專利名稱：濕蝕刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種濕蝕刻設(shè)備。
背景技術(shù)：
濕蝕刻技術(shù)以其成本低、產(chǎn)率高、可靠，及對(duì)光罩與基座材料選擇性好等優(yōu)點(diǎn)，在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin-Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)的前段半導(dǎo)體制程對(duì)玻璃基板的蝕刻過程中得到廣泛應(yīng)用。
目前，對(duì)顯示器的顯示效果、特別是顯示器的分辨率的要求不斷提升，因此線距、線寬需蝕刻成越來越細(xì)，均勻性要求亦越來越嚴(yán)格；并且，玻璃基板亦向大尺寸的方向發(fā)展。因此，對(duì)蝕刻技術(shù)及相應(yīng)的設(shè)備亦有更高的要求。
請(qǐng)參閱圖1，是一種現(xiàn)有技術(shù)濕蝕刻設(shè)備的立體結(jié)構(gòu)示意圖。該濕蝕刻設(shè)備10包括一基板承載室111、一緩沖室112、一第一蝕刻室113、一第二蝕刻室114、一第三蝕刻室115、一濕傳送室116、一漂洗室117、一干燥室118、一干傳送室119及位居在中心的維修區(qū)110。
該濕蝕刻設(shè)備10呈水平排布，該基板承載室111分別與該緩沖室112及該干傳送室119連接。該基板承載室111、該緩沖室112、該第一蝕刻室113、該第二蝕刻室114、該第三蝕刻室115、該濕傳送室116、該漂洗室117、該干燥室118及該干傳送室119順序首尾相連，環(huán)繞呈矩形狀。該維修區(qū)110居在該濕蝕刻設(shè)備10各部份環(huán)繞形成的中心矩形區(qū)域，分別與濕蝕刻設(shè)備10的其它各部份相鄰。
該緩沖室112、該第一蝕刻室113、該第二蝕刻室114及該第三蝕刻室115與該漂洗室117、該干燥室118及該干傳送室119分別平行排布在該維修區(qū)110的兩側(cè)，該基板承載室111與濕傳送室116分別平行排布在該維修區(qū)110的另外兩側(cè)。
玻璃基板經(jīng)前段制程處理完畢，進(jìn)入該濕蝕刻設(shè)備10的基板承載室111，該緩沖室112是將待蝕刻的玻璃基板由該基板承載室111裝載在其上，使得玻璃基板順序進(jìn)入與該緩沖室112直線排布的相連的該第一蝕刻室113、第二蝕刻室114與第三蝕刻室115。蝕刻完畢的玻璃基板進(jìn)入該濕傳送室116內(nèi)，由滾筒或夾具伴以去離子水伴隨高壓對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗傳送過程，隨后依次進(jìn)入該漂洗室117、該干燥室118及該干傳送室119。
該漂洗室117是使用高壓水柱清除玻璃基板表面的副生成物及伴隨高密度的噴霧對(duì)玻璃基板表面作徹底清洗。該傳送室119將處理完畢的玻璃基板卸載至該基板承載室111，再由該基板承載室111向后續(xù)制程傳送，如此，玻璃基板的傳送路徑形成。
該維修區(qū)110是封閉區(qū)域，其內(nèi)設(shè)置有濕蝕刻制程所需的化學(xué)管線及氣體管線，人員可進(jìn)入其內(nèi)進(jìn)行維修。該緩沖室112下方是該維修區(qū)110的入口通道(未標(biāo)示)，由此可進(jìn)入該維修區(qū)110對(duì)各部份段點(diǎn)進(jìn)行維修管護(hù)。
