專利名稱：介電陶瓷及陶瓷電子部件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及介電陶瓷及陶瓷電子部件，特別是涉及高介電常數類的介電陶瓷，及使用該介電陶瓷的單板電容器、三板電容器、層壓陶瓷電容器等陶瓷電子部件。
背景技術：
一直以來，作為高介電常數的介電陶瓷，有人提出以SrTiO3(鈦酸鍶)、PbTiO3(鈦酸鉛)、CaTiO3(鈦酸鈣)、Bi2O3(氧化鉍)、TiO2(二氧化鈦)和SnO2(氧化錫)作為主要成分的介電陶瓷(專利文獻1)專利文獻1特開平3-97669號公報但是，上述專利文獻1的介電陶瓷由于在組成中含有Pb成分，因此，從所謂降低環(huán)境負荷物質的角度出發(fā)，存在問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明鑒于上述情況，目的在于提供不含有Pb成分，將介電常數和Q值維持在高水平，溫度特性的直線性優(yōu)良，能夠減小介電常數的溫度變化率并進行控制的介電陶瓷，以及使用該介電陶瓷的陶瓷電子部件。
本發(fā)明為了達到上述目的進行了銳意研究，發(fā)現(xiàn)，在通式(1)a[(SrbCa1-b)TiO3]-(1-a)[Bi2O3.nTiO2](a、b是摩爾比，n是TiO2相對于Bi2O3的摩爾比)表示的主要成分中含有通式(2)xMgTiO3-yMnOm-zLn2O3(x、y、z是相對于上述主要成分100重量份的重量比，m為1～2)表示的次要成分，進而在將上述a、b、n、x、y規(guī)定在給定范圍中的同時，通過作為Ln使用特定的鑭系元素，即La(鑭)、Ce(鈰)、Pr(鐠)、Nd(釹)、Sm(釤)、Eu(銪)、Gd(釓)、Dy(鏑)、Ho(鈥)以及Er中(鉺)，即使在組合物中不含Pb成分，介電常數在300以上，Q值在1000以上，并且通常使用的溫度范圍(-55℃～85℃)下的介電常數的變化率(下面稱為“溫度系數”)減小并控制在-2000ppm/℃以內。
本發(fā)明基于上述認識完成的，本發(fā)明的介電陶瓷的特征在于含有通式(1)a[(SrbCa1-b)TiO3]-(1-a)[Bi2O3.nTiO2](a、b表示摩爾比，n表示TiO2相對于Bi2O3的摩爾比)表示的主要成分和通式(2)xMgTiO3-yMnOm-zLn2O3(x、y、z表示相對于上述主要成分100重量份的重量比，m表示1～2，Ln表示選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho以及Er中的一種以上元素)表示的次要成分，上述摩爾比a、b、n和上述重量比x、y、z分別為0.88≤a≤0.92，0.30≤b≤0.50，1.80≤n≤3.0，1.0≤x≤3.0，0.1≤y≤2.0和0≤z≤3.0。
根據本發(fā)明者的進一步的研究結果可以知道，通過以Ti元素相對于Ln元素的摩爾比為1.5以下的量加入TiO2作為次要組分，可以達到在不導致溫度特性劣化的情況下提高介電常數的目的。
因此，本發(fā)明的介電陶瓷的特征在于，在上述次要組分中含有TiO2，而且，上述TiO2的含量以Ti元素相對于上述次要組分的Ln元素的摩爾比p計為0＜p≤1.5。
在本發(fā)明者進行重復研究時發(fā)現(xiàn)，通過以相對于上述主要成分100重量份的重量比計含有1以下的SiO2(二氧化硅)，可以在不損傷介電特性的情況下降低燒成溫度，并且，能夠進一步提高機械強度。
