專利名稱：：沉積高品質(zhì)反射涂層的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于玻璃和其它基底的薄膜涂層。特別的，本發(fā)明涉及反射紅外輻射的低輻射涂層。還提供了沉積薄膜涂層的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
：低輻射涂層在本領(lǐng)域中是公知的。通常，它們包括一層或兩層紅外反射膜和兩層或更多層透明介電膜。一般為導電金屬(如銀、金或銅)的紅外反射膜通過涂層減小了熱傳遞。介電膜用于在選擇的光譜區(qū)(太陽光的可見區(qū))抗紅外反射膜的反射，并用于控制涂層的其它性能和特性，例如顏色和耐久性。其中通常使用的介電材料包括鋅、錫、銦、鉍和鈦的氧化物。大多數(shù)可商購的低輻射涂層具有一個或兩個銀層，各銀層夾在兩個透明介電膜的涂層之間。在低輻射涂層中增加銀膜的數(shù)量可以增大其紅外反射。在商業(yè)的涂覆方法中，通過生長支持層(下面的)和上面的保護層來支持Ag膜。特別是上面的保護層可以增加對層疊體的一些附加(對于銀膜)吸收。對于層疊體中的多層銀膜，這可以使總吸收水平對一些應用不可接受。這也會降低涂層的可見光透射，和/或負面地影響涂層的顏色，和/或降低涂層的耐久性。在一些方法中，生長支持層設(shè)置在銀膜之下，保護膜設(shè)置在銀膜之上。低輻射涂層中生長支持層和保護層數(shù)量的增加可以增加涂層的總體吸收。這在一些情況中是不理想的?；蛟S由于這些原因，具有三個銀層的低輻射涂層過去沒有占據(jù)較大市場。提供包括三個紅外反射膜區(qū)域，并具有理想涂層性能和特性的低輻射涂層是理想的。還需要提供能制備這種性質(zhì)的高品質(zhì)涂層的沉積方法和設(shè)備。發(fā)明概述在某些實施方案中，本發(fā)明提供了在玻璃片上沉積膜的方法。在本發(fā)明的實施方案中，該方法包括提供涂布機，該涂布機具有延伸通過涂布機的基底行進通道。下面的描述使用具有水平的基底輸送通道的涂布機作為實例(指向下和向上涂覆以覆蓋兩個表面)。總所周知，使用(幾乎)垂直的玻璃輸送通道的涂布機可以實現(xiàn)相同的目的。在這種情況中，涂覆方向"向上"和"向下"被替換成左和右。表述"濺射"或"磁控濺射"代表目前最常用的涂覆方法，但很顯然可以使用任何(大面積)真空涂覆方法來替換。與這些涂層站(coatingstation)相銜接的(in-line)可以為用于加熱、冷卻、清潔、活化或者完成一些等離子體噴射處理(plasmapeeningaction)的處理站(treatmentstation)。還意味著，如果在基底通過涂覆線路的行進過程中，應用了不同的氣體(混合物)和壓力，那么可以存在動力氣體分離區(qū)。優(yōu)選地，涂布機包括設(shè)置在基底行進通道上面的向下涂覆設(shè)備。玻璃片在通常為水平的方向上沿著基底行進通道傳送，其中玻璃片的頂部主表面定向朝上，且玻璃片的底部主表面定向朝下。操作向下涂覆設(shè)備，以在玻璃片的頂部主表面上沉積涂層，從玻璃片的頂部主表面向外，該涂層包括一系列的至少七個膜區(qū)域第一透明介電膜區(qū)域、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域、第二透明介電膜區(qū)域、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域、第三透明介電膜區(qū)域、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域和第四透明介電膜區(qū)域。在本發(fā)明的實施方案中，所述方法包括在玻璃片單次通過涂布機時沉積所提到的膜區(qū)域，并且在此單次通過的過程中，玻璃片以超過275英寸每分鐘的傳送速度傳送。透明介電膜區(qū)域可以由不同材料的多個分層構(gòu)成。除了用于光學性能的選擇，這些材料可以選擇用于在任何任選的熱處理之前和/或之后優(yōu)化整個層疊體的電子、機械、和/或化學性能。在本發(fā)明的一些實施方案中，涂布機具有包括至少60個濺射室的延伸的系列腔室，有用的涂布寬度的主要尺寸至少為2米，且該方法包括在玻璃片單次通過涂布機的過程中全部地涂覆玻璃片的頂部和底部主表面。本發(fā)明的某些實施方案提供了具有延伸的濺射室系列的涂布機，和限定了延伸通過涂布機的所有濺射室的基底行進通道的基底支持體?；字С煮w(在一些實施方案中，該支持體包含運輸輥，在其它實施方案中它包含傳送帶或輸送器)用于沿著基底行進通道傳送片狀基底(例如玻璃或塑料片)，該基底的主要尺寸任選地大于2.0米。在本發(fā)明的實施方案中，涂布機具有向上濺射區(qū)和向下濺射區(qū)。在相同的時間和位置也可以有向上和向下濺射區(qū)。向上濺射區(qū)的特征是一系列下部靶設(shè)置在比基底行進通道低的高度，向下濺射部分的特征是一系列上部靶設(shè)置在比基底行進通道高的高度。在本發(fā)明的實施方案中，向下濺射區(qū)具有各包括至少一個上部靶的至少39個向下濺射室，且向上濺射區(qū)具有各包括至少一個下部靶的多個向上濺射室。在這些實施方案中，向下濺射室形成至少七個向下沉積系統(tǒng)，其沿著基底行進通道依次包含用于沉積第一透明介電膜區(qū)域的第一向下沉積系統(tǒng)、用于沉積包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域的第二向下沉積系統(tǒng)、用于沉積第二透明介電膜區(qū)域的第三向下沉積系統(tǒng)、用于沉積包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域的第四向下沉積系統(tǒng)、用于沉積第三透明介電膜區(qū)域的第五向下沉積系統(tǒng)、用于沉積包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域的第六向下沉積系統(tǒng)、以及用于沉積第四透明介電膜區(qū)域的第七向下沉積系統(tǒng)。在某些實施方案中，本發(fā)明提供了在玻璃片上沉積膜的方法。在本發(fā)明的實施方案中，該方法包括提供涂布機，該涂布機具有延伸的濺射室系列和延伸通過涂布機的所有濺射室的基底行進通道。在這組實施方案中，涂布機的延伸的系列腔室包括至少60個濺射室，其中至少一些是用于向下濺射，并包括設(shè)置在基底行進通道上面的上部濺射靶。將玻璃片沿著基底行進通道(優(yōu)選以通常為水平的方向)傳送，其中玻璃片的頂部主表面定向朝上，且玻璃片的底部主表面定向朝下。在本發(fā)明的實施方案中，玻璃片以300英寸每分鐘或更快的傳送速度沿著基底通道的至少一部分傳送，且至少濺射多個上部耙，以在玻璃片的頂部主表面上沉積涂層，從玻璃片的頂部主表面向外，該涂層包括第一透明介電膜區(qū)域、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域、第二透明介電膜區(qū)域、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域、第三透明介電膜區(qū)域、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域和第四透明介電膜區(qū)域。本發(fā)明的某些實施方案提供了在片狀基底上沉積膜的方法。在本發(fā)明的實施方案中，該方法包括提供涂布機，該涂布機具有延伸的濺射室系列和延伸通過涂布機的所有濺射室的基底行進通道。在這些實施方案中，涂布機的延伸的濺射室系列優(yōu)選包括至少60個濺射室，其中至少一些用于向下濺射，并包括設(shè)置在基底行進通道上方的上部濺射靶。將基底沿著基底行進通道(優(yōu)選以通常為水平的方向)傳送，其中基底的頂部主表面定向朝上，且基底的底部主表面定向朝下。在本發(fā)明的實施方案中，基底以超過275英寸每分鐘的傳送速度沿著基底行進通道的至少一部分傳送。在本發(fā)明的實施方案中，在氮化氣氛(任選地為氧氣和氮氣的混合)中濺射兩個系列的上部靶，以在基底的頂部主表面上反應地濺射沉積兩個透明介電氮化物膜區(qū)域(該膜可以主要由氮化物組成，它們可以包含氧氮化物等)，并在這兩個透明介電氮化物膜區(qū)域之間沉積紅外反射膜區(qū)域。這里，兩個提到的透明介電氮化物膜區(qū)域(及它們之間的紅外反射膜區(qū)域)為涂層的一部分，從基底的頂部主表面向外，該涂層包括第一透明介電膜區(qū)域、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域、第二透明介電膜區(qū)域、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域、第三透明介電膜區(qū)域、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域和第四透明介電膜區(qū)域。在某些實施方案中，本發(fā)明提供了在玻璃片上沉積膜的方法。該方法包括提供涂布機，該涂布機具有延伸的濺射室系列和延伸通過該涂布機的所有濺射室的基底行進通道。在本發(fā)明的實施方案中，涂布機的延伸的濺^f室系列包括至少63個濺射室，其中至少一些是用于向下濺射，并包括設(shè)置在基底行進通道上方的上部濺射靶。將玻璃片沿著基底行進通道(優(yōu)選以通常為水平的方向)傳送，其中玻璃片的頂部主表面定向朝上，玻璃片的底部主表面定向朝下。在本發(fā)明的實施方案中，玻璃片以300英寸每分鐘或更快的傳送速度沿著基底的通道的至少一部分傳送。在本發(fā)明的實施方案中，在氮化氣氛中濺射兩個系列的上部靶，以反應性地濺射沉積(在基底的頂部主表面上)兩個透明介電氮化物膜區(qū)域。至少一個紅外反射膜區(qū)域沉積在這兩個透明介電氮化物膜區(qū)域之間，且兩個提到的透明介電氮化物膜區(qū)域及它們之間的紅外反射膜區(qū)域)為涂層的一部分，從基底的頂部主表面向外，該涂層包括第一透明介電膜區(qū)域、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域、第二透明介電膜區(qū)域、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域、第三透明介電膜區(qū)域、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域和第四透明介電膜區(qū)域。在本發(fā)明的實施方案中，該方法包括在包含銀的三個所述紅外反射膜區(qū)域中的至少一個上直接濺射沉積介電膜。圖1的曲線圖顯示了可商購的雙層銀低輻射涂層的光譜性能。圖2的曲線圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的某些實施方案的高紅外反射涂層的光譜性能。圖3的曲線圖比較了根據(jù)本發(fā)明的某些實施方案的高紅外反射涂層與可商購的雙層銀低輻射涂層的光譜性能。圖4為具有根據(jù)本發(fā)明的某些實施方案的高紅外反射涂層的基底的截面?zhèn)纫晥D的示意圖。圖5為具有根據(jù)本發(fā)明的某些實施方案的高紅外反射涂層的多板隔熱玻璃單元的部分剖開截面?zhèn)纫晥D的示意圖。圖6為根據(jù)本發(fā)明的某些實施方案中的涂布腔室的側(cè)視示意圖。圖7為根據(jù)本發(fā)明某些實施方案的涂覆腔室的側(cè)視示意圖。圖8為根據(jù)本發(fā)明某些實施方案的涂覆腔室的側(cè)視示意圖。圖9為根據(jù)本發(fā)明某些實施方案的涂布機的側(cè)視示意圖。圖10為根據(jù)本發(fā)明某些實施方案的涂布機的側(cè)視示意圖。圖11為根據(jù)本發(fā)明某些實施方案的涂布機的側(cè)視示意圖。圖12為根據(jù)本發(fā)明某些實施方案的涂布機的側(cè)視示意圖。圖13為根據(jù)本發(fā)明某些實施方案的涂布機的側(cè)視示意圖。具體實施方案下面參考附圖進行詳細描述，其中，不同附圖中的相同元件具有相同的標記數(shù)字。附圖不需要標度，描述了選擇的實施方案，并且不限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知道，給出的實例具有很多可用的替代方式，但都落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。單層和雙層銀的低輻射涂層在本領(lǐng)域中已已知多年。單層銀低輻射涂層提供了有利的紅外反射，通常大約為96%。雙層銀的低輻射涂層在光譜選擇性和高日光紅外反射方面提供了進一步的改進。然而，使用雙層銀的低輻射涂層所能得到的紅外反射水平實際上有最高限度。例如，盡管增大雙層銀涂層中的銀含量可以使紅外反射增大到97%以上，但在要求其它性能(高可見光透射、良好的顏色、耐久性等)的良好平衡的雙層銀涂層中難以獲得更高的紅外反射，例如98.5%以上。圖1的曲線圖顯示了非常有利的商購雙層銀低輻射涂層的光譜性能。該曲線圖顯示了具有雙層銀低輻射涂層的玻璃片的透射(在可見光波長范圍內(nèi)向上凸的曲線)和玻璃側(cè)反射(在可見光波長范圍內(nèi)向下凹的曲線)。盡管該特別的雙層銀涂層提供了優(yōu)異的光譜性能，但據(jù)報道傳統(tǒng)的雙層銀涂層在紅外波長范圍的透射在5-50。/。之間(美國專利No.6,262,830，第6欄，第43-51行)。圖2的曲線圖顯示了根據(jù)本發(fā)明某些實施方案的高紅外反射涂層的光譜性能(在日照輻射的范圍內(nèi))。