通常，在玻璃基板尺寸較大的情況下，位于玻璃基板四周區(qū)域的蝕刻所產(chǎn)生的副生成物較易排除，而位于玻璃基板中央?yún)^(qū)域的蝕刻所產(chǎn)生的副生成物較難排除，未被排除的副生成物阻礙濕蝕刻的進(jìn)一步進(jìn)行，因此玻璃基板四周區(qū)域的蝕刻速度較快，中央?yún)^(qū)域的蝕刻速度較慢。在應(yīng)用該濕蝕刻設(shè)備10的制程中，由于第一蝕刻室113、該第二蝕刻室114及該第三蝕刻室115的蝕刻過程接連進(jìn)行，并且濕蝕刻是一種等向性蝕刻(Isotropic Etching)，即濕蝕刻不但會(huì)對(duì)被蝕刻材料進(jìn)行縱向蝕刻，而且也會(huì)對(duì)被蝕刻材料進(jìn)行橫向蝕刻，因此當(dāng)玻璃基板中央?yún)^(qū)域濕蝕刻完成時(shí)，玻璃基板四周區(qū)域的橫向蝕刻已經(jīng)出現(xiàn)較嚴(yán)重的底切現(xiàn)象(Undercut)，因此造成蝕刻品質(zhì)下降，產(chǎn)品良率低。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中由于玻璃基板四周區(qū)域的橫向蝕刻出現(xiàn)較嚴(yán)重的底切現(xiàn)象而造成蝕刻品質(zhì)下降，產(chǎn)品良率低的問題，本實(shí)用新型提供一種蝕刻品質(zhì)好、產(chǎn)品良率高的濕蝕刻設(shè)備。
本發(fā)明解決技術(shù)問題的技術(shù)方案是提供一種濕蝕刻設(shè)備，其包括呈順序排布的一承載與緩沖區(qū)，一第一蝕刻室，一采用高壓水柱清除基板在該第一蝕刻室內(nèi)被蝕刻后形成在其表面上副生成物的清洗室，一第二蝕刻室，一漂洗與干燥傳送區(qū)。
相較于現(xiàn)有技術(shù)本實(shí)用新型濕蝕刻設(shè)備中，在第一蝕刻室與第二蝕刻室之間設(shè)置清洗室，且該清洗室是使用高壓水柱清除玻璃基板在該第一蝕刻室內(nèi)被蝕刻后形成在其表面上的副生成物。玻璃基板進(jìn)入該第二蝕刻室后，由于不存在副生成物阻礙蝕刻進(jìn)一步進(jìn)行的情況，因此玻璃基板的中央?yún)^(qū)域與四周區(qū)域可同時(shí)且速度相同地進(jìn)行蝕刻，并且中央?yún)^(qū)域與四周區(qū)域的蝕刻也可以同時(shí)完成，因此蝕刻品質(zhì)好，產(chǎn)品良率高。

圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)濕蝕刻設(shè)備的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型濕蝕刻設(shè)備第一實(shí)施方式的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本實(shí)用新型濕蝕刻設(shè)備第二實(shí)施方式的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是該濕蝕刻設(shè)備的濕蝕刻方法的流程圖。
具體實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖2，是本實(shí)用新型濕蝕刻設(shè)備第一實(shí)施方式的立體結(jié)構(gòu)示意圖。該濕蝕刻設(shè)備20包括一基板承載室211、一緩沖室212、一第一蝕刻室213、一清洗室214、一第二蝕刻室215、一濕傳送室216、一漂洗室217、一干燥室218、一干傳送室219及居在中心的維修區(qū)210。
該濕蝕刻設(shè)備20是水平排布，該基板承載室211分別與該緩沖室212及該干傳送室219連接。該基板承載室211、該緩沖室212、該第一蝕刻室213、該清洗室214、該第二蝕刻室215、該濕傳送室216、該漂洗室217、該干燥室218及該干傳送室219順序首尾相連，環(huán)繞呈矩形狀。該維修區(qū)210居在該濕蝕刻設(shè)備20各部份環(huán)繞形成的中心矩形區(qū)域，分別與濕蝕刻設(shè)備20的其它各部份相鄰。
