專利名稱：裝載板、陶瓷基片的制造方法及陶瓷基片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于燒結(jié)陶瓷坯件形成陶瓷基片的裝載板(setter)、陶瓷基片的制造方法，以及由該制造方法制造的陶瓷基片。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的這類技術(shù)，例如有在特開2002-104891號(hào)公報(bào)中記述的電子部件用燒結(jié)夾具。該電子部件用燒結(jié)夾具由，在基底材料上形成包含99.5重量％以上的氧化鋯或穩(wěn)定化氧化鋯等氧化鋯材料的表面層構(gòu)成。在特開2002-104891號(hào)公報(bào)中記述有若在上述表面層上裝載含有陶瓷的電子部件并燒結(jié)，能夠防止電子部件被污染，并能夠制造顯示穩(wěn)定特性的高品質(zhì)電子部件。

發(fā)明內(nèi)容
然而，用特開2002-104891號(hào)公報(bào)中記述的電子部件燒結(jié)用夾具作為裝載板，燒結(jié)陶瓷坯件形成陶瓷基片時(shí)，有燒結(jié)后的陶瓷基片中容易產(chǎn)生翹曲等變形的擔(dān)憂。這樣的問(wèn)題，在為了得到薄型化的陶瓷基片而減薄陶瓷坯件時(shí)，尤為顯著。
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題，其目的是提供能夠抑制燒結(jié)后的陶瓷基片中產(chǎn)生翹曲等變形的裝載板、陶瓷基片的制造方法，以及由該制造方法來(lái)制造的陶瓷基片。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明者進(jìn)行了反復(fù)的深入研究，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過(guò)將陶瓷坯件裝載于平均粒徑為0.3～2.5μm、陶瓷密度為6kg/dm3以上、熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下、且裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm的裝載面上進(jìn)行燒結(jié)，能夠抑制燒結(jié)后的陶瓷基片中產(chǎn)生翹曲等變形，從而完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明涉及的裝載板是，在燒結(jié)陶瓷坯件、形成陶瓷基片時(shí)，具有裝載陶瓷坯件的裝載面的裝載板，其特征在于平均粒徑為0.3～2.5μm，陶瓷密度為6kg/dm3以上，熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下，且所述裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm。
另外，本發(fā)明涉及的陶瓷基片的制造方法是，燒結(jié)陶瓷坯件形成陶瓷基片的陶瓷基片制造方法，其特征在于準(zhǔn)備平均粒徑為0.3～2.5μm、陶瓷密度為6kg/dm3以上、熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下、且裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm的裝載板，將陶瓷坯件裝載于裝載板的裝載面上進(jìn)行燒結(jié)。