這里，該曲線圖也顯示了具有高紅外反射涂層的玻璃片的透射(在可見光波長范圍內(nèi)向上凸的曲線)和玻璃側(cè)反射(在可見光波長范圍內(nèi)向下凹的曲線)。本發(fā)明的涂層7的日光紅外反射比雙層銀涂層的高得多。通過參考圖3可以最好地理解這一點，圖3的曲線圖顯示了高紅外反射涂層7與雙層銀涂層的光譜性能。這里，可以對由這兩種涂層獲得的紅外反射水平進行并行比較?？梢钥闯觯景l(fā)明的涂層7獲得了比雙層銀涂層高得多的紅外反射。還可以看出這兩種涂層的可見光透射水平是相當?shù)摹Ａ硗?，本發(fā)明的涂層7(用實線描繪的曲線)的可見光波長和紅外波長間的截止(cutoff)比雙層銀涂層(用圓圈描繪的曲線)的陡得多。因此，一般認為與雙層銀低輻射涂層相比，高紅外反射涂層7在能量效率方面提供了量子躍遷，與單層銀低輻射涂層相比更是如此。本發(fā)明的高紅外反射涂層(或"多腔低輻射涂層")7具有許多有益的性能。隨后的討論報道一些這些性質(zhì)。在一些情況中，這里報道了在一個表面18上具有本發(fā)明的涂層7的單層(即整塊)玻璃12的性能。在其它情況中，報道了在其#2表面18上具有本發(fā)明的涂層7的IG單元3的這些性能。在這些情況中，所報道的性能是對于IG單元的，其中，兩個玻璃都是具有填充了卯％氬氣和10%空氣的絕緣混合氣的a1/2英寸玻璃間空間的2.2mm透明鈉-鈣浮法玻璃。當然，這些特性并不限制本發(fā)明。除非另有說明，本發(fā)明的論述報道是在標準ASHRAE條件下使用公知的WINDOW5.2a計算機程序(例如，玻璃數(shù)據(jù)的計算中心)進行測定。如上所述，高紅外反射涂層7提供了極其優(yōu)異的隔熱性能。涂層7包含三個紅外反射膜區(qū)域100、200和300。這些膜區(qū)域通常是銀或另一種導電材料，并且它們在涂層中賦予了極其優(yōu)異的低薄層電阻。例如，本發(fā)明涂層7的薄層電阻低于3.0O/口。優(yōu)選地，該涂層7的薄層電阻低于2.5Q/口(例如低于2.0^/口、低于1.750/口、低于1.5H/口，或者甚至小于1.35Q/□)。盡管可以選擇并改變所需要的薄層電阻的水平以適應不同的應用，但很多優(yōu)選的涂層實施方案(例如下面列表的示例膜層疊體)提供了低于1.4^/口(例如約1.25-1.3Q/口)的薄層電阻?？梢允褂?點探針(4-pointprobe)以標準的方式來測量涂層的薄層電阻。也可以使用本領(lǐng)域已知的用于計算薄層電阻的其它方法。涂層7還具有極其優(yōu)異的低輻射。例如，涂層7的輻射率低于0.06。優(yōu)選地，該涂層7的輻射率低于0.04(例如低于0.03，或者甚至低于0.025)。盡管可以選擇并改變所需要的輻射率水平以適應不同的應用，但許多優(yōu)選的涂層實施方案(例如下面列表的示例膜層疊體)提供了低于0.023、低于0.022、或者甚至低于0.022的輻射率。在一個實施方案中，輻射率約為0.020。相反，透明玻璃的未涂覆的玻璃通常具有約0.84的輻射率。術(shù)語"輻射率"是本領(lǐng)域公知的。根據(jù)其公知含義本文使用的該術(shù)語表示在相同溫度下由表面發(fā)出的輻射與由黑體發(fā)出的輻射的比例。輻射率是吸收和反射都有的特性。它通常由公式E4-反射率來表示。本發(fā)明的輻射率值可以由"StandardTestMethodForEmittanceofSpecularSurfacesUsingSpectrometricMeasurements"NFRC301-93"中說明的來測定，其全部教導并入本申請中作為參考?？梢酝ㄟ^將測量的薄層電阻乘以0.016866來計算輻射率。例如，使用該方法可以確定薄層電阻為約1.25的涂層7的輻射率約為0.021。除了低薄層電阻和低輻射率以外，本發(fā)明的涂層7提供了極其優(yōu)異的曰照得熱量性能。眾所周知，窗戶的日照得熱量系數(shù)(SHGC)是入射太陽輻射通過窗戶接收的百分比。在多種應用中，低日照得熱量窗戶具有獨特的優(yōu)點。例如，在溫暖的氣候下，具有低日照得熱量的窗戶特別理想。例如，對美國南部的建筑物的日照得熱量系數(shù)一般推薦為約0.4及其以下。另外，暴露在大量不需要的日照下的窗戶也得益于低日照得熱量系數(shù)。例如，建筑物東側(cè)或西側(cè)的窗戶在早上和下午往往得到大量的日照。對于這種應用，日照得熱量系數(shù)對于保持建筑物內(nèi)部舒適的環(huán)境來說起到關(guān)鍵作用。因此，提供這種具有低日照得熱量系數(shù)的涂層(即低日照得熱量涂層)非常有益。實際上，低日照得熱量涂層對于很多窗戶的應用是非常理想的。但是，傳統(tǒng)上沒有給這些涂層賦予高可見光透射以使其應用更廣泛。有時在低日照得熱量涂層中要作出權(quán)衡，選擇實現(xiàn)低SHGC的膜具有將可見光透射率降低至低于理想水平和/或?qū)⒖梢姽夥瓷渎试龃笾粮哂诶硐胨降淖饔?。因而，具有這些涂層的窗戶可能具有不能接受的低可見光透射和/或有些鏡子似的外觀。本發(fā)明的涂層7提供了極其優(yōu)異的低日照得熱量系數(shù)。例如，本發(fā)明的IG單元3的日照得熱量系數(shù)低于0.4。優(yōu)選地，本發(fā)明的IG單元3的日照得熱量系數(shù)低于0.35(例如低于0，33，或低于0.31)，低于0.29，或甚至低于0.28。盡管可以選擇并改變需要的SHGC水平以適應不同的應用，但一些優(yōu)選的實施方案(例如當涂層7為下面所列表的示例膜層疊體的一個)提供了日照得熱量系數(shù)在0.25-0.29(例如在0.25-0.28之間，比如約0.27)的IG單元3。本發(fā)明的涂層7可以提供折射率在這些范圍的一個或多個內(nèi)的SHGC，同時提供優(yōu)異的顏色(例如下屬任何顏色范圍)和/或可見光透射率(例如下屬任何可見光透射率)。在一些情況中，涂層7提供了性能的平衡，同時具有出人意料地高的金屬/介電質(zhì)比，如下所述。這里使用的術(shù)語"日照得熱量系數(shù)"具有其公知的含義。參考NFRC200-93(1993)，其全部教導并入本申請中作為參考?？梢允褂霉腤INDOW5.2a計算機程序中嵌入的方法來計算SHGC。結(jié)合上面討論的有益的隔熱性能，本發(fā)明的涂層7具有極其優(yōu)異的光學性能。如上所述，有時在低日照得熱量涂層中作出權(quán)衡，選擇以獲得良好隔熱性能的膜具有將可見光透射限制至低于理想水平的作用。相反，本發(fā)明的涂層7提供了總可見光透射與隔熱性能極其優(yōu)異的組合。例如，本發(fā)明的IG單元3(和本發(fā)明的玻璃12，無論是整塊或者作為IG單元3的一部分)具有大于0.45(即大于45%)的可見光透射率Tv。優(yōu)選地，本發(fā)明的IG單元3(和本發(fā)明的玻璃12，無論是整塊或者隔離的)具有大于0.55(例如大于0.6)、大于0.63、大于0.65、或者甚至大于0.72的可見光透射率Tv。盡管可以選擇并改變需要的可見光透射率大小以適應不同的應用，但某些優(yōu)選的實施方案(例如，其中涂層7為下面所列表的示例膜層疊體的一個)提供了可見光透射率大于0.65(例如約0.66)的IG單元3(或玻璃12,它可以是整塊或者IG單元3的一部分)。在一個具體的實施方案組中，選擇膜區(qū)域的厚度和組成來獲得大于0.7、大于0.71、或者甚至大于0.72的可見光透射率。在一些情況中，選擇膜區(qū)域的厚度和組成來獲得約0.73的可見光透射率。這里，可以將紅外反射膜區(qū)域變薄來提供需要的透射率。另外地或可選地，涂層7可具有在它們的厚度上(而不具有最內(nèi)層的金屬部分)均為介電膜(如氧化物、氮化物、和/或氧氮化物膜)的隔離層。這里，涂層7理想地提供的可見光透射率在本段中(或者前段)提到的一個或者多個范圍內(nèi)，并且三個紅外反射膜區(qū)域的最小組合厚度在下面所述的一個或多個范圍內(nèi)，和/或金屬/介電質(zhì)為在下面提到的任何一個或多個最小值。使用吸收降低的低價氧化物保護層(例如TiOx，其中x小于2)甚至可以將透射率增大至大于0.80。術(shù)語"可見光透射率"是本領(lǐng)域中公知的，并根據(jù)其公知的含義在本文中使用。可以根據(jù)NFRC300,StandardTestMethodforDeterminingtheSolarandInfraredOpticalPropertiesofGlazingMaterialsandFadingResistanceofSystems(NationalFenestrationRatingCouncilIncorporated,2001年12月采用，2002年1月出版)來測定可見光透射率以及可見光反射率?？梢允褂霉腤INDOW5.2a計算機程序計算這些以及其它報道的光學性能。優(yōu)選地，涂覆的基底(即本發(fā)明的玻璃)12具有峰值透射位于可見光波長范圍內(nèi)的光譜透射曲線。這在圖2中是很明顯的。在某些實施方案中，該光譜透射曲線的半峰寬小于360nm、小于320nm、小于310nm、小于305nm、小于300nm、小于2卯nm、小于280nm、小于275nm、小于265nm、或者甚至小于250nm。在這些實施方案中，涂層7提供了非常有利的窄透射曲線，該曲線理想地具有跨越可見光范圍的高可見光透射率，并同時在高度透射的可見光波長與高度反射的紅外波長間提供了極其優(yōu)異的陡斜率。在某些實施方案中，涂層7另外地(即與具有上述的任何最大半峰寬一起)或可選地獲得大于50nm、大于100nm、大于150nm、或者甚至大于175nm的半峰寬。這對于在可見光譜的大部分提供高水平的可見光透射率是理想的。本發(fā)明的涂層7在低日照得熱量系數(shù)方面提供了極其優(yōu)異的效率，這是與高可見光透射率一起獲得的。可見光透射率(作為整體的一部分)與SHGC的比例這里指本發(fā)明的IG單元3的可見光熱效率比。該比例優(yōu)選地大于2、大于2.2，或者甚至大于2.3。在一些優(yōu)選的實施方案中，該比例大于2.33、大于2.34、大于2.37、大于2.4、大于2.42、或者甚至大于2.43。在一些實施方案中，該比例為約2.37。在其它實施方案中，該比例為約2.44。某些優(yōu)選的實施方案(例如，其中涂層7為下面所列表的示例膜層疊體中的一個)提供了可見光熱效率比大于2.0而小于2.5(例如約2.4-2.5，如約2.44)的IG單元3。另一個要考慮的有用參數(shù)是T74()，即在740nrn處的透射率。本發(fā)明的涂層7可以提供特別低的T74()，而同時提供高可見光透射率和優(yōu)良的顏色性能。例如，本發(fā)明的玻璃12的T74o優(yōu)選低于0.30，或者甚至低于0.20。或許更優(yōu)選地，本發(fā)明的玻璃12(當為整塊，或者為隔熱單元的一部分時)的T4o低于0.15(例如低于0.1、低于0.07、低于0.06，或者甚至低于0.05)。盡管可以選擇并改變在740nm處所需要的透射率水平以適應不同的應用，但某些優(yōu)選的實施方案(例如，當涂層7為下面列表的示例膜層疊體中的一個時)提供了T74o約為0.04的涂覆的玻璃12(可以為整塊或IG單元3的一部分)。本發(fā)明的涂層7可以獲得優(yōu)異的色彩性能，特別考慮到它所促進的高絕熱水平。涂層7非常適合于與反射色彩有關(guān)的應用。使用公知的顏色坐標"a"和"b"來報告下面關(guān)于顏色的討論。具體地，這里使用下標h(即，ah和bh)來表示這些顏色坐標以表示公知的HunterLabColorSystem(Huntermethods/units,ill.D65,10degreeobserver)的常規(guī)使用。本發(fā)明的色彩性能可以按ASTMMethodE308所說明的來測定，其全部教導并入本申請中作為參考。本發(fā)明的IG單元在反射中具有優(yōu)異的中性(即無色)外觀，任何可感知的色彩都具有令人愉快的色調(diào)。這里所報告的反射顏色是從本發(fā)明的IG單元(即，離開外側(cè)玻璃的#1表面)外部來觀察的。在一些實施方案中，本發(fā)明的IG單元顯示的反射顏色特征為ah顏色坐標在約+1.5至約-2之間，且bh顏色坐標在約0至約-3之間。這些實施方案代表了較寬的實施方案組，其中(無論ah和bh是否在上面提到的范圍內(nèi))本發(fā)明的IG單元具有特征為色度值(定義為[^+b。的平方根)小于約3.6的外部反射顏色。獲得顏色中性的外觀是一般確定的目標。然而，對于具有三個或更多個紅外反射膜區(qū)域的涂層，這變得難以達到，并且隨著總金屬厚度的增大，該難題往往變得更難。此外，在這里公開的某些實施方案中使用的金屬/介電質(zhì)比的情況中，通過本發(fā)明的涂層獲得的顏色性能特別出人意料。優(yōu)選地，ah和bh坐標中的至少一個的量值為負值(在一些實施方案中，都是負值)。在某些實施方案中，這些顏色坐標中至少一個(例如bh)顯著離開(例如，在量值上至少0.25、至少0.3、或者至少0.5)色空間(g口，離開"零"坐標)的縱軸和/或水平軸。當接近色空間的縱軸和/或水平軸時，ah或bh量值上的小變化可能意味著實際的外觀上的顯著變化，從而進入不太需要的黃色或紅色區(qū)域。本發(fā)明的涂層7可以獲得實際外觀很優(yōu)異的反射顏色。在某些優(yōu)選的實施方案中(例如，涂層7為下面列表或詳述的示例膜層疊體中的一個)，IG單元顯示的反射顏色特征的為ah顏色坐標在約+l至約-l(例如約0至約-0.5之間)之間，且bh顏色坐標為約-0.5至約-2.5(例如約-1.5至約-1.75之間)之間。