專利名稱：滑動部件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及滑動部件的制造方法，該制造方法中利用等離子蝕刻法部分地除去形成于基材表面的DLC(類金剛石)覆蓋膜。
背景技術(shù)：
以往，在縫紉機(jī)等各種裝置中，多裝配有可自由滑動的多種滑動部件，如凸輪、軸、曲軸等。為了防止這些滑動部件中的滑動部的粘附，以及減少磨損，一般向滑動部供給潤滑劑，或者在滑動部表面形成耐磨損性優(yōu)良的覆蓋膜。
例如，在日本特許公開公報2003-247691號公報(JP-A-2003-247691)中公開了一種作為滑動部件的縫紉機(jī)的針棒。即，在縫紉機(jī)針棒的滑動部分形成耐磨損性覆蓋膜，該覆蓋膜是摩擦系數(shù)低且高硬度的類金剛石(Diamond Like Carbon)(以下稱為DLC)覆蓋膜。但是，使用作為潤滑劑的潤滑油時，由于該DLC覆蓋膜具有拒潤滑油的性質(zhì)，因此供給到滑動部的潤滑油會很快流出來。為此，上述公報中是通過在DLC覆蓋膜形成油槽，使?jié)櫥唾A留于油槽中，由此來極力防止?jié)櫥偷牧鞒觯３只瑒硬康臐櫥阅?。在該滑動部件中，填充在油槽中的潤滑油容易隨著其它滑動部件的滑動流向和滑動方向相同的方向，潤滑油通過油槽的側(cè)壁面供給到DLC覆蓋膜的外周面，將滑動部的潤滑性保持在較高的狀態(tài)。此外，在上述公報中，通過如下的做法形成油槽。即，在對滑動部分以近似粘合狀實施了掩蔽的狀態(tài)下，形成DLC覆蓋膜，然后除去掩膜，在被掩蔽的部分形成油槽。
除此以外，其他的形成油槽的方法有在整個滑動部分形成DLC覆蓋膜，對滑動部分中除要形成油槽的部分以外的部分進(jìn)行掩蔽，通過在該狀態(tài)下進(jìn)行蝕刻，除去DLC覆蓋膜形成油槽的技術(shù)。還有利用聚焦離子束或激光除去DLC覆蓋膜形成油槽的方法。在這種方法中，作為形成油槽的方法之一，會考慮采用干蝕刻法的一種、利用等離子體進(jìn)行蝕刻的等離子蝕刻法。實施上述這種掩蔽，并利用等離子蝕刻法進(jìn)行蝕刻時，會發(fā)生所謂的邊緣蝕刻現(xiàn)象，即連被掩蔽的部分也被蝕刻。為了防止這種邊緣蝕刻，采取了如下的對策，即通過與被蝕刻介質(zhì)粘接，實施掩蔽。
但是，由于粘合型的掩膜無法再利用，因此存在成本增高，形成掩膜層要耗費大量時間的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述情況而作出的，其目的是提供利用等離子蝕刻法部分除去DLC覆蓋膜的滑動部件的制造方法。
本發(fā)明的滑動部件的制造方法是通過等離子蝕刻法部分除去形成于基材表面的DLC(類金剛石(Diamond Like Carbon))覆蓋膜的滑動部件的制造方法，其特征是，蝕刻氣體的壓力大于0Pa、小于等于26Pa。


圖1為表示本發(fā)明的一個實施例的等離子蝕刻裝置的蝕刻室的示意圖。
圖2為被加工物和掩蔽構(gòu)件的側(cè)面放大圖。
圖3為由掩蔽構(gòu)件覆蓋，經(jīng)過等離子蝕刻處理的被加工物的放大立體圖。
圖4為圖3的4-4線向視方向的剖面圖。
圖5為氣壓和邊緣蝕刻率的關(guān)系圖。
圖6為氣壓和蝕刻速度的關(guān)系圖。
圖7為Ar混合比和蝕刻速度差比率的關(guān)系圖。
圖8為被加工物的溫度和蝕刻速度的關(guān)系圖。
圖9為被加工物的溫度和DLC覆蓋膜的硬度的關(guān)系圖。
圖10為掩膜間隙和邊緣蝕刻率的關(guān)系圖。
具體實施例方式
實施例以下，參照

