專利名稱：用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物以及降低鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物，以及一種降低鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度的方法。
背景技術(shù)：
為了適應(yīng)現(xiàn)今電子產(chǎn)品輕、薄、短、小的需要，集成電路組件被大量采用，為了保護(hù)這些集成電路組件不受電涌的損壞，必須采用可在數(shù)伏特的低電壓下工作的變阻器，故低電壓應(yīng)用的積層芯片型變阻器逐漸受到重視。利用積層技術(shù)制作變阻組件，除了有減少體積及方便表面黏著技術(shù)應(yīng)用外，還可精確維持在數(shù)伏特至數(shù)十伏特的低壓范圍。
現(xiàn)有的變阻器中應(yīng)用最廣泛的是氧化鋅系統(tǒng)變阻器，目前商業(yè)化的氧化鋅系統(tǒng)變阻器根據(jù)添加劑的種類大致可分為鉍基、鐠基、鉛硼鋅硅玻璃基、釩基等四種，其通過添加劑的添加來改善變阻器的電學(xué)特性，再利用一般積層陶瓷組件制備工藝制出積層芯片型變阻器。
臺灣專利公告第231357號揭示了一種氧化鋅變阻器，其中除了使用至少90摩爾％的氧化鋅外，還添加了0.001至2.0摩爾％的氧化鎂和0.005至1.0重量％的稀土元素氧化物，以便降低變阻器的漏電流。
臺灣專利公告第345665號揭示了一種釩基氧化鋅系統(tǒng)變阻器，其主要包含0.1至2摩爾％釩氧化物及0.65摩爾％以下的鈷氧化物和錳氧化物作為添加劑，其雖然可在900℃與銀或銀/鈀金屬電極燒結(jié)，但其變阻器的特性卻遠(yuǎn)不及鐠基和鉛硼鋅硅玻璃基氧化鋅系統(tǒng)。
鐠基及鉛硼鋅硅玻璃基氧化鋅系統(tǒng)雖然可以避免與內(nèi)電極鈀反應(yīng)，但其變阻器的特性比鉍基氧化鋅系統(tǒng)較差，且由于必須使用昂貴的鈀電極以維持高溫?zé)Y(jié)，使得最終產(chǎn)品的成本居高不下。
在上述氧化鋅變阻器系統(tǒng)中，鉍基氧化鋅材料系統(tǒng)的電學(xué)特性是最好的，但是當(dāng)其在高溫共燒時，無法使用純銀作為內(nèi)電極，一般常以銀/鈀合金代替，然而氧化鉍(Bi2O3)會與內(nèi)電極鈀發(fā)生固溶反應(yīng)而破壞變阻器的特性。
因此，如果把內(nèi)電極中的鈀拿掉，則不僅可避免鉍鈀共燒反應(yīng)對積層變阻器特性的破壞，而且由于避免了使用昂貴的鈀電極，可有效地大量降低材料成本。然而，所必須面臨的問題是如何將鉍基氧化鋅材料系統(tǒng)的燒結(jié)溫度從1100℃降低到1000℃、900℃或更低的溫度，以便其與純銀內(nèi)電極共燒，并維持其優(yōu)越的變阻器電學(xué)特性。
本案發(fā)明人開發(fā)了一新穎材料系統(tǒng)，其對用于制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物進(jìn)行了改良，使所述鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)在用于制備電子組件(如電阻器)時，可與純銀在低溫下共燒，以達(dá)到使用純銀作為內(nèi)電極的目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物，其包含氧化鋅粉末和添加劑，該添加劑包含氧化銻和氧化鉍，通過調(diào)整銻/鉍的摩爾數(shù)比使其小于2.5，可將該陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度降低至1000℃以下，優(yōu)選為900℃以下，以利于在制備電子組件(如電阻器)時與純銀共燒，從而可以使用純銀作為內(nèi)電極，避免鉍鈀共燒反應(yīng)而破壞所述電子組件的電學(xué)特性，且有效地降低材料成本，維持極優(yōu)的電學(xué)特性。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物，以氧化鋅粉末為基礎(chǔ)，其包含0.5至10重量％的硼鋅化合物，亦可同樣達(dá)到將陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度降低至1000℃的效果。
本發(fā)明的另一目的是提供一種降低鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度的方法，所述鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)是由一組合物燒結(jié)而成，該方法包括(a)提供氧化鋅粉末；和(b)在該氧化鋅粉末中添加添加劑以形成所述組合物，其中所述添加劑包含氧化銻和氧化鉍，且銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5。