這些實施方案代表了較寬的實施方案組，其中(無論ah和bh是否在上面提到的范圍內(nèi))本發(fā)明的IG單元的外部反射顏色特征為色度值小于約2.7，例如小于1.82。與具有可比的紅外反射膜總量的其它涂層的IG單元相比，通過觀察具有本發(fā)明的涂層7的IG單元，能夠最好地理解這些顏色性能在定性水平上(在支持此涂層的窗子外觀方面)上的理想性。本發(fā)明的IG單元還顯示了令人愉快的透射顏色。優(yōu)選地，IG單元顯示的透射顏色特征為ah顏色坐標在約-3.5至約-6之間，且bh顏色坐標在約+2.25至約+4.5之間。在某些優(yōu)選的實施方案中(例如當涂層為下面列表或詳述的優(yōu)選的膜層疊體中的一個時)，IG單元顯示的透射顏色特征為ah顏色坐標在約-4至約-5.5(例如，約-4.5至約-5之間)之間，且bh顏色坐標在約+2.5至約+4.25(例如約+3至約+3.5)之間。這些實施方案代表了較寬的實施方案組，其中，透射顏色的ah和bh中的至少一個的量值為負值。圖4示例了某些實施方案，這些實施方案中提供了具有主表面18的涂覆基底12，該主表面18具有多腔、低輻射涂層7。從主表面18向外，該涂層依次包括第一透明介電膜區(qū)域20、第一紅外反射膜區(qū)域100、第二透明介電膜區(qū)域40、第二紅外反射膜區(qū)域200、第三透明介電膜區(qū)域60、第三紅外反射膜區(qū)域300和第四透明介電膜區(qū)域80。在圖4中，顯示了任選的隔離膜區(qū)域105、205、305，但這些并不是所有的實施方案都需要的。另外，隔離層膜區(qū)域或成核層可以任選地設(shè)置在紅外反射膜區(qū)域之下。多種基底適合用于本發(fā)明中。在大多數(shù)情況中，基底12是透明材料的片(即透明片)。然而，并不要求基底12為透明的。例如，在一些情況中可以使用不透明的基底。但是，預期對于大多數(shù)應用，基底包含透明或半透明的材料，例如玻璃或透明的塑料。在許多情況中，基底10為玻璃片(glasspane)?？梢允褂枚喾N玻璃類型，并且優(yōu)選鈉鈣玻璃。各種尺寸的基底均可以用于本發(fā)明中。通常使用大面積的基底。某些實施方案使用的基底12的主要尺寸(例如長度或?qū)挾?為至少約0.5米，優(yōu)選至少約1米，或許更優(yōu)選至少約1.5米(例如約2米-4米)，且在一些情況中大于2米或至少約3米。各種厚度的基底均可以用于本發(fā)明中。通常使用厚度約l-5mm的基底。一些實施方案使用的基底10的厚度約2.3mm-約4.8mm，且更優(yōu)選約2.5mm-約4.8mm。在一些情況中，使用厚度約3mm的玻璃片(例如鈉弼玻璃)。本發(fā)明的涂層包括至少兩個光學空腔。對于本公開來說，術(shù)語"空腔"定義為表示兩個相鄰的紅外反射膜區(qū)域之間的區(qū)域(其由膜占據(jù))。在本發(fā)明的一些實施方案中，該涂層僅有兩個空腔。在另外的實施方案中，該涂層具有三個或更多個空腔。在兩種實施方案類型中，各空腔的厚度為約300A-約850A,或許更優(yōu)選為約400A-約750A。本發(fā)明的一些實施方案提供的金屬/介電質(zhì)發(fā)現(xiàn)給^了優(yōu)異的結(jié)果。這里，"金屬/介電質(zhì)比"為所有紅外反射膜區(qū)域(在涉及^的實施方案中為總的銀厚度)的總厚度除以透明介電膜區(qū)域(不計算任何可能存在的隔離層)的總厚度。在本發(fā)明的實施方案中，金屬/介電質(zhì)比優(yōu)選至少0.2、至少0.22、至少0.25、至少0.26，或者甚至至少0.27。下面列表的是示例的實施方案，其中該比例為約0.27到約0.28之間。各個紅外反射膜區(qū)域100、200、300可以有利地包含銀(任選地至少50原子百分比為銀，有時主要由銀組成)。此外，在一些實施方案中，紅外反射膜區(qū)域100、200、300中至少一個的厚度大于150埃、大于175埃、或者甚至大于200埃。另外地或者可選地，第一、第二和第三紅外反射膜區(qū)域的組合厚度可以任選地大于425A、大于450A、大于460A、大于470A、大于475A、或者甚至大于485A。在一個實施方案中，組合厚度為約477A。例如，在一些情況中，第一、第二和第三紅外反射膜區(qū)域100、200、300為厚度分別為122A、149A和206A的銀層。在另一個實施方案中，組合厚度為約492埃。例如，在一些情況中，第一、第二和第三紅外反射膜區(qū)域100、200、300為厚度分別為128A、157A和207A的銀層。某些實施方案提供了第二和第三紅外反射膜區(qū)域(均可以任選地為層，例如不連續(xù)的銀層)，組合厚度為至少325A、至少335A、至少340A、至少350A，或者甚至至少355A。在一些實施方案中，該組合厚度為355-395A。這里，相對較大量的反射膜(例如銀)集中在涂層的外部，其目的是大幅降低輻射率，同時便于形成特別良好的顏色、可見光透射和可見光反射性能。另外地或者可選地，至少一個紅外反射膜區(qū)域可以比至少一個其它紅外反射膜區(qū)域厚至少50A、至少75A，或者至少80A。在具有這種性質(zhì)的一些優(yōu)選實施方案中，第三紅外反射膜區(qū)域比第一紅外反射膜區(qū)域厚，相比厚的量為上述量中的一個或多個。一些實施方案提供了第二紅外反射膜區(qū)域比第一紅外反射膜區(qū)域厚至少10A、至少20A、至少25A，或者甚至至少30A的設(shè)置。另外地或者可選地，第三紅外反射膜區(qū)域可以比第二紅外反射膜區(qū)域厚至少25A、至少35A、至少40A，或者至少50A。因此，某些實施方案提供了比第二紅外反射膜區(qū)域具有更大厚度的第三紅外反射膜區(qū)域，而第二紅外反射膜區(qū)域具有比第一紅外反射膜區(qū)域更大的厚度。相關(guān)的方法包括在沉積第一紅外反射膜區(qū)域時用第一功率水平濺射含銀靶，在沉積第二紅外反射膜區(qū)域時用第二功率水濺射含銀靶，以及在沉積第三紅外反射膜區(qū)域時用第三功率水平濺射含銀耙。這里，第三功率水平可以有利地大于第二功率水平，而第二功率水平大于第一功率水平。一組實施方案提供了具有低輻射涂層7的涂覆的基底(例如涂覆的玻璃，如窗玻璃，任選地具有至少1米、或者至少1.2米的主要尺寸)，該低輻射涂層7包含組合厚度在420A和575A之間的三個紅外反射膜區(qū)域100、200、300，任選地金屬/介電質(zhì)比在一個或多個上述范圍內(nèi)。下面進一步詳細描述紅外反射膜區(qū)域100、200、300。簡言之，一些優(yōu)選實施方案以銀層的形式提供了這些膜區(qū)域，各銀層包含(或主要組成為)銀，這三層任選地為涂層中僅有的銀層。為優(yōu)化金屬(例如Ag)膜的導電性和結(jié)晶度，可以任選地進行表面處理以改進生長控制層的性質(zhì)(例如表面能)。這三個含銀層的厚度可以任選地均在約50A到約300A之間。但是，優(yōu)選地，它們的厚度均在約100A和約250A之間。在一個這種具體的實施方案中，基底12為主要尺寸至少為1米(或者至少1.2米)的玻璃片，且該玻璃片為包括至少一個其它玻璃片的多板隔熱玻璃單元的一部分，其中多板單元具有玻璃間空間1500，該空間可以任選地抽真空、填充空氣、或填充空氣和絕緣氣體(例如氬氣)。對于四個透明介電膜區(qū)域20、40、60、80，在某些實施方案中，這些膜區(qū)域的總物理厚度均在約50A-約900A之間，也許更優(yōu)選約100A-約800A之間。下面更詳細地描述這些介電膜區(qū)域。第一透明介電膜區(qū)域20施加在基底12的主表面18上(有時直接在其上)。該膜區(qū)域20可以具有包括至少一些(或者任選地主要組成為)透明介電膜的任何組分。在一些情況中，第一透明介電膜區(qū)域20是單層。在其它情況中，它包含多個層。如美國專利No.5，296，302(其中關(guān)于可用的介電材料的教導并入本申請中作為參考)所述，為此目的的可用的介電膜材料包括鋅、錫、銦、鉍、鈦、鉿、鋯的氧化物以及它們的合金。在一些實事方案中也可以使用包含氮化硅和/或氧氮化硅的膜。膜區(qū)域20可以任選地包括一個或多個吸收介電質(zhì)和/或金屬膜，用來比如控制陰影、顏色或其它光學性能。第一透明介電膜區(qū)域20可以是單一介電材料的單層。如果使用單層，通常優(yōu)選此內(nèi)部介電層由氧化鋅和氧化錫(例如在下面的表1中，J^Zn+0")的混合物形成。但是，應該理解，這種單層可以由兩層或多層不同的介電材料代替。在某些實施方案中，第一、第二和第三(從基底開始數(shù)起)介電區(qū)域(或者"光學空腔")均包含與Ag層接觸的最上層(即距離基底更遠)氧化物層，且這樣的最上層具有Zn+的成分，其加號表示重量濃度為x的需要的金屬，如0<x<0.3的Sn、In、Ni、Cr、Mo。僅基于金屬，這指的是需要的金屬的重量與Zn+膜中所有金屬的總重量的重量比(在一些情況中，該比例為Sn的重量除以Sn與Zn的總重量，例如該層為氧化鋅錫時)。這樣的上層優(yōu)選的厚度為至少2.5nm，并小于5.0nm。在一些情況中，空腔層的殘余物包含具有較高折射率的膜，例如氧化鈦(例如Ti02)或者氧化鈮。在某些實施方案中，第一透明介電膜區(qū)域20包含厚度有坡度的膜，該膜的組成隨著離基底12距離的增加而變化(例如，以漸進的方式)。在一些具體的實施方案中，第一透明介電膜區(qū)域20包含折射率為1.7或更大的膜(任選地包含氧化鋅，例如氧化鋅錫)。例如，在第一紅外反射膜區(qū)域100和基底12的表面18之間，可以有利地提供折射率為1.7或更大的理想總厚度的膜。在一些情況中，該理想總厚度小于195埃、小于190埃、小于175埃、小于165埃、小于145埃，或者甚至小于140埃。一些相關(guān)的方法在第一紅外反射膜區(qū)域100和玻璃片的頂部主表面之間沉積不大于175埃的透明介電膜。再次參考圖4，第一紅外反射膜區(qū)域以標記數(shù)字100來標識。該膜區(qū)域100優(yōu)選地與第一透明介電膜區(qū)域20的外面相連接，即直接物理接觸?？梢允褂萌魏魏线m的紅外反射材料。銀、金和銅，以及它們的合金都是最常用的紅外反射膜材料。優(yōu)選地，紅外反射膜主要由銀組成，或者由銀與不超過約5%的另一種金屬組合組成，例如另一種金屬選自鎳、鉬、鉭、鉑和鈀。但是，并不要求如此。在施加隨后的膜和/或任何熱處理(例如回火)期間需要保護紅外反射膜時，第一隔離膜區(qū)域105可以任選地設(shè)置在第一紅外反射膜區(qū)域100之上并相連接?？梢蕴峁┰摳綦x膜區(qū)域105來保護下面的紅外反射膜區(qū)域100不受等離子體化學侵蝕。在這種情況中，可以使用任何材料，例如容易氧化的材料。在某些實施方案中，施加鈦金屬薄層，在一些情況中(例如其中氧化物膜反應地直接沉積在這種隔離膜區(qū)域上的情況)，在沉積上面的膜時至少最外層的鈦金屬轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂胁煌瘜W計量的氧化鈦。在另一個實施方案中，隔離膜區(qū)域105以鈮層沉積。包含鈮的可用的隔離層在PCT國際公開No.WO97/48649中有詳細討論。該PCT公開中有關(guān)隔離層的教導并入本申請中作為參考。在其它實施方案中，隔離膜區(qū)域105可以包含選自鎳、鉻、鋅、錫、鋁、銦和鋯的材料。在一些實施方案中，高透射隔離層材料(例如介電材料，任選地沉積)用于一層或多層(任選各層)隔離膜區(qū)域105、205、305。所使用的材料例如可以為氧化物、氮化物或者氧氮化物。該材料可以有利地在惰性氣氛、氮化氣氛或者在微氧化氣氛中由陶瓷靶濺射。在一些實施方案中，使用不足化學計量的可濺射靶材。例如，靶材可以任選地包含不足化學計量的氧化鈦TiOx，其中x小于2?？蛇x地，可以使用ZnA10靶。在其它的實施方案中，使用包含鈦、硅和氧的陶瓷靶。如果需要，可以直接在紅外反射膜上施加非常薄的金屬膜(例如小于25A、小于20A、小于15A、小于10A、小于9A，或者甚至小于8A)，且可以直接在該薄金屬膜上施加介電隔離膜區(qū)域(任選地具有小于50A、小于40A、小于30A、小于25A、小于20A，或者甚至小于15A的厚度)。例如，當提供非常薄的金屬膜時，非常薄的金屬膜可以以包含鈦、鈮、鎳、鉻、鎳-鉻、鋅、錫、鋅-錫、鋁、銦、鋯、或者組合包括至少一種這些材料與一種或多種其它金屬材料的金屬膜。在一些實施方案中，該薄金屬膜理想地在惰性氣氛中沉積，且介電隔離膜區(qū)域可以在惰性或反應性氣氛中沉積。例如，當使用濺射時，可以在惰性或微反應性氣氛中濺射陶瓷靶，或者可以在反應性氣氛中濺射金屬靶。在一個具體實施方案組中，涂層7包含三個紅外反射膜區(qū)域，在其中至少一個上面(并且任選在各隔離膜區(qū)域之上)直接提供隔離膜區(qū)域，該隔離膜區(qū)域以非金屬形式沉積(例如選自氧化物、氮化物和氧氮化物，包括它們的不足化學計量形式的非金屬材料)。在這組實施方案中，每個這種隔離膜區(qū)域的厚度可以在這里所述的任一個范圍內(nèi)，比如小于50A。在一些實施方案中，任選的隔離膜區(qū)域的厚度在3-35A、3-25A或3-18A的范圍。在某些實施方案中，第一隔離層膜區(qū)域105具有特別小的厚度，例如小于25A、小于20A、小于15A、小于10A、小于7A、小于6A，或者甚至小于5A。盡管圖4中未顯示出，但隔離層膜區(qū)域也可以任選地設(shè)置在第一紅外反射膜區(qū)域100的下面。在某些實施方案中，隔離層區(qū)域可以包含兩個或更多個子層(sublayer)。