因此，本發(fā)明介電陶瓷的特征在于在上述次要組分中含有SiO2，并且上述SiO2的含量以相對于上述主要成分100重量的重量比w計為0＜w≤1。
本發(fā)明的陶瓷電子部件的特征在于在上述介電陶瓷的表面上形成電極部件。
本發(fā)明的介電陶瓷由于由含有a[(SrbCa1-b)TiO3]和(1-a)[Bi2O3.nTiO2]的主要成分和含有xMgTiO3、yMnOm和zLn2O3的次要成分構成，并且摩爾比a、b、n和重量比x、y、z為0.88≤a≤0.92，0.30≤b≤0.50，1.80≤n≤3.0，1.0≤x≤3.0，0.1≤y≤2.0和0≤z≤3.0，因此即使是不含有Pb成分，介電常數和Q值高，溫度特性的直線性優(yōu)良，介電常數的溫度變化率小，在強度上十分耐用的高介電常數的介電陶瓷。
通過在上述次要組分中以上述次要成分中的Ti元素相對于Ln元素的摩爾比p為0＜p≤1.5的量含有TiO2，在不導致溫度特性劣化的情況下能夠進一步提高介電常數。
另外，通過含有相對于上述主要成分100重量份的重量比w為0＜w≤1的SiO2，可以降低燒成溫度，并且進一步提高抗折強度。
采用上述陶瓷電子部件，在上述介電陶瓷的表面上形成電極部分，因此，介電常數在300以上，Q值在1000以上，并且，可以將溫度系數減小并控制在-2000ppm/℃以內，介電陶瓷即陶瓷燒結體中不含有Pb成分，容易得到高品質、高介電常數下溫度特性良好并且機械強度優(yōu)良的各種陶瓷電容器等陶瓷電子部件。


圖1是表示使用本發(fā)明介電陶瓷制造的陶瓷電子部件的單板電容器的一個實施方案的局部切斷正面圖。
圖中，1陶瓷燒結體2電極部分具體實施方式
下面詳細說明本發(fā)明的實施方案。
圖1是表示作為使用本發(fā)明介電陶瓷的陶瓷電子部件的單板電容器的一個實施方案的局部切斷正面圖。
該單板電容器由下面部件構成由本發(fā)明介電陶瓷構成的陶瓷燒結體1、在該陶瓷燒結體1的表里兩面上形成的電極部分2，通過焊錫3與上述電極部分電連接的一對導線4a、4b和覆蓋陶瓷燒結體的樹脂制外包裝5。
因此，在本實施方案中，構成陶瓷燒結體1的介電陶瓷含有下面通式(1)作為主要成分，下面通式(2)作為次要成分。
a[(SrbCa1-b)TiO3]-(1-a)[Bi2O3.nTiO2]……(1)xMgTiO3+yMnOm+zLn2O3………(2)
通式(1)中的a是(SrbCa1-b)TiO3相對于Bi2O3.nTiO2的摩爾比，b是Sr相對于Ca的摩爾比，n是TiO2相對于Bi2O3的摩爾比，通式(2)中的x、y、z是相對于上述主要成分100重量份的各重量比，m為1～2，Ln為選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho以及Er中的一種以上的元素。
上述介電陶瓷適當調整其介電陶瓷組合物(起始原料組合物)的組成，以使摩爾比a、b、n、重量比x、y、z滿足下面各式(3)～(8)。
0.88≤a≤0.92……(3)0.30≤b≤0.50……(4)1.80≤n≤3.0……(5)1.0≤x≤3.0……(6)0.1≤y≤2.0……(7)和0≤z≤3.0……(8)上述介電陶瓷通過具有上述成分組成，因此，可以確保介電常數在300以上的高介電常數和Q值在1000以上，同時，可以將在-55℃～85℃溫度范圍內的以20℃的靜電容量作為基準的溫度系數減小并控制在-2000ppm/℃以內，容易獲得溫度特性的直線性優(yōu)良，并且具有耐使用的機械強度的單板電容器。
下面對上述限定理由進行詳細描述。
