專利名稱：用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，且更具體地說(shuō)，涉及一種用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其中在相對(duì)較短時(shí)間內(nèi)將基座溫度強(qiáng)行冷卻到適當(dāng)水平，以使得用于維護(hù)/修理設(shè)備的等待時(shí)間減少。因此，改進(jìn)了生產(chǎn)率，并限制了工藝損失的產(chǎn)生。
背景技術(shù)：
平板顯示器已廣泛用于例如個(gè)人便攜式終端、電視機(jī)和計(jì)算機(jī)監(jiān)視器的產(chǎn)品。平板顯示器的類型是多種多樣的，例如陰極射線管(cathode ray tube，CRT)、液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)、等離子顯示面板(plasmadisplay panel，PDP)和有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode，OLED)。
所述LCD是一種裝置，其使用某種光控開關(guān)，通過(guò)在兩片較薄的上與下玻璃襯底之間注射作為固態(tài)與液態(tài)之間的中間材料的液晶，并使用上與下玻璃襯底的電極之間的電壓差來(lái)改變液晶分子的定向(orientation)，而顯示字符或圖像。LCD當(dāng)前廣泛用于從電子產(chǎn)品(例如電子手表、電子計(jì)算器、電視機(jī)和膝上型計(jì)算機(jī))到飛機(jī)的速度計(jì)和操作系統(tǒng)。
電視機(jī)具有20到30英寸的尺寸且監(jiān)視器具有小于17英寸的尺寸已成為主流。然而，最近越來(lái)越偏愛(ài)具有40英寸或更大尺寸的電視機(jī)和具有20英寸或更大尺寸的計(jì)算機(jī)監(jiān)視器。
因此，LCD制造商已嘗試生產(chǎn)更大的玻璃襯底。目前，進(jìn)行許多研究來(lái)針對(duì)具有1950×2250mm或1870×2200mm尺寸的第7代產(chǎn)品或具有2160×2460mm或更大尺寸的第8代產(chǎn)品增加玻璃襯底的尺寸。
主要通過(guò)TFT工藝(其中重復(fù)沉積、光刻和蝕刻)、單元(cell)工藝(其中組裝著上和下玻璃襯底)和用于完成LCD的模塊工藝來(lái)制造LCD。
在作為許多工藝之一的化學(xué)氣相沉積工藝中，由于外部高頻功率而處于等離子狀態(tài)下的具有高能量的硅基成分離子從氣體分配板注射穿過(guò)電極且沉積在玻璃襯底上。所述工藝在腔室中執(zhí)行。
如將稍后描述者，在用于執(zhí)行化學(xué)氣相沉積工藝的腔室的下部區(qū)域中提供基座(在所述基座上加載經(jīng)受沉積的玻璃襯底)，且在腔室的上部區(qū)域中提供電極。當(dāng)將玻璃襯底加載在基座的上表面上時(shí)，將基座加熱到約400℃的溫度。接著，基座上升以將玻璃襯底定位在靠近位于電極下方的氣體分配板處。接著，通過(guò)電極來(lái)施加電力，通過(guò)使用作為絕緣構(gòu)件的特富龍(Teflon)使所述電極與腔室絕緣。當(dāng)將硅基成分離子注射穿過(guò)具有許多小孔的氣體分配板時(shí)，相對(duì)于玻璃襯底來(lái)執(zhí)行沉積工藝。
在重復(fù)相對(duì)于玻璃襯底的沉積工藝之后，腔室中的各種部件(包含腔室的周圍結(jié)構(gòu))需要維護(hù)和修理工作。在被加熱到約400℃的基座的溫度降低到100℃以下且將腔室暴露到空氣中之后，執(zhí)行維護(hù)和修理工作。
然而，在用于平板顯示器的常規(guī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備中，由于通常需要約24小時(shí)來(lái)將加熱到約400℃的基座的溫度降低到約100℃以下，因而存在一個(gè)問(wèn)題，即，需要大量時(shí)間來(lái)降低基座溫度以進(jìn)行維護(hù)和修理工作。這是因?yàn)樵谇皇覂?nèi)部?jī)H通過(guò)真空狀態(tài)下的輻射來(lái)進(jìn)行熱傳遞。
也就是說(shuō)，在常規(guī)技術(shù)中，由于為了執(zhí)行維護(hù)和修理工作，需要約24小時(shí)來(lái)將基座溫度從約400℃降低到約100℃以下，因而用于維護(hù)和修理工作的等待時(shí)間延長(zhǎng)了。因此，降低了設(shè)備的操作速率，且因而使生產(chǎn)率下降，從而產(chǎn)生了工藝損失。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決以上和/或其它問(wèn)題，本發(fā)明提供一種用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其能強(qiáng)行冷卻基座以在相對(duì)較短時(shí)間內(nèi)將基座溫度降低到適當(dāng)水平，以便可減少用于維護(hù)和修理工作的等待時(shí)間，可改進(jìn)設(shè)備的操作速率和其生產(chǎn)率，且可防止工藝損失的產(chǎn)生。