在一些情況中，第一子層直接接觸紅外反射膜而設(shè)置，第二子層直接設(shè)置在第一子層上。第一子層可以為反應程度較小的材料(例如濺射的金屬層)，第二子層可以為反應程度較大的材料(例如不足化學計量的層)。第二子層的吸收可以小于第一子層的材料。這樣的布置可以有助于保持光學吸收低，而且還有助于防止紅外反射膜的薄層電阻增大。在這種情況中，子層的組合厚度可以達到100A。第二透明介電膜區(qū)域40位于第一紅外反射膜區(qū)域100和第二紅外反射膜區(qū)域200之間(這兩個膜區(qū)域100、200之間的區(qū)域100、200這里稱為"第一腔")。因此，膜區(qū)域40也可以稱作"間隔"膜區(qū)域，其位于第一腔中。該第一間隔膜區(qū)域40可以為單一透明介電材料的單層，或者可以為不同透明介電材料的多層。在一些情況中，第二透明介電膜區(qū)域40包含至少三個透明介電層。任選地，有至少五個、或者至少七個這種層。作為使用一個或多個不連續(xù)的層的替代方式，部分或全部第二透明介電膜區(qū)域40可以具有漸次變化的組成(任選地特征為，隨著離基底的距離的增大，從一個透明介電材料逐漸轉(zhuǎn)變至另一個透明介電材料)。膜區(qū)域40可以任選地包括一個或多個吸收介電質(zhì)和或金屬膜，比如用來控制陰影、顏色或其它光學性能。下面說明的膜區(qū)域是第二紅外反射膜區(qū)域200。該膜區(qū)域200優(yōu)選地與第二透明介電膜區(qū)域40的外面相連接?？梢允褂萌魏魏线m的紅外反射材料，例如銀、金和銅，或者包括這些金屬中的一種或多種的合金。在一些具體的實施方案中，紅外反射膜主要由銀組成，或由銀與不超過約5°/。的另一種金屬組合組成，例如另一種金屬選自金、鉑和鈀。當需要保護第二紅外反射膜區(qū)域200時，第二隔離膜區(qū)域205可以任選地設(shè)置在第二紅外反射膜區(qū)域200之上并相連接。該隔離膜區(qū)域205可以包含例如容易氧化的任何材料。在某些實施方案中，施加鈦金屬薄層，并且在一些情況中(例如其中氧化物膜反應地直接沉積在該隔離膜區(qū)域205上的情況)，在沉積上面的膜時至少最外層的鈦金屬轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂胁煌瘜W計量的氧化鈦。在其它情況中，隔離膜區(qū)域205可以包含選自鎳、鉻、鋅、錫、鋁、銦和鋯的材料。在另一個實施方案中，隔離膜區(qū)域205以鈮，或上述非金屬隔離膜材料的一種的層沉積。例如，隔離膜區(qū)域205可以任選地包含上述設(shè)置非常薄的金屬膜直接位于膜區(qū)域200上；介電膜直接位于該非常薄的金屬膜上?？蛇x地，介電膜可以直接沉積在膜區(qū)域200上。任選的第二隔離膜區(qū)域205的合適厚度一般在3-35A、3-25A、或者3-18A。在某些實施方案中，第二隔離膜區(qū)域205具有特別小的厚度，例如小于25A、小于20A、小于15A、小于10A、小于7A、小于6A，或者甚至小于5A。盡管圖4中未顯示出，但隔離膜區(qū)域也可以任選地設(shè)置在第二紅外反射膜區(qū)域的下面。第三透明介電膜區(qū)域60位于第二紅外反射膜區(qū)域200和第三紅外反射膜區(qū)域300之間。該透明介電膜區(qū)域60也是間隔膜區(qū)域(它位于"第二腔"內(nèi))，并可以稱為第二間隔膜區(qū)域。第三透明介電膜區(qū)域60可以為單一透明介電材料的單層，或者可以為不同透明介電材料的多層。在一些情況中，第三透明介電膜區(qū)域60包含至少三個透明介電層。任選地，有至少五個、或者至少七個這種層。作為一個或多個不連續(xù)層的替代方式，部分或全部第三透明介電膜區(qū)域60可以具有漸次變化的組成。膜區(qū)域60可以任選地包括一個或多個吸收介電質(zhì)(TiN，Ti氧氮化物等)和/或金屬膜，比如用來控制陰影、顏色或其它光學性能。下面說明的膜區(qū)域為第三紅外反射膜區(qū)域300。該膜區(qū)域300優(yōu)選與第三透明介電膜區(qū)域60的外面相連接?？梢允褂萌魏魏线m的紅外反射材料(例如銀、金、銅，或者包括這些金屬中的一種或多種的合金)。在一些具體的實施方案中，第三紅外反射膜區(qū)域300主要由銀組成，或由銀與不超過約5%的另一種金屬的組合組成，例如另一種金屬選自金、鉑和鈀。當需要保護第三紅外反射膜區(qū)域300時，第三隔離膜區(qū)域305可以任選地設(shè)置在第三紅外反射膜區(qū)域300之上并相連接。該隔離膜區(qū)域305可以包含例如容易氧化的任何材料。在某些實施方案中，施加鈦金屬薄層，并且在有些情況中(例如其中氧化物膜反應地直接沉積在這種隔離膜區(qū)域305上的情況)，在沉積上面的膜時至少最外層的鈦金屬轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂胁煌瘜W計量的氧化鈦。在其它情況中，隔離膜區(qū)域305可以包含選自鎳、鉻、鋅、錫、鋁、銦和鋯的材料。在另一個實施方案中，隔離膜區(qū)域305以鈮，或上述非金屬隔離膜材料的一種的層沉積。例如，隔離膜區(qū)域305可以任選地包含上述設(shè)置非常薄的金屬膜直接位于膜區(qū)域300上；介電膜直接位于該非常薄的金屬膜上?？蛇x地，介電膜可以直接沉積在膜區(qū)域300上。任選的第三隔離膜區(qū)域305的合適厚度一般為3-35A、3-25A、或者3-18A。在某些實施方案中，第三隔離膜區(qū)域305具有特別小的厚度，例如小于25A、小于20A、小于15A、小于10A、小于7A、小于6A，或者甚至小于5A。盡管圖4中未顯示出，但隔離膜區(qū)域也可以任選地設(shè)置在第三紅外反射膜區(qū)域300的下面。在某些實施方案中提供大量隔離膜區(qū)域的情況中，可以有利地使用一個或多個厚度極小的隔離膜區(qū)域。因此，在一些實施方案中，直接在至少一個紅外反射膜區(qū)域之上提供厚度小于20A、小于15A、小于7A、小于6A，或者甚至小于5A的隔離膜區(qū)域。此外，在一些實施方案中，涂層7包括三個隔離膜區(qū)域105、205、305，并且所有這三層隔離膜區(qū)域的組合厚度小于60A、小于45A、小于30A、小于25A、小于20A、小于18A,或者甚至小于15A。此外，某些實施方案提供了三個紅外反射膜區(qū)域的組合厚度高(例如這里提到的任何組合厚度范圍)，并且具有上述介電質(zhì)或薄金屬/介電質(zhì)型的一個或多個(例如三個)隔離膜區(qū)域105、205、305的涂層。這些實施方案提供了良好的熱絕緣性能和高可見光透射的優(yōu)異組合。第四透明介電膜區(qū)域80(其可以為外涂層，但不是必要)比第三紅外反射膜區(qū)域300距離基底12更遠。在一些實施方案中，但不是全部，該膜區(qū)域80限定了涂層的最外面77(該面可以任選地暴露在外，即不被任何其它膜或基底覆蓋)。第四透明介電膜區(qū)域80可以為單一透明介電材料的單層，或者可以為不同透明介電材料的多層。在一些情況中，第四透明介電膜區(qū)域80包含至少三個透明介電層。任選地，有至少五個、或者至少七個這種層。作為使用一個或多個不連續(xù)層的替代方式，部分或全部第四透明介電膜區(qū)域80可以具有漸次變化的組成。膜區(qū)域80可以任選地包括一個或多個吸收介電質(zhì)和/或金屬膜，比如用來控制陰影、顏色或其它光學性能。因此，可以理解本發(fā)明的涂層7理想地包括至少四個透明介電膜區(qū)域20、40、60、80。在一些實施方案中，涂層7包含一個或多個、兩個(其中任選地紅外反射膜區(qū)域位于這兩個氮化物膜之間，但不接觸)或更多，或者三個或更多氮化物或氧氮化物膜，例如至少一個、至少兩個，或者甚至至少三個包含氮化硅和/或氧氮化硅的膜。在一些這種實施方案中，涂層7包括至少一個厚度小于150埃、小于140埃，或者甚至小于125埃(這種用法一般指大于0)的氮化物或氧氮化物膜(任選地包含氮化硅和/或氧氯化硅)，和至少一個厚度大于50埃、大于75埃、大于100埃、大于150埃、或者甚至大于175埃的其它氮化物或氧氮化物膜(任選地含有氮化硅和/或氧氮化硅)。在一些情況中，后面提到的膜位于第一紅外反射膜區(qū)域100和第二紅外反射膜區(qū)域200之間，或者位于第二紅外反射膜區(qū)域200和第三紅外反射膜區(qū)域300之間。即，它形成間隔膜區(qū)域中的一個，或者是間隔膜區(qū)域中的一個的一部分。理想地，涂層7的最外層膜包含氮化硅，如下面詳細描述的示例方法所述。在一個實施方案中，涂層包括兩個氮化物膜一個由膜區(qū)域80形成的外涂層中，一個在膜區(qū)域60中?？梢愿淖儽景l(fā)明涂層7的總厚度以適合不同應用的要求。在某些優(yōu)選的實施方案中，涂層7的總物理厚度大于1750埃、大于1800埃、大于1900埃、或者甚至大于2000埃。對于該申請書中公開的任何實施方案，涂層的總厚度可以任選地落入本段中說明的任何一個或多個范圍內(nèi)。在一個具體的實施方案組中，第三紅外反射膜區(qū)域300的厚度大于第二紅外反射膜區(qū)域200的厚度，且第二紅外反射膜區(qū)域200的厚度大于第一紅外反射膜區(qū)域100的厚度。這組實施方案在提供優(yōu)良的反射色彩性能方面是有利的。在這些實施方案的一個分組中，第一紅外反射膜區(qū)域100、第二紅外反射膜區(qū)域200和第三紅外反射膜區(qū)域300各包含(或者主要組成為)銀。任選地，涂層7的金屬/介電質(zhì)比在上述一個或多個范圍內(nèi)。對于本申請文件，第一反射區(qū)域比例定義為第一紅外反射膜區(qū)域100的厚度與第二紅外反射膜區(qū)域200的厚度的比例，且第二反射區(qū)域比例定義為第二紅外反射膜區(qū)域200的厚度與第三紅外反射膜區(qū)域300的厚度的比例。在一些具體的實施方案中，第一和第二反射區(qū)域比例中的至少一個小于0.85、小于0.83、或者甚至小于0.80。任選地，第一和第二反射區(qū)域比例都小于0.83，例如分別為約0.819和0.723。在該組的一些實施方案中，紅外反射膜區(qū)域100、200、300中至少一個的厚度大于150A、大于175A、或者甚至大于200A。另外地或者可選地，第一、第二和第三紅外反射膜區(qū)域的組合厚度可以任選地大于425A、大于450A、大于460A、大于475A、或者甚至大于485A。在某些實施方案中，蓋組合厚度為約477A。比如，在一些情況中，第一、第二和第三紅外反射膜區(qū)域100、200、300為厚度分別為122A、149A和206A的銀層。在其它實施方案中，組合厚度為約499A。比如，在一些情況中，第一、第二和第三紅外反射膜區(qū)域100、200、300為厚度分別為128A、157A和207A的銀層。在該組的一些實施方案中，第一介電膜區(qū)域20包含折射率為1.7或更大的膜(任選地包含氧化鋅，例如氧化鋅錫)。例如，在第一紅外反射膜區(qū)域100和基底12的表面18之間，可以有利地提供折射率為1.7或更大的膜的理想的總厚度。在某些實施方案中，理想的總厚度小于195埃、小于l卯埃、小于175埃、小于165埃、小于145埃、或者甚至小于140埃。對于本公開來說，主要介電區(qū)域比例(primarydielectric-regionratio)定義為第一透明介電膜區(qū)域20的厚度與第四透明介電膜區(qū)域80的厚度的比例。該比例可以有利地低于0.75、或者甚至低于0.6，而同時任選地大于0.34、大于0.35、大于0.37、或者甚至大于0.40。在一個示例的實施方案中，該比例為約0.47?？梢匀芜x地采用這些范圍中任何一個或多個內(nèi)的主要介電區(qū)域比例，用于該組的任何實施方案，或者本申請文件所公開的任何其它實施方案(例如，與所述金屬/介電質(zhì)比的任選范圍組合)。本發(fā)明的某些實施方案提供了第一透明介電膜區(qū)域20(它可以為基層涂層，即最靠近基底的介電膜區(qū)域)和第四透明介電膜區(qū)域80(它可以是外涂層)的組合厚度除以第二與第三透明介電膜區(qū)域40、60(可以分別是第一和第二間隔層)的組合厚度的特別的比。在這些實施方案中，該比例優(yōu)選大于約0.43，大于約0.45，或者甚至大于約0.475。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)具有這種介電質(zhì)厚度布置的涂層便于形成優(yōu)異的性能，包括良好的色彩、高的可見光透射等，甚至當使用大量紅外反射膜時也如此。下面的表1顯示了可用作本發(fā)明涂層7的一個示例的膜層疊體表1<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>下面的表2顯示了可用作本發(fā)明涂層7的另外三個示例的膜層疊體:表2<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>下面的表3顯示了可以使用的另一個示例的膜層疊體(也許作為可回火的涂層)作為本發(fā)明的涂層7。這里，涂層代表了一類實施方案，其中，直接在基底上提供了包含二氧化硅的膜的至少約50埃(例如約IOOA)的三層銀涂層。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>下面的表4顯示了可以使用的另一個示例的膜層疊體(也許作為可回火的涂層)作為本發(fā)明的涂層7:表4<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>表4代表了一類實施方案，該實施方案中，低輻射涂層包括組合厚度至少約525埃的三個紅外反射膜。