(1)摩爾比a如果(SrbCa1-b)TiO3相對于Bi2O3.nTiO2的摩爾比的a不足0.88，Bi2O3.nTiO2的摩爾比會超過0.12。即，這時，由于Bi2O3的摩爾量過多，因此，Q值不足1000，無法獲得具有高Q值的介電體磁器組合物。另一方面，如果摩爾比a超過0.92，Bi2O3·nTiO2的摩爾量不足0.08，溫度系數向-2000ppm/℃的更負側偏移，溫度特性變差。
因此，在本實施方案中，調整組成使摩爾比a為0.88≤a≤0.92。
(2)摩爾比b如果Sr相對于Ca的摩爾比b不足0.30，CaTiO3的摩爾量變得過多，因此，介電常數降低至不足300，無法獲得高介電常數的介電陶瓷。另一方面，如果摩爾比b超過0.50，SrTiO3的摩爾量變得過多，因此，Q值在1000以下，無法得到Q值高的介電陶瓷。
因此，在本實施方案中，調整組成使摩爾比b為0.30≤b≤0.50。
(3)摩爾比n如果TiO2相對于Bi2O3的摩爾比n不足1.8，TiO2的摩爾含量變得過少，因此，介電常數不足300，無法獲得高介電常數的介電陶瓷。另一方面，如果上述摩爾比n超過3.0，TiO2的摩爾量變得過多，Q值不足1000，無法獲得Q值高的介電陶瓷。
因此，在本實施方案中，調整組成使摩爾比n為1.8≤n≤3.0。
(4)重量比x相對于上述主要成分(通式(1))100重量份，如果MgTiO3的重量比x不足1.00，溫度系數向-2000ppm/℃的更負側偏移，溫度特性變差。另一方面，如果重量比x超過3.0，介電常數不足300，無法獲得高介電常數的介電陶瓷。
因此，在本實施方案中，調整組成使重量比x為1.0≤x≤3.0。
(5)重量比y相對于上述主要成分(通式(1))100重量份，如果MnOm(其中，m＝1～2)的重量比y不足0.1，溫度系數向-2000ppm/℃的更負側偏移，溫度特性變差。另一方面，如果重量比y超過2.0，介電常數不足300，無法獲得高介電常數的介電陶瓷。
因此，在本實施方案中，調整組成使重量比y為0.1≤y≤2.0。
(6)重量比z通過相對于上述主要成分(通式(1))加入Lb2O3作為次要成分，可以提高溫度特性和抗折強度，如果相對于上述主要成分100重量份，Ln2O3的重量比超過3.0，介電常數不足300，無法獲得高介電常數的介電陶瓷。
因此，在本實施方案中，調整組成使重量比z為0≤z≤3.0。
(7)Ln將Ln限定在選自鑭系元素中的La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho以及Er中的特定元素，通過加入以Ln2O3的形態(tài)計相對于主要成分100重量份的重量比z計為0≤z≤3.0的這些特定元素，可以獲得介電常數在300以上，Q值在1000以上，并且將溫度系數減小并控制在-2000ppm/℃以內的介電特性優(yōu)良的介電陶瓷，并且，可以獲得抗折強度在130MPa以上的機械強度優(yōu)良的介電陶瓷。
另一方面，在加入上述特定元素之外的元素，例如，Yb、Y等元素時，介電常數或者Q值的至少任意一方的特性降低，就無法得到具有所需高介電常數和高品質系數的介電陶瓷。
因此，在本實施方案中，作為次要成分，在介電陶瓷中含有上述特定的鑭系元素。
下面，對上述單板電容器的制造方法進行說明。
首先，制造上述介電陶瓷。