本發(fā)明的再一目的是提供另一種降低鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度的方法，該方法包括(a)提供氧化鋅粉末；(b)在該氧化鋅粉末中添加添加劑以形成所述組合物；和(c)在所述氧化鋅粉末中添加硼鋅化合物，相對于該氧化鋅粉末，所述硼鋅化合物的含量為0.01至10重量％。
附圖簡介

圖1表示本發(fā)明中實(shí)施例1和實(shí)施例2中加工溫度與加工時間的變化圖；圖2表示本發(fā)明實(shí)施例1中，燒結(jié)溫度與密度的關(guān)系圖；圖3表示本發(fā)明實(shí)施例2中，不同銻/鉍的摩爾數(shù)比的組合物的燒結(jié)溫度與收縮率的關(guān)系圖。
實(shí)施方式本發(fā)明用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物包含氧化鋅粉末和添加劑，所述添加劑包含氧化銻和氧化鉍，所述銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5，所述組合物能在1000℃以下與純銀或少許鈀或鉑與銀的合金等低溫共燒的金屬進(jìn)行低溫共燒，銻/鉍的摩爾數(shù)比優(yōu)選為小于2.0，更優(yōu)選為小于0.5。
在本發(fā)明中發(fā)現(xiàn)，氧化銻和氧化鉍的添加量對燒結(jié)溫度有顯著的影響。但是，影響燒結(jié)溫度的關(guān)鍵并非是氧化銻和氧化鉍的總添加量，而是取決于銻/鉍的摩爾數(shù)比。當(dāng)銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5時，本發(fā)明中用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物能與低溫共燒的金屬在1000℃以下進(jìn)行低溫共燒，亦即可有效將燒結(jié)溫度降低至1000℃以下；優(yōu)選，當(dāng)銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.0時，則可有效地將燒結(jié)溫度降低至900℃以下；更優(yōu)選，當(dāng)銻/鉍的摩爾數(shù)比小于0.5，則可有效地將燒結(jié)溫度降低至850℃以下。
根據(jù)本發(fā)明的組合物，氧化鋅粉末的含量至少為90摩爾％。本發(fā)明中可采用已知的氧化鋅粉末，其粒徑約為1.0μm，而如果采用粒徑小于0.3μm的氧化鋅粉末時，因粒徑較已知的小的多，將可增加氧化鋅粉末在燒結(jié)時的反應(yīng)面積，從而改善燒結(jié)特性。
根據(jù)本發(fā)明，所述添加劑的含量至多是10摩爾％，該添加劑除氧化銻和氧化鉍外，還包含金屬氧化物及其混合物，所述金屬氧化物的金屬選自鉻(Cr)、錳(Mn)及鈷(Co)。亦即本發(fā)明用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物中，所包含的添加劑除氧化銻和氧化鉍外，還可以包含氧化錳(Mn2O3)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鈷(Co2O3)及其混合物。其中，氧化鉍的作用為調(diào)整變阻器的電學(xué)特性(如非線性指數(shù)值(α)或擊穿電壓)，氧化銻可抑制氧化鋅晶粒的成長，氧化鈷及氧化錳可改善非線性指數(shù)值(α)及晶界的形成，氧化鉻則作為氧化鋅施主添加物。
在一具體實(shí)施例中，本發(fā)明還在用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物中添加了0.001至1摩爾％的氫氧化鋁(Al(OH)3)，氫氧化鋁的添加為了改善非線性指數(shù)值(α)。
本發(fā)明還涉及一種用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物，相對于該氧化鋅粉末，其包含0.01至10重量％，優(yōu)選0.5至10重量％的硼鋅化合物，所述組合物同樣可達(dá)到將陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度降低至1000℃的效果。所述硼鋅化合物在此用作降低燒結(jié)溫度的燒結(jié)助劑，可使所述組合物在1000℃以下，優(yōu)選900℃以下的溫度下與純銀等低溫共燒的金屬燒結(jié)，并保持優(yōu)異的電學(xué)特性。所述硼鋅化合物包含但不限于硼鋅玻璃(即，[(ZnO)4·B2O3])。
本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，在鉍基氧化鋅粉末中添加硼鋅化合物得到一組合物，所述組合物中還可包含已知的添加劑，特別是在所述添加劑中不含氧化鉍或氧化銻，或是無法調(diào)整銻/鉍的摩爾數(shù)比的情況下，仍可以達(dá)到將陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度降低至1000℃的效果。相同地，在本發(fā)明的另一具體實(shí)施例中，還可在包含硼鋅化合物的用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物中，添加0.001至1摩爾％的氫氧化鋁(Al(OH)3)。