另外，在這種實施方案中最外的兩層紅外反射膜的組合厚度任選地至少為約385埃。圖5示意地圖示了具有根據(jù)本發(fā)明某些實施方案的多腔低輻射涂層的多板隔熱玻璃單元。這里，多腔低輻射涂層7在IG單元3的弁2表面上，且#1表面暴露到外部環(huán)境。這里的IG單元包括通過兩層密封劑1700、1800的沉積粘在兩層玻璃12、12'之間的間隔層130。間隔層可選地為窗框、框架等的組成部分。此外，可選地可以使用密封劑的單沉積(singledeposit)。在這種實施方案中，IG單元優(yōu)選設(shè)置在將IG單元保持在所示/所述的構(gòu)造中的窗框和/或框架上。本發(fā)明還提供了在片狀基底上沉積膜的方法。根據(jù)本發(fā)明的方法，提供了具有表面(例如主表面)18的基底12。如果需要，此表面18可以通過適當?shù)南礈旎蚧瘜W制備來制成。本發(fā)明的涂層7沉積在基底12的表面18上，例如作為一系列不連續(xù)的層、作為厚度有坡度的膜、或者作為包括至少一個不連續(xù)的層和至少一個厚度有坡度的膜的組合?？梢允褂萌魏魏线m的薄膜沉積技術(shù)來沉積涂層。一種優(yōu)選的方法利用工業(yè)中常用的DC磁控濺射。參考Chapin's的美國專利No.4,166,018，其教導并入本申請中作為參考。因此，本發(fā)明的方法可以包括通過任何一種或多種薄膜沉積技術(shù)順序地沉積這里公開的任何涂覆實施方案的膜區(qū)域。一種公知的方法是磁控濺射。簡言之，磁控濺射包括將基底輸送通過一系列低壓區(qū)(或"室"或"隔間")基底，其中，順序地施加構(gòu)成涂層的各個膜區(qū)域。通常在惰性氣氛(如氬氣)中從金屬源或"靶"濺射金屬膜。為了沉積介電膜，所述靶可由電介質(zhì)本身(例如氧化鋅或氧化鈦)形成。在其它情況中，通過在反應性氣氛中濺射金屬靶來施加介電膜。例如，為了沉積氧化鋅，可以在氧化氣氛中濺射鋅靶；通過在含有氮氣的反應性氣氛中濺射硅靶(其可以摻雜鋁等以改善導電性)來沉積氮化硅?？梢酝ㄟ^改變基底的速度和/或改變靶上的功率來控制沉積膜的厚度。包括(任選地僅具有)三個紅外反射膜的低輻射涂層任選地其至少一個膜通過濺射沉積。在基底上沉積薄膜的另一種方法包括等離子體化學汽相沉積。參考美國專利No.4,619，729(Johncock等)和美國專利No.4，737，379(Hudgens等)，這兩個文獻均并入本申請中作為參考。這種等離子體化學汽相沉積包括通過等離子體來分解氣相源，接著在固體表面(例如玻璃基底)上形成膜。可以通過改變基底通過等離子體區(qū)時基底的速度，和/或改變功率和/或各區(qū)域內(nèi)的氣流速度來調(diào)整膜的厚度。在某些實施方案中，在具有一系列順序連接的濺射室的涂布機中沉積低輻射涂層。該腔室優(yōu)選為真空沉積腔室，其中可以建立可控制的環(huán)境。在一些情況中，各腔室的總氣體壓力調(diào)整為小于約140torr、更優(yōu)選小于約0.1torr、且最一般地為約lmtorr至約0.1torr(例如約1-約30mtorr)下使用(例如用于建立或保持其中壓力)。因此，涂布機優(yōu)選地具有用于建立和保持本段中所描述的任何范圍內(nèi)的壓力的輸送和抽空系統(tǒng)。一些實施方案使用具有多于36個濺射室(或"隔間")的涂布機，至少40個腔室、至少45個腔室，或者至少50個腔室(例如多于52個、至少55個，多于56個、至少60個、至少63個，或者至少65個)。在這些實施方案中，大量的沉積腔室使大量各種涂層可以用單獨的涂布機來制造。特別復雜的涂層也可以通過基底單次通過涂布機而沉積。在優(yōu)選的實施方案中，具有三個紅外反射層的低輻射涂層通過基底單次通過涂布機而沉積。優(yōu)選地，基底的單次通過是連續(xù)的，因此在單次通過的過程中，停止基底、或者從涂布機移除基底都不會中斷涂覆過程。在很多情況中，基底單次通過涂布機是通過在基本恒定的方向上基本直線地移動玻璃片來進行的。在整個單次通過過程中，基底可以任選地以基本恒定的速度移動。在一些實施方案中，涂布機具有大量向下濺射室。例如，涂布機可以任選地包括至少36個向下濺射室，至少39個向下濺射室，至少42個向下濺射室，或者至少45個向下濺射室。參考圖9。這里，涂布機具有至少36個腔室用于向下濺射。在圖13中，涂布機具有至少45個腔室用于向下濺射。這種性質(zhì)的涂布機具有很多優(yōu)點。例如，通過向下濺射，可以沉積特別厚的和/或復雜的涂層，并且因此這些涂層不需要接觸傳送基底的輸送輥。特別厚的和/或復雜的涂層更容易(與較薄的和/或更簡單的涂層相比)顯示出來自輸送輥或其它基底支持體的接觸和其它不理想的損害的可見的痕跡。在前述實施方案中，各向下濺射室可以用于僅向下的濺射，或者用于雙向濺射。圖11顯示了用于僅向下濺射的向下濺射室C1-C30，且六個向下濺射室C31-C36用于雙向濺射。圖13顯示了用于僅向下濺射的45個向下濺射的腔室Cl-C45，且18個向下濺射室C46-C63用于雙向濺射。圖10和圖13示例了包括具有向上濺射區(qū)和向下濺射部分的涂布機的某種方法和設(shè)備的實施方案。向上濺射區(qū)的特征是一系列下部靶位于比基底行進通道低的高度，而向下濺射部分的特征是一系列上部靶位于比基底行進通道高的高度。在一些這種實施方案中，向下濺射區(qū)包括至少36個、至少39個、至少42個、或者至少45個腔室僅用于向下濺射。另外地或者可選地，向上濺射區(qū)可以任選地包括至少9個、至少18個、或者至少21個腔室僅用于向上濺射。在一些情況中，涂布機所具有的用于向下濺射(包括僅向下濺射和雙向濺射)的腔室為用于向上濺射(包括僅向上濺射和雙向濺射)的腔室的兩倍。例如，可以有利地使用這些涂布機在基底的底部沉積相對較薄的和/或不太復雜的涂層。在包括具有向上濺射區(qū)和向下濺射區(qū)的涂布機的一些實施方案，在向上濺射區(qū)的所有活性腔室中保持氧化濺射氣氛，在向下濺射區(qū)的多個腔室中保持氮化的濺射氣氛。有關(guān)的方法實施方案包括在氧化氣體中反應性地向上濺射所有活性的下部靶，并在氮化氣體中反應性地向下濺射多個上部靶。例如，這些方法可以包括在玻璃片底部上沉積主要由氧化物膜組成的涂層，并在玻璃片頂部沉積包含多個氮化物膜的涂層。一般地，基底以約100-500英寸每分鐘的速度傳送通過涂布機。理想地，基底傳送的速度超過200英寸每分鐘，例如大于250英寸每分鐘、大于275英寸每分鐘，300英寸每分鐘或更快、大于300英寸每分鐘，310英寸每分鐘或更快、大于310英寸每分鐘，或者大于325英寸每分鐘。如果需要，可以調(diào)整該方法，以采用400英寸每分鐘或更快的傳送速度，大于500英寸每分鐘，510英寸每分鐘或更快，或者525英寸每分鐘或更快。一些實施方案包括使用基底傳送速度超過275英寸每分鐘、或許更優(yōu)選300英寸每分鐘或更快、或者310英寸每分鐘或更快來沉積三層銀低輻射涂層。令人意外地推測出高傳送速度可以便于改善涂層的品質(zhì)，并且對于三層銀的低輻射涂層這種改進是顯著的。例如，在高功率水平下銀的高傳送速度濺射得到較高品質(zhì)(或許較少氧化)的銀膜。因此，本發(fā)明提供了實施方案，其中，優(yōu)選使用包括高功率水平濺射沉積銀或其它反射金屬的濺射方法，以高傳送速度來沉積總厚度特別大的銀(或另一種紅外反射金屬)的涂層，例如三層銀低輻射涂層。因此，一些實施方案包括組合使用高傳送速度和沉積總厚度大的銀和/或其它紅外反射金屬。一個具體的實施方案組通過在平均功率水平超過8.5kW、或者超過9kW下濺射含銀的靶來沉積具有三個紅外反射膜區(qū)域的涂層。在一些情況中，在功率水平超過12kW下濺射這些含銀的靶中的至少一個。下面結(jié)合表5描述示例的實施方案。如上所述，涂布機優(yōu)選包括一系列相連接的腔室(例如相連接的沉積腔室的線路，即"涂覆線")。這種涂覆線可以包含一系列排成行并連接的腔室，使得在隔離(spaced-apart)的輸送輥上支持的基底(優(yōu)選地多個隔離的片狀基底，例如玻璃片)可以順序地通過線路的腔室傳送。優(yōu)選地，該涂覆線包括狹窄的排出通道(evacuatedtunnel)，該排出通道與腔室相鄰連接，通過該排出通道水平方向的基底從一個腔室傳送至下一個腔室。在膜沉積的過程中，基底通常通過涂覆線的所有腔室來傳送?？梢岳斫?，涂布機可以以這種方式包括多個排成行并相連接的腔室，而不考慮在這種腔室中進行的具體的沉積方法。另外，所提到的速度可以用于傳送基底通過具有任何類型的沉積設(shè)備(濺射設(shè)備、CVD設(shè)備、蒸發(fā)設(shè)備等)的涂布機。涂布機可以任選地包括分別用于進行不同的沉積過程的不同腔室。例如，涂布機可以包括在其中進行濺射的一個或多個腔室，和在其中進行離子束膜沉積技術(shù)的一個或多個腔室。此外，涂布機可以包括在其中進行濺射的一個或多個腔室，和在其中進行化學氣相沉積的一個或多個腔室。可選地，涂布機可以包括在其中進行化學氣相沉積的一個或多個腔室，和在其中進行蒸發(fā)的一個或多個腔室?？紤]到本發(fā)明的教導作為指導，這種性質(zhì)的各種實施方案對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是明顯的。在優(yōu)選的實施方案中，涂布機包括一個或多個濺射室。在特別優(yōu)選的實施方案中，涂布機中的所有腔室均為濺射室。在一些情況中，一個或多個濺射室具有向下涂覆設(shè)備。圖6圖示了具有向下涂覆設(shè)備的示例的濺射室。所圖示的濺射室400包括基板(或者"底板")420、多個側(cè)壁422、和頂板(或"頂蓋"、或"蓋子")430，一起限定出濺射空腔402。兩個上部靶480a設(shè)置在基底行進通道45之上。在膜沉積的過程中，基底12沿著基底行進通道45傳送，任選地在多個隔離的輸送輥之上傳送。在圖6中，設(shè)置兩個上部耙，但并不要求如此。例如，在腔室中可以可選地使用單個靶或者兩個以上的靶。此外，腔室可以包括平面靶，盡管顯示的是圓柱形靶。優(yōu)選地，各上部靶480a與位于基底行進通道之上的一個或多個上部氣體分配管(例如各具有至少一個氣體輸送出口)相鄰。各上部靶480a還優(yōu)選與位于基底行進通道之上的一個或多個上部正極相鄰。優(yōu)選地，各靶還包括位于鄰近靶體的磁體組件(設(shè)置在圓柱形耙內(nèi)，設(shè)置在平面靶旁邊等)。在其它情況中，如圖8所示的，涂布機包括一個或多個具有向上涂覆設(shè)備的濺射室。圖8圖示了僅具有向上涂覆設(shè)備的示例的濺射室。所示的濺射室600包括基板(或者"底板")620、多個側(cè)壁622、和頂板(或"頂蓋"、或"蓋子")630，一起限定出濺射空腔602。兩個下部靶680b設(shè)置在基底行進通道45下面。在膜沉積的過程中，基底12沿著基底行進通道45傳送，任選地在多個隔離的輥IO之上傳送。濺射下部靶680b，以在基底的底部表面上沉積膜。各向上的濺射設(shè)備優(yōu)選與位于基底行進通道45下面的一個或多個下部氣體分配管(例如，各具有至少一個氣體輸送出口)相鄰。任選的下部正極可以位于基底行進通道下面，與至少一個下部靶相鄰。如上所述，各下部靶理想地包含磁體組件。特別有用的上部濺射設(shè)備描述在美國專利申請09/868,542、09/868,543、09/979,314、09/572,766和09/599,301，各申請的全部內(nèi)容并入本申請中作為參考。在其它情況中，如圖7所示，涂布機包括具有雙重方向的涂布機的一個或多個濺射室。圖7顯示了具有向下和向上的涂布設(shè)備的示例的濺射室。雙向濺射室在美國專利申請09/868,542、10/911,155和10/922,719中有描述，各申請的全部教導并入本申請中作為參考。所示的濺射室500包括基板(或者"底板")520、多個側(cè)壁522、和頂板(或"頂蓋"、或"蓋子")530，一起限定出濺射空腔502。兩個上部耙580a設(shè)置在基底行進通道45上面，且兩個下部靶580b設(shè)置在基底行進通道下面。在膜沉積的過程中，基底12沿著基底行進通道45傳送，任選地在多個隔離的輥10之上傳送。這里，可以同時濺射上部靶580a和下部靶580b，以在基底的兩個主表面上沉積膜?？蛇x地，可以單獨操作上部靶，或者可以單獨操作下部耙。示例的涂布機的結(jié)構(gòu)示于圖9-13中。各圖中的涂布機具有基底支持體10，其限定了延伸通過涂布機的基底行進通道。輸送輥限定了圖示的基底行進通道，但可以使用傳送帶或其它基底支持體。優(yōu)選地，基底行進通道通?；蚧旧纤降匮由焱ㄟ^涂布機。腔室通常相連接，使得基底行進通道延伸通過涂布機的所有沉積腔室。優(yōu)選地，設(shè)置基底支持體10用于保持(例如支持)基底在通?；蚧旧纤降奈恢?，同時涂覆基底(例如在通過涂布機傳送基底的過程中)。因此，支持體10理想地用于傳送片狀基底(并優(yōu)選為互相隔離的多個片狀基底)通過涂布機，同時保持各基底在通?；蚧旧纤降姆较?例如，其中，各基底的頂部主表面定向朝上，而各基底的底部主表面定向朝下)。優(yōu)選地，基底支持體io包括多個隔離的輸送輥。通常，至少一個輥轉(zhuǎn)動(例如通過將操作地連接到輥的電機通電)，使得基底沿著基底行進通道傳送。當基底在這種輥上傳送時，基底的底部表面與輥直接物理(即支持性的)接觸。因此，本發(fā)明的某些方法包括玻璃片和多個隔離的輸送輥，且該方法包括轉(zhuǎn)動至少一個輥來傳送玻璃片，使得玻璃片的底部主表面在傳送過程中與輥達到直接物理接觸。