即，為了使通式(1)、(2)表示的主要成分和次要成分滿足上述式(3)～(8)，稱量SrCO3、CaCO3、Bi2O3、TiO2、MgTiO3、MnCO3和La2O3(其中，La是選自Ln為La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho以及Er中的一種以上的元素)，將這些稱量物混合，接著，將該混合物和氧化鋯等粉碎介質一起加入釜中，濕式混合給定的時間，并進行分散。接著，將粉碎物蒸發(fā)干燥之后，放置在氧化鋯制的匣缽中，在900～1000℃下煅燒，制造介電陶瓷用原料粉末。
接著，將該介電陶瓷用原料粉末與聚乙烯醇等粘合劑一起加入到釜中，濕式混合給定的時間，然后，對該混合物進行脫水干燥，整理之后，進行加壓，形成給定的圓板狀，制造陶瓷成形體。然后，對該陶瓷成形體施以在1180℃～1280℃2個小時的燒成處理，制造介電陶瓷即陶瓷燒結體1。
接著，在該陶瓷燒結體1的表里兩面上涂覆以Ag等為主要成分的導電性糊，施以燒結處理，形成電極部分2。
然后，通過焊錫3連接電極部分2和導線4a、4b，然后，施以樹脂模，形成外包裝5，由此制造單板電容器。
在上述本實施方案中，介電陶瓷由于通式(1)和通式(2)表示的主要成分和次要成分滿足式(3)～(8)，容易獲得高介電常數、高品質吸收、溫度特性優(yōu)良、強度方面也十分耐用的無鉛單板電容器。
本發(fā)明并不限于上述實施方案。
例如，通過在次要成分中含有TiO2，在不導致溫度特性劣化的情況下，可以將介電常數提高5～10％左右。
但是，TiO2的含量必須調整到Ti元素相對于Ln元素的摩爾比p(＝Ti/Ln)計在1.5以下。這是因為，如果摩爾比p超過1.5，有可能導致介電常數的降低。
而且，代替上述通式(2)，優(yōu)選通式(9)表示的次要成分與主要成分一起包含在介電陶瓷中。
xMgTiO3+yMnOm(其中，m＝1～2)+zLn2O3+wSiO2…(9)其中，w是SiO2相對于主要成分100重量份的重量比，0＜w≤1.0。
由于SiO2具有作為燒結助劑的作用，因此，通過在介電陶瓷中作為次要成分而含有SiO2，使重量比w為1以下，可以在對介電特性不產生不利影響的情況下，降低燒結溫度。
而且，通過在介電陶瓷含有重量比w為1以下的SiO2作為次要成分，可以進一步提高機械強度。因此，該機械強度的提高，對三板電容器特別有效。即，在制造三板電容器時，對介電體組件的表面進行研磨加工，使厚度變薄，然后，機械鉚接組裝，這時，如果介電體組件的機械強度即抗張強度低，容易產生裂紋和碎片等。因此，在不損害介電特性等的范圍內，提高抗折強度是優(yōu)選的。
這里，從上述觀點出發(fā)，如上所述，優(yōu)選在介電陶瓷中含有重量比w在1以下的SiO2作為次要成分，通過含有上述SiO2，可以進一步提高抗折強度，得到強度上也優(yōu)良的陶瓷電子部件。
在上述實施方案中，作為主要成分原料使用SrCO3、CaCO3等碳酸化物，以SrTiO2和CaTiO3等鈦酸化合物作為主要成分原料，也可以制造上述介電陶瓷。
對于層壓陶瓷電容器等。其他各種陶瓷電子部件，可以說能夠獲得與上述實施方案同樣的作用效果。
下面采用具體的實施例說明本發(fā)明。
實施例1首先，稱量作為主要組份原料的SrCO3、CaCO3、Bi2O3和TiO2，使摩爾比a為0.87～0.93、摩爾比b為0.25～0.55、摩爾比n為1.50～3.20，并且稱量作為次要組份原料的MgTiO3、MnCO3和La2O3，以使重量比x為0.50～5.00，重量比y為0.00～3.00、重量比z為0.00～4.00，將這些主要組份原料和次要組份原料混合。接著，將該混合物與氧化鋯(粉碎介質)一起加入到聚乙烯釜中，進行16個小時的濕式混合，并進行粉碎。進而將該粉碎物蒸發(fā)干燥后，放置在氧化鋯制的匣缽中，在溫度950℃下進行2個小時的煅燒，得到煅燒物(即介電陶瓷用原料粉末)。