這樣，如果使構(gòu)成裝載板的顆粒的平均粒徑為0.3μm～2.5μm，并使裝載板的陶瓷密度為6kg/dm3以上，燒結(jié)時(shí)，例如就能夠防止鉛等成分從陶瓷坯件蒸發(fā)并向裝載板中擴(kuò)散，能夠使陶瓷坯件的成分在燒結(jié)過(guò)程中保持均勻。進(jìn)一步，如果使熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下，并且使所述裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm，就能夠減小陶瓷坯件的裝載板一側(cè)的面與其相反的面之間因燒結(jié)而引起的熱歷史的差異，能夠均勻地?zé)Y(jié)陶瓷坯件。如上所述，通過(guò)在上述裝載板的裝載面上裝載陶瓷坯件進(jìn)行燒結(jié)，能夠抑制燒結(jié)后的陶瓷基片中產(chǎn)生翹曲等的變形。


圖1是表示本發(fā)明相關(guān)的陶瓷基片的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式中陶瓷坯件進(jìn)行脫粘合劑時(shí)的狀態(tài)的平面圖。
圖2是表示本發(fā)明相關(guān)的陶瓷基片的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式中陶瓷坯件進(jìn)行脫粘合劑時(shí)的狀態(tài)的側(cè)面圖。
圖3是表示本發(fā)明相關(guān)的陶瓷基片的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式中陶瓷坯件進(jìn)行燒結(jié)時(shí)的狀態(tài)的側(cè)面圖。
圖4是沿圖3的IV-IV線的截面圖。
圖5是表示構(gòu)成氧化鋯基板的顆粒平均粒徑與壓電陶瓷基片的翹曲量的關(guān)系的圖。
圖6是表示氧化鋯基板的陶瓷密度與壓電陶瓷基片的翹曲量的關(guān)系的圖。
圖7是表示氧化鋯基板的熱傳導(dǎo)率與壓電陶瓷基片的翹曲量的關(guān)系的圖。
圖8是表示氧化鋯基板的裝載面的中心線平均粗糙度與壓電陶瓷基片的翹曲量的關(guān)系的圖。
圖9是氧化鋯基板的裝載面的放大截面圖。
圖10是表示十點(diǎn)平均粗糙度Rz的概念的圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。
本實(shí)施方式以鈦酸鉛以及鈦酸鋯酸鉛為主要成分制造壓電陶瓷基片。這樣的壓電陶瓷基片，可以應(yīng)用于陶瓷振子、陶瓷過(guò)濾器、壓電蜂鳴器、壓電傳感器、壓電調(diào)節(jié)器等各種制品。
為了制造上述壓電陶瓷基片，如圖1及圖2所示，首先，準(zhǔn)備裝載薄片狀陶瓷坯件1的氧化鋯基板2。該氧化鋯基板2是孔隙度不到1％的致密材料，該材料例如可以是在氧化鋯中作為穩(wěn)定劑添加氧化釔(Y2O3)的材料。另外，作為穩(wěn)定劑，除了氧化釔(Y2O3)之外，還可以使用氧化鈣(CaO)、氧化鎂(MgO)、氧化鈰(CeO2)等。而且，作為穩(wěn)定劑的添加量，在實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定化的基礎(chǔ)上優(yōu)選為6～14mol％，更優(yōu)選為8～12mol％。
準(zhǔn)備好氧化鋯基板2之后，按照以下順序制作陶瓷坯件1。首先，在以鈦酸鉛及鈦酸鋯酸鉛為主要成分的壓電陶瓷粉體中添加有機(jī)粘合劑及有機(jī)溶劑等，使其成為膏狀，利用刮刀法形成薄片狀，得到基片。接著，在該印刷電路基板上由絲網(wǎng)印刷法形成內(nèi)部電極，積層多枚形成了該內(nèi)部電極的印刷電路基板得到積層體坯件。而且，將該積層體坯件切斷為規(guī)定尺寸，得到陶瓷坯件1。
在制作了陶瓷坯件1之后，如圖1及圖2所示，將陶瓷坯件1裝載于氧化鋯基板2的裝載面2a。而且，在例如400℃的溫度下保持10小時(shí)，進(jìn)行陶瓷坯件1的脫粘合劑。
在對(duì)陶瓷坯件1進(jìn)行脫粘合劑后，如圖3及圖4所示，通過(guò)在氧化鋯基板2的裝載面2a的四角配置襯墊3，將裝載有脫粘合劑后的陶瓷坯件1的氧化鋯基板2進(jìn)行多段積層，進(jìn)一步，將未裝載陶瓷坯件1的氧化鋯基板2積層在最上端。而且，將這樣積層的氧化鋯基板2配置于密閉箱體4內(nèi)，在例如1100℃的溫度下保持2小時(shí)，進(jìn)行陶瓷坯件1的燒結(jié)，得到壓電陶瓷基片。