本發(fā)明的實施方式。
在縫紉機(jī)等各種裝置中，多裝配有可自由滑動的多種滑動部件。為了防止這些滑動部件中的滑動部的粘附，或者減少磨損，形成摩擦系數(shù)低且高硬度的DLC覆蓋膜，并且再在滑動部涂布作為潤滑材料的潤滑脂。但是，由于該DLC覆蓋膜具有拒潤滑脂的性質(zhì)，因此供給到滑動部的潤滑脂會很快流出來。為此，本發(fā)明的實施方式中采取如下的結(jié)構(gòu)，即通過在DLC覆蓋膜形成油槽，使?jié)櫥A留于油槽中，由此極力防止?jié)櫥牧鞒?，保持滑動部的潤滑性能。為此，通過等離子蝕刻除去形成在滑動部件上的DLC覆蓋膜，形成貯留潤滑脂用的油槽。
在本實施方式中，使用本發(fā)明者自制的平行平板型高頻等離子蝕刻裝置。圖1是該自制的等離子蝕刻裝置的蝕刻室1的示意圖。如圖1所示，在蝕刻室1內(nèi)，在正極2和負(fù)極3之間形成有等離子處理空間6。正極2還起到供給蝕刻氣體的噴頭的作用。負(fù)極3在本實施方式中是A4尺寸的基板，需要實施等離子蝕刻的被加工物10被安裝在掩蔽構(gòu)件30(參考圖2)內(nèi)后放置在該基板上。負(fù)極3通過匹配箱4與RF電源5相連。通過從正極2的氣體噴頭將蝕刻氣體導(dǎo)入蝕刻室1內(nèi)，由RF電源5施加高頻電場，在等離子處理空間6內(nèi)產(chǎn)生等離子體。在本實施方式中，蝕刻氣體使用Ar(氬氣)、CF4(四氟化碳)、O2(氧氣)的混合氣體，由RF電源30向正極2和負(fù)極3之間提供13.56MHz、600W的高頻電能。此外，CF4和O2是用于與DLC覆蓋膜反應(yīng)的反應(yīng)性氣體，Ar是用于使等離子體穩(wěn)定的物理氣體。
圖2是被加工物10和掩蔽構(gòu)件30的側(cè)面的放大圖。圖2所示的被加工物10是近似圓柱狀的軸，掩蔽構(gòu)件30是長度大于被加工物10的長度，直徑大于被加工物10的直徑的圓筒。將被加工物10插入掩蔽構(gòu)件30內(nèi)，使掩蔽構(gòu)件包覆整個被加工物10。掩蔽構(gòu)件30的厚度為0.75mm，其側(cè)面開有多個近似菱形的開口部31，由該開口部31所開放的部分被蝕刻。此外，將被加工物10的外側(cè)面和掩蔽構(gòu)件30的內(nèi)面之間的距離稱為掩蔽間距50。
圖3為由掩蔽構(gòu)件30包覆的被加工物10經(jīng)過等離子蝕刻后的狀態(tài)、即滑動部件的放大立體圖。圖4為通過蝕刻DLC覆蓋膜被除去的狀態(tài)的被加工物10和掩蔽構(gòu)件30的圖3的4-4線向視方向的剖面圖。如圖3所示，DLC覆蓋膜13被除去形成了作為油槽的潤滑脂保持部40，該保持部40呈和掩蔽構(gòu)件30的開口部31同樣的形狀即近似菱形。如圖4所示，被加工物10由在將鐵的表面淬火所得的淬火鋼11的表面上設(shè)置傾斜層12而形成的基材，和形成在上述基材表面的DLC覆蓋膜13構(gòu)成，前述傾斜層12是按照組織從淬火鋼向DLC覆蓋膜13連續(xù)地變化而形成的。在該被加工物10上，以不與DLC覆蓋膜13粘合的狀態(tài)配設(shè)著掩蔽構(gòu)件30。通過對該被加工物10實施等離子蝕刻，從掩蔽構(gòu)件30的開口部31露出于蝕刻室1的等離子處理空間6的這部分DLC覆蓋膜13被除去，形成潤滑脂保持部40，由此制成滑動部件。此外，雖然在圖3及圖4中，將開口部31形成近似菱形，但也可以是其它形狀。
