專利名稱：透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種于顯示裝置等中，極適合作為透明導(dǎo)電膜坯料的金屬氧化燒結(jié)產(chǎn)物，與使用此燒結(jié)產(chǎn)物所得用于形成透明導(dǎo)電膜的成膜用靶、透明導(dǎo)電材料及從此靶形成的透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜。
背景技術(shù)：
近年來，各種顯示裝置，例如液晶顯示裝置或電致發(fā)光(electroluminesence)顯示裝置、場致發(fā)射(field emmission)顯示器等皆已導(dǎo)入辦公室機械或工廠中的控制系統(tǒng)。這些顯示裝置中，無論任何裝置皆具有顯示部件夾于透明導(dǎo)電膜中的三明治結(jié)構(gòu)。
這些透明電膜中，多數(shù)使用以氧化銦-氧化錫(以下簡稱為ITO)成為ITO膜。此ITO膜除具有較佳的透明性、及較低的電阻外，亦具有優(yōu)良蝕刻性、極佳的基板密著性優(yōu)良特性，而被本領(lǐng)域廣泛使用。而此ITO膜一般由使用濺射法或離子噴鍍法、蒸鍍法等方法成膜。
ITO膜雖具有上述優(yōu)良特性，但仍有許多待解決的問題存在，例如于液晶顯示裝置中作為透明基板使用時，有關(guān)ITO的表面精度或電極的錐形加工性、與異種金屬結(jié)合或形成接貼時的電極加工性等。
特別是，此ITO本身即為結(jié)晶懷的金屬氧化物，故在成膜階段時，膜表面亦會產(chǎn)生結(jié)晶粒。成長的晶粒沉積在ITO膜表面時，會造成表面精度的降低。在用于形成電極對ITO膜的蝕刻步驟中，晶間邊界首先被蝕刻，電極蝕刻表面會產(chǎn)生細(xì)微的凹凸?fàn)?，故不易進行高精度的蝕刻。因此，對于該ITO膜電極進行加工時，該膜的晶間邊界也首先被蝕刻，這會使ITO粒子常殘存于蝕刻部，此時，該ITO電極膜容易與電極間產(chǎn)生導(dǎo)電現(xiàn)象而造成顯示不良等問題。
而為解決這一問題，例如于特開平6-234565號公報所揭示的，于不犧牲透明性與導(dǎo)電性下，而以改良電極的加工性為目的提出了氧化銦與氧化鋅所構(gòu)成的透明導(dǎo)電材料。但，此由氧化銦與氧化鋅所構(gòu)成的材料，其本身的體電阻為2～5mΩ·cm，故成膜時必須對所投入的電力進行控制，因而會有不易具有充足的生產(chǎn)力的缺點。
而且，ITO膜在作用有機電致發(fā)光器件的電極使用時，必須將空穴(positive hole)從ITO膜轉(zhuǎn)移到有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層或空穴輸送層中。因此，希望電極材料的功函數(shù)與構(gòu)成該發(fā)光層或空穴輸送層的有機化合物的功函數(shù)為幾乎相同的水平，故此陽極與空穴輸送層間的能量間隙以越少越好。為降低這一能量間隙，必須盡量使用陽極材料的功函數(shù)與作為空穴輸送層的有機化合物電離位能間的差距減少。已提出各種有機化合物以形成此空穴輸送層的空穴輸送物質(zhì)，其中已知芳香族胺系化合物，特別是三苯胺衍生物具有優(yōu)良的功能。其中，此三苯胺衍生物中的三苯胺，其電離位能為5.5～5.6電子伏特。另一方面，對于透明導(dǎo)電膜，熟知氧化銦—氧化錫(以下簡稱ITO)具有優(yōu)良透明性且具有較低電阻。此ITO的功函數(shù)為4.6電子伏特。因此，由此一般材料所構(gòu)成的陽極與電子輸送層部將存在著相當(dāng)大的能量間隙。
在那種情況下，例如特開平均值9-63771號公報中，揭示了于陽極與陰極間設(shè)置有機化合物層的有機薄膜發(fā)光元件。其陽極，是功函數(shù)比ITO大的金屬氧化物薄膜。然而金屬氧化物的薄膜所構(gòu)成的陽極，其透光率例如該金屬為氧化釕時為10％，為氧化釩時為20％。為了改良這一較低透光率，又提出由ITO膜與厚度為300埃以下的超薄膜構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。但即使此情形下，透光率也為40～60％左右。故這種雙層結(jié)構(gòu)用于顯示裝置中時，其透明電極的透明度仍不滿足要求。
本發(fā)明是以提供一種以濺射法等進行成膜操作時，可以穩(wěn)定且順利的方式生產(chǎn)的金屬氧化物的燒結(jié)產(chǎn)物，及該燒結(jié)產(chǎn)物所構(gòu)成的靶，及由該靶形成的透明導(dǎo)電玻璃和導(dǎo)電膜。這些導(dǎo)電玻璃和導(dǎo)電膜具有優(yōu)良透明性、導(dǎo)電性、電極加工性，且在作為有機電致發(fā)光器件中的透明電極使用時，在設(shè)備中其功函數(shù)與空穴輸送物質(zhì)所有的電離位能差距較小，而不會引起這些設(shè)備發(fā)光效率的降低。
本發(fā)明人，就解決上述問題上經(jīng)過種種研究后結(jié)果，得知在使用含有由特定比例的氧化銦、氧化錫和氧化鋅所構(gòu)成的化合物的燒結(jié)產(chǎn)物作為透明導(dǎo)電材料使用時，即可順利解決上述的問題，因而完成本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
具體而言，本發(fā)明是由總結(jié)如下的本發(fā)明的第一方面～第四方面所構(gòu)成[I]本發(fā)明的第一方面[1]一種燒結(jié)產(chǎn)物，其中含有氧化銦、氧化錫及氧化鋅，各成分間的原子比為In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，且含有具In2O3·(ZnO)m，式中m為2～20的整數(shù)，所示的六方晶層狀化合物及具Zn2SnO4所示的尖晶石結(jié)構(gòu)化合物。
如前述[1]記載的燒結(jié)產(chǎn)物，其電阻率值低于2mΩ·cm。
一種燒結(jié)產(chǎn)物，其中含有氧化銦、氧化錫及氧化鋅，各成分間的原子比為In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的正四價及以上的多價金屬氧化物，并含有式In2O3·(ZnO)m(式中m為2～20的整數(shù))，所示的六方晶層狀化合物及式Zn2SnO4所示的尖晶石結(jié)構(gòu)化合物。
如前述[3]記載的燒結(jié)產(chǎn)物，其中，正四價及以上多價金屬氧化物為氧化釕、氧化鉬或氧化釩。
一種透明導(dǎo)電膜的濺射靶，其包括前述[1]～[4]項中任一項記載的燒結(jié)產(chǎn)物。
一種透明導(dǎo)電膜的電子集束靶，其包括前述[1]～[4]項中任一項記載的燒結(jié)產(chǎn)物。
一種透明導(dǎo)電膜的離子噴鍍靶(ion plating target)，其包括前述[1]～[4]項中任一項記載的燒結(jié)產(chǎn)物。
一種于玻璃表面上被覆非晶形透明導(dǎo)電膜制得的，其中的導(dǎo)電膜含有氧化銦、氧化錫及氧化鋅，各成分間的原子比為In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的正四價及以上的多價金屬氧化物。
如前述[8]記載的透明導(dǎo)電玻璃，其中，正四價及以上的多價金屬氧化物為氧化釕、氧化鉬或氧化釩。
如前述[8]或[9]記載的透明導(dǎo)電玻璃，其中，透光率為75％以上，電阻率至多為5mΩ·cm，且透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)為5.45以上。
一種于透明樹脂薄膜表面上被覆非晶形透明導(dǎo)電層制得的透明導(dǎo)電薄膜，其中的導(dǎo)電膜含有氧化銦、氧化錫及氧化鋅，各成分間的原子比為In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30，且含有占全部金屬原子總量的0.50～10原子％的正四價及以上的多價金屬氧化物。
如前述[11]記載的透明導(dǎo)電薄膜，其中正四價及以上的多價金屬氧化物為氧化釕、氧化鉬或氧化釩。
如前述[11]或[12]記載的透明導(dǎo)電薄膜，其中，透光率為75％以上，電阻率至多為5mΩ·cm，且透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)為5.45以上。
本發(fā)明的第二方面[1]一種組合物的燒結(jié)產(chǎn)物，該組合物含有氧化銦、氧化銦和氧化鋅及/或氧化錫，各成分間的原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03～0.20且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
一種組合物燒結(jié)產(chǎn)物，該組合物含有氧化銦與氧化鋅、或還含有氧化錫，各成分間的原子比為In/(In+Sn+Zn)＝0.80～1.00Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20Sn/(In+Sn+Zn)＝0.00～0.20，且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
一種組合物燒結(jié)產(chǎn)物，該組合物含有氧化銦、氧化鋅及氧化錫，各成分間的原子比為In/(In+Sn+Zn)＝0.80～1.00Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20Sn/(In+Sn+Zn)＝0.02～0.20，且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
一種濺射靶，其含有前述[1]～[3]項中任一項記載的燒結(jié)產(chǎn)物。
一種電子集束靶(electron～beaming target)，其含有前述[1]～[3]項中任一項記載的燒結(jié)產(chǎn)物。
一種離子噴鍍靶，其含有前述[1]～[3]項中任一項記載的燒結(jié)產(chǎn)物。
一種于玻璃表面上被覆一種組合物所構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜制得的透明導(dǎo)電玻璃，該組合物含有氧化銦、氧化鋅及氧化錫，各成分間的原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的金屬氧化物。
如前述[7]記載的透明導(dǎo)電玻璃，其中，透光率為75％以上，電阻率至多為5mΩ·cm，且透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)為5.45電子伏特以上。
一種于透明樹脂薄膜表面上被覆透明導(dǎo)電層制得的透明導(dǎo)電薄膜，其中的導(dǎo)電層含有氧化銦、氧化鋅及氧化錫，各成分間的原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，且含有占全部金屬原子總量的0.50～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
如前述[9]記載的透明導(dǎo)電薄膜，其中，透光率為75％以上，電阻率至多為5mΩ·cm，且透明導(dǎo)電層的功函數(shù)為5.45電子伏特以上。
本發(fā)明的第三方面[1]一種組合物的透明導(dǎo)電材料，該組合物包括選自氧化銦、氧化鋅及氧化錫的一種或多種金屬氧化物，并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的選自氧化銥、氧化錸及氧化鈀的一種或多種金屬氧化物。
一種組合物的透明導(dǎo)電材料，該組合物包括氧化銦、氧化鋅及氧化錫中的金屬氧化物，各成分間的原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.25Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00，并含有占全部金屬原子總量的0.50～20原子％的選自氧化銥、氧化錸及氧化鈀的一種或多種金屬氧化物。
一種組合物的透明導(dǎo)電材料，該組合物包括氧化銦、氧化鋅及氧化錫中的金屬氧化物，各成分間的原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.50～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.25Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.50，并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的選自氧化銥、氧化錸及氧化鈀的一種或多種金屬氧化物。