接著，對(duì)上述氧化鋯基板2進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明。
氧化鋯基板2是同時(shí)滿足以下(1)～(4)各條件的材料(1)構(gòu)成粒子的平均粒徑為0.3～2.5μm；(2)陶瓷密度為6kg/dm3以上；(3)熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下；(4)裝載面2a的中心線平均粗糙度為1μm～20μm。限制(1)～(4)各條件中數(shù)值的理由如下。此外，以下的說(shuō)明中的氧化鋯基板2及壓電陶瓷基片，可以通過(guò)后述實(shí)施例的氧化鋯基板的制造方法同樣的方法得到。
(1)構(gòu)成粒子的平均粒徑為0.3～2.5μm的理由圖5是表示構(gòu)成氧化鋯基板的顆粒的平均粒徑與壓電陶瓷基片的翹曲量的關(guān)系的圖。此時(shí)，其它條件是陶瓷密度為6kg/dm3、熱傳導(dǎo)率為4.5W/mK、裝載面2a的中心線平均粗糙度為5μm。另外，所謂翹曲量，是指使用激光式非接觸三維形狀測(cè)定裝置所測(cè)定的壓電陶瓷基片的最大高低差。
從同圖中可知，平均粒徑為0.3～2.5μm時(shí)，壓電陶瓷基片的翹曲量能夠抑制在不滿30μm。這是由于當(dāng)平均粒徑為0.3～2.5μm時(shí)，由于顆粒間的間隙變小，在燒結(jié)時(shí)能夠防止鉛等成分從陶瓷坯件1蒸發(fā)并向裝載板2中擴(kuò)散，能夠使陶瓷坯件1的成分在燒結(jié)中保持均勻。
與此相比，平均粒徑不滿0.3μm或者超過(guò)2.5μm時(shí)，壓電陶瓷基片的翹曲量增大。這是由于顆粒間的間隙變大，在燒結(jié)時(shí)鉛等成分很容易從陶瓷坯件1蒸發(fā)并向裝載板2中擴(kuò)散，使陶瓷坯件1的成分在燒結(jié)中不均勻。而且，由于鉛等成分從陶瓷坯件1蒸發(fā)，會(huì)造成燒結(jié)后的壓電陶瓷基片的組成偏離所希望的值，由于鉛等成分向裝載板2中擴(kuò)散，還有會(huì)發(fā)生與構(gòu)成氧化鋯基板2的成分進(jìn)行反應(yīng)使氧化鋯基板2惡化等的不良現(xiàn)象。
(2)陶瓷密度為6kg/dm3以上的理由圖6是表示氧化鋯基板2的陶瓷密度與壓電陶瓷基片的翹曲量的關(guān)系的圖。此時(shí)其它條件為平均粒徑1.8μm、熱傳導(dǎo)率為4.5W/mK、裝載面2a的中心線平均粗糙度為5μm。
從圖中可知，陶瓷密度為6kg/dm3以上時(shí)，壓電陶瓷基片的翹曲量能夠抑制在不滿30μm。這是由于當(dāng)陶瓷密度為6kg/dm3以上時(shí)，在燒結(jié)時(shí)能夠防止鉛等成分從陶瓷坯件1蒸發(fā)并向裝載板2中擴(kuò)散，能夠使陶瓷坯件1的組成在燒結(jié)過(guò)程中保持均勻。
與此相比，陶瓷密度不到6kg/dm3時(shí)，壓電陶瓷基片的翹曲量增大。這是由于顆粒間的間隙變大，在燒結(jié)時(shí)鉛等成分容易從陶瓷坯件1蒸發(fā)并向裝載板2中擴(kuò)散，使陶瓷坯件1的組成在燒結(jié)中變得不均勻。而且，存在發(fā)生與上述平均粒徑的情況相同的不良現(xiàn)象的擔(dān)憂。
(3)熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下的理由圖7是表示氧化鋯基板2的熱傳導(dǎo)率與壓電陶瓷基片的翹曲量的關(guān)系的圖。此時(shí)，其它條件為平均粒徑1.8μm、陶瓷密度為6kg/dm3、裝載面2a的中心線平均粗糙度為5μm。
從圖中可知，熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下時(shí)，翹曲量能夠抑制在不滿30μm。這是由于當(dāng)熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下時(shí)，能夠減小陶瓷坯件1的氧化鋯基板2一側(cè)的面與其相反的面之間因燒結(jié)而引起的熱歷史的差異，能夠均勻地?zé)Y(jié)陶瓷坯件1。