但是，在進(jìn)行等離子蝕刻時的環(huán)境下，潤滑脂保持部40的底面41、即除去DLC覆蓋膜后露出的傾斜層12的外表面的面積比開口部31的面積大(所謂的邊緣蝕刻)。此外，進(jìn)行等離子蝕刻時的環(huán)境不同，蝕刻速度(每單位分鐘除去的DLC覆蓋膜的深度)也不同。該蝕刻速度低時，將DLC覆蓋膜除去到所希望的深度所需時間增加。
參照表1～表4，和圖5～圖10所示的試驗結(jié)果，對影響進(jìn)行等離子蝕刻時的環(huán)境的蝕刻氣體的氣壓、Ar在蝕刻氣體中的混合比、被加工物10的溫度、掩蔽間距50的距離進(jìn)行說明。
首先，參照圖5及圖6，說明有關(guān)蝕刻氣體的氣壓的試驗結(jié)果。表1所示為氣壓和邊緣蝕刻率和蝕刻速度。圖5是氣壓和邊緣蝕刻率的關(guān)系圖。圖6是氣壓和蝕刻速度的關(guān)系圖。
表1

該試驗中，以各種氣壓導(dǎo)入Ar混合比為70％的蝕刻氣體進(jìn)行等離子蝕刻。在被加工物10形成膜厚2000nm的DLC覆蓋膜，然后用掩蔽構(gòu)件以掩蔽間距0.025mm將被加工物10包覆，進(jìn)行10分鐘的等離子蝕刻。
邊緣蝕刻率是潤滑脂保持部40的底面41的面積除以掩蔽構(gòu)件30的開口部31的面積的商。該邊緣蝕刻率為“1”表示除去與開口部31相同面積的DLC覆蓋膜。邊緣蝕刻率大于“1”時表示過多除去DLC覆蓋膜，超出了所需的程度(邊緣蝕刻狀態(tài))，邊緣蝕刻率小于“1”時表示DLC覆蓋膜的除去不足。因此，邊緣蝕刻率最好為“1”。
蝕刻速度表示每分鐘被蝕刻除去的DLC覆蓋膜的深度。本實施例的蝕刻速度是，在10分鐘的等離子蝕刻后，用段差計測量蝕刻深度，該值除以蝕刻時間10分鐘所得的商。
如表1及圖5所示，在氣壓117Pa時邊緣蝕刻率為9.4，在氣壓103Pa時邊緣蝕刻率為8.6，在氣壓77Pa時邊緣蝕刻率為6.3，在氣壓42Pa時邊緣蝕刻率為4.0，在氣壓37Pa時邊緣蝕刻率為3.1。在這些氣壓下，邊緣蝕刻率在“1”以上，因此大于開口部31的面積的DLC覆蓋膜被除去。氣壓26Pa、氣壓13Pa、氣壓5Pa時邊緣蝕刻率為1.0，除去和開口部31相同面積的DLC覆蓋膜。因此，氣壓如果是在26Pa以下，則邊緣蝕刻率為“1”，能夠得到所希望的蝕刻結(jié)果。此外，由于即使是5Pa以下的氣壓，只要是有氣壓存在，也能夠得到同樣的試驗結(jié)果、即邊緣蝕刻率為“1”，因此氣壓只要是大于0的值既可(＞0)。
如表1及圖6所示，氣壓117Pa時蝕刻速度為15nm/m，氣壓103Pa時蝕刻速度為35nm/m，氣壓77Pa時蝕刻速度為55nm/m，氣壓42Pa時蝕刻速度為65nm/m，氣壓37Pa時蝕刻速度為70nm/m，氣壓26Pa時蝕刻速度為72nm/m，氣壓13Pa時蝕刻速度為73nm/m，氣壓5Pa時蝕刻速度為73nm/m。這里，在邊緣蝕刻率為“1”的氣壓下，測定了對膜厚2000nm的DLC覆蓋膜進(jìn)行等離子蝕刻時所需的處理時間，其結(jié)果是，氣壓26Pa時約為28分鐘，氣壓13Pa及氣壓5Pa時約為27分鐘，都是可以付諸實用的處理時間。因此，只要是氣壓在26Pa以下，就能夠以實用的處理時間完成具有理想的邊緣蝕刻率的蝕刻。此外，即使是5Pa以下的氣壓，只要是有氣壓存在，就能夠以實用的處理時間完成具有理想的邊緣蝕刻率的蝕刻，因此氣壓只要是大于0的值既可。
接著，參照表2及圖7，說明有關(guān)Ar在蝕刻氣體中的混合比的試驗結(jié)果。表2所示為各種Ar混合比時的蝕刻速度差比率。圖7為Ar混合比和蝕刻速度差比率的關(guān)系圖。
表2