一種組合物的透明導(dǎo)電材料，該組合物包括氧化銦、氧化鋅及氧化錫中的金屬氧化物，各成分間的原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.75～0.95Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，并含有占全部金屬原子總量的0.50～20原子％的選自氧化銥、氧化錸及氧化鈀的一種或多種金屬氧化物。
一種由燒結(jié)前述第[1]～[4]項中任一項的組合物制得的燒結(jié)產(chǎn)物。
一種濺射靶，包括前述第[5]項的燒結(jié)產(chǎn)物。
一種于玻璃表面上被覆一種組合物的透明導(dǎo)電膜制得的透明導(dǎo)電玻璃，該組合物含有選自氧化銦、氧化鋅及氧化錫的一種或多種金屬氧化物，并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的選自氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出的一種或多種金屬氧化物。
如前述[7]記載的透明導(dǎo)電玻璃，其透光率為70％以上，且透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)為5.4電子伏以上。
一種于透明樹脂膜表面上被覆一層透明導(dǎo)電層制得的透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電層包括選自氧化銦、氧化鋅及氧化錫的一種或多種金屬氧化物，并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出的一種或多種金屬氧化物。
如前述[9]記載的透明導(dǎo)電薄膜，其透光率為70％以上，且透明導(dǎo)電層的功函數(shù)為5.4電子伏特以上。
本發(fā)明的第四方面[1]一種組合物的透明導(dǎo)電材料，該組合物包括氧化錫、氧化銦及氧化鋅中的金屬氧化物，各成分間的原子比為Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00，In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕的一種或多種金屬氧化物。
如前述[1]記載的透明導(dǎo)電材料，其中，氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間的原子比為
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.25[3]如前述[1]記載的透明導(dǎo)電材料，其中，氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間的原子比為Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20[4]如前述[1]記載的透明導(dǎo)電材料，其中，氧化錫、氧化銦及氧化鋅各成分間的原子比為Sn/(Sn+In+Zn)＝0.60～0.95In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.35Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20[5]一種由前述[1]～[4]的任一項的組合物于不低于1200℃的溫度下燒結(jié)而制成的燒結(jié)產(chǎn)物。
一種濺射靶，其包含前述[5]記載的燒結(jié)產(chǎn)物，且電阻率為10mΩ·cm以下。
一種于玻璃表面基板上，被覆一種組合物的透明導(dǎo)電膜制得的透明導(dǎo)電玻璃，該組合物含有氧化錫、氧化銦及氧化鋅中的金屬氧化物，各成分間的原子比為Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出的一種或多種金屬氧化物。
如前述[7]記載的透明導(dǎo)電玻璃，其中，透明導(dǎo)電膜的透光率為70％以上，且功函數(shù)為5.4電子伏特以上。
一種于透明樹脂薄膜表面上覆于一種組合物的透明導(dǎo)電層制得的透明導(dǎo)電薄膜，該組合物包含氧化錫、氧化銦及氧化鋅中的金屬氧化物，各成分間的原子比為Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45
Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出的一種或多種金屬氧化物。
如前述[9]記載的透明導(dǎo)電薄膜，其中，透明導(dǎo)電層的透光率為70％以上，且功函數(shù)為5.4電子伏特以上。
具體實施例方式
以下將對本發(fā)明的實施方案進行說明。
本發(fā)明的第一方面本發(fā)明的燒結(jié)產(chǎn)物，是作為透明導(dǎo)電膜成膜用的透明導(dǎo)電材料，其基本構(gòu)成成分是氧化銦、氧化錫及氧化鋅。
其組成成分的原子比為In/(In+Sn+Zn)＝0.50～0.75Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.45Zn/(In+Sn+Zn)＝0.03～0.30。
這些組成比例范圍中，又以In/(In+Sn+Zn)＝0.60～0.75Sn/(In+Sn+Zn)＝0.20～0.35Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20為優(yōu)選。
又以In/(In+Sn+Zn)＝0.60～0.70Sn/(In+Sn+Zn)＝0.25～0.35Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.15為最優(yōu)選。
本發(fā)明中，作為構(gòu)成成分的氧化銦、氧化錫及氧化鋅的組合物如上述限定，若氧化銦與氧化鋅的混合物于低溫下燒結(jié)時，燒結(jié)產(chǎn)物的導(dǎo)電性低。本發(fā)明的燒結(jié)產(chǎn)物可防止導(dǎo)電性降低。這些氧化銦與氧化鋅的混合物若于高溫下燒結(jié)時，可形成導(dǎo)電性提高的六方晶層狀化合物。但是欲將所有的氧化鋅變換為六方晶層狀化合物是有其困難性的，因此導(dǎo)電性的提高亦有限。
因此，本發(fā)明中使無法變換為六方晶層狀化合物的氧化鋅與氧化錫作用，以形成為具有尖晶石結(jié)構(gòu)的化合物，可使組合物所得的燒結(jié)產(chǎn)物的導(dǎo)電性提高，可使使用由此燒結(jié)產(chǎn)物所得的靶所進行的濺射處理更加穩(wěn)定。
關(guān)于這些成分的摻合比，若氧化銦的原子比低于0.50時，除會造成所得透明導(dǎo)電膜的表面電阻升高以外，亦會使耐熱性降低；若此數(shù)值超過0.75時，會使所得透明導(dǎo)電膜產(chǎn)生結(jié)晶化而引起透明性降低。若氧化錫的原子比低于0.20時，氧化鋅與氧化錫形成的尖晶石結(jié)構(gòu)化合物將不完全；若此數(shù)值超過0.45時，會使所得透明導(dǎo)電膜的表面電阻提高。此外，若氧化鋅的原子比低于0.03時，所得的透明導(dǎo)電膜容易形成結(jié)晶化，此數(shù)值若超過0.30時，則會使所得的透明導(dǎo)電膜的耐熱性降低。
這些構(gòu)成成分除在上述組成范圍以外，這些金屬氧化物中尚含有以In2O3·(ZnO)m(式中m為2～20的整數(shù)。)所示的六方晶層狀化合物，及式Zn2SnO4所示的尖晶石結(jié)構(gòu)化合物。
由上述構(gòu)造所得的本發(fā)明的燒結(jié)產(chǎn)物，如前所述具有較高的導(dǎo)電率，電阻率值低于2mΩ·cm。因此，在使用以此燒結(jié)產(chǎn)物作為靶的濺射裝置等進行成膜時，可使濺射處理于更穩(wěn)定的情形下進行，因此可以在極優(yōu)良生產(chǎn)條件下制造成膜制品。
此燒結(jié)產(chǎn)物包括構(gòu)成成分氧化銦、氧化錫及氧化鋅，并另外含有占其中全部金屬原子總量的0.5～10原子％的正四價或以上的多價金屬氧化物，尤其優(yōu)選為氧化釕、氧化鉬或氧化釩。該燒結(jié)產(chǎn)物具有在5.45和5.70電子伏之間的功函數(shù)，于是其功函數(shù)與有機電致發(fā)光器件中作為發(fā)光物質(zhì)或空穴輸送物質(zhì)的有機化合物的平均功函數(shù)5.6電子伏幾乎為同一水平。因此，若用于有機電致發(fā)光器件，則通過濺射此燒結(jié)產(chǎn)物靶形成的透明導(dǎo)電膜應(yīng)具有高的空穴注入率。在此燒結(jié)產(chǎn)物中，正四價或以上的多價金屬氧化物的比例優(yōu)選地為全部金屬原子總額的1～5原子％。
其次，有關(guān)本發(fā)明燒結(jié)產(chǎn)物的制造方法，是將上述各金屬氧化物的粉末，使用混合研磨機、例如濕式球磨機或珠磨機、超音波等，進行均勻地混合、研磨、造粒后，以加壓成型方式制得所需的形狀，再經(jīng)燒結(jié)處理成為燒結(jié)產(chǎn)物。此處的將原料粉末混合研磨，是將其盡可能研磨至微細(xì)，但一般以使用處理至平均粒徑為1μm以下混合研磨的物為佳。燒結(jié)條件，一般為1,200～1,500℃，優(yōu)選為1,250～1,480℃，時間為10～72小時，優(yōu)選為24～48小時。此時的升溫速率為1～50℃/分。
此燒結(jié)處理中，為使燒結(jié)產(chǎn)物中的氧化銦與氧化鋅形成前述式所示的六方晶層狀化合物的形態(tài)時，燒結(jié)溫度以1,250℃以上為佳。為使氧化鋅與氧化錫形成具有尖晶石結(jié)構(gòu)的化合物時，其燒結(jié)溫度以1,000℃以上為佳。
在制備本發(fā)明燒結(jié)產(chǎn)物時，當(dāng)該金屬氧化物三成分體系同正四價及以上多價金屬氧化物如氧化釕、氧化鉬或氧化釩結(jié)合時，將適量另外的金屬氧化物如氧化釕的粉末加入原料的三成分體系金屬氧化物粉末中，再按上法進行燒結(jié)。同樣，成型物體的燒結(jié)可在于所得的燒結(jié)產(chǎn)物中能夠形成氧化銦與氧化鋅的六方層狀化合物及氧化鋅與氧化錫的尖晶石結(jié)構(gòu)化合物的條件下進行。
本發(fā)明的第二方面本發(fā)明中，形成透明導(dǎo)電膜用的燒結(jié)產(chǎn)物，是含有如下原子比的氧化銦或氧化銦與氧化鋅及/或氧化錫的組合物，In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種或多種金屬氧化物。
優(yōu)選的燒結(jié)產(chǎn)物是含有如下原子比的氧化銦與氧化鋅或這些化合物與氧化錫的組合物，In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，該組合物還含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
最優(yōu)選的燒產(chǎn)物是含有如下原子比的氧化銦、氧化鋅及氧化錫的組合物，In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.02～0.20，該組合物還含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
本發(fā)明的燒結(jié)產(chǎn)物中，作為基本構(gòu)成成分的氧化銦、氧化錫及氧化鋅的組合物，如上所述，可單獨使用氧化銦，或可使用氧化銦與少量氧化鋅的混合物，或使用氧化銦與少量氧化鋅及氧化錫的混合物。
其中，這些成分的含量中，若氧化銦的原子比低于0.80時，除會造成所得透明導(dǎo)電膜的表面電阻升高以外，亦會使耐熱性降低。氧化鋅的原子比低于0.05時，會造成所得透明導(dǎo)電膜的蝕刻性不佳。此時，于濺射成膜時可少量添加水或氫，以使其蝕刻性提高。氧化鋅的原子比若超過0.20時，會使所得透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性降低。此外，若氧化錫的原子比低于0.02時，容易使靶的導(dǎo)電性降低，此數(shù)值若超過0.20時，則會使所得的透明導(dǎo)電膜的表面電阻升高。