與此相比，熱傳導(dǎo)率超過(guò)5W/mK時(shí)，壓電陶瓷基片的翹曲量增大。這是由于陶瓷坯件1的氧化鋯基板2一側(cè)的面與其相反的面之間因燒結(jié)而引起的熱歷史的差異增大，使陶瓷坯件1的燒結(jié)不均勻。
(4)裝載面2a的中心線平均粗糙度為1μm～20μm的理由圖8是表示氧化鋯基板2的裝載面2a的中心線平均粗糙度與壓電陶瓷基片的翹曲量的關(guān)系的圖。此時(shí)，其它條件為平均粒徑1.8μm、陶瓷密度為6kg/dm3、熱傳導(dǎo)率為4.5W/mK。此外，所謂中心線平均粗糙度，是指JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))B0601規(guī)定的表面粗糙度，是從中心線折疊粗糙度曲線，該粗糙度曲線與中心線得到的面積除以長(zhǎng)度的值。
從該圖中可知，中心線平均粗糙度為1μm～20μm時(shí)，翹曲量能夠抑制在不滿50μm。這是由于當(dāng)中心線平均粗糙度為1μm～20μm時(shí)，如圖9所示，陶瓷坯件1與氧化鋯基板2的接觸面積減低，能夠減小陶瓷坯件1的氧化鋯基板2一側(cè)的面與其相反的面之間因燒結(jié)而引起的熱歷史的差異，能夠均勻地?zé)Y(jié)陶瓷坯件1。
與此相對(duì)，中心線平均粗糙度不滿1μm或超過(guò)20μm時(shí)，壓電陶瓷基片的翹曲量增大。這是由于當(dāng)中心線平均粗糙度不滿1μm時(shí)，從氧化鋯基板2向陶瓷坯件1傳遞的熱量增大，能夠使陶瓷坯件1的氧化鋯基板2一側(cè)的面與其相反的面之間由結(jié)成而引起的熱履歷的差異減小。另一方面，當(dāng)中心線平均粗糙度超過(guò)20μm時(shí)，陶瓷坯件1卡住氧化鋯基板2的凸部，使陶瓷坯件1的收縮率不均勻。而且，中心線平均粗糙度超過(guò)20μm時(shí)，可能發(fā)生的不良現(xiàn)象是，燒結(jié)后的壓電陶瓷基片的氧化鋯基板2一側(cè)的面上被復(fù)寫了氧化鋯基板2的凹凸。
從以上的說(shuō)明可知，通過(guò)將陶瓷坯件1裝載于平均粒徑為0.3～2.5μm、陶瓷密度為6kg/dm3以上、熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下、且裝載面2a的中心線平均粗糙度為1μm～20μm的氧化鋯基板2的裝載面2a上，并進(jìn)行燒結(jié)，可抑制燒結(jié)后的壓電陶瓷基片上發(fā)生的翹曲等的變形。
接著，說(shuō)明實(shí)施例及比較例的氧化鋯基板的評(píng)價(jià)結(jié)果。另外，實(shí)施例中的氧化鋯基板同時(shí)滿足以下(1)～(4)各條件(1)平均粒徑為0.3～2.5μm；(2)陶瓷密度為6kg/dm3以上；(3)熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下；(4)裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm。
在進(jìn)行實(shí)施例及比較例的氧化鋯基板的評(píng)價(jià)時(shí)，按照下述方法制作了氧化鋯基板。首先，在氧化鋯粉末中添加12mol％的氧化釔(Y2O3)或氧化鈰(CeO2)，進(jìn)一步，加入有機(jī)粘合劑得到顆粒。使用該顆粒在98～196MPa的壓力下成形，之后進(jìn)行脫粘合劑，接著，在大氣氣氛中1400～1600℃的溫度下燒結(jié)2小時(shí)。由此得到“100mm×100mm，厚度1.5mm”的正方形薄板狀氧化鋯基板。
通過(guò)這種方法制作的實(shí)施例1～3及比較例1～5的氧化鋯基板的諸多特性如表1所示。另外，可以通過(guò)改變壓制壓力、添加劑、燒結(jié)溫度，將氧化鋯基板的平均粒徑及陶瓷密度調(diào)整為規(guī)定值。另外，通過(guò)增大成形模具表面的粗糙度，可以在氧化鋯基板的裝載面復(fù)制中心線平均粗糙度的凹凸。進(jìn)一步，如果使用氧化鈰(CeO2)作為添加劑，能夠減小構(gòu)成氧化鋯基板的顆粒的平均粒徑。