該緩沖室212、該第一蝕刻室213、該清洗室214及該第二蝕刻室215與該漂洗室217、該干燥室218及該干傳送室219分別平行排布在該維修區(qū)210的兩側(cè)，該基板承載室211與濕傳送室216分別平行排布在該維修區(qū)210的另外兩側(cè)。
玻璃基板經(jīng)前段制程處理完畢，進(jìn)入該濕蝕刻設(shè)備20的基板承載室211，該緩沖室212是將待蝕刻的玻璃基板由該基板承載室211裝載在其上，使得玻璃基板順序進(jìn)入與該緩沖室212直線排布的相連的該第一蝕刻室213、清洗室214與第二蝕刻室215。該清洗室214是使用高壓水柱清除玻璃基板在該第一蝕刻室213內(nèi)被蝕刻后形成在其表面上的副生成物，玻璃基板進(jìn)入該第二蝕刻室215后，由于不存在副生成物阻礙蝕刻進(jìn)一步進(jìn)行的情況，因此玻璃基板的中央?yún)^(qū)域與四周區(qū)域可同時(shí)且速度相同地進(jìn)行蝕刻，蝕刻出來的蝕刻品質(zhì)好，產(chǎn)品良率高。
蝕刻完畢的玻璃基板進(jìn)入該濕傳送室216內(nèi)，由滾筒或夾具伴以去離子水伴隨高壓對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗傳送過程，隨后依次進(jìn)入該漂洗室217、該干燥室218及該干傳送室219。該漂洗室217是使用高壓水柱清除玻璃基板表面的副生成物及伴隨高密度的噴霧對(duì)玻璃基板表面作徹底清洗。
該傳送室219將處理完畢的玻璃基板卸載至該基板承載室211，再由該基板承載室211向后續(xù)制程傳送，如此，玻璃基板的傳送路徑形成。
該濕蝕刻設(shè)備20中，該基板承載室211及緩沖室212為承載與緩沖區(qū)；該濕傳送室216、漂洗室217、干燥室218及干傳送室219為漂洗與干燥傳送區(qū)。
相較于現(xiàn)有技術(shù)本實(shí)用新型濕蝕刻設(shè)備中，在第一蝕刻室213與第二蝕刻室215之間設(shè)置清洗室214，該清洗室214是使用高壓水柱清除玻璃基板在該第一蝕刻室213內(nèi)被蝕刻后形成在其表面上的副生成物，玻璃基板進(jìn)入該第二蝕刻室215后，由于不存在副生成物阻礙蝕刻進(jìn)一步進(jìn)行的情況，因此玻璃基板的中央?yún)^(qū)域與四周區(qū)域可同時(shí)且速度相同地進(jìn)行蝕刻，并且中央?yún)^(qū)域與四周區(qū)域的蝕刻也可以同時(shí)完成，蝕刻出來的蝕刻品質(zhì)好，產(chǎn)品良率高。
請(qǐng)參閱圖3，是本實(shí)用新型的濕蝕刻設(shè)備第二實(shí)施方式的立體結(jié)構(gòu)示意圖。該濕蝕刻設(shè)備30包括順序呈直線排布的一基板承載室311、一干傳送室319、一干燥室318、一漂洗室317、一第二蝕刻室316、一清洗室315、一第一蝕刻室314及一升降室313，還包括一干傳送帶312。該干傳送帶312位在該干傳送室319、該干燥室318、該漂洗室317、該第二蝕刻室316、該清洗室315及該第一蝕刻室314的上方，且與該基板承載室311及該升降室313連接。
該基板承載室311分別與該干傳送帶312及該干傳送室319連接；該干傳送帶312將由該基板承載室311上裝載的玻璃基板水平傳送至該升降室313，玻璃基板經(jīng)升降室313由上層垂直傳送至下層，然后順序進(jìn)入第一蝕刻室314、清洗室215、第二蝕刻室316、漂洗室317、干燥室318及干傳送室319，該干傳送室319將處理完畢的玻璃基板卸載至該基板承載室311完成玻璃基板的傳送，再由該基板承載室311向后續(xù)制程傳送。