所述燒結(jié)產(chǎn)物包括上述氧化銦或氧化銦與氧化鋅及/或氧化錫的基本成分并含有由氧化釕、氧化鉬及氧化釩所先出的添加金屬氧化物，其含量是占組合物中金屬原子總量的0.5～10原子％。這些添加金屬氧化物的含量若低于0.5原子％時，所得的透明導(dǎo)電膜則無法具備有夠高的功函數(shù)，若此含量超過10原子％時，會引起透明性的降低。即，這些金屬氧化物含量的優(yōu)選范圍為，占組合物中金屬原子總量的1～7原子％，更優(yōu)選為1～5原子％。
如此，使用于氧化銦等基本成分中添加一種或多種氧化釕或氧化鉬、氧化釩等添加成分后以所得的燒結(jié)產(chǎn)物制得的透明導(dǎo)電膜，可得到使功函數(shù)提高，此添加成分的含量若于上述范圍時，可得到5.45電子伏特以上的數(shù)值。此透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)的數(shù)值，與有機電致發(fā)光器件中作為發(fā)光物質(zhì)或空穴輸送物質(zhì)等有機化合物的功函數(shù)的平均值的5.5～5.6電子伏特相當(dāng)。因此，使用此透明導(dǎo)電膜作為有機電致發(fā)光器件的陽極時，可使由此陽極注入空穴輸送層或?qū)⒖昭ㄗ⑷氚l(fā)光層時的能量間隙降低，因此該設(shè)備可保證較高的空穴注入率。因此，可使有機電致發(fā)光器件的驅(qū)動電壓降低，亦可抑制各層間能量間隙所產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象，而可使其具有長時間的穩(wěn)定的發(fā)光現(xiàn)象。
其次，有關(guān)本發(fā)明燒結(jié)的制造方法，是將上述各金屬氧化物的粉末，使用混合研磨機、例如濕式球磨機或珠磨機、超音波等，進行均勻地混合、研磨、造粒后，以加壓成型方式制得所需的形狀，再經(jīng)燒結(jié)處理成為燒結(jié)產(chǎn)物。此處的將原料粉末混合研磨，是將其研磨至盡可能微細(xì)，但一般為混合研磨至平均粒徑為1μm以下。在燒結(jié)階段，成形體在1,200～1,500℃，優(yōu)選為1,250～1,480℃燒結(jié)，時間為10～72小時，優(yōu)選為24～48小時。此時的升溫速率為1～50℃/分。
本發(fā)明的第三方面本發(fā)明透明導(dǎo)電材料為一種組合物，它包括選自氧化銦、氧化鋅及氧化錫的一種或多種金屬氧化物，并含有占其中全部金屬原子總量的0.5～20原子％的選自氧化銥、氧化錸及氧化鈀的一種或多種金屬氧化物。
具有優(yōu)選導(dǎo)電性的本發(fā)明的透明導(dǎo)電材料是包括以下原子比的氧化銦、氧化鋅及氧化錫金屬氧化物的組合物，In/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.25Sn/(In+Zn+Sn)0.00～1.00并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的選自氧化銥、氧化錸及氧化鈀的一種或多種金屬氧化物。
更優(yōu)選的透明導(dǎo)電材料是由包括以下原子比的氧化銦、氧化鋅與氧化錫中的金屬氧化物的組合物In/(In+Zn+Sn)＝0.50～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.25Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.50并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出一種或多種金屬氧化物的組合物所得的透明導(dǎo)電材料。
其中，具有更優(yōu)選導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電材料是由包括以下原子比的氧化銦、氧化鋅及氧化錫的金屬氧化物，In/(In+Zn+Sn)＝0.75～0.95Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出一種或多種金屬氧化物的組合物所得的透明導(dǎo)電材料。
具有最優(yōu)選導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電材料是由包括以下原子比的氧化銦、氧化鋅及氧化錫的金屬氧化物，In/(In+Zn+Sn)＝0.85～0.95Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.15并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出一種或多種金屬氧化物的組合物所得的透明導(dǎo)電材料。
本發(fā)明的透明導(dǎo)電材料中，作為基本構(gòu)成成分的氧化銦、氧化鋅及氧化錫、或這些金屬氧化物的混合物，如上所述，可單獨使用氧化銦、氧化鋅或氧化錫，或可使用氧化銦與少量氧化鋅的混合物，或使用氧化銦與氧化錫的混合物，或可使用氧化銦與氧化鋅及氧化錫的混合物。
關(guān)于這些基本構(gòu)成成分的摻合比，氧化銦這里不是經(jīng)常需要的。但為了使該材料能形成低表面電阻的透明導(dǎo)電膜，希望氧化銥的原子比為0.5以上。氧化鋅這里不是經(jīng)常需要的。但為了使該材料能形成較高可蝕刻性的透明導(dǎo)電膜，便在該材料配方中加入少量氧化鋅。為此，例如氧化鋅的原子比可為0.05以上。若由此材料形成的透明導(dǎo)電膜的蝕刻性不佳時，可于使該材料燒結(jié)產(chǎn)物濺射以形成膜的裝置中添加少量的水或氫，從而能提高所形成膜的可蝕刻性。若氧化鋅的原子比超過0.25時，則該透明導(dǎo)電膜的耐用性將會低。氧化錫這里不是經(jīng)常需要的。但為了使該材料形成的靶的導(dǎo)電性在較高水平，本發(fā)明材料中最好含有氧化錫。然而，當(dāng)希望由該靶形成的透明導(dǎo)電膜具有較低表面電阻時，此材料中氧化錫的原子比最好在0.5以下。
在該材料中，其基本構(gòu)成成分應(yīng)與任一種氧化銥、氧化錸、及氧化鈀或與可按任何希望比例的該金屬氧化物的混合物結(jié)合。欲加入該材料中的這部分外加金屬氧化物，應(yīng)占包括該外加金屬氧化物的全部構(gòu)成該材料金屬原子總量的0.5～20原子％。若以原子比表示時，可用下列公式給出Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.005～0.20，
Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.005～0.20，Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.005～0.20，優(yōu)選地，Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.01～0.10，Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.01～0.10，Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.01～0.10，更優(yōu)選為Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.03～0.08，Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.03～0.08，Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.03～0.08。
這些附加成分氧化銥、氧化錸及氧化鈀的含量若低于0.5原子％時，無法使透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)達到充分的高度，此含量超過2O原子％時，則會導(dǎo)致透明性的降低。
包括上述基本構(gòu)成成分，及含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的氧化銥、氧化錸及氧化鈀的金屬氧化物的組合物，可被燒結(jié)成為濺射靶，該靶經(jīng)濺射形成透明導(dǎo)電膜。這種透明導(dǎo)電膜的透光率為70％以，功函數(shù)的值為5.4電子伏特以上。此透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)的數(shù)值，與有機電致發(fā)光器件中作為發(fā)光物質(zhì)或空穴輸送物質(zhì)等使用的有機化合物的電離位能的平均值的5.5～5.6電子伏特相當(dāng)。因此，使用此透明導(dǎo)電膜作為有機電致發(fā)光器件的陽極時，可使經(jīng)由此陽極注入空穴輸送層或?qū)⒖昭ㄗ⑷氚l(fā)光層時的能量間隙降低，而得一較高的空穴注入率。因此，可使有機電致發(fā)光器件的驅(qū)動壓降低，亦可抑制因各層間能量間隙所產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象，并能確保其具有長時間的穩(wěn)定。
有關(guān)本發(fā)明透明導(dǎo)電材料的制造方法，是例如將上述各金屬氧化物的粉末依一定比例混合，其可使用混合研磨機、例如濕式球磨機或珠磨機、超音波等以均勻混合、研磨而制得。此處的將原料粉末混合研磨，是將其研磨至盡可能微細(xì)，但一般是混合研磨處理至平均粒徑為1μm以下。
為了獲得用此透明導(dǎo)電材料所得的燒結(jié)產(chǎn)物，例如可在造粒后，以加壓成型的方式制得所希望的形狀，其后再將成形體燒結(jié)。在燒結(jié)步驟中，一般為1,200～1,500℃，優(yōu)選為1,250～1,480℃燒結(jié)10～72小時，優(yōu)選為24～48小時。此時的升溫速率為1～50℃/分。
本發(fā)明的第四方面本發(fā)明的透明導(dǎo)電材料，是由包括如下原子比的氧化錫、氧化銦及氧化鋅中的金屬氧化物Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出一種或多種金屬氧化物的組合物所得的透明導(dǎo)電材料。
優(yōu)選地，該透明導(dǎo)電材料由包括如下原子比的氧化錫、氧化銦及氧化鋅中的金屬氧化物Sn/(Sn+In+Zn)＝0.60～0.95In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.35Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出一種或多種金屬氧化物的組合物所得的透明導(dǎo)電材料。
更優(yōu)選地，該透明導(dǎo)電材料是由包括如下原子比的氧化錫、氧化銦及氧化鋅中的金屬氧化物Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.25并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出一種或多種金屬氧化物的組合物所得的透明導(dǎo)電材料。
更優(yōu)選地，該透明導(dǎo)電材料是由包括以下原子比的氧化錫、氧化銦及氧化鋅的金屬氧化物Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～0.95In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.40Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出一種或多種金屬氧化物的組合物所得的透明導(dǎo)電材料。
最優(yōu)選地，該透明導(dǎo)電材料是由包括如下原子比的氧化錫、氧化銦及氧化鋅的金屬氧化物Sn/(Sn+In+Zn)＝0.60～0.95In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.35Zn/(Sn+In+Zn)＝0.05～0.20并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出一種或多種金屬氧化物的組合物所得的透明導(dǎo)電材料本發(fā)明的透明導(dǎo)電材料中，作為基本構(gòu)成成分的氧化錫、氧化銦、氧化鋅、或這些金屬氧化物的混合物，如上所述，可單獨使用氧化錫、氧化銦或氧化鋅，或可使用氧化錫與少量氧化銦的混合物，或使用氧化錫與氧化鋅的混合物，或可使用氧化錫與氧化銦及氧化鋅的混合物皆可。