表1

制作了氧化鋯基板之后，按照如下所述的方式制作了陶瓷坯件。首先，對(duì)于組成為(Pb0.96Sr0.04)(Ti0.468Zr0.532)O3的本主要成分1mol中添加了0.5重量％的Sb2O3的氧化物或碳酸鹽形式的材料，通過(guò)球磨進(jìn)行濕式混合，將濕式混合后的材料在900℃下進(jìn)行預(yù)燒結(jié)。接著，對(duì)預(yù)燒結(jié)的材料再次通過(guò)球磨進(jìn)行濕式混合，使其微粉化，得到壓電陶瓷粉體。在壓電陶瓷粉體中添加有機(jī)粘合劑及有機(jī)溶劑等，使其成為膏狀，用刮刀法成形為薄片狀，得到厚度50μm的印刷電路基板。
接著，在銀∶鈀＝7∶3的金屬材料中添加有機(jī)粘合劑及有機(jī)溶劑等，使其成為膏狀，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法在印刷電路基板上形成內(nèi)部電極。而且，將形成內(nèi)部電極的印刷電路基板積層8層，進(jìn)一步，在最上層積層電極端子形成用的印刷電路基板，之后，在積層方向上進(jìn)行加壓處理得到積層體坯件。將該積層體坯件切斷成“15mm×35mm”的長(zhǎng)方形，得到陶瓷坯件1。
制作陶瓷坯件之后，在最初制作的氧化鋯基板的裝載面上裝載10枚陶瓷坯件，在400℃的溫度下保溫10小時(shí)，進(jìn)行陶瓷坯件的脫粘合劑。
在完成陶瓷坯件的脫粘合劑之后，通過(guò)在氧化鋯基板的裝載面的四角配置厚度為0.5mm的襯墊，將裝載有脫粘合劑后陶瓷坯件的氧化鋯基板積層10層，進(jìn)一步，將未裝載陶瓷坯件的氧化鋯基板積層在最上層。接著，將這樣積層的氧化鋯基板配置于密閉箱體內(nèi)，在1100℃的溫度下保溫2小時(shí)，進(jìn)行陶瓷坯件的燒結(jié)，從而得到壓電陶瓷基片。
根據(jù)以上的壓電陶瓷基片的制造方法，使用實(shí)施例1～3及比較例1～5的氧化鋯基板，分別制造了100枚壓電陶瓷基片。而且，對(duì)于實(shí)施例1～3及比較例1～5的氧化鋯基板，分別測(cè)定100枚壓電陶瓷基片中產(chǎn)生的翹曲量，求得其平均值。此外，測(cè)定該100枚壓電陶瓷基片的“氧化鋯基板的裝載面一側(cè)的面”的十點(diǎn)平均粗糙度，求得其平均值。100枚壓電陶瓷基片的翹曲量的平均值與十點(diǎn)平均粗糙度的平均值如表1所示。
另外，“所謂十點(diǎn)平均粗糙度Rz”，如圖10及下述式所示，從粗糙度曲線在其平均線方向僅取出基準(zhǔn)長(zhǎng)度L，抽出其中5個(gè)峰頂和谷底，將抽出部分的相對(duì)于平均線的各峰頂?shù)臉?biāo)高YP的絕對(duì)值的平均值，與抽出部分的相對(duì)于平均線的各谷底的標(biāo)高YV的絕對(duì)值的平均值相加而得到的值。
Rz=|YP1+YP2+YP3+YP4+YP5|+|YV1+YV2+YV3+YV4+YV5|5]]>這樣，由于十點(diǎn)平均粗糙度Rz是考慮了高的5個(gè)值與低的5個(gè)值的計(jì)算方法，所以表面上有突發(fā)的凹凸時(shí)，會(huì)反映在十點(diǎn)平均粗糙度Rz的值。
從表1可知，用同時(shí)滿足(1)平均粒徑為0.3～2.5μm、(2)陶瓷密度為6kg/dm3以上、(3)熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下、(4)裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm的(1)～(4)各條件的實(shí)施例1～3的氧化鋯基板，能夠?qū)弘娞沾苫穆N曲量抑制在10～25μm范圍內(nèi)。與此相比，用不能同時(shí)滿足(1)～(4)各條件的比較例1～5的氧化鋯基板，不能將壓電陶瓷基片的翹曲量抑制在不滿55μm，并且除了比較例4之外，不能將壓電陶瓷基片的翹曲量抑制在不滿105μm。
