品質(zhì)良率，其確具進(jìn)步性。
權(quán)利要求
1.一種改善切割晶片良率的固定方法，其制造方法包括準(zhǔn)備材料一經(jīng)鍍膜處理的初胚晶片；一具有弱親和性膠合面、及一無膠固定面的UV膠膜；一膠合藥水，該膠合藥水具有強(qiáng)親和性的膠著力，涂附于UV膠膜的固定面；此弱親和性的膠合面的黏著力須大于以后切割加工的作用力；一具絕緣剛性的基板，該基板并有能彎曲的性質(zhì)；UV膠膜貼合將UV膠膜弱親和性的膠合面黏著初胚晶片，此UV膠膜固定面貼涂附有膠合藥水，并使UV膠膜固定面貼合于鋁基板上；切割在初胚晶片切割出縱橫交錯的切道，該縱橫切道深度須到達(dá)基板，以便將初胚晶片分割成多數(shù)成品晶片；折彎脫離將鋁基板施以彎曲應(yīng)力，使鋁基板接觸表面擴(kuò)張，令UV膠膜的弱親性膠合面同時放大該弧狀擴(kuò)張，使多數(shù)成品晶片能由膠合面上自動剝離，逕而直接獲致成品晶片。
2.如權(quán)利要求1所述改善切割晶片良率的固定方法，其特征在于膠合藥水為水溶性。
3.如權(quán)利要求1所述改善切割晶片良率的固定方法，其特征在于基板為鋁材料。
4.如權(quán)利要求1所述改善切割晶片良率的固定方法，其特征在于切割程序分A、B兩站作業(yè)。
5.如權(quán)利要求1所述改善切割晶片良率的固定方法，其特征在于鋁基析板固定于治具上，在其兩端施以彎曲應(yīng)力。
全文摘要
本發(fā)明是一種改善切割晶片良率的固定方法，其主要在初胚晶片一面設(shè)有UV膠膜，該UV膠膜單面具有黏性，俾直接黏貼于初胚晶片上，而UV膠膜另面則以貼合藥水黏著于鋁基板上，使初胚晶片固定在基板上，然后施以切割作業(yè)，俾完成分割各成品晶片尺寸，然后再對基板施以彎曲變形，使各成品晶片一一剝離；本發(fā)明主要藉由UV膠膜與初胚晶片間具弱親和性，及該UV膠膜與基板間具強(qiáng)親和性，配合基板可變曲的特性，進(jìn)而達(dá)到容易操作UV膠膜與成品晶片分離的作用，藉由此一技術(shù)的革新，使成品晶片大幅提升其良率，及快速方便制造的目的，深具產(chǎn)業(yè)利用的價值。
文檔編號B28D5/00GK1621211SQ20031011235
公開日2005年6月1日 申請日期2003年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月24日
發(fā)明者陳新發(fā) 申請人:陳新發(fā)