關(guān)于這些基本構(gòu)成成分的摻合比，理想的是氧化錫的含量至少為0.55，以使其可以價廉制得且可制成具優(yōu)良耐熱性的透明導(dǎo)電膜。氧化銦常非必要，但為使透明導(dǎo)電膜維持在較高導(dǎo)電性，其原子比以0.45以內(nèi)為佳。此氧化銦的含量比例中，若其原子比超過0.45時，會使透明導(dǎo)電膜的制造費用提高。氧化鋅常非必要，但為使透明導(dǎo)電膜的蝕刻加工性提高，它可以加入組合物。待加入氧化鋅的原子比以0.05以上為佳。為維持形成的透明導(dǎo)電膜具有良好的耐濕熱性，氧化鋅的原子比以0.25以下者為佳。若透明導(dǎo)電膜的蝕刻加工性不佳時，可于透明導(dǎo)電膜的濺射成膜時添加少量的水或氫，以使其蝕刻性增加。
在該材料中，于上述基本構(gòu)成成分中可含有任何希望比例的氧化釩、氧化鉬及氧化釕，可各自單獨存在或以其任意混合比例的混合方式存在皆可。其中，這些附加金屬氧化物相對于構(gòu)成該材料的所有金屬原子，包括附加金屬氧化物的金屬原子，為0.5～10原子％。若將其以原子比表示時，則為V/(In+Zn+Sn+V)＝0.005～0.10Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.005～0.10Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.005～0.10；
優(yōu)選為V/(In+Zn+Sn+V)＝0.01～0.08Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.01～0.08Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.01～0.08；更優(yōu)選為V/(In+Zn+Sn+V)＝0.02～0.05Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.02～0.05Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.02～0.05這些氧化釩、氧化鉬或氧化釕中的任一，或其混合物的含量若低于0.5原子％時，將無法使透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)達到充分的高度，此含量超過1O原子％時，則會導(dǎo)致透明性的降低。
含有上述基本構(gòu)成成分，并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的氧化釩、氧化鉬及氧化釕的金屬氧化物的組合物，可被燒結(jié)成為濺射靶，該靶經(jīng)濺射形成透明導(dǎo)電膜。這種透明導(dǎo)電膜的透光率為70％以上，且功函數(shù)的值為5.4電子伏特以上。此透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)的數(shù)值，與有機電致發(fā)光器件中作為發(fā)光物質(zhì)或空穴輸送物質(zhì)等使用的有機化合物的電離位能的平均值的5.5～5.6電子伏特相當(dāng)。因此，使用此透明導(dǎo)電膜作為有機電致發(fā)光器件的陽極時，可使經(jīng)由此陽極注入空穴輸送層或?qū)⒖昭ㄗ⑷氚l(fā)光層時的能量間隙降低，而得一較高的空穴注入率。因此，可使有機電致發(fā)光器件的驅(qū)動壓降低，亦可抑制因各層間能量間隙所產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象，并能確保其具有長時間的穩(wěn)定發(fā)光。
有關(guān)本發(fā)明透明導(dǎo)電材料的制造方法，例如將上述各金屬氧化物的粉末依一定比例混合，其可使用混合研磨機、例如濕式球磨機或珠磨機、超音波等以均勻混合、研磨而制得。此處的將原料粉末混合研磨，是將其研磨至盡可能微細(xì)，但一般是混合研磨處理至平均粒徑為1μm以下。
為了獲得用此透明導(dǎo)電材料所得的燒結(jié)產(chǎn)物，例如可在造粒后，以加壓成型的方式制得所希望的形狀，其后再將成形體燒結(jié)。在燒結(jié)步驟中，一般在1,200～1,500℃，優(yōu)選為1,250～1,480℃燒結(jié)10～72小時，優(yōu)選為24～48小時。此時升溫速率為1～50℃/分。于采用這燒結(jié)條件時，即可制得電阻率為10mΩ·cm以下的燒結(jié)產(chǎn)物。
將如此所得的燒結(jié)產(chǎn)物機械加工成可裝入濺射裝置的形體，每個形體之后附配合適的裝置。這樣即可制得一具有優(yōu)良導(dǎo)電性且可穩(wěn)定地進行濺射的濺射靶。
本發(fā)明的第一至第四方面的透明電極玻璃與透明導(dǎo)電薄膜使用上述所得靶在透明基材上進行成膜。透明基材可使用目前使用的玻璃基板或，具有高透明性的合成樹脂制的薄膜、或薄片等。優(yōu)選的合成樹脂例如可使用聚碳酸酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚酯類樹脂、聚醚砜樹脂、聚丙烯酸酯樹脂等等。
使用上述靶在將透明導(dǎo)電膜置于透明基材上以濺射法進行成膜時，以使用磁控管式濺射裝置為佳。而使用此裝置進行濺射成膜的條件中，隨靶的表面積或待形成的透明導(dǎo)電膜的膜厚，等離子體輸出可產(chǎn)生變動，但一般等離子體的輸出是于靶表面積1cm2為0.3～4W的范圍，成膜的時間為5～120分鐘。此透明導(dǎo)電膜的膜厚度，隨顯示裝置的種類而有不同，一般以2000～6000埃，優(yōu)選為300～2000埃。
使用裝著有前述燒結(jié)產(chǎn)物的電子集束裝置或離子濺射裝置中的靶進行成膜?？捎谂c上述相同的成膜條件下進行透明導(dǎo)電膜的成膜步驟。
對依此方法所制得的本發(fā)明的第一方面的透明導(dǎo)電玻璃或透明薄膜而言，這些于透明基材上所形成的透明導(dǎo)電層，具有極高的透光率與較低的電阻率。蝕刻此透明導(dǎo)電層得到透明電極。具體而言，在鹽酸或草酸蝕刻后，蝕刻部與未蝕刻部界限部分的截面形狀極為平滑，使該蝕刻部與未蝕刻部明確區(qū)分。從而可形成具有均勻?qū)挾燃昂穸鹊碾姌O導(dǎo)線電路。因此，本發(fā)明透明導(dǎo)電玻璃或透明導(dǎo)電薄膜上的透明導(dǎo)電層，可以任何普通方式加以蝕刻加工，得到透明良好的電級。電極加工性差的透明導(dǎo)電膜蝕刻成電極時，包括電極的電路電阻部分增加或下降，這時電路中的絕緣面積將不能起絕緣作用，電路將損壞。而包括由本發(fā)明制得透明電極的電路則相反，不會有這些麻煩。
本發(fā)明的第一方面中，由包括前述3成分系的金屬氧化物并含有正4價及以上的金屬氧化物所得燒結(jié)產(chǎn)物形成的透明導(dǎo)電層，具有透光率為75％以上，因而具有高透明性。此外它具有的電阻率至多為5mΩ·cm，且功函數(shù)為5.45以上。使用這種透明導(dǎo)電層，本發(fā)明的透明導(dǎo)電玻璃或透明導(dǎo)電薄膜適于制造有機電致發(fā)光器件用透明電極。在本實施方案中，若正4價及以上金屬氧化物的含量太高，則導(dǎo)電層的導(dǎo)電率會降低。因此，若需要該導(dǎo)電層維持較高的導(dǎo)電率時，它應(yīng)具有一種層合結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括和其上再層合含有由正4價或以上金屬氧化物的上層。然后燒結(jié)該兩層的層合物。得到具有優(yōu)良導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電層。且其功函數(shù)與適用于有機電致發(fā)光器件的有機化合物近乎相同。該導(dǎo)電層適于用于有機電致發(fā)光器件的電極。
在上述方式所得的本發(fā)明的第二方面的透明導(dǎo)電玻璃和透明導(dǎo)電薄膜中，透明導(dǎo)電層的金屬氧化物組成與形成該導(dǎo)電層的燒結(jié)產(chǎn)物相同。上透明導(dǎo)電層的透明性，對波長500nm的透光率為75％以上。就此透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性而言，其電阻率至多為5mΩ·cm。如上所述，此導(dǎo)電層的功函數(shù)較以往使用普通ITO膜更高，為5.45電子伏特以上。
在上述方式所得的本發(fā)明的第三方面的透明導(dǎo)電玻璃和透明導(dǎo)電薄膜中，透明導(dǎo)電層的金屬氧化物組成與形成該導(dǎo)電層的燒結(jié)產(chǎn)物相同。上透明導(dǎo)電層的透明性，對波長500nm的透光率為70％以上。就此透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性而言，其電阻率至多為5mΩ·cm。因此，如上所述，此導(dǎo)電層的功函數(shù)較以往使用普通ITO膜更高，為5.4電子伏特以上。此值幾乎與形成有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層或空穴輸送層的有機化合物的電離位能的值相等。
在上述方式所得的本發(fā)明的第四方面的透明導(dǎo)電玻璃和透明導(dǎo)電薄膜中，透明導(dǎo)電層的金屬氧化物組成與形成該導(dǎo)電層的燒結(jié)產(chǎn)物相同。上透明導(dǎo)電層的透明性，對波長500nm的透光率為70％以上。因此，如上所述，此導(dǎo)電層的功函數(shù)較以往使用普通ITO膜更高，為5.4電子伏特以上。此值幾乎與形成有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層或空穴輸送層的有機化合物的電離位能的值相等。
因此，本發(fā)明的透明導(dǎo)電玻璃或透明導(dǎo)電薄膜，在各種顯示裝置，例如典型的有機電致發(fā)光器件中，極適合作為透明電極。
具體實施例方式
本發(fā)明參考如下實施例作更詳細(xì)的說明，但，本發(fā)明并不受這些實例的限制。
(1)燒結(jié)片的制造使用氧化銦、氧化錫及氧化鋅的粉末作為原料，并以下述原子比予以混合后饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨。
In/(In+Sn+Zn)＝0.50Sn/(In+Sn+Zn)＝0.25Zn/(In+Sn+Zn)＝0.25將所得研磨物造粒后，再加壓成直徑4英寸、厚5mm的片，再將其置入燒結(jié)爐中，進行1400℃、36小時的加壓燒結(jié)。
依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.6g/cm3，且體電阻為0.95mΩ·cm。
其次，此燒結(jié)片的結(jié)晶性經(jīng)X射線分析而確認(rèn)，燒結(jié)片內(nèi)形成氧化銦的結(jié)晶與，以In2O3·(ZnO)m表示、且m為4、5、7的氧化銦與氧化鋅六方層狀化合物的結(jié)晶，及以Zn2SnO4為主的具有尖晶石結(jié)構(gòu)的化合物結(jié)晶。
此結(jié)果如表I-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述所得的燒結(jié)片，制作成直徑4英寸、厚度5mm的濺射靶。將其裝于D℃磁控管濺射裝置上，并于玻璃基板上成膜。
關(guān)于濺射條件，周圍環(huán)境是使用混有適量氧氣的氬氣環(huán)境，且濺射壓力為3×10-1Pa，最終真空度為5×10-4Pa，基板溫度為25℃，導(dǎo)入能量為100W，成膜淀積時間為14分鐘。
在該透明玻璃上形成的透明導(dǎo)電膜，其厚度為1,200埃，且為非晶形。而此透明導(dǎo)電膜的透光率以分光光度計測量，對500nm的光線測得為79％。以4探針法測定的透明導(dǎo)電膜的電阻率為0.36mΩ·cm，于是該膜的導(dǎo)電性是高的。功函數(shù)是以紫外線光電子光譜法予以測定。
(3)透明導(dǎo)電膜的加工性評估將于上述(2)中在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜，經(jīng)由具有線狀通透孔的掩膜，涂布以保護層，并顯像。并以鹽酸水溶液蝕刻其上帶圖案的保護層的該膜。在此蝕刻處理的膜中，蝕刻部分與非蝕刻部分的界限部分，形成具有平滑傾斜表面。其后將與蝕刻溶液接觸的膜部分除去，并未發(fā)現(xiàn)此接觸面上殘存有薄膜。
其評估結(jié)果如表I-2所示。
除將實施例I-1中(2)部分的濺射時的玻璃基板溫度調(diào)整為215℃以外，其他皆與實施例I-1相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電玻璃上的透明導(dǎo)電膜的評估結(jié)果如表I-2所示。