在本發(fā)明的一優(yōu)選具體實(shí)施例中，用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物包含有氧化鋅粉末和添加劑，所述添加劑包含氧化銻和氧化鉍，所述銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5，優(yōu)選為小于2.0，更優(yōu)選為小于0.5，相對于氧化鋅粉末，其含有0.01至10重量％，優(yōu)選0.5至10重量％的硼鋅化合物。而且所述組合物中采用粒徑小于0.3μm的氧化鋅粉末，以改善燒結(jié)特性。
本發(fā)明還涉及一種降低鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度的方法，所述鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)由一組合物燒結(jié)而成，其中使用上述用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物，該方法至少有兩種實(shí)施方式。
所述方法的第一實(shí)施例包括(a)提供氧化鋅粉末；和(b)添加添加劑至該氧化鋅粉末中以形成該組合物，其中所述添加劑包含氧化銻和氧化鉍，且銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5。
所述方法的第二實(shí)施例包括(a)提供氧化鋅粉末；(b)添加添加劑至該氧化鋅粉末中以形成該組合物；和(c)添加硼鋅化合物至該氧化鋅粉末中，所述硼鋅化合物的含量相對于該氧化鋅粉末為0.01至10重量％，優(yōu)選為0.5至10重量％。
在本發(fā)明應(yīng)用于制造電子組件(例如變阻器)時，內(nèi)電極材料便可選用純銀或添加少許的鈀或鉑等的低溫共燒金屬來低溫共燒，避免了傳統(tǒng)鉍基氧化鋅變阻器中鉍鈀之間的共燒反應(yīng)對電子組件電學(xué)特性的破壞。
本發(fā)明用于制造鉍基氧化鋅積層芯片型變阻器的方法與已知方法相同。首先，提供上述組合物，將該組合物加入去離子水中予以混合分散后，加入粘著劑(PVA binder)、塑化劑、消泡劑及脫模劑(releasing agent)等已知成分以配制成漿體。接著將該漿體用已知的刮刀成形技術(shù)制成陶瓷薄片(ceramic sheet)，再將純銀或其它導(dǎo)電金屬膏網(wǎng)版印刷在陶瓷薄片上作為內(nèi)電極，經(jīng)烤干后，將多層經(jīng)印刷的陶瓷薄片堆棧，得到粗胚試片。待粘著劑分解和燒結(jié)后，在試片兩端涂上外電極而制得鉍基氧化鋅積層芯片型變阻器。
根據(jù)本發(fā)明的低溫?zé)Y(jié)特性，前述的組合物在制造鉍基氧化鋅積層芯片型變阻器時，可以配合使用較便宜的純銀作為內(nèi)電極，而形成性質(zhì)良好的低壓變阻器，并且降低制作成本。
下面用具體實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明制造鉍基氧化鋅積層芯片型變阻器的應(yīng)用，但這并不意味本發(fā)明僅局限于這些實(shí)施例所揭示的內(nèi)容。
實(shí)施例1首先，提供氧化鋅粉末，將該氧化鋅粉末研磨后使其d50的平均粒徑小于0.3μm。接著，依表1所示的比例將氧化錳(Mn2O3)、氧化<p>

**與生理鹽水組相比P＜0.01，*與生理鹽水組相比P＜0.05++與環(huán)磷酰胺組相比P＜0.01，+與環(huán)磷酰胺組相比P＜0.05(1)環(huán)磷酰胺免疫抑制小鼠中性粒細(xì)胞和紅細(xì)胞明顯下降。
(2)環(huán)磷酰胺+香菇多糖2mg/kg組的中性粒細(xì)胞和紅細(xì)胞也明顯下降，因此香菇多糖對注射了環(huán)磷酰胺的免疫低下小鼠沒有作用。
(3)環(huán)磷酰胺小鼠腹腔注射有效部位A 300mg/kg的白細(xì)胞總數(shù)、淋巴細(xì)胞總數(shù)、單核細(xì)胞總數(shù)、中性粒細(xì)胞總數(shù)顯著升高。有效部位A 100mg/kg的淋巴細(xì)胞總數(shù)和有效部位A300mg/kg的中性粒細(xì)胞總數(shù)也升高，但均沒有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。紅細(xì)胞沒有下降，與正常組無差別，表明有效部位A恢復(fù)了環(huán)磷酰胺對紅細(xì)胞的抑制作用。有效部位A兩劑量組血小板均下降。