接著，在該煅燒物中加入聚乙烯醇(粘合劑)，加入到聚乙烯釜中，在該聚乙烯釜中進行16個小時的濕式混合，制造混合物。
然后，對該混合物進行脫水干燥，整粒后進行加壓，用直徑12mm、厚度1.2mm的圓板進行成形，制造陶瓷成形體。然后，將該陶瓷成形體在溫度1230～1260℃下燒結2個小時，制造陶瓷燒結體(即介電陶瓷)。接著，在該陶瓷燒結體的表里兩面上涂覆Ag糊，在800℃下進行烘烤處理，形成電極部分，制成樣品編號1～26的單板電容器。
表1表示各樣品編號的成分組成。在表1中，帶*的樣品表示在本發(fā)明范圍之外的樣品。
下面，對樣品編號1～26的各單板電容器測定溫度20℃、頻率1MHz、電壓1V的測定條件下的介電常數ε和Q值，在以-55℃～+85℃下的+20℃的靜電容量為基準測定介電常數ε的變化率，將其最大變化率作為溫度的系數計算出。
對于其他途徑燒成得到的長25mm、寬6mm、厚1mm的陶瓷板，使支點間的距離為20mm，以下降速度0.5mm/秒的速度在中央部分負載負荷，計算上述樣品編號1～26的抗折強度，評價機械強度。
表2表示其結果。
表1

*表示在本發(fā)明范圍之外。
由表1和表2可見，由于樣品編號1的摩爾比a為0.87，太小，Q值小至500，而由于樣品編號3的摩爾比a為0.93，太大，因此，溫度系數變成-2400ppm/℃，向負側的偏移大，溫度特性變差。
由于樣品編號4的摩爾比b為0.25，太小，介電常數變小，為280，而由于樣品編號8的摩爾比b為0.55，太大，Q值變小，為850。
由于樣品編號9的摩爾比n為1.50，太小，介電常數變小，為260，而由于樣品編號14的摩爾比n為3.20，太大，Q值變小，為900。
表2

*表示本發(fā)明范圍之外。
由于樣品編號15的重量比x為0.50，太小，溫度系數為-2200ppm/℃，向負側的偏移大，溫度特性變差，而由于樣品編號17和18的重量比x大至4.00、5.00，介電常數分別降低至290、230。
由于樣品編號19不含有作為次要組份的MnOm，溫度系數為-2100ppm/℃，向負側的偏移大，溫度特性變差，而由于樣品編號21和22的重量比y大至2.10、3.00，介電常數分別降低至290、250。
由于樣品編號23不含有作為次要組份的La2O3，溫度系數為-2100ppm/℃，向負側的偏移大，溫度特性變差，而由于樣品編號26的重量比z為4.00，太大，介電常數降低至285。
與此不同，樣品編號2、5～7、10～13、16、20、24和25被調整到摩爾比a、b、n、重量比x、y、z都在本發(fā)明的范圍內，因此，介電常數在300以上，Q值在1000以上，并且，溫度系數小至-2000ppm/℃以內，確認具有直線性優(yōu)良的溫度特性。
并且，抗折強度也在130MPa以上，可見機械強度也十分耐用。
實施例2使主要成分原料和次要成分原料與樣品編號2(表1)同樣，稱量TiO2，使Ti元素相對于La元素的摩爾比p(＝Ti/La)為0.5～1.8，采用與實施例1同樣的方法和順序制造樣品編號31～34的單板電容器。
表3表示各樣品編號的成分組成。
表3

下面采用與實施例1同樣的方法和順序測定各樣品編號31～34的介電常數、Q值、溫度系數和抗折強度。
表4表示其結果。
表4