該試驗中，在氣壓13Pa下將蝕刻氣體送入蝕刻室1，同時將被加工物放置在負(fù)極3的A4大小的基板的3個位置上，進(jìn)行10分鐘蝕刻。被加工物是從基板起算的高度為40mm、直徑為10mm的近似圓柱的形成有DLC覆蓋膜的旋轉(zhuǎn)軸，而且用在側(cè)面的接近中央處具有直徑2mm的開口部的掩蔽構(gòu)件包覆，掩蔽間距被設(shè)定為0.025mm。僅蝕刻對應(yīng)于該開口部的DLC覆蓋膜，蝕刻結(jié)束后，測量3個被加工物的蝕刻部分的深度，算出了蝕刻速度差比率。蝕刻速度差比率是由3個被加工物中的最大的蝕刻深度和最小的蝕刻深度之差除以3個被加工物的蝕刻深度的平均值的商乘以100所得的值。此外，這時的DLC覆蓋膜的膜厚為2000nm。被加工物以近似等間隔被放置在A4大小的基板的1條成對角線的直線上。即，放置在近基板中心、一個角、與該角隔著中心點相對的另一個角的三個位置上。
3個位置的被加工物的蝕刻深度的差異越大，蝕刻速度差比率越大。蝕刻深度有差異是指基板上的被加工物的放置位置不同，產(chǎn)生蝕刻速度不同，完全除去DLC覆蓋膜所需時間不同。因此，即使某個被加工物(第1加工物)的掩蔽構(gòu)件的開口部的蝕刻結(jié)束了，但在放置于其他位置的被加工物(第2加工物)的掩蔽構(gòu)件的開口部的蝕刻仍沒有結(jié)束的情況下，被加工物(第1加工物)的蝕刻還會繼續(xù)，直到被加工物(第2加工物)的蝕刻結(jié)束。這樣，已經(jīng)完成蝕刻的第1被加工物就會進(jìn)行邊緣蝕刻。
例如，假設(shè)所有的被加工物的蝕刻60分鐘全部結(jié)束。在蝕刻速度差比率為10％時，最先完成蝕刻的被加工物用了約54分鐘完成蝕刻，剩下的約6分鐘則進(jìn)行了多余的蝕刻。此外，如果蝕刻速度差比率為36％，則最先完成蝕刻的被加工物約41分鐘就完成了蝕刻，剩下的約19分鐘則都是多余的蝕刻。因此，最好是由被加工物的放置位置引起的蝕刻速度的差異小，蝕刻速度差比率的值小。還有，一般來說，蝕刻結(jié)束后的超過時間如果超過完成蝕刻所需時間的約20％，則將進(jìn)行邊緣蝕刻。因此，將蝕刻速度差比率的值的判定標(biāo)準(zhǔn)值定為10％。
如表2及圖7所示，Ar混合比20％時蝕刻速度差比率為58％，Ar混合比50％時蝕刻速度差比率為36％，它們都大于10％因此不理想。但是，Ar混合比70％時蝕刻速度差比率為10％，Ar混合比90％時蝕刻速度差比率為7％，Ar混合比100％時蝕刻速度差比率為4％，這些都在10％以下，因此是理想的Ar混合比。因此，以Ar為主體并含有CF4或O2中的至少一種的混合氣體，即蝕刻氣體中Ar混合比最好是在70％以上。此外，上述實施例中，雖然蝕刻氣體采用100％Ar，蝕刻速度差比率也非常良好，但是如果考慮到和DLC覆蓋膜的反應(yīng)速度，則在實際應(yīng)用中必須和CF4或O2中的至少一種混合，即使是極少的量，因此Ar混合比最好是未滿100％(＜100％)。
接著，參照表3及圖8，表4及圖9，說明有關(guān)被加工物側(cè)面(DLC覆蓋膜)的溫度(以下，簡稱為被加工物的溫度)的試驗結(jié)果。表3所示為被加工物的溫度和蝕刻速度及所需處理時間的關(guān)系。圖8為被加工物的溫度和蝕刻速度的關(guān)系圖。表4所示為被加工物的溫度和DLC覆蓋膜的硬度的關(guān)系圖，圖9為被加工物的溫度和DLC覆蓋膜的硬度的關(guān)系圖。
表3

表4

在該試驗中，采用形成有2000nm的DLC覆蓋膜的被加工物，該DLC覆蓋膜是在成膜室內(nèi)的溫度為250℃的狀態(tài)下形成的。在被加工物的溫度為40℃～250℃的范圍內(nèi)的各種溫度下，進(jìn)行10分鐘的等離子蝕刻。此外，蝕刻氣體的Ar混合比為70％，氣壓為13Pa，掩蔽間距為0.025mm。被加工物的溫度通過在被加工物的側(cè)面粘貼測溫標(biāo)簽來測定。