(3)(4)環(huán)磷酰胺小鼠腹腔注射丹參寡糖混合物150mg/kg的白細(xì)胞總數(shù)、淋巴細(xì)胞總數(shù)、單核細(xì)胞總數(shù)、中性粒細(xì)胞總數(shù)顯著升高。丹參寡糖混合物50mg/kg的白細(xì)胞總數(shù)、淋巴細(xì)胞總數(shù)、單核細(xì)胞總數(shù)顯著升高，中性粒細(xì)胞總數(shù)下降但沒有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。紅細(xì)胞也沒有下降，與正常組無差別，表明丹參寡糖混合物恢復(fù)了環(huán)磷酰胺對紅細(xì)胞的抑制作用。丹參寡糖混合物150mg/kg組血小板下降。
總之，有效部位A及丹參寡糖混合物對正常及環(huán)磷酰胺免疫低下小鼠的外周血白細(xì)胞均有明顯的促進(jìn)作用。
接下來的制備工藝與實(shí)施例1相同。
本實(shí)施例中使用不同銻/鉍摩爾數(shù)比的組合物在不同燒結(jié)溫度下制得變阻器，其收縮率與燒結(jié)溫度的變化如圖3所示。由其結(jié)果可知，在不添加硼鋅化合物的情況下，銻/鉍的摩爾數(shù)比與燒結(jié)溫度的關(guān)系，當(dāng)銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5時，可有效地將燒結(jié)溫度降低至1000℃以下；當(dāng)銻/鉍的摩爾數(shù)比小于0.5時，則可有效地將燒結(jié)溫度降低至850℃以下。
表2實(shí)施例2的組成配方，其中不添加硼鋅化合物

本發(fā)明材料、方法及特征，經(jīng)上述實(shí)例說明將更為明顯，現(xiàn)應(yīng)了解的是，任何不脫離本發(fā)明精神下所作的修飾或改變，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物，其包含氧化鋅粉末和添加劑，所述添加劑包含氧化銻和氧化鉍，且銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5。
2.如權(quán)利要求1的組合物，其中銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.0。
3.如權(quán)利要求1的組合物，其中銻/鉍的摩爾數(shù)比小于0.5。
4.如權(quán)利要求1的組合物，其中所述氧化鋅粉末的含量至少為90摩爾％，所述添加劑的含量至多是10摩爾％。
5.如權(quán)利要求1的組合物，其中所述氧化鋅粉末的粒徑小于0.3μm。
6.如權(quán)利要求5的組合物，其中所述氧化鋅粉末的粒徑在0.15至0.30μm之間。
7.如權(quán)利要求1的組合物，其中所述添加劑還包含金屬氧化物及其混合物，所述金屬氧化物的金屬選自鉻、錳和鈷。
8.如權(quán)利要求1的組合物，其還包含0.001至1摩爾％的氫氧化鋁。
9.如權(quán)利要求1的組合物，其還包含硼鋅化合物，相對于所述氧化鋅粉末，其含量為0.01至10重量％。
10.如權(quán)利要求9的組合物，其中所述硼鋅化合物為[(ZnO)4·B2O3]。
11.一種鉍基氧化鋅積層芯片型變阻器，其包含如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)的組合物。
12.如權(quán)利要求11的變阻器，其包含可與所述組合物在低溫下共燒的金屬作為內(nèi)電極。
13.如權(quán)利要求12的變阻器，其中所述金屬為純銀。
14.如權(quán)利要求12的變阻器，其中所述純銀與所述組合物的燒結(jié)溫度低于1000℃。
15.如權(quán)利要求14的變阻器，其中所述純銀與所述組合物的燒結(jié)溫度低于900℃。
16.一種降低鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度的方法，所述鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)由一組合物燒結(jié)而成，該方法包括(a)提供氧化鋅粉末；和(b)添加添加劑至該氧化鋅粉末中以形成所述組合物，其中所述添加劑包含氧化銻和氧化鉍，且銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5。
17.如權(quán)利要求16的方法，其中所述銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.0。
18.如權(quán)利要求16的方法，其中所述銻/鉍的摩爾數(shù)比小于0.5。
19.如權(quán)利要求16的方法，其中所述添加劑的添加量至多是10摩爾％，所述氧化鋅粉末的含量至少為90摩爾％。
20.如權(quán)利要求16的方法，其中步驟(a)中氧化鋅粉末的粒徑小于0.3μm。
21.如權(quán)利要求20的方法，其中步驟(a)中氧化鋅粉末的粒徑在0.15-0.30μm之間。
22.如權(quán)利要求16的方法，其中所述添加劑還包含金屬氧化物及其混合物，所述金屬氧化物的金屬選自鉻、錳和鈷。
23.如權(quán)利要求16的方法，其還包括(c)添加0.001至1摩爾％的氫氧化鋁以形成所述組合物。