因此，在某些實施方案中，基底是在傳送過程中支持體IO上(例如位于其頂部)的玻璃片。在一些情況中，其它玻璃片也位于支持體io上，且在支持體10上互相隔離，并以這種隔離的形式傳送。在支持體10包含輥的實施方案中，輥可以具有任何常規(guī)的結(jié)構(gòu)。已發(fā)現(xiàn)使用以螺旋方式纏繞有繩子的柱形(例如鋁)管可以獲得良好的結(jié)果，這種繩子提供了與基底直接接觸的表面。例如，該繩子可以由KevlafTM(即聚對苯二甲酰對苯二胺或者其它聚合物(例如尼龍類聚合物))形成。優(yōu)選地，使用高熔點聚合物(例如熔點大于在需要的沉積過程中確立的最大加工溫度，如至少約165'C、更優(yōu)選至少約200'C、且可能最佳為至少約40(TC)。具有以螺旋方式纏繞的繩子(或多個單獨的帶子)的圓筒對于其中進行向上涂敷處理的一些實施方案是特別理想的，因為繩子降低了輥與基底底部表面之間的接觸面積，并由此為基底新涂覆的底部表面提供了特別無損害的支持體。因此，在某些實施方案中，基底支持體包含多個隔離的輥，各輥包含繞圓筒設(shè)置的至少一根繩子。在支持體IO包含隔離的輥的實施方案中，輥的間距優(yōu)選保持相當小以可以加工小的基底，而沒有基底掉落到輥之間的任何顯著的危險。最大安全的間距優(yōu)選依據(jù)對所需要的基底尺寸范圍的具體情況來確定。盡管可以涂覆小基底，但本發(fā)明仍有利地用于加工大面積基底，例如建筑玻璃和汽車玻璃應用的玻璃片。因此，在本發(fā)明的某些方法中，通過涂布機傳送的基底為主要尺寸(例如長度或?qū)挾?至少為約0.5米、至少1米、至少1.5米、或者至少2米的大面積基底。特別對于大面積基底(特別是那些玻璃形成的基底)，以通?；蚧旧纤降姆较騻魉突淄ㄟ^涂布機是有利的。在一些實施方案中，涂布機僅包括具有向下涂覆設(shè)備的腔室(或隔間)。在其它實施方案中，涂布機還包括具有向上涂覆設(shè)備的腔室(或隔間)。圖9中的涂布機僅具有向下涂覆設(shè)備。向下涂覆設(shè)備用于涂覆基底12的頂部主表面18。因此，向下涂覆設(shè)備優(yōu)選在基底行進通道45的上面。在某些實施方案中，該涂布機為真空涂布機，且向下涂覆設(shè)備包含至少一個向下的真空涂覆設(shè)備。圖9中的各向下涂覆設(shè)備可以為任何類型的向下涂覆設(shè)備。優(yōu)選地，該涂布機包括至少一個向下的濺射設(shè)備，該向下的濺射設(shè)備包含位于基底行進通道之上的上部濺射靶。在一些實施方案中，如參考圖6的實施方案的所述，各向下濺射設(shè)備包含行進通道之上的兩個上部耙。在某些實施方案中，圖9中所有向下的沉積裝置D1-D36均為濺射裝置。在某些實施方案中，圖9的涂布機包括具有向下化學氣相沉積(CVD)設(shè)備的至少一個沉積腔室。這種設(shè)備可以包含用于將前體氣輸送到涂布機的上部區(qū)域(即在基底行進通道上的涂布機的區(qū)域)的氣體輸送系統(tǒng)。優(yōu)選地，這種設(shè)備包含位于基底行進通道之上的氣體輸送出口，使得由前體氣形成的涂覆材料在基底10的頂部表面18上凝結(jié)。這種性質(zhì)的CVD設(shè)備通常包含氣體供應，通過所述氣體供應，前體氣被輸送通過氣體線，送出氣體出口，并進入涂布機的上部區(qū)域。如果需要，這種向下的化學氣相沉積設(shè)備可以為題目為"Plasma-EnhancedFilmDeposition"(Hartig)的美國專利申請10/373,703中描述的類型的等離子增強的化學氣相沉積設(shè)備，該申請的全部教導并入本申請中作為參考。在某些實施方案中，圖9的涂布機包括至少一個具有向下涂覆設(shè)備的沉積腔室，該向下涂覆設(shè)備具有離子槍。這種性質(zhì)的上部離子槍可以用于進行任何需要的離子輔助沉積(IAD)過程。例如，這種離子槍可以用于直接膜沉積。可選地，這種離子槍可以為包含上部濺射靶的離子束濺射沉積源的一部分，與所述上部濺射靶相對離子槍加速離子，從而使靶材的原子從靶向下地向基底的頂部表面噴射。這些類型的IAD方法是本領(lǐng)域內(nèi)已知的，如許多其它合適的IAD方法。涂布機的沉積腔室可以集合成涂覆區(qū)。各涂覆區(qū)可以包括任何數(shù)量的腔室或隔間。涂布機的特定結(jié)構(gòu)(例如它的沉積腔室的數(shù)量)根據(jù)所使用的特別類型的涂布機，和所需要的特別的涂覆類型而改變。一般地，涂布機包括至少20個沉積腔室，任選地沿著基底行進的直線通道排列。在優(yōu)選的實施方案中，涂布機包括至少36個沉積腔室、至少39個沉積腔室、至少42個沉積腔室、至少45個沉積腔室、至少55個沉積腔室、至少60個沉積腔室、或者至少63個沉積腔室。圖9-12的示例的涂布機具有至少36個沉積腔室，且圖13的示例的涂布機具有至少63個沉積腔室。圖IO顯示了一些腔室具有向下涂覆設(shè)備，其它腔室具有向上涂覆設(shè)備的涂布機。這里，可以優(yōu)選地操作涂布機(即優(yōu)選使用)，以在基底單次通過涂布機時涂布片狀基底的兩個主表面的全部。例如，參考圖9，向下涂覆設(shè)備可以為上述向下涂覆設(shè)備的類型。關(guān)于向上涂覆設(shè)備，各向上的涂布設(shè)備優(yōu)選設(shè)置在基底行進通道的下面，并用于涂覆基底的底部表面。圖10中各向上涂布設(shè)備可以為任何類型的向上涂布設(shè)備。在某些實施方案中，涂布機包括至少一個向上的濺射設(shè)備。在這些實施方案中，各向上的濺射設(shè)備包括基底行進通道下面的下部濺射靶。有用的向上的濺射設(shè)備在美國專利申請09/868,542、09/868,543、09/979,314、09/572,766和09/599,301中有描述，各專利申請的全部內(nèi)容并入本申請中作為參考。在一些情況中，參考圖8所描述的，向上的濺射設(shè)備包括設(shè)置在基底行進通道之下的兩個下部靶。在優(yōu)選的實施方案中，所有向上的Ul-U6和向下的D1-D30沉積裝置都是濺射裝置。在某些實施方案中，圖10的涂布機包括至少一個向上的蒸發(fā)涂布設(shè)備。這種設(shè)備可以包含待蒸發(fā)的涂覆材料源，該源通常位于基底行進通道之下。該材料源可以以船形、坩鍋、條帶或者含有需要的源材料或由需要的源材料形成的巻的形式提供。這種設(shè)備通常還包含用于將能量輸送到源材料的裝置。例如，源材料可以與熱源(例如加熱元件)一起提供，所述熱源(例如加熱元件)用于通過直接或間接電阻、熱傳導、輻射或感應、電子束、激光輻射、或電弧加熱源材料。用于通過向上蒸發(fā)來涂覆基底的各種方法和裝置在本領(lǐng)域中是已知的。在其它的實施方案中，圖IO的涂布機包括至少一個向上的CVD設(shè)備。這種設(shè)備可以包含用于將前體氣輸送到涂布機的下部區(qū)域的氣體輸送系統(tǒng)。優(yōu)選地，這種設(shè)備包含位于基底行進通道下面的氣體輸送出口，使得由前體氣形成的涂覆材料在基底12的底部表面上凝結(jié)。這種性質(zhì)的CVD裝置通常包含氣體供應，通過所述氣體供應，前體氣輸送通過氣體線，送出氣體出口，并進入涂布機的下部區(qū)域。在某些優(yōu)選的實施方案中，圖10的涂布機包括至少一個向上的涂布設(shè)備，該設(shè)備包含離子槍。將這種性質(zhì)的下部離子槍應用于進行任何需要的IAD過程。例如，這種離子槍可以用于進行直接膜沉積?？蛇x地，這種離子槍可以為包含上部濺射靶的離子束濺射沉積源的一部分，與所述上部濺射靶相對離子槍加速離子，從而使靶材的原子從靶向上地向基底的底部表面噴射。這些類型的IAD方法是本領(lǐng)域內(nèi)已知的，如許多其它合適的IAD方法。在一個實施方案中，涂布機包括用于進行離子輔助蒸發(fā)技術(shù)的一個或多個下部離子槍。參考出版物"Ion-BasedMethodsForOpticalThinFilmDeposition,，(JournalofMaterialScience;J.P.Mailing,21(1986)1-25)，該出版物的全部內(nèi)容并入本申請中作為參考。優(yōu)選地，各向上涂覆設(shè)備位于相鄰的輸送輥對10之間的空隙之下(例如直接在下面)。該空隙可以由常規(guī)的輸送輥間距產(chǎn)生?？蛇x地，該空隙可以比常規(guī)的輥間距寬。這可以通過設(shè)置限定每個這種空隙進一步分開的輥和/或通過減小這些輥的尺寸來實現(xiàn)。在一些實施方案中，涂布機中向下的和向上涂覆設(shè)備(例如像圖10、圖11、或圖13中的)都可以為相同的基本類型的涂覆設(shè)備(例如，在涂布機中所有的膜濺射設(shè)備均可以為濺射設(shè)備)?？蛇x地，向下涂覆設(shè)備可以為一種類型的涂覆設(shè)備，而向上涂覆設(shè)備可以為另一種類型的涂覆設(shè)備(例如，向下涂覆設(shè)備可以為常規(guī)的磁控濺射設(shè)備，而向上涂覆設(shè)備為離子束沉積設(shè)備)。作為另一種選擇，向上涂覆設(shè)備和/或向下涂覆設(shè)備可以包括不同類型的涂覆設(shè)備的組合(例如，涂布機可以具有一些向上的濺射設(shè)備和一些向上的蒸發(fā)設(shè)備)。圖11顯示了一些腔室僅具有向下涂覆設(shè)備，其它腔室具有向下和向上涂覆設(shè)備的的涂布機。向下涂覆設(shè)備可以為參考圖9所描述的任何類型，且向上涂覆設(shè)備可以為參考圖10所述的任何類型。在一些情況中，在雙向的沉積腔室中的向下和向上涂覆設(shè)備為相同或相似類型的涂覆設(shè)備(例如，它們可以均為濺射裝置)，但并不要求如此。圖9-11中示例的涂布機優(yōu)選地用于沉積具有三個紅外反射或更多層的低輻射涂層。優(yōu)選使用向下涂覆設(shè)備來沉積低輻射涂層。當操作向下涂覆設(shè)備在基底的頂部表面18上沉積低輻射涂層時，該方法通常包括在透明介電膜之間施覆反射金屬的膜。在一些情況中，這包括沉積具有下列順序的膜的至少七個膜區(qū)域(例如從表面18向外)第一透明介電膜區(qū)域20、第一紅外反射膜區(qū)域IOO、第二透明介電膜區(qū)域40、第二紅外反射膜區(qū)域200、第三透明介電膜區(qū)域60、第三紅外反射膜區(qū)域300和第四透明介電膜區(qū)域80。該方法可以任選地包括在紅外反射膜區(qū)域之上沉積隔離層105、205和305。在某些實施方案中，操作向下涂覆設(shè)備來沉積低輻射涂層，且該方法包括在基底的表面18和第一紅外反射膜區(qū)域100之間沉積至少50埃、或者至少100埃的透明介電膜，在第一紅外反射膜區(qū)域100和第二紅外反射膜區(qū)域200之間沉積至少IOO埃的透明介電膜，在第二紅外反射膜區(qū)域200和第三紅外反射膜區(qū)域300之間沉積至少100埃的透明介電膜，并在第三紅外反射膜區(qū)域300之上沉積至少50埃、或者至少100埃的透明介電膜。在一些情況中，操作向下涂覆設(shè)備，以在基底的頂部表面18和第一紅外反射膜區(qū)域100之間沉積小于175埃的透明介電膜。在一個實施方案中，操作向下涂覆設(shè)備，在第一紅外反射膜區(qū)域100和第二200紅外反射膜區(qū)域之間沉積至少400埃的透明介電膜，并在第二紅外反射膜區(qū)域200和第三300紅外反射膜區(qū)域之間沉積至少400埃的透明介電膜。參考圖10、11和13，向上涂覆設(shè)備可以用于在基底12的底部表面上沉積需要的涂層。優(yōu)選地，在基底單次通過涂布機的過程中，沉積低輻射涂層和需要的涂層。例如，需要的涂層可以包括順序的膜區(qū)域，其特征為，從基底的底部表面向外，該涂層包括包含第一透明介電材料的主要膜區(qū)域(primaryfilmregion)和包含第二透明介電材料的次要膜區(qū)域(secondaryfilmregion)。在一些實施方案中，可以操作涂布機，以在基底的頂部表面沉積低輻射涂層，并在基底的底部表面上沉積表面效應的涂層。當提供表面效應涂層時，該表面效應涂層優(yōu)選選自光催化涂層、親水涂層和疏水涂層。在某些實施方案中，提供了包含氧化鈦和/或氧化硅的表面效應涂層。在一個實施方案中，表面效應涂層為含有氧化鈦(例如Ti02)的光催化涂層。光催化涂層通常包括能吸收紫外線輻射的半導體，并能光催化地降解有機材料，如油、植物、脂肪和油脂。最有效的光催化劑是氧化鈦(例如二氧化鈦)?？捎玫墓獯呋繉釉诿绹鴮＠?，874,701(Watanabe等)、5，853,866(Watanabe等)、5,961,843(Hayakawa等)、6,139,803(Watanabe等)、6，191，062(Hayakawa等人)、5,939，194(Hashimoto等)、6，013，372(Hayakawa等人)、6，0卯，489(Hayakawa等)、6,210，779(Watanabe等)、6，165,256(Hayakawa等人)和5,616,532(Hdler等)，以及美國專利申請11/179,178和11/179,852中有描述，由于示例的光催化涂層和可用的沉積方法的教導，各文獻的內(nèi)容并入本申請中作為參考。因此，在某些實施方案中，涂布機包括用于施覆光催化涂層(任選地為包含氧化鈦的一個涂層)的向上涂覆設(shè)備。例如，向上涂覆設(shè)備包含鈦和氧的一個源或多個源。例如，向上涂覆設(shè)備可以任選地包括包含鈦(例如金屬鈦或氧化鈦)的下部濺射靶。相連地，與該靶相鄰的涂布機的下部區(qū)域可以任選地具有氧化氣氛。