除將實施例I-1中(1)部分的透明基材所用的玻璃基板，以厚度為0.1m m的聚碳酸酯基板取代以外，其他皆與實施例I-1相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在聚碳酸酯基板上形成的透明導(dǎo)電薄膜的評估結(jié)果如表I-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除使用氧化銦、氧化錫及氧化鋅的粉末作為原料，并以下述原子比予以混合以外，其他皆依實施例I-1相同步驟，制得燒結(jié)片。
In/(In+Sn+Zn)＝0.50Sn/(In+Sn+Zn)＝0.45Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.8g/cm3，且體電阻為0.98mΩ·cm。此燒結(jié)片的結(jié)晶性，經(jīng)確認(rèn)其是形成具有由氧化銦的結(jié)晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m為4、5、7的氧化銦與氧化鋅六方層狀化合物的結(jié)晶，及以Zn2SnO4為主的具有尖晶石結(jié)構(gòu)的化合物所構(gòu)成的結(jié)晶。
此結(jié)果如表I-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(1)所得的燒結(jié)片，依實施例I-1的(2)相同步驟制作透明導(dǎo)電玻璃。
(3)透明導(dǎo)電膜的加工性評估將上述(2)中在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜，依實施例I-1的(3)相同方法進行透明導(dǎo)電膜的加工性評估。
其評估結(jié)果如表I-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除使用下述原子比的氧化銦、氧化錫及氧化鋅的粉末作為原料，并予以混合以外，其他皆依實施例I-1相同步驟，制得燒結(jié)片。
In/(In+Sn+Zn)＝0.70Sn/(In+Sn+Zn)＝0.25Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.8g/cm3，且體電阻為0.87mΩ·cm。此燒結(jié)片的結(jié)晶性，經(jīng)確認(rèn)其是形成具有氧化銦的結(jié)晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m為4、5、7的氧化銦與氧化鋅六方層狀化合物的結(jié)晶，及以Zn2SnO4為主的具有尖晶石結(jié)構(gòu)的化合物所構(gòu)成的結(jié)晶。
此結(jié)果如表I-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(1)所得的燒結(jié)片，依實施例I-1的(2)相同步驟制作透明導(dǎo)電玻璃。
(3)透明導(dǎo)電膜的加工性評估將上述(2)中在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜，依實施例I-1的(3)相同方法進行透明導(dǎo)電膜的加工性評估。
其評估結(jié)果如表I-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除使用下述原子比的氧化銦、氧化錫及氧化鋅的粉末作為原料，并予以混合以外，其他皆依實施例I-1相同步驟，制得燒結(jié)片。
In/(In+Sn+Zn)＝0.60Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.7g/cm3，且體電阻為0.82mΩ·cm。此燒結(jié)片的結(jié)晶性，經(jīng)確認(rèn)其是形成具有氧化銦的結(jié)晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m為4、5、7的氧化銦與氧化鋅六方晶層狀化合物的結(jié)晶，及以Zn2SnO4為主的具有尖晶石結(jié)構(gòu)的化合物所構(gòu)成的結(jié)晶。
此結(jié)果如表I-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(1)所得的燒結(jié)片，依實施例I-1的(2)相同步驟制作透明導(dǎo)電玻璃。
(3)透明導(dǎo)電膜的加工性評估上述(2)中透明玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的加工性，依實施例I-1的(3)相同方法進行評估。
其評估結(jié)果如表I-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除使用下述原子比的氧化銦、氧化錫及氧化鋅的粉末作為原料，并予以混合后，In/(In+Sn+Zn)＝0.60Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10再加入原子比例為Ru/(In+Sn+Zn+Ru)＝0.02的氧化釕粉末后再經(jīng)混合外，其他皆依實施例I-1相同步驟，制得燒結(jié)片。
依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.7g/cm3，且體電阻為0.80mΩ·cm。此燒結(jié)片的結(jié)晶性，經(jīng)確認(rèn)其是形成具有氧化銦的結(jié)晶，以In2O3·(ZnO)m表示、且m為4、5、7的氧化銦與氧化鋅六方層狀化合物的結(jié)晶，及以Zn2SnO4為主的具有尖晶石結(jié)構(gòu)的化合物所構(gòu)成的結(jié)晶。
此結(jié)果如表I-1所示。表I-1中的金屬氧化物組成欄中，Me表示Ru(后面也同樣應(yīng)用于Mo等)。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(1)所得的燒結(jié)片，依實施例I-1的(2)相同步驟制作透明導(dǎo)電玻璃。
(3)透明導(dǎo)電膜的加工性評估將上述(2)中在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜，依實施例I-1的(3)相同方法進行透明導(dǎo)電膜的加工性評估。
其評估結(jié)果如表I-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除使用下述原子比的氧化銦、氧化錫及氧化鋅的粉末作為原料，并予以混合后，In/(In+Sn+Zn)＝0.60Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10再加入原子比例為Mo/(In+Sn+Zn+Mo)＝0.02的氧化鉬粉末后再經(jīng)混合外，其他皆依實施例I-1相同步驟，制得燒結(jié)片。
依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.8g/cm3，且體電阻為0.94mΩ·cm。此燒結(jié)片的結(jié)晶性，經(jīng)確認(rèn)其是形成具有氧化銦的結(jié)晶，所得的In2O3·(ZnO)m表示、且m為4、5、7的氧化銦與氧化鋅六方層狀化合物的結(jié)晶，及以Zn2SnO4為主的具有尖晶石結(jié)構(gòu)的化合物所構(gòu)成的結(jié)晶。
此結(jié)果如表I-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(1)所得的燒結(jié)片，依實施例I-1的(2)相同步驟制作透明導(dǎo)電玻璃。
(3)透明導(dǎo)電膜的加工性評估將上述(2)中在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜，依實施例I-1的(3)相同方法進行透明導(dǎo)電膜的加工性評估。
其評估結(jié)果如表I-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除使用下述原子比的氧化銦、氧化錫及氧化鋅的粉末作為原料，并予以混合后，In/(In+Sn+Zn)＝0.60Sn/(In+Sn+Zn)＝0.30Zn/(In+Sn+Zn)＝0.10
再加入原子比例為V/(In+Sn+Zn+V)＝0.02的氧化釩粉末后再經(jīng)混合外，其他皆依實施例I-1相同步驟，制得燒結(jié)片。
依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.8g/cm3，且體電阻為0.99mΩ·cm。此燒結(jié)片的結(jié)晶性，經(jīng)確認(rèn)其是形成具有氧化銦的結(jié)晶，所得的In2O3·(ZnO)m表示、且m為4、5、7的氧化銦與氧化鋅六方層狀化合物的結(jié)晶，及以Zn2SnO4為主的具有尖晶石結(jié)構(gòu)的化合物所構(gòu)成的結(jié)晶。
此結(jié)果如表I-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(1)所得的燒結(jié)片，依實施例I-1的(2)相同步驟制作透明導(dǎo)電玻璃。
(3)透明導(dǎo)電膜的加工性評估將上述(2)中在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜，依實施例I-1的(3)相同方法進行透明導(dǎo)電膜的加工性評估。
其評估結(jié)果如表I-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將原料的氧化銦與氧化鋅的粉末，以下述原子比予以混合以外，其他皆依實施例I-1相同步驟，制得燒結(jié)片。
In/(In+Zn)＝0.85Zn/(In+Zn)＝0.15依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.75g/cm3，且體電阻為2.74mΩ·cm。此燒結(jié)片的結(jié)晶性，經(jīng)確認(rèn)其是形成具有氧化銦的結(jié)晶，和氧化銦-氧化鋅的六方層狀化合物的結(jié)晶。
此結(jié)果如表I-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(1)所得的燒結(jié)片，依實施例I-1的(2)相同步驟制作透明導(dǎo)電玻璃。
因燒結(jié)片的電阻率較大，故于濺射時的穩(wěn)定性差，因此到達預(yù)定膜厚度所需的成膜時間需要17分鐘。
(3)透明導(dǎo)電膜的加工性評估將上述(2)所得的在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜，依實施例I-1的(3)相同方法進行透明導(dǎo)電膜的加工性評估。
其評估結(jié)果如表I-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將原料的氧化銦與氧化錫的粉末，以下述原子比予以混合以外，其他皆依實施例I-1相同步驟，制得燒結(jié)片。
In/(In+Sn)＝0.90Sn/(In+Sn)＝0.10依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.71g/cm3，且體電阻為0.69mΩ·cm。此燒結(jié)片的結(jié)晶性，經(jīng)確認(rèn)其是為氧化銦的結(jié)晶。
此結(jié)果如表I-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(1)所得的燒結(jié)片，依實施例I-1的(2)相同步驟制作透明導(dǎo)電玻璃。
(3)透明導(dǎo)電膜的加工性評估將上述(2)所得的玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜，依實施例I-1的(3)相同方法進行透明導(dǎo)電膜的加工性評估。
其評估結(jié)果如表I-2所示。
除將比較例2的(2)中濺射時所使用的玻璃基板的溫度調(diào)整為215℃以外，其他皆依比較例I-2相同步驟，制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得玻璃基板上的透明導(dǎo)電膜的評估結(jié)果如表I-2所示。
表I-1(1)