而且，用同時(shí)滿足(1)～(4)各條件的實(shí)施例1～3的氧化鋯基板，能夠?qū)弘娞沾苫摹把趸喕宓难b載面一側(cè)的面”的十點(diǎn)平均粗糙度Rz抑制在2μm～5μm。由此，例如，可以不對(duì)“氧化鋯基板的裝載面一側(cè)的面”進(jìn)行機(jī)械加工的情況下，將壓電陶瓷基片與金屬板等進(jìn)行貼合。與此相對(duì)，用不能同時(shí)滿足(1)～(4)各條件的比較例1～5的氧化鋯基板，不能將“氧化鋯基板的裝載面一側(cè)的面”的十點(diǎn)平均粗糙度Rz抑制在不足7μm，并且除了比較例4之外，不能將壓電陶瓷基片的翹曲量抑制在不足11μm。
本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式。例如，雖然上述實(shí)施方式是關(guān)于含鉛的壓電陶瓷基片的制造，但本發(fā)明也可以適用于除此之外的壓電陶瓷基片的制造。而且，雖然上述實(shí)施方式中陶瓷坯件及壓電陶瓷基片是積層體，但本發(fā)明也可以適用于單板的陶瓷坯件及陶瓷基片。
如以上的說(shuō)明，根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制燒結(jié)后壓電陶瓷基片中產(chǎn)生的翹曲等變形。
權(quán)利要求
1.一種在燒結(jié)陶瓷坯件形成陶瓷基片時(shí)具備裝載所述陶瓷坯件的裝載面的裝載板，其特征在于平均粒徑為0.3μm～2.5μm，陶瓷密度為6kg/dm3以上，熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下，且所述裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm。
2.一種燒結(jié)陶瓷坯件形成陶瓷基片的陶瓷基片的制造方法，其特征在于使用平均粒徑為0.3～2.5μm、陶瓷密度為6kg/dm3以上、熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下、且裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm的裝載板，在所述裝載板的所述裝載面上裝載所述陶瓷坯件進(jìn)行燒結(jié)。
3.一種陶瓷基片，其特征在于通過(guò)在平均粒徑為0.3μm～2.5μm、陶瓷密度為6kg/dm3以上、熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下、且裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm的裝載板的所述裝載面上裝載陶瓷坯件進(jìn)行燒結(jié)而形成；翹曲量在25μm以下。
4.一種陶瓷基片，其特征在于通過(guò)在平均粒徑為0.3μm～2.5μm、陶瓷密度為6kg/dm3以上、熱傳導(dǎo)率為5W/mK以下、且裝載面的中心線平均粗糙度為1μm～20μm的裝載板的所述裝載面上陶瓷坯件進(jìn)行燒結(jié)而形成，所述裝載面一側(cè)的面的十點(diǎn)平均粗糙度為5μm以下。
全文摘要
提供能夠抑制燒結(jié)后壓電陶瓷基片中產(chǎn)生的翹曲等的變形的裝載板以及壓電陶瓷基片的制造方法。通過(guò)將陶瓷坯件1裝載于平均粒徑為0.3～2.5μm，陶瓷密度為6kg/dm
文檔編號(hào)C04B35/64GK1702057SQ200510073429
公開日2005年11月30日 申請(qǐng)日期2005年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月24日
發(fā)明者佐佐木誠(chéng)志 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社