在一個實施方案中，向上涂覆設(shè)備包含美國專利申請60/262,878中所述的性質(zhì)的至少一個下部濺射靶，該申請的全部教導并入本申請中作為參考。—當?shù)洼椛渫繉雍捅砻嫘繉釉谌鐖D11中所示的涂布機中沉積時，低輻射涂層的一部分(不是全部)和表面效應涂層的全部同時沉積。例如，向下沉積設(shè)備D31-D36與向上沉積設(shè)備U1-U6可以同時操作。另一方面，當?shù)洼椛渫繉雍捅砻嫘繉釉谌鐖D10中所示的涂布機中沉積時，它們按順序沉積(例如，首先通過向下濺射來沉積低輻射涂層，然后通過向上濺射來沉積表面效應涂層，全部在基底單次通過涂布機的過程中進行)或者甚至混雜沉積。混雜是指向上沉積和向下沉積可以在相同位置(如在相同的濺射隔間中)進行，條件是通過層疊體設(shè)計，材料以相同的施用順序使用?，F(xiàn)在參考圖12，該圖中描述了根據(jù)本發(fā)明的某些實施方案沉積高紅外反射涂層7的示例方法。圖12中示意地顯示的涂布機用于沉積涂層7，該涂層7從主表面18向外順序包括:包含氧化鋅錫的第一透明介電膜區(qū)域20、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域100、包含鈦的第一隔離膜區(qū)域105、包含氧化鋅錫的第二透明介電膜區(qū)域40、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域200、包含鈦的第二隔離膜區(qū)域205、包含氧化鋅錫的第三透明介電膜區(qū)域60、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域300、包含鈦的第三隔離膜區(qū)域305和第四透明介電膜區(qū)域80，該膜區(qū)域80包括在包含氧化鋅錫的層上包含氮化硅的最外層。繼續(xù)參考圖12，將基底12置于涂布機的起始點，并傳送至第一涂覆區(qū)CZ1(例如，沿著形成基底支撐體10的輸送輥來傳送基底)。該涂覆區(qū)CZ1具有三個濺射室(或"隔間")，Cl至C3，它們共同用于沉積包含氧化鋅錫的第一透明介電膜區(qū)域20。所有這三個隔間都具有包含鋅和錫的混合物的濺射靶。圖中所示每個隔間都有兩個圓柱形濺射靶，但數(shù)量和類型(例如圓柱與平面)可以按需要來改變。這些前面的六個靶在氧化氣氛中濺射，以沉積形式為包含鋅和錫的氧化物膜的第一透明介電膜區(qū)域20。這里的氧化氣氛可以主要由壓力為約4xl(T3mbar的氧(例如約100%的02)組成?？蛇x地，該氣氛可以包含氬氣和氧氣。參考下面的表5，將約36.7kW的功率施加于前面的兩個靶，將約34.6kW的功率施加于接著的兩個靶，并將35.5kW的功率施加于最后的兩個靶。基底12在這六個靶下面以約310英寸每分鐘的速率傳送，同時在所述的功率水平下濺射各靶，從而沉積形式為包含鋅和錫的氧化物膜，且厚度為約159埃的第一透明介電膜區(qū)域20。然后將基底12傳送到第二涂覆區(qū)CZ2，其中，第一紅外反射膜區(qū)域100直接施加在第一透明介電膜區(qū)域20之上。第二涂覆區(qū)CZ2具有惰性氣氛(例如壓力約為4xl0-3mbar的氬氣)。該涂覆區(qū)CZ2的活性濺射隔間"和C5各具有平面靶，但靶的數(shù)量和類型可以改變。隔間C4中的靶是金屬銀靶，隔間C5中的靶是金屬鈦靶。基底在銀靶下面以約310英寸每分鐘的速率傳送，同時在約7.1kW的功率下濺射該靶，從而沉積形式為厚度約為122埃的銀膜的第一紅外反射膜區(qū)域20。然后將基底在隔間C5中的鈦靶下面?zhèn)魉?，同時在約7.8kW的功率下濺射該靶，從而沉積形式為包含鈦的膜，并且厚度為約20埃的第一隔離膜區(qū)域105。然后將基底12傳送通過第三涂覆區(qū)CZ3、第四涂覆區(qū)CZ4和第五涂覆區(qū)CZ5，在這些區(qū)中，施加了形式為包含鋅和錫的氧化物膜的第二透明介電膜區(qū)域40。第三涂覆區(qū)CZ3和第四涂覆區(qū)CZ4各具有三個活性濺射隔間。第五涂覆區(qū)CZ5具有兩個活性濺射隔間(例如，可以有不用的隔間和/或涂覆區(qū))。在C6-C13的各隔間中，安裝了各包含(即包括的可濺射的靶材包含)鋅和錫的混合物的兩個圓柱形靶。這些C6-C13的各隔間具有氧化氣氛。例如，第三涂覆區(qū)CZ3、第四涂覆區(qū)CZ4和第五涂覆區(qū)CZ5中的氧化氣氛可以各自主要由壓力為約4xl(T3mbar的氧氣(例如約100%的02)組成?？蛇x地，這些氣氛中的一種或多種可以包含氬氣和氧氣。如下面的表5所示，將約50.2kW的功率施加于第三涂覆區(qū)CZ3中的前面的兩個靶，將約45.1kW的功率施加于該涂覆區(qū)CZ3中的接著的兩個靶，并將約49.5kW的功率施加于該區(qū)CZ3中的最后的兩個靶。此處，將約53.1kW的功率施加于第四涂覆區(qū)CZ4中的前面的兩個耙，將約47.7kW的功率施加于該涂覆區(qū)CZ4中的接著的兩個靶，并將約44.8kW的功率施加于該區(qū)CZ4中的最后的兩個靶。此外，將約49.0kW的功率施加于第五涂覆區(qū)CZ5中的前面的兩個靶，并將約45.6kW的功率施加于該涂覆區(qū)CZ5中的接著的兩個靶。基底12在涂覆區(qū)3-5(即由CZ3至CZ5)中所有所述的耙下面?zhèn)魉?，同時以約310英寸每分鐘的速率傳送該基底并在所述的功率水平下濺射各靶，從而施加形式為包含鋅和錫的氧化物膜，且厚度為約562埃的第二透明介電膜區(qū)域40。然后將基底12傳送到第六涂覆區(qū)CZ6，其中，第二紅外反射膜區(qū)域200直接施加在第二透明介電膜區(qū)域40之上。第六涂覆區(qū)CZ6具有惰性氣氛(例如壓力為約4xl(T3mbar的氬氣)。該涂覆區(qū)CZ6中的濺射隔間C14和C15各具有平面靶。隔間C14中的靶是金屬銀靶，而隔間C15中的靶是金屬鈦靶。對銀耙施加約8.9kW的功率，同時將基底在該靶下面以約310英寸每分鐘的速率傳送，以沉積厚度約149埃的金屬銀膜的第二紅外反射膜區(qū)域200。然后將基底在隔間C15中的金屬鈦耙下面?zhèn)魉?，對該靶施加約8.1kW的功率，以沉積包含鈦并且厚度為約20埃的第二隔離膜區(qū)域205。然后將基底12傳送通過第七涂覆區(qū)CZ7、第八涂覆區(qū)CZ8和第九涂覆區(qū)CZ9，在其中一起施加了第三透明介電膜區(qū)域60。這些涂覆區(qū)各具有三個濺射隔間，并且各隔間具有兩個圓柱形靶(隔間C16至隔間C18在CZ7中，隔間C19至C21在CZ8中，且隔間C22至C24在CZ9中)。這里的靶都包含可濺射材料，其為鋅和錫的混合物。這些涂覆區(qū)中每一個都具有主要由氧氣組成的氧化氣氛(例如壓力為約4X10'3mbar的約100%的02)?？蛇x地，該氣氛可以包含氬氣和氧氣。將約50.3kW的功率施加于第七涂覆區(qū)CZ7中的前面的兩個耙，將約45.5kW的功率施加于該涂覆區(qū)中的接著的兩個耙，并將約48.9kW的功率施加于該區(qū)中的最后的兩個耙。將約52.5kW的功率施加于第八涂覆區(qū)CZ8中的前面的兩個耙，同時將約48.2kW的功率施加于該涂覆區(qū)中的接著的兩個靶，并將約44.7kW的功率施加于該區(qū)中的最后的兩個靶。將約49.0kW的功率施加于第九涂覆區(qū)CZ9中的前面的兩個耙，同時將約45.5kW的功率施加于該涂覆區(qū)中的接著的兩個靶，并將約47.8kW的功率施加于該區(qū)中的最后的兩個靶?；?2在所有這些靶下面(B卩，在CZ7至CZ8中的所有靶下面)以約310英寸每分鐘的速率傳送，同時在所述的功率水平下濺射各靶，從而施加形式為包含鋅和錫的氧化物膜，且厚度為約655埃的第三透明介電膜區(qū)域60。然后將基底12傳送到施加第三紅外反射膜區(qū)域300的第十涂覆區(qū)CZIO。該涂覆區(qū)含有惰性氣氛(例如壓力為約4xl(T3mbar的氬氣)。該涂覆區(qū)CZ10中的活性隔間C25和C26各具有平面靶。隔間C25中的靶是金屬銀靶，而隔間C26中的靶是金屬鈦靶。對銀靶施加約12.6kW的功率，同時該基底在該靶下面以約310英寸每分鐘的速率傳送，從而沉積厚度約為206埃的銀膜的第三紅外反射膜區(qū)域300。然后將基底在室C26中的鈦靶下面?zhèn)魉停瑫r在約8.1kW的功率水平下濺射該靶，從而沉積形式為包含鈦的膜，并且厚度為約20埃的第三隔離膜區(qū)域305。然后將基底12傳送通過第十一涂覆區(qū)CZll、第十二涂覆區(qū)CZ12和第十三涂覆區(qū)CZ13，在其中一起沉積了第四透明介電膜區(qū)域80。第十一涂覆區(qū)CZ11具有各有兩個圓柱形靶的三個濺射隔間(隔間C27至隔間C29在CZ11中)。第十二涂覆區(qū)CZ12僅有一個活性濺射隔間C30，并且該隔間C30具有兩個圓柱形靶(CZ12中的隔間C30)。第十三涂覆區(qū)CZ13具有三個濺射隔間，并且各隔間具有兩個圓柱形靶(隔間C31至C33在CZ13中)。在涂覆區(qū)CZ11至CZ13中所述的各個靶包含可濺射的靶材，其為鋅和錫的混合物。涂覆區(qū)CZ11至CZ13各具有主要由氧組成的氧化氣氛(例如壓力為約4xl0-3mbar的約100%的02)?？蛇x地，這些氣氛中的一種或多種可以包含氬氣和氧氣。將約n.9kw的功率施加于第十一涂覆區(qū)czii中的前面的兩個耙，將約2UkW的功率施加于該涂覆區(qū)CZ11中的接著的兩個耙，并將約19.6kW的功率施加于該區(qū)CZll中的最后的兩個靶。將約20.1kW的功率施加于第十二涂覆區(qū)CZ12中的兩個靶。將約21.5kW的功率施加于第十三涂覆區(qū)CZ13中的前面的兩個靶，將約19.4kW的功率施加于該第十三涂覆區(qū)CZ13中的接著的兩個靶，并將約19.3kW的功率施加于該區(qū)CZ13中的最后的兩個靶?；?2在CZ11至CZ13中所有所述的靶下面以約310英寸每分鐘的速率傳送，同時在所述的功率水平下濺射各耙，從而以包含鋅和錫，且厚度為約236埃的氧化物膜來施加第四透明介電膜區(qū)域80的內(nèi)部。最后，基底12傳送至第十四涂覆區(qū)CZ14，在其中施加了第四透明介電膜區(qū)域80的最外部。該涂覆區(qū)CZ14具有三個濺射隔間C34-C36，各含有氮氣氣氛，任選地具有一些氬氣，壓力為約4xl(^mbar。該涂覆區(qū)CZ14中的隔間C34至C36各具有兩個圓柱形靶。這些靶各包含具有少量鋁的硅的可濺射靶材。將約31.9kW的功率施加于第十四涂覆區(qū)CZ14中的前面的兩個耙，將約34.0kW的功率施加于該區(qū)CZ14中的接著的兩個靶，并將約37.4kW的功率施加于該區(qū)CZ14中的最后的兩個靶?；?2在CZ14中的所有靶下面以約310英寸每分鐘的速率傳送，同時在所述的功率水平下濺射各靶，從而以包含硅和少量鋁，且厚度為約101埃的氮化物膜來施加第四透明介電膜區(qū)域80的最外部。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>下面的表6顯示了能用作本發(fā)明的涂層7的另一個示例的膜層疊體:表6<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>表6的膜層疊體示例了一組實施方案，其中，沉積低輻射涂層以包括兩個膜區(qū)域，這兩個膜區(qū)域包含介電氮化物膜(任選地主要由氮化物膜組成)。例如，這些氮化物膜可以包含氮化硅。在本發(fā)明的實施方案中，可以任選地在兩層氮化物膜之間沉積紅外反射膜。這些氮化物膜(和它們之間的紅外反射膜區(qū)域)優(yōu)選為涂層的一部分，從基底的頂部主表面向外，該涂層包括第一透明介電膜區(qū)域、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域、第二透明介電膜區(qū)域、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域、第三透明介電膜區(qū)域、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域和第四透明介電膜區(qū)域。在表6中，第三銀膜位于兩層氮化物膜之間?？蛇x地，第二銀膜可以位于兩層氮化物膜之間，或者第二和第三銀膜都可以位于兩層氮化物膜之間。在一些相關(guān)的方法實施方案中，該方法包括在氮化氣體中濺射兩個系列的向上的耙，以在基底的頂部主表面上反應性地濺射沉積兩層所提到的氮化物膜。在某些情況中，該兩層氮化物膜的反應性濺射沉積得到組合厚度為至少100埃、至少150埃、或者至少200埃的兩層膜。本發(fā)明的實施方案可以任選地在用于向下濺射的至少三個腔室中同時濺射銀。通常，這三個腔室被含有反應性濺射氣氛并用于濺射沉積透明介電膜的其它腔室互相分開。這可以包括在包含可濺射的銀的三個上部濺射靶上施加大于8.5kW、或者大于9.0kW的平均功率。與本發(fā)明的實施方案相關(guān)的沉積方法可以使用具有延伸的一系列濺射室的涂布機，其中在某些實施方案中包括至少63個濺射室。在這里公開的一些涂覆實施方案中，可以通過在包含銀(任選主要由銀組成)的至少一個紅外反射膜區(qū)域之上直接濺射沉積介電膜來沉積涂層。這里，不是在各紅外反射膜區(qū)域之上直接沉積金屬隔離膜，直接在至少一個紅外反射膜區(qū)域之上(或者在一些情況中，在每個紅外反射膜區(qū)域之上)沉積介電膜。這些實施方案可能特別理想，例如，當需要優(yōu)異的可見光透射時。