該濕蝕刻設(shè)備30中，該基板承載室311、干傳送帶312及升降室313為承載與緩沖區(qū)；該漂洗室317、干燥室318及干傳送室319為漂洗與干燥傳送區(qū)。
請(qǐng)參閱圖4，是該濕蝕刻設(shè)備的濕蝕刻方法的流程圖。本實(shí)用新型濕蝕刻方法包括以下步驟(401)承載與緩沖，在基板承載室里承載所需要被蝕刻之玻璃基板，并通過緩沖室或干傳送帶及升降室使玻璃基板順序進(jìn)入下一步驟；(402)第一段蝕刻，使用蝕刻液對(duì)玻璃基板進(jìn)行預(yù)蝕刻(Pre-Etch)及主蝕刻(Main-Etch)；(403)清洗，使用高壓水柱清除玻璃基板在第一段蝕刻內(nèi)被蝕刻后形成在其表面上的副生成物；(404)第二段蝕刻，使用與第一段蝕刻相同的蝕刻液對(duì)玻璃基板進(jìn)行過蝕刻(Over-Etch)，在玻璃基板上得到所需要的圖案；(405)漂洗與干燥傳送，由滾筒或夾具伴以去離子水伴隨高壓對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗傳送后，然后使用高壓水柱清除玻璃基板表面的副生成物及伴隨高密度的噴霧對(duì)玻璃基板表面作徹底清洗，干燥后傳送至后續(xù)制程。
相較于現(xiàn)有技術(shù)本實(shí)用新型濕蝕刻設(shè)備中，在第一蝕刻室與第二蝕刻室之間設(shè)置清洗室，該清洗室是使用高壓水柱清除玻璃基板在該第一蝕刻室內(nèi)被蝕刻后形成在其表面上的副生成物。玻璃基板進(jìn)入該第二蝕刻室后，由于不存在副生成物阻礙蝕刻進(jìn)一步進(jìn)行的情況，因此玻璃基板的中央?yún)^(qū)域與四周區(qū)域可同時(shí)且速度相同地進(jìn)行蝕刻，并且中央?yún)^(qū)域與四周區(qū)域的蝕刻也可以同時(shí)完成，蝕刻出來的蝕刻品質(zhì)好，產(chǎn)品良率高。
權(quán)利要求1.一種濕蝕刻設(shè)備，包括呈順序排布的一承載與緩沖區(qū)，一第一蝕刻室，一采用高壓水柱清除基板在該第一蝕刻室內(nèi)被蝕刻后形成在其表面上副生成物的清洗室，一第二蝕刻室，一漂洗與干燥傳送區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的濕蝕刻設(shè)備，其特征在于該承載與緩沖區(qū)包括順序排布的基板承載室及緩沖室。
3.如權(quán)利要求2所述的濕蝕刻設(shè)備，其特征在于該漂洗與干燥傳送區(qū)包括順序排布的濕傳送室、漂洗室、干燥室及干傳送室。
4.如權(quán)利要求1所述的濕蝕刻設(shè)備，其特征在于該承載與緩沖區(qū)包括順序排布的基板承載室、干傳送帶及升降室。
5.如權(quán)利要求4所述的濕蝕刻設(shè)備，其特征在于該漂洗與干燥傳送區(qū)包括順序排布的漂洗室、干燥室及干傳送室。
6.如權(quán)利要求5所述的濕蝕刻設(shè)備，其特征在于該干傳送帶位于該干燥室、漂洗室、第二蝕刻室、該清洗室及該第一蝕刻室的上方，且與該基板承載室及該升降室連接。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種濕蝕刻設(shè)備，包括呈順序排布的其包括呈順序排布的一承載與緩沖區(qū)，一第一蝕刻室，一采用高壓水柱清除基板在該第一蝕刻室內(nèi)被蝕刻后形成在其表面上副生成物的清洗室，一第二蝕刻室，一漂洗與干燥傳送區(qū)。
文檔編號(hào)C03C15/00GK2763268SQ200420103599
公開日2006年3月8日 申請(qǐng)日期2004年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月30日
發(fā)明者高勝洲, 黃榮龍, 歐振憲, 邱立峰 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司