24.如權(quán)利要求16的方法，其還包括(c)添加硼鋅化合物以形成所述組合物，相對于所述氧化鋅粉末，所述硼鋅化合物的含量為0.01至10重量％。
25.如權(quán)利要求24的方法，其中所述硼鋅化合物為[(ZnO)4·B2O3]。
26.一種用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物，其包含氧化鋅粉末及添加劑，其特征為所述組合物還包含硼鋅化合物，所述硼鋅化合物的含量為所述氧化鋅粉末量的0.01至10重量％。
27.如權(quán)利要求26的組合物，其中所述添加劑包含氧化銻和氧化鉍，且銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5。
28.如權(quán)利要求27的組合物，其中銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.0。
29.如權(quán)利要求28的組合物，其中銻/鉍的摩爾數(shù)比小于0.5。
30.如權(quán)利要求26的組合物，其中所述氧化鋅粉末的含量至少為90摩爾％，所述添加劑的含量至多是10摩爾％。
31.如權(quán)利要求26的組合物，其中所述氧化鋅粉末的粒徑小于0.3μm。
32.如權(quán)利要求31的組合物，其中所述氧化鋅粉末的粒徑在0.15-0.30μm之間。
33.如權(quán)利要求26的組合物，其中所述添加劑還包含金屬氧化物及其混合物，所述金屬氧化物的金屬選自鉻、錳和鈷。
34.如權(quán)利要求26的組合物，其還包含0.001至1摩爾％的氫氧化鋁。
35.如權(quán)利要求26的組合物，其中所述硼鋅化合物為[(ZnO)4·B2O3]。
36.一種鉍基氧化鋅積層芯片型變阻器，其包含如權(quán)利要求26-35中任一項(xiàng)的組合物。
37.如權(quán)利要求36的變阻器，其包含可與所述組合物在低溫下共燒的金屬作為內(nèi)電極。
38.如權(quán)利要求37的變阻器，其中所述金屬為純銀。
39.如權(quán)利要求37的變阻器，其中所述純銀與所述組合物的燒結(jié)溫度低于1000℃。
40.如權(quán)利要求39的變阻器，其中所述純銀與所述組合物的燒結(jié)溫度低于900℃。
41.一種降低鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度的方法，所述鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)由一組合物燒結(jié)而成，該方法包括(a)提供氧化鋅粉末；(b)添加添加劑至該氧化鋅粉末中以形成該組合物；和(c)添加硼鋅化合物至所述氧化鋅粉末中，所述硼鋅化合物的含量為所述氧化鋅粉末的量的0.01至10重量％。
42.如權(quán)利要求41的方法，其中所述硼鋅化合物為[(ZnO)4·B2O3]。
43.如權(quán)利要求41的方法，其中所述添加劑還包含金屬氧化物及其混合物，所述金屬氧化物的金屬選自鉻、錳和鈷。
44.如權(quán)利要求41的方法，其中步驟(a)中氧化鋅粉末的粒徑小于0.3μm。
45.如權(quán)利要求44的方法，其中步驟(a)中氧化鋅粉末的粒徑在0.15-0.30μm之間。
46.如權(quán)利要求41的方法，其還包括(d)添加0.001至1摩爾％的氫氧化鋁以形成所述組合物。
47.如權(quán)利要求41的方法，其中所述添加劑包含氧化銻和氧化鉍，且銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5。
48.如權(quán)利要求47的方法，其中所述銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.0。
49.如權(quán)利要求48的方法，其中所述銻/鉍的摩爾數(shù)比小于0.5。
50.如權(quán)利要求41的方法，其中所述添加劑的添加量至多是10摩爾％，所述氧化鋅粉末的含量至少為90摩爾％。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物，該組合物包含氧化鋅粉末和添加劑，所述添加劑包含氧化銻和氧化鉍，且銻/鉍的摩爾數(shù)比小于2.5。由此，可將所述陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度降低至1000℃以下，以便與作為內(nèi)電極的純銀共燒，并保持極優(yōu)的電學(xué)特性。本發(fā)明還涉及一種用以制造鉍基氧化鋅陶瓷系統(tǒng)的組合物，相對于所述氧化鋅粉末，其包含0.01至10重量％的硼鋅化合物，其同樣可達(dá)到將陶瓷系統(tǒng)的燒結(jié)溫度降低至1000℃的效果。
文檔編號C04B35/453GK1629096SQ20031012331
公開日2005年6月22日 申請日期2003年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月17日
發(fā)明者李文熙, 李英杰, 黃國楨, 蘇哲儀, 林世彬 申請人:國巨股份有限公司