如表3及圖8所示，被加工物的溫度為250℃時的蝕刻速度為130nm/m，將2000nm的DLC覆蓋膜完全蝕刻所需的處理時間為15分鐘；200℃時的蝕刻速度為90nm/m，所需處理時間為22分鐘；170℃時的蝕刻速度為73nm/m，所需處理時間為27分鐘；130℃時的蝕刻速度為45nm/m，所需處理時間為44分鐘；100℃時的蝕刻速度為25nm/m，所需處理時間為80分鐘；70℃時的蝕刻速度為10nm/m，所需處理時間為200分鐘；50℃時的蝕刻速度為6nm/m，所需處理時間為333分鐘。但是，被加工物的溫度為40℃時的蝕刻速度為3nm/m，將2000nm的DLC覆蓋膜完全蝕刻所需的處理時間為667分鐘。即，處理時間需要11小時以上，用1個工作日(例如，我國通常的工作時間為8小時)還無法完成1次蝕刻，不能說是可付諸實用的處理時間，而且從工作效率上來衡量也不能說是有效的。但是，被加工物的溫度為250℃～50℃時，將2000nm的DLC覆蓋膜完全蝕刻所需的處理時間為15分鐘～約5.5小時(130～6nm/m)，由于在1個工作日內(nèi)就可完成蝕刻，因此這些蝕刻時間可以說是非常高效的。此外，如果在被加工物的溫度為170℃以上的高溫下進(jìn)行蝕刻，則雖然需要有用于達(dá)到高溫的能量，但用15分鐘～27鐘這樣30分鐘以內(nèi)的很短的處理時間就能夠完成蝕刻。因此，根據(jù)該試驗結(jié)果，被加工物側(cè)面的溫度最好是在50℃以上。
此外，在本試驗中只測量到250℃。這是因為，被蝕刻的DLC覆蓋膜的溫度高于形成DLC覆蓋膜時的成膜室內(nèi)的溫度時，會發(fā)生DLC覆蓋膜的石墨化，DLC覆蓋膜自身變得脆弱化。由此，被加工物的DLC覆蓋膜就不能承受使用環(huán)境的影響。為此，在將DLC覆蓋膜高溫化時，進(jìn)行了驗證DLC覆蓋膜能否保持其硬度的試驗。該試驗的結(jié)果示于表4及圖9。在該試驗中，采用形成有2000nm的DLC覆蓋膜的被加工物，該DLC覆蓋膜是在成膜室內(nèi)的溫度為250℃的狀態(tài)下形成的。將DLC覆蓋膜加熱至各個溫度，在該溫度下保持1小時后測定了威氏硬度。此外，威氏硬度的測定使用微型威氏硬度試驗機(jī)、即顯微硬度計(株式會社明石制作所的MVK-E)。
如表4及圖9所示，被加工物的溫度為100℃、130℃、170℃、200℃、250℃時威氏硬度為2500Hv，保持了加熱前的硬度。但是，被加工物的溫度為290℃時威氏硬度為2000Hv，320℃時威氏硬度為1200Hv，沒能保持加熱前的硬度。也就是說，進(jìn)行蝕刻時如果使溫度高于250℃，則雖然蝕刻速度變高，但DLC覆蓋膜自身變得脆弱。因此，最好使溫度不高于成膜時的成膜室內(nèi)溫度即250℃。因此，根據(jù)該試驗結(jié)果，被加工物側(cè)面的溫度最好是在成膜時的成膜室內(nèi)溫度250℃以下。這樣，根據(jù)這2個試驗結(jié)果，實施等離子蝕刻時的被加工物的溫度(側(cè)面的溫度)最好是在成膜時的成膜室內(nèi)溫度以下，而對本實施方式的DLC覆蓋膜而言，最好是在成膜時的成膜室內(nèi)溫度250℃以下，50℃以上。
接著，參照表5及圖10，說明有關(guān)掩蔽間距50的試驗結(jié)果。表5所示為掩蔽間距和邊緣蝕刻率的關(guān)系。圖10為掩蔽間距和邊緣蝕刻率的關(guān)系圖。