盡管這種類型的介電膜的厚度可以隨著需要而改變，一些實施方案中的厚度為75?；蚋　⒒蛘?0?；蚋　Ｆ渌捎玫暮穸群图毠?jié)(與直接在紅外反射膜之上沉積介電膜有關(guān)的)如上所述。盡管描述了我們認為的本發(fā)明的優(yōu)選實施方案，但在不背離本發(fā)明實質(zhì)的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員會看出可以作出其它和進一步的改變和修改，所有改變和修改均應理解為落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1、在玻璃片上沉積膜的方法，該方法包括a)提供涂布機，其具有延伸通過涂布機的基底行進通道，該涂布機包括設(shè)置在基底行進通道之上的向下涂覆設(shè)備；b)以通常水平的方向沿著基底行進通道傳送玻璃片，其中玻璃片的頂部主表面定向朝上，且玻璃片的底部主表面定向朝下；并且c)操作向下涂覆設(shè)備以在玻璃片的頂部主表面沉積涂層，從玻璃片的頂部主表面向外，該涂層包括順序的至少七個膜區(qū)域，所述七個膜區(qū)域包括第一透明介電膜區(qū)域、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域、第二透明介電膜區(qū)域、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域、第三透明介電膜區(qū)域、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域和第四透明介電膜區(qū)域；該方法包括在玻璃片單次通過涂布機的過程中沉積所述至少七個膜區(qū)域，且其中在此單次通過的過程中，所述玻璃片以超過275英寸每分鐘的傳送速度傳送。2、權(quán)利要求1的方法，其中所述涂布機具有向上濺射區(qū)和向下濺射區(qū)，向上濺射區(qū)的特征是一系列下部靶設(shè)置在比基底行進通道低的高度，向下濺射區(qū)的特征是一系列上部靶設(shè)置在比基底行進通道高的高度，其中，在向上濺射區(qū)的所有濺射室中保持氧化濺射氣氛，且其中在向下濺射區(qū)的多個濺射室中保持氮化濺射氣氛，所述方法包括在氧化氣體中向上反應性地濺射所有下部靶，并在氮化氣體中向下反應性地濺射多個上部靶。3、權(quán)利要求l的方法，其中所述傳送速度為300英寸每分鐘或更快。4、權(quán)利要求1的方法，其中所述紅外反射膜區(qū)域通過在平均功率超過8.5kW下濺射含銀的耙來沉積。5、權(quán)利要求l的方法，其中所述傳送速度為310英寸每分鐘或更快，所述紅外反射膜區(qū)域通過濺射含銀的靶來沉積，且至少一個含銀的耙在超過12kW的功率下濺射。6、權(quán)利要求1的方法，其中所述紅外反射膜區(qū)域通過濺射含銀的耙來沉積，在沉積第一紅外反射膜區(qū)域中使用第一功率水平來濺射含銀的耙，在沉積第二紅外反射膜區(qū)域中使用第二功率水平來濺射含銀的耙，在沉積第三紅外反射膜區(qū)域中使用第三功率水平來濺射含銀的靶，第三功率水平大于第二功率水平，且第二功率水平大于第一功率水平。7、權(quán)利要求l的方法，其中所述涂布機具有延伸的濺射室系列，并包括設(shè)置在基底行進通道下面的向上涂覆設(shè)備，該向上涂覆設(shè)備包含設(shè)置在比基底行進通道的高度低的下部濺射靶，向下涂覆設(shè)備包含設(shè)置在比基底行進通道的高度高的上部濺射靶，其中所述涂布機的延伸的濺射室系列包括至少39個均包括至少一個上部濺射靶的向下濺射室。8、權(quán)利要求7的方法，其中所述涂布機的延伸的濺射室系列包括至少55個濺射室。9、權(quán)利要求7的方法，其中操作向下涂覆設(shè)備以在玻璃片的頂部主表面上沉積所述涂層，該方法包括在所述玻璃片的頂部主表面與第一紅外反射膜區(qū)域之間沉積至少50埃的透明介電膜；在第一和第二紅外反射膜區(qū)域之間沉積至少100埃的透明介電膜；在第二和第三紅外反射膜區(qū)域之間沉積至少100埃的透明介電膜；并在第三紅外反射膜區(qū)域之上沉積至少50埃的透明介電膜。10、權(quán)利要求9的方法，其中所述向下涂覆設(shè)備的操作包括在所述玻璃片的頂部主表面與第一紅外反射膜區(qū)域之間沉積不超過175埃的透明介電膜。11、權(quán)利要求l的方法，其中所述涂布機具有包括至少60個濺射室的延伸的濺射室系列，所述玻璃片的主要尺寸為至少2米，且所述方法包括在玻璃片單次通過涂布機的過程中全部涂覆玻璃片的頂部和底部主表面。12、權(quán)利要求l的方法，其中，所述玻璃片單次通過涂布機是連續(xù)的，在所述單次通過的過程中從涂布機移出玻璃片不中斷玻璃片的傳送。13、權(quán)利要求1的方法，其中，在所述玻璃片單次通過涂布機的整個過程中，所述傳送速度保持基本恒定。14、涂布機，其具有延伸的濺射室系列和限定了延伸通過涂布機的所有濺射室的基底行進通道的基底支持體，其中，所述基底支持體用于沿著基底行進通道傳送主要尺寸大于2.0米的片狀基底，所述涂布機具有向上濺射區(qū)和向下濺射區(qū)，向上濺射區(qū)的特征是一系列下部耙設(shè)置在比基底行進通道低的高度，向下濺射區(qū)的特征是一系列上部靶設(shè)置在比基底行進通道高的高度，向下濺射區(qū)具有各包括至少一個上部靶的至少39個向下濺射室，向上濺射區(qū)具有各包括至少一個下部靶的多個向上濺射室，其中向下濺射區(qū)的向下濺射室形成至少七個向下沉積系統(tǒng)，沿著基底行進通道，所述沉積系統(tǒng)依次包括用于沉積第一透明介電膜區(qū)域的第一向下沉積系統(tǒng)、用于沉積包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域的第二向下沉積系統(tǒng)、用于沉積第二透明介電膜區(qū)域的第三向下沉積系統(tǒng)、用于沉積包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域的第四向下沉積系統(tǒng)、用于沉積第三透明介電膜區(qū)域的第五向下沉積系統(tǒng)、用于沉積包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域的第六向下沉積系統(tǒng)、和用于沉積第四透明介電膜區(qū)域的第七向下沉積系統(tǒng)。15、權(quán)利要求14的涂布機，其中所述向下濺射區(qū)具有至少42個向下濺射室。16、權(quán)利要求14的涂布機，其中所述向下濺射區(qū)具有至少45個向下濺射室。17、權(quán)利要求14的涂布機，其中所述涂布機的延伸的濺射室系列包括至少60個濺射室。18、權(quán)利要求14的涂布機，其中所述涂布機的延伸的濺射室系列包括至少63個濺射室。19、權(quán)利要求14的涂布機，其中所述基底行進通道為基本上直的通道，且所述涂布機為真空涂布機。20、權(quán)利要求14的涂布機，其中所述基底支持體具有隔離的輸送輥，將所述涂布機與多個片狀玻璃基底組合設(shè)置，該基底與多個輸送輥直接物理接觸。21、在玻璃片上沉積膜的方法，該方法包括a)提供涂布機，其具有延伸的濺射室系列和延伸通過涂布機的所有濺射室的基底行進通道，其中所述涂布機的延伸的濺射室系列包括至少60個濺射室，其中至少一些用于向下濺射，并包括設(shè)置在基底行進通道之上的上部濺射靶；b)以通常水平的方向沿著基底行迸通道傳送所述玻璃片，其中，玻璃片的頂部主表面定向朝上，且玻璃片的底部主表面定向朝下，所述玻璃片以300英寸每分鐘或更快的傳送速度沿著基底行進通道的至少一部分傳送；并且c)濺射至少多個上部靶，以在玻璃片的頂部主表面上沉積涂層，從玻璃片的頂部主表面向外，該涂層包括第一透明介電膜區(qū)域、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域、第二透明介電膜區(qū)域、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域、第三透明介電膜區(qū)域、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域和第四透明介電膜區(qū)域。22、權(quán)利要求21的方法，其中所述傳送速度為310英寸每分鐘或更快。23、權(quán)利要求21的方法，其中所述紅外反射膜區(qū)域通過在平均功率超過8.5kW下濺射至少三個含銀的靶來沉積。24、權(quán)利要求23的方法，其中在超過12kW的功率下濺射至少一個含銀的靶。25、權(quán)利要求21的方法，其中所述涂布機包括向上涂覆設(shè)備，該涂覆設(shè)備包含設(shè)置在比基底行進通道的高度低的下部濺射耙，所述涂布機具有各包括至少一個下部濺射靶的至少多個向上濺射室，且其中該方法包括向上濺射至少一些下部濺射靶，以在玻璃片的底部主表面上沉積膜。26、一種在片狀基底上沉積膜的方法，該方法包括-a)提供涂布機，該涂布機具有延伸的濺射室系列和延伸通過該涂布機的所有濺射室的基底行進通道，其中所述涂布機的延伸的濺射室系列包括至少60個濺射室，其中至少一些用于向下濺射并包括設(shè)置在基底行進通道之上的上部濺射靶；b)以通常水平的方向沿著基底行進通道傳送所述基底，其中所述基底的頂部主表面定向朝上，且所述基底的底部主表面定向朝下，所述基底以超過275英寸每分鐘的傳送速度沿著基底行進通道的至少一部分傳送；并且c)在氮化氣體中濺射兩個系列的上部靶，以在所述基底的頂部主表面上反應性地濺射沉積兩個透明介電氮化物膜區(qū)域，其中在所述兩個透明介電氮化物膜區(qū)域之間沉積紅外反射膜區(qū)域，且其中在它們之間的所述兩個透明介電氮化物膜區(qū)域和所述紅外反射膜區(qū)域為涂層的一部分，從所述基底的頂部主表面向外，該涂層包括第一透明介電膜區(qū)域、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域、第二透明介電膜區(qū)域、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域、第三透明介電膜區(qū)域、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域和第四透明介電膜區(qū)域。27、權(quán)利要求26的方法，其中通過反應地濺射沉積所述透明介電氮化物膜區(qū)域產(chǎn)生了組合厚度至少為100埃的所述透明介電氮化物膜區(qū)域。28、權(quán)利要求27的方法，其中所述組合厚度至少為150埃。29、權(quán)利要求26的方法，其中所述兩個透明介電氮化物膜區(qū)域都包含氮化硅。30、權(quán)利要求26的方法，其中所述涂布機的延伸的濺射室系列包括至少63個濺射室。31、權(quán)利要求26的方法，其中在所述基底的傳送過程中，所述方法包括在用于向下濺射的至少三個濺射室中同時濺射銀，所述三個腔室被含有反應性濺射氣氛并用于濺射沉積透明介電膜的其它腔室互相分開。32、權(quán)利要求31的方法，其中銀的所述同時濺射包括在三個需要的上部濺射耙上施加大于9.0kW的平均功率。33、在玻璃片上沉積膜的方法，該方法包括a)提供涂布機，該涂布機具有延伸的濺射室系列和延伸通過該涂布機的所有濺射室的基底行進通道，其中所述涂布機的延伸的濺射室系列包括至少63個濺射室，其中至少一些用于向下濺射并包括設(shè)置在基底行進通道之上的上部濺射靶；b)以通常水平的方向沿著基底行進通道傳送所述玻璃片，其中所述玻璃片的頂部主表面定向朝上，且所述玻璃片的底部主表面定向朝下，所述玻璃片以300英寸每分鐘或更快的傳送速度沿著基底行進通道的至少一部分傳送；并且c)在氮化氣體中濺射兩個系列的上部靶，以在基底的頂部主表面上反應性地濺射沉積兩個透明介電氮化物膜區(qū)域，其中在所述兩個透明介電氮化物膜區(qū)域之間沉積紅外反射膜區(qū)域，且其中它們之間的所述兩個透明介電氮化物膜區(qū)域和所述紅外反射膜區(qū)域為涂層的一部分，從所述基底的頂部主表面向外，該涂層包括第一透明介電膜區(qū)域、包含銀的第一紅外反射膜區(qū)域、第二透明介電膜區(qū)域、包含銀的第二紅外反射膜區(qū)域、第三透明介電膜區(qū)域、包含銀的第三紅外反射膜區(qū)域和第四透明介電膜區(qū)域；該方法包括在包含銀的所述三個紅外反射膜區(qū)域中的至少一個之上直接濺射沉積介電膜。34、權(quán)利要求33的方法，其中在包含銀的所述三個紅外反射膜區(qū)域的每個之上直接濺射沉積介電膜。35、權(quán)利要求33的方法，其中在所述三個紅外反射膜區(qū)域中的至少一個之上直接濺射沉積的介電膜為厚度為75?；蚋〉膶?。36、權(quán)利要求33的方法，其中在所述三個紅外反射膜區(qū)域中的至少一個之上直接濺射沉積的介電膜為厚度為50?；蚋〉膶?。全文摘要本發(fā)明公開了在玻璃和其它基底上沉積涂層的方法和設(shè)備。在一些實施方案中，提供了任選地通過向下的涂覆操作沉積反射薄膜涂層(如對紅外輻射的反射特別強的低輻射涂層)的方法和設(shè)備。在一些實施方案中，這種向下的涂覆操作與用于沉積另一個涂層的向上的涂覆操作相結(jié)合。文檔編號C03C17/36GK101321708SQ200680045503公開日2008年12月10日申請日期2006年10月11日優(yōu)先權(quán)日2005年10月11日發(fā)明者K·哈蒂格申請人:卡迪奈爾鍍膜玻璃公司