表I-1(2)

表I-2(1)

表I-2(2)
[實施例II-1](1)燒結(jié)片的制造于作為原料的氧化銦粉末中，將具有下述原子比的氧化釕粉末混合后饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨。
Ru/(In+Ru)＝0.03其次，將所得研磨物造粒后，再加壓成直徑4英寸、厚5mm的片，將片置入燒結(jié)爐中，在1400℃進行的加壓燒結(jié)36小時。
依此方法所得的燒結(jié)片，其密度為6.8g/cm3，且體電阻為0.80mΩ·cm。
此結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述所得的燒結(jié)片，制成直徑4英寸、厚度5mm的濺射靶。將靶裝于DC磁控管濺射裝置上，對玻璃基板濺射。
其濺射條件為，周圍環(huán)境是使用混有適量氧氣的氬氣，且濺射壓力為3×10-1Pa，最終真空度為5×10-4Pa，基板溫度為25℃，加入電能為100W，成膜時間為14分鐘。
依此方式所得的玻璃基板上的透明導(dǎo)電膜，其厚度為1,200埃，且為非晶形。而此透明導(dǎo)電膜對500nm的光線的透光率，以分光光度測得為79％。以4探針法測定的透明導(dǎo)電膜的電阻率為0.84mΩ·cm，導(dǎo)電性較高。功函數(shù)以紫外線電子光譜法測定的結(jié)果為5.51電子伏特。
此透明導(dǎo)電膜的評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將實施例II-1中作為原料的氧化釕改為具有下述原子比的氧化鉬予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Mo/(In+Mo)＝0.07所得燒結(jié)片的物性如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將實施例II-1中作為原料的氧化釕改為具有下述原子比的氧化釩予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
V/(In+V)＝0.07所得燒結(jié)片的物性如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn)＝0.83Zn/(In+Zn)＝0.17其后，再于其中加入下述原子比的氧化釕予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Ru/(In+Zn+Ru)＝0.020其所得燒結(jié)片的物性如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn)＝0.85Zn/(In+Zn)＝0.15其后，再于其中加入下述原子比的氧化鉬予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Mo/(In+Zn+Mo)＝0.020其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn)＝0.85Zn/(In+Zn)＝0.15其后，再于其中加入下述原子比的氧化釩予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
V/(In+Zn+V)＝0.020其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例I I-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn)＝0.93Zn/(In+Zn)＝0.07其后，再于其中加入下述原子比的氧化釕予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Ru/(In+Zn+Ru)＝0.015其所得燒結(jié)片的物性如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn)＝0.90
Zn/(In+Zn)＝0.10其后，再于其中加入下述原子比的氧化鉬予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Mo/(In+Zn+Mo)＝0.050其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化鋅粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn)＝0.90Zn/(In+Zn)＝0.10其后，再于其中加入下述原子比的氧化釩予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
V/(In+Zn+V)＝0.070其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化錫粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Sn)＝0.80Sn/(In+Sn)＝0.20其后，再于其中加入下述原子比的氧化釕予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Ru/(In+Sn+Ru)＝0.030
其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化錫粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Sn)＝0.80Sn/(In+Sn)＝0.20其后，再于其中加入下述原子比的氧化鉬予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Mo/(In+Sn+Mo)＝0.070其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化錫粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Sn)＝0.80Sn/(In+Sn)＝0.20其后，再于其中加入下述原子比的氧化釩予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
V/(In+Sn+V)＝0.050其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化錫粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Sn)＝0.90Sn/(In+Sn)＝0.10其后，再于其中加入下述原子比的氧化釕予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Ru/(In+Sn+Ru)0.021其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化錫粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Sn)＝0.90Sn/(In+Sn)＝0.10其后，再于其中加入下述原子比的氧化鉬予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Mo/(In+Sn+Mo)＝0.070其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末與氧化錫粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Sn)＝0.90Sn/(In+Sn)＝0.10其后，再于其中加入下述原子比的氧化釩予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
V/(In+Sn+V)＝0.020其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末、氧化鋅粉末及氧化錫粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn+Sn)＝0.80Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10其后，再于其中加入下述原子比的氧化釕予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.022其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末、氧化鋅粉末及氧化錫粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn+Sn)＝0.80Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10
Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10其后，再于其中加入下述原子比的氧化鉬予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.050其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例I I-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末、氧化鋅粉末及氧化錫的粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn+Sn)＝0.80Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10其后，再于其中加入下述原子比的氧化釩予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.050其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末、氧化鋅粉末及氧化錫的粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn+Sn)＝0.90Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03其后，再于其中加入下述原子比的氧化釕予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Ru/(In+Zn+Sn+Ru)＝0.025其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末、氧化鋅粉末及氧化錫的粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn+Sn)＝0.90Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03其后，再于其中加入下述原子比的氧化鉬予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
Mo/(In+Zn+Sn+Mo)＝0.035其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
(1)燒結(jié)片的制造除將作為原料的氧化銦粉末、氧化鋅粉末及氧化錫的粉末以下述原子比予以混合，In/(In+Zn+Sn)＝0.90Zn/(In+Zn+Sn)＝0.07Sn/(In+Zn+Sn)＝0.03其后，再于其中加入下述原子比的氧化釩予以混合以外，其他皆依實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片。
V/(In+Zn+Sn+V)＝0.035
其所得燒結(jié)片的物性的測定結(jié)果如表II-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(1)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例I I-1的(2)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表II-2所示。
將按實施例II-4的(1)相同方法制得的燒結(jié)片作為靶，除將實施例II-4(2)中濺射的玻璃基板溫度加熱至215℃以進行濺射外，其他皆與實施例II-4相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性，按實施例II-1的(2)相同方法進行評估，其結(jié)果如表II-2所示。
將按實施例II-10的(1)相同方法制得的燒結(jié)片作為靶，除將實施例II-10(2)中濺射的玻璃基板溫度加熱至215℃以進行濺射外，其他皆與實施例II-10相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性，按實施例II-1的(2)相同方法進行評估，其結(jié)果如表II-2所示。
將按實施例II-10的(1)相同方法制得的燒結(jié)片作為靶，除將實施例II-10(2)中濺射時添加2重量％水以進行濺射以外，其他皆與實施例II-10相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性，按實施例II-1的(2)相同方法進行評估，其結(jié)果如表II-2所示。
將如此方式制得的透明導(dǎo)電膜，于215℃下退火1小時，并測量其物性。發(fā)現(xiàn)退火前后的物性并未有變化。
將按實施例II-4的(1)相同方法制得的燒結(jié)片作為靶，除將實施例II-4(2)中作為透明基材的玻璃基板以0.1mm的聚碳酸酯基板的透明基材取代以外，其他皆與實施例II-4相同步驟制造透明導(dǎo)電膜。
在聚碳酸酯基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性，按實施例II-1的(2)相同方法進行評估，其結(jié)果如表II-2所示。
除原料只使用具有下述原子比的氧化銦粉末與氧化鋅粉末混合所得的混合物，In/(In+Zn)＝0.85Zn/(In+Zn)＝0.15不再添加任何附加成分氧化釕等，按實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)產(chǎn)物，再由燒結(jié)產(chǎn)物生產(chǎn)出靶。并按實施例II-1的(2)相同步驟形成透明導(dǎo)電膜。
形成于玻璃基板上的透明導(dǎo)電膜的物性測定結(jié)果如表II-2所示。
除原料使用具有下述原子比的氧化銦粉末與氧化錫粉末混合所得的混合物，In/(In+Sn)＝0.90Sn/(In+Sn)＝0.10不再添加任何附加成分氧化釕等，按實施例II-1的(1)相同步驟制得燒結(jié)片，再由燒結(jié)片形成濺射靶。使用這樣生產(chǎn)的靶，并于濺射時將玻璃基板的溫度加熱至215℃以進行濺射以外，其他皆依實施例II-1的(2)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
形成于玻璃基板上的透明導(dǎo)電膜的物性測定結(jié)果如表II-2所示。
表II-1(1)