表5

在該試驗中，采用掩蔽間距為0.005mm～2.000mm的掩蔽構(gòu)件。該試驗中，在蝕刻室內(nèi)以氣壓13Pa導(dǎo)入了Ar混合比為70％的蝕刻氣體的狀態(tài)下，對形成有膜厚2000nm的DLC覆蓋膜的被加工物實施27分鐘的等離子蝕刻。算出了各掩蔽間距時的邊緣蝕刻率。這里，邊緣蝕刻率也最好是“1”。
如表5及10所示，掩蔽間距為0.005mm時由于掩蔽構(gòu)件不能從被加工物上脫卸下來，因此不能進(jìn)行試驗。掩蔽間距為0.010mm、0.025mm、0.050mm、0.100mm、0.500mm、1.000mm時，邊緣蝕刻率為1.0，除去和掩蔽構(gòu)件的開口部相同面積的DLC覆蓋膜。但是，掩蔽間距為1.200mm時邊緣蝕刻率為1.7；掩蔽間距為1.500mm時為3.2；掩蔽間距為2.000mm時為7.8，邊緣蝕刻率都在“1”以上，因此除去了面積大于開口部的DLC覆蓋膜。所以，掩蔽間距最好在1.000mm以下。掩蔽間距的下限值則當(dāng)然最好是大于掩蔽構(gòu)件能夠從被加工物脫離的距離(例如，這種情況下為0.005mm)。
根據(jù)以上的試驗結(jié)果可知，蝕刻氣體的壓力最好是26Pa以下。以Ar為主體、并含有CF4或O2中的至少一種的混合氣體即蝕刻氣體的Ar混合比最好是70％以上。被加工物的側(cè)面(DLC覆蓋膜)的溫度最好是小于等于成膜時的成膜室內(nèi)溫度，本實施方式的DLC覆蓋膜最好在50℃以上、250℃以下，掩蔽間距最好是1.000mm以下。
綜上所述，在利用等離子蝕刻法部分地除去形成于基材表面的DLC覆蓋膜的滑動部件的制造方法中，通過使蝕刻氣體的壓力為26Pa以下，能夠準(zhǔn)確地只蝕刻需要蝕刻的部分，而不會發(fā)生邊緣蝕刻、即蝕刻到被掩蔽的部分。
此外，通過使以Ar為主體并且含有CF4及O2中的至少一種(最好是含有兩種氣體)的混合氣體，即蝕刻氣體的Ar混合比為70％以上，能夠使蝕刻氣體產(chǎn)生穩(wěn)定的等離子體。
通過使被加工物的側(cè)面(DLC覆蓋膜)的溫度小于等于形成DLC覆蓋膜時的成膜室內(nèi)溫度，能夠保持DLC覆蓋膜的硬度，并且能夠以具有實用價值的蝕刻時間進(jìn)行蝕刻。
由于在DLC覆蓋膜保持在50℃以上、250℃以下的條件下進(jìn)行蝕刻，因此能夠保持例如以250℃成膜的DLC覆蓋膜的硬度，并且能夠以具有實用價值的蝕刻時間進(jìn)行蝕刻。
通過使蝕刻間距在1.000mm以下，也就是說，使覆蓋沒有除去DLC覆蓋膜的部分的掩膜和DLC覆蓋膜的間隔為1.000mm以下，能夠準(zhǔn)確地只蝕刻需要蝕刻的部分，而不會發(fā)生邊緣蝕刻、即蝕刻到被掩蔽的部分。
還有，本發(fā)明的滑動部件的制造方法并不限于上述實施方式，在不偏離本發(fā)明原理的范圍，當(dāng)然可作各種變更。
構(gòu)成滑動部件的被加工物的形狀并不限于圓筒形，可以是更復(fù)雜的形狀。
DLC覆蓋膜的膜厚不限于2000nm，大于或小于它都可以。
權(quán)利要求