由表3和表4可以看出，樣品編號31加入了使摩爾比p為0.50的TiO2，而樣品編號32加入了使摩爾比p為1.00的TiO2，與沒有加入TiO2的樣品編號2(介電常數360)相比，介電常數分別為365、380，介電常數提高。
而且，樣品編號33加入了使摩爾比p為1.50的TiO2，介電常數具有與樣品編號2相同的值。
樣品編號34作為次要成分加入TiO2，摩爾比p大至1.80，由于TiO2的摩爾量過多，因此，介電常數為350，與不加入TiO2的上述樣品編號2相比，介電常數降低。
由此可見，通過加入摩爾比p在0＜p≤1.5的TiO2，與沒有加入TiO2的情況相比，介電常數有望提高。
實施例3制造通式(2)中Ln2O3的添加成分、其摩爾比n以及摩爾比p不同的各種單板電容器，與實施例1同樣，測定各種特性。
即，稱量作為主要成分原料的SrCO3、CaCO3、Bi2O3和TiO2，以使摩爾比a為0.92、摩爾比b為0.50、摩爾比n為2.00，并且稱量作為次要組份原料的MgTiO3、MnCO3和Ln2O3(其中，Ln是Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er)，以使重量比x為2.00，重量比y為0.20、重量比z為2.00，采用與實施例1大致相同的方法、順序，制造樣品編號41～49。采用該樣品編號41～49，在燒成溫度1250℃下燒成，得到陶瓷燒結體。
除了上述主要成分原料和次要成分原料(其中，Ln是Ce、Gd、Er)，稱量TiO2作為次要成分，以使Ti元素相對于Ln元素的摩爾比p(＝Ti/Ln)為1.00，采用與實施例1大致相同的方法、順序，制造樣品編號50～52。采用該樣品編號50～52，在燒成溫度1240℃下燒成，得到陶瓷燒結體。
除了作為Ln使用Yb(鐿)之外，采用與樣品編號41～49同樣的方法和順序，制造樣品編號53的單板電容器，進而除了作為Ln使用Y(釔)之外，采用與樣品編號41～49同樣的方法和順序，制造樣品編號54的單板電容器。
進而，在Ln為使用本發(fā)明的鑭系元素的同時，使重量比z為4.00，采用與樣品編號41～49大致同樣的方法和順序，制造樣品編號55～63的單板電容器。采用該樣品編號55～63，得到燒成溫度1220～1250℃的陶瓷燒結體。
表5表示樣品編號41～63的成分組成。帶*的樣品表示本發(fā)明范圍之外的樣品。
表5

*表示本發(fā)明范圍之外。
然后采用與實施例1同樣的方法求出介電常數、Q值、溫度系數和抗折強度。
表6表示其結果。
表6

*表示本發(fā)明范圍之外。
由表5和表6可見，由于樣品編號53作為Ln加入了本發(fā)明范圍之外的Yb，Q值減小到900，而樣品編號54作為Ln加入了本發(fā)明范圍之外的Y，介電常數減小到290，無法得到高介電常數的陶瓷電子部件。
樣品編號55～63加入了本發(fā)明的鑭系元素，Ln2O3的含量相對于主要組份100重量份的重量比z為4.0，太多，因此，介電常數降低到260～290，無法獲得高介電常數的陶瓷電子部件。
與此不同，樣品編號41～52作為Ln使用Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho以及Er中，并且調整到重量比z為2.00，因此，確認介電常數為300以上，Q值為1000以上，并且溫度系數被控制在-2000ppm/℃以內。
特別是樣品編號50～52加入了TiO2使摩爾比p(＝Ti/Ln)為1.00，與沒有加入TiO2的樣品編號41、46和49相比，可以得到高介電常數的介電陶瓷。