表II-1(2)

表II-1(3)


表II-2(1)

表II-2(2)

表II-2(3)
[實施例III-1](1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料的氧化銦粉末、氧化錫粉末及氧化銥粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.90Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10及，Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.04將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造將上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末造粒后，將其加壓成形成直徑4英寸、厚5mm的片。將燒結(jié)片置于燒成爐中，于1400℃下，進行36小時的加壓燒結(jié)。
依此方法所得之的燒結(jié)片，其密度為6.8g/cm3，且體電阻為0.98mΩ·cm。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(2)所得的燒結(jié)片，制作直徑4英寸、厚度5mm的濺射靶。將該靶裝于DC磁控管濺射裝置上，濺射到玻璃基板上制膜。
其濺射條件中，周圍環(huán)境是使用混有適量氧氣的氬氣環(huán)境，且濺射壓力為3×10-1Pa，最終真空度為5×10-4Pa，基板溫度為25℃，施加能量為80W，成膜時間為14分鐘。
依此方式所得的透明導(dǎo)電玻璃上的透明導(dǎo)電膜，其厚度為1,200埃，且為非晶形。而此透明導(dǎo)電膜的透光率以分光光度計對500nm的光線測定所得結(jié)果，為81％。以4探針法測定此透明導(dǎo)電膜的電阻率為1.2mΩ·cm，導(dǎo)電性較高。功函數(shù)以紫外線電子分光法測定的結(jié)果為5.46電子伏特。
此透明導(dǎo)電膜的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電玻璃的制造使用與實施例III-1相同的濺射靶，除將濺射條件中的玻璃基板溫度調(diào)整為215℃以外，其他皆與實施例III-1的(3)相同條件制造透明導(dǎo)電玻璃。
該玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化錫粉末及氧化銥粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.70Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00Sn/(In+Zn+Sn)＝0.30及，Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.08將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化錫粉末及氧化銥粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.25Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00Sn/(In+Zn+Sn)＝0.75及，Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.05將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化銥粉末，以下述原子比予以混合后，
In/(In+Zn+Sn)＝1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00及，Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.04將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化鋅粉末、氧化錫粉末及氧化銥粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.80及，Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.05將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化鋅粉末、氧化錫粉末及氧化銥粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.80Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10及，Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.06將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化鋅粉末、氧化錫粉末及氧化銥粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.05
Zn/(In+Zn+Sn)＝0.90Sn/(In+Zn+Sn)＝0.05及，Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.06將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化鋅粉末及氧化銥粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.85Zn/(In+Zn+Sn)＝0.15Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00及，Ir/(In+Zn+Sn+Ir)＝0.06將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電玻璃的制造使用與實施例III-9相同的濺射靶，除將濺射條件中的玻璃基板溫度調(diào)整為215℃以外，其他皆與實施例III-1的(3)相同條件制造透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電玻璃的透明導(dǎo)電膜的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電薄膜的制造使用與實施例III-10相同的濺射靶，除將作為基板的玻璃基板以聚碳酸酯樹脂的透明樹脂膜取代以外，其他皆與實施例III-1的(3)相同條件制造透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電薄膜上的透明導(dǎo)電膜的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化錫粉末及氧化錸粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.90Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10及，Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.04將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化鋅粉末及氧化錸粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.85Zn/(In+Zn+Sn)＝0.15Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00及，Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.06將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(2)透明導(dǎo)電薄膜的制造使用與實施例III-13相同的濺射靶，除將作為基板的玻璃基板以聚碳酸酯樹脂的透明樹脂膜取代以外，其他皆與實施例III-1的(3)相同條件制造透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電薄膜上的透明導(dǎo)電膜的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化鋅粉末、氧化錫粉末及氧化錸粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.80Zn/(In+Zn+Sn)＝0.10Sn/(In+Zn+Sn)＝0.10及，Re/(In+Zn+Sn+Re)＝0.05將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化鋅粉末及氧化鈀粉末，以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn+Sn)＝0.80Zn/(In+Zn+Sn)＝0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00及，Pd/(In+Zn+Sn+Pd)＝0.05將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表III-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表III-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化鋅粉末以下述原子比予以混合后，In/(In+Zn)＝0.85Zn/(In+Zn)＝0.15將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的制造將作為原料之氧化銦粉末、氧化錫粉末以下述原子比予以混合后，In/(In+Sn)＝0.90
Sn/(In+Sn)＝0.10將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的粉末。
(2)燒結(jié)片的制造使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的粉末，依實施例III-1的(2)相同步驟制造燒結(jié)片。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得的燒結(jié)片，且玻璃基板溫度調(diào)整為215℃以外，其他皆依實施例III-1的(3)相同步驟制造透明導(dǎo)電玻璃。
在玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表III-2所示。
表III-1(1)

表III-1(2)


表III-2(1)

表III-2(2)
[實施例IV-1](1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造將作為原料的氧化錫、氧化鋅及氧化釩的粉末，以下述原子比予以混合后，
Sn/(Sn+In+Zn)＝0.80In/(Sn+In+Zn)＝0.00Zn/(Sn+In+Zn)＝0.20及，V/(Sn+In+Zn+V)＝0.04將其饋入濕式球磨機中，并經(jīng)72小時混合研磨，制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
所得透明導(dǎo)電材料的原子比如表IV-1所示。
(2)燒結(jié)片的制造將上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末造粒后，將其加壓成形成直徑4英寸、厚5mm的片。將其置入燒成爐中，于1400℃下，進行36小時的加壓燒結(jié)。
依此方法所得之的燒結(jié)片，其密度為6.8g/cm3，且體電阻為6.5mΩ·cm。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造將上述(2)所得的燒結(jié)片，制作直徑4英寸、厚度5mm的濺射靶[A]。將該靶裝于DC磁控管濺射裝置上，濺射到玻璃基板上制膜。
其濺射條件中，周圍環(huán)境是使用混有適量氧氣的氬氣環(huán)境，且濺射壓力為3×10-1Pa，最終真空度為5×10-4Pa，基板溫度為25℃，施加能量為100W，成膜時間為14分鐘。
依此方式所得的透明導(dǎo)電玻璃上的透明導(dǎo)電膜，其厚度為1,200埃，且為非晶形。而此透明導(dǎo)電膜的透光率以分光光度計對500nm的光線測定所得結(jié)果，為80％。以4探針法測定此透明導(dǎo)電膜的電阻率為1,000mΩ·cm，導(dǎo)電性較高。功函數(shù)以紫外線電子分光法測定的結(jié)果為5.50電子伏特。
此透明導(dǎo)電膜的評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電玻璃的制造使用與實施例IV-1相同的濺射靶[A]，除將濺射條件中的玻璃基板溫度調(diào)整為215℃以外，其他皆與實施例IV-1的(3)相同條件制造透明導(dǎo)電玻璃。
該玻璃基板上形成的透明導(dǎo)電膜的物性的評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化鋅及氧化釩的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[B]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化鋅及氧化釩的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[C]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化銦及氧化釩的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[D]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫及氧化釩的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[E]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化釩的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[F]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電薄膜的制造將作為基材的玻璃以透明聚碳酸酯薄膜取代，并使用實施例IV-7所得的濺射靶[F]制造透明導(dǎo)電薄膜。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化釩的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[G]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化銦與氧化鋅的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-1所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[H]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫與氧化銦的粉末以表IV-1所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-1所示。
(2)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[I]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所形成的透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用比較例IV-1所制得的濺射靶[H]，并將濺射時玻璃基板的溫度調(diào)整至215℃以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
(1)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用比較例IV-2所制得的濺射靶[I]，并將濺射時玻璃基板的溫度調(diào)整至215℃以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-2所示。
表IV-1