1.滑動部件的制造方法，它是利用等離子蝕刻法部分除去形成于基材表面的DLC(類金剛石(Diamond Like Carbon))覆蓋膜的滑動部件的制造方法，其特征在于，蝕刻氣體的壓力大于0Pa、小于等于26Pa。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，蝕刻氣體是以Ar為主體、并含有CF4或O2中的至少一種的混合氣體，Ar的混合比在70％以上且未滿100％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆蓋膜時的DLC覆蓋膜的溫度小于等于形成DLC覆蓋膜的成膜室內(nèi)的該DLC覆蓋膜形成時的溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆蓋膜時的DLC覆蓋膜的溫度小于等于形成DLC覆蓋膜的成膜室內(nèi)的該DLC覆蓋膜形成時的溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆蓋膜時的DLC覆蓋膜的溫度在50℃以上、250℃以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆蓋膜時的DLC覆蓋膜的溫度在50℃以上、250℃以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆蓋膜時的DLC覆蓋膜的溫度在50℃以上、250℃以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，除去DLC覆蓋膜時的DLC覆蓋膜的溫度在50℃以上、250℃以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，覆蓋沒有除去DLC覆蓋膜的部分的掩膜和DLC覆蓋膜的間隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，覆蓋沒有除去DLC覆蓋膜的部分的掩膜和DLC覆蓋膜的間隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，覆蓋沒有除去DLC覆蓋膜的部分的掩膜和DLC覆蓋膜的間隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，覆蓋沒有除去DLC覆蓋膜的部分的掩膜和DLC覆蓋膜的間隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，覆蓋沒有除去DLC覆蓋膜的部分的掩膜和DLC覆蓋膜的間隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，覆蓋沒有除去DLC覆蓋膜的部分的掩膜和DLC覆蓋膜的間隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，覆蓋沒有除去DLC覆蓋膜的部分的掩膜和DLC覆蓋膜的間隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，覆蓋沒有除去DLC覆蓋膜的部分的掩膜和DLC覆蓋膜的間隔在0.010mm以上、1.000mm以下。
17.根據(jù)權(quán)利要求1～16中任一項所述的滑動部件的制造方法，其特征在于，基材含有鋼材和組成從該鋼材向DLC覆蓋膜連續(xù)變化的傾斜層并由此構(gòu)成。
全文摘要
利用等離子蝕刻法部分地除去形成于基材表面的DLC(類金剛石(Diamond Like Carbon))覆蓋膜的滑動部件的制造方法，其中，蝕刻氣體的壓力大于0Pa、小于等于26Pa。
文檔編號C04B41/72GK1724475SQ20051008209
公開日2006年1月25日 申請日期2005年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月28日
發(fā)明者金田英樹, 北村哲彌, 宇野仁 申請人:兄弟工業(yè)株式會社