實施例4作為次要組份再加入SiO2，確認SiO2的作用效果。
除了樣品編號2(表1)的成分組成之外，加入以相對于主要成分100重量份的重量比w計為0.50的SiO2，采用與實施例1同樣的方法和順序，制造樣品編號71的單板電容器。
除了樣品編號71的主要成分原料和次要成分原料之外，稱量作為次要成分的TiO2，使摩爾比p為1.00，采用與實施例1同樣的方法和順序，制造樣品編號72的單板電容器。
除了樣品編號5(表1)的成分組成之外，加入以相對于主要成分100重量份的重量比w計為1.00的SiO2，采用與實施例1同樣的方法和順序，制造樣品編號73的單板電容器。
進而，除了樣品編號73的主要成分原料和次要成分原料之外，稱量作為次要成分的TiO2，使摩爾比p為1.00，采用與實施例1同樣的方法和順序，制造樣品編號74的單板電容器。
表7表示樣品編號71～74的成分組成。
表7

下面采用與實施例1同樣的方法求出介電常數、Q值、溫度系數和抗折強度。
表8表示其結果。
表8

如表7和表8所示的樣品編號71，燒成溫度為1230℃，抗折強度為160MPa，不加入SiO2的樣品編號2(燒成溫度1240℃，抗折強度為140MPa)相比，可以降低燒成溫度，并提高抗折強度。
樣品編號73的燒成溫度為1210℃，抗折強度為160MPa，與不加入SiO2的樣品編號5(燒成溫度1230℃，抗折強度為150MPa)相比，可以降低燒成溫度，并提高抗折強度。
樣品編號72以使摩爾比p為1.00的量加入了TiO2，與沒有加入TiO2的樣品編號71(介電常數355)相比，介電常數提高到390。
另外，樣品編號74也以使摩爾比p為1.00的量加入了TiO2，與沒有加入TiO2的樣品編號73(介電常數330)相比，介電常數提高到350。
權利要求
1.一種介電陶瓷，其中含有通式(1)a[(SrbCa1-b)TiO3]-(1-a)[Bi2O3.nTiO2](其中，a、b表示摩爾比，n表示TiO2相對于Bi2O3的摩爾比)表示的主要成分和通式(2)xMgTiO3-yMnOm-zLn2O3(其中，x、y、z表示相對于上述主要成分100重量份的重量比，m表示1～2，Ln表示選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho和Er中的一種以上的元素)表示的次要成分，上述通式(1)中的摩爾比a、b、n和上述通式(2)中的重量比x、y、z分別為0.88≤a≤0.92，0.30≤b≤0.50，1.80≤n≤3.0，1.0≤x≤3.0，0.1≤y≤2.0和0≤z≤3.0。
2.根據權利要求1記載的介電陶瓷，其中，在上述次要組分中含有進而TiO2，并且上述TiO2的含量以Ti元素相對于上述次要組分中Ln元素的摩爾比p計為0＜p≤1.5。
3.根據權利要求1或2記載的介電陶瓷，其中在上述次要組分中進而含有SiO2，并且上述SiO2的含量以相對于上述主要成分100質量的重量比w計為0＜w≤1。
4.一種陶瓷電子部件，其中在權利要求1記載的介電陶瓷的表面上形成電極部分。
全文摘要
提供一種介電陶瓷及陶瓷電子部件，介電陶瓷在不含有Pb成分的情況下能夠將介電常數ε和Q值維持在高水平，并且溫度特性的直線性優(yōu)良，介電常數ε的溫度變化率小的介電陶瓷。是由通式(1)a[(Sr
文檔編號C04B35/47GK1504436SQ20031011879
公開日2004年6月16日 申請日期2003年12月3日 優(yōu)先權日2002年12月3日
發(fā)明者伴野晃一 申請人:株式會社村田制作所