表IV-2
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化鋅及氧化鉬的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-3所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[J]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-4所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化鋅及氧化鉬的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-3所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[K]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-4所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化銦及氧化鉬的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-3所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[L]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-4所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化鉬的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-3所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[M]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-4所示。
(1)透明導(dǎo)電玻璃的制造使用實施例IV-13制作所得的濺射靶[M]，除將濺射條件中的玻璃基板溫度調(diào)整為215℃以外，其他皆與實施例IV-1的(3)相同條件制造透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-4所示。
(1)透明導(dǎo)電薄膜的制造除將作為基板的玻璃基板以透明聚碳酸酯薄膜取代，并使用實施例IV-13制作所得的濺射靶[M]以外，其他皆與實施例IV-1的(3)相同條件制造透明導(dǎo)電薄膜。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-4所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化鉬的粉末以表IV-3所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-3所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[N]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-4所示。
表IV-3

表IV-4
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化鋅及氧化釕的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-5所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[O]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-6所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化鋅及氧化釕的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-5所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[P]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-6所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化銦及氧化釕的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-5所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[Q]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-6所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化釕的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-5所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[R]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-6所示。
(1)透明導(dǎo)電玻璃的制造使用實施例IV-20制作所得的濺射靶[R]，除將濺射條件中的玻璃基板溫度調(diào)整為215℃以外，其他皆與實施例IV-1的(3)相同條件制造透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-6所示。
(1)透明導(dǎo)電薄膜的制造除將作為基板的玻璃基板以透明聚碳酸酯薄膜取代，并使用實施例IV-20制作所得的濺射靶[R]以外，其他皆與實施例IV-1的(3)相同條件制造透明導(dǎo)電薄膜。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-6所示。
(1)透明導(dǎo)電材料的原料粉末的制造除將作為原料的氧化錫、氧化銦、氧化鋅及氧化釕的粉末以表IV-5所示原子比予以混合以外，其他皆依實施例IV-1的(1)相同步驟制得透明導(dǎo)電材料的原料粉末。
(2)燒結(jié)片的制造除使用上述(1)所得透明導(dǎo)電材料的原料粉末以外，其他皆依實施例IV-1的(2)相同步驟制得燒結(jié)片。
所得燒結(jié)片的物性測定結(jié)果如表IV-5所示。
(3)透明導(dǎo)電玻璃的制造除使用上述(2)所得燒結(jié)片所制作的濺射靶[S]以外，其他皆依實施例IV-1的(3)相同步驟制得透明導(dǎo)電玻璃。
所得透明導(dǎo)電膜的物性評估結(jié)果如表IV-6所示。
表IV-5

表IV-6

如上所述，本發(fā)明提供用于以穩(wěn)定而有效方式形成透明導(dǎo)電膜的燒結(jié)產(chǎn)物、該燒結(jié)產(chǎn)物的濺射靶及從這類靶制成的透明導(dǎo)電玻璃和導(dǎo)電膜。這類導(dǎo)電玻璃和導(dǎo)電膜制成的電極具有良好的透明度，導(dǎo)電性和加工性，因此適于在有機電致發(fā)光器件中用作透明電極，以實現(xiàn)其中的良好空穴注入率。
權(quán)利要求
1.一種組合物的燒結(jié)產(chǎn)物，該組合物含有氧化銦與氧化鋅、或還含有氧化錫，各成分的金屬原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
2.一種組合物燒結(jié)產(chǎn)物，該組合物含有氧化銦、氧化鋅及氧化錫，各成分的金屬原子比為In/(In+Sn+Zn)＝0.80～1.00Zn/(In+Sn+Zn)＝0.05～0.20Sn/(In+Sn+Zn)＝0.02～0.20，且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
3.一種濺鍍靶，其包含權(quán)利要求第1至2項中任一項的燒結(jié)產(chǎn)物。
4.一種電子集束靶，其包含權(quán)利要求第1至2項中任一項的燒結(jié)產(chǎn)物。
5.一種離子電鍍靶，其包括權(quán)利要求第1至2項中任一項的燒結(jié)產(chǎn)物。
6.一種于玻璃表面上被覆一種為組合物的非晶質(zhì)透明導(dǎo)電膜制得的透明導(dǎo)電玻璃，該組合物含有氧化銦、氧化鋅及氧化錫，各成分間的金屬原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
7.如權(quán)利要求第6項的透明導(dǎo)電玻璃，其透光率為75％以上，比電阻為5mΩ·cm以下，且透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)為5.45電子伏特以上。
8.一種于透明樹脂薄膜表面上被覆透明導(dǎo)電層制得的透明導(dǎo)電薄膜，該導(dǎo)電層含有氧化銦、氧化鋅及氧化錫，各成分間的金屬原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.80～1.00Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20，且含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釕、氧化鉬及氧化釩中所選出的一種金屬氧化物。
9.如權(quán)利要求第8項的透明導(dǎo)電薄膜，其中，透光率為75％以上，比電阻為5mΩ·cm以下，且透明導(dǎo)電層的功函數(shù)為5.45電子伏特以上。
10.一種組合物的透明導(dǎo)電材料，該組合物含有氧化銦、氧化鋅及氧化錫，成分間的金屬原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.25Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～1.00并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出的一種或多種金屬氧化物。
11.一種組合物的透明導(dǎo)電材料，該組合物含有氧化銦、氧化鋅及氧化錫，成分間的金屬原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.50～1.00Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.25Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.50并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出的一種或多種金屬氧化物。
12.一種組合物的透明導(dǎo)電材料，該組合物含有氧化銦、氧化鋅及氧化錫，各成分間的金屬原子比為In/(In+Zn+Sn)＝0.75～0.95Zn/(In+Zn+Sn)＝0.05～0.20Sn/(In+Zn+Sn)＝0.00～0.20并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出的一種或多種金屬氧化物。
13.一種由權(quán)利要求第10至12項中任一項的組合物經(jīng)燒結(jié)而制得的燒結(jié)產(chǎn)物。
14.一種濺鍍靶，其包含權(quán)利要求第13項的燒結(jié)產(chǎn)物。
15.一種于玻璃表面上被覆一種組合物的透明導(dǎo)電膜制得的透明導(dǎo)電玻璃，其中的組合物含有由氧化銦、氧化鋅及氧化錫中所選出的一種或多種金屬氧化物，并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出的一種或多種金屬氧化物。
16.如權(quán)利要求第15項的透明導(dǎo)電玻璃，其中，透光率為70％以上，且透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)為5.4電子伏特以上。
17.一種于透明樹脂膜表面上被覆一層透明導(dǎo)電層所制得的透明導(dǎo)電薄膜，其中的透明導(dǎo)電層含有由氧化銦、氧化鋅及氧化錫中所選出的一種或多種金屬氧化物，并含有占全部金屬原子總量的0.5～20原子％的由氧化銥、氧化錸及氧化鈀中所選出的一種或多種金屬氧化物。
18.如權(quán)利要求第17項的透明導(dǎo)電薄膜，其中，透光率為70％以上，且透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)為5.4電子伏特以上。
19.一種于玻璃基板表面上，形成一種組合物的透明導(dǎo)電膜所制得的透明導(dǎo)電玻璃，該組合物包含下列原子比的氧化錫、氧化銦及氧化鋅Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出的一種或多種金屬氧化物。
20.如權(quán)利要求第19項的透明導(dǎo)電玻璃，其中，透明導(dǎo)電膜的透光率為70％以上，且功函數(shù)為5.4電子伏特以上。
21.一種于透明樹脂膜表面上，形成一種組合物的透明導(dǎo)電層所制得的透明導(dǎo)電薄膜，該組合物包含下列原子比的氧化錫、氧化銦及氧化鋅Sn/(Sn+In+Zn)＝0.55～1.00In/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.45Zn/(Sn+In+Zn)＝0.00～0.25并含有占全部金屬原子總量的0.5～10原子％的由氧化釩、氧化鉬及氧化釕中所選出的一種或多種金屬氧化物。
22.如權(quán)利要求第21項的透明導(dǎo)電薄膜，其中，該透明導(dǎo)電層的透光率為70％以上，且功函數(shù)為5.4電子伏特以上。
全文摘要
本發(fā)明包括通過濺射等穩(wěn)定而有效方式形成膜的透明導(dǎo)電膜用的燒結(jié)產(chǎn)物、該燒結(jié)產(chǎn)物的濺射靶以及由該靶制成的透明導(dǎo)電玻璃和膜。該透明導(dǎo)電玻璃和膜具有優(yōu)良的透明度、導(dǎo)電性和成為電極的可加工性，因此適合于有機電致發(fā)光器件的透明電極中，以實現(xiàn)在其中的良好空穴注入率。此燒結(jié)產(chǎn)物按該金屬原子的特定原子比含有構(gòu)成成分氧化銦、氧化錫及氧化鋅，并任選地含有特定的金屬氧化物，如氧化釕、氧化鉬、氧化釩等。
文檔編號C04B35/453GK1915898SQ200610121918
公開日2007年2月21日 申請日期1999年8月19日 優(yōu)先權(quán)日1998年8月31日
發(fā)明者井上一吉 申請人:出光興產(chǎn)株式會社