本發(fā)明提供一種用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其可減少由于快速熱量耗散而對(duì)基座造成的沖擊，且防止由于溫度的突發(fā)性不平衡而在基座中產(chǎn)生裂縫。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備包括腔室，在所述腔室中執(zhí)行平板顯示器的沉積工藝；基座，其安裝在腔室中，能夠提升且具有上表面，在所述上表面上加載平板顯示器；以及至少一個(gè)冷卻塊，其提供在所述腔室的底部表面上，以在所述基座下降時(shí)接觸基座，且冷卻在沉積工藝期間被加熱的基座。
在基座下降并接觸冷卻塊之前，用氫氣和氦氣中的任一者來(lái)填充腔室，所述氣體逐漸降低基座的溫度，以防止基座由于接觸冷卻塊而快速冷卻。
所述基座包括襯底加載部分，其水平地配置在腔室中并支撐平板顯示器；以及支柱，其上端固定在所述襯底加載部分的中心處，且其下端穿過(guò)腔室的下壁以配置在腔室外部，其中所述冷卻塊的上表面實(shí)質(zhì)上平行于襯底加載部分的下表面，以使得冷卻塊與襯底加載部分的下表面具有表面接觸。
所述冷卻塊包括主體部分，其接觸所述腔室的底部表面；以及冷卻線路，其提供在所述主體部分中，預(yù)定的冷卻劑通過(guò)所述冷卻線路進(jìn)行循環(huán)。
在腔室的維護(hù)和修理工作期間，所述冷卻劑在所述冷卻線路中進(jìn)行循環(huán)。
所述冷卻劑是水和氮?dú)庵械娜我徽摺?br> 所述設(shè)備進(jìn)一步包括支撐基座的基座支撐件，其中冷卻塊提供在關(guān)于所述基座支持件的相對(duì)側(cè)處。
所述冷卻塊堆疊在腔室的底部表面上。
所述冷卻塊的至少一部分掩埋在腔室的底部表面中，以使得從腔室的底部表面處暴露冷卻塊的上表面。
所述平板顯示器是用于液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)的大玻璃襯底。


通過(guò)參考附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例將更容易理解本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
圖2是接觸冷卻塊的基座的部分放大圖。
圖3是圖2的冷卻塊的橫截面圖。
圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
圖5是根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的部分放大圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的透視圖。
10腔室 11底部表面17氣體分配板26絕緣主體30基座 31襯底加載部分40基座支撐件50冷卻塊51主體部分 53冷卻線路具體實(shí)施方式
參考用于說(shuō)明本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的附圖是為了充分理解本發(fā)明、其優(yōu)點(diǎn)和通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而實(shí)現(xiàn)的目的。
下文中，將通過(guò)參考附圖來(lái)解釋本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例以詳細(xì)描述本發(fā)明。附圖中的類似參考元件符號(hào)是指類似的元件。
圖1說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。參考圖1，用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備1包含腔室10；電極16，其提供在所述腔室10的上部中并向經(jīng)受沉積的平板顯示器G發(fā)射預(yù)定的硅基成分離子；基座30，其配置在電極16下方且在所述基座上加載所述平板顯示器G；以及多個(gè)基座支撐件40，其在基座30下方支撐基座30。
從外部來(lái)密封該腔室10的外壁，以維持腔室10內(nèi)部的沉積空間S的真空狀態(tài)。用惰性氣體(例如He或Ar)填充腔室10的沉積空間S，以不影響硅基成分離子，所述硅基成分離子是由電極16產(chǎn)生的沉積材料。在腔室10的外壁中形成開口10a，使得平板顯示器G可穿過(guò)所述開口10a。盡管未繪示，但所述開口10a由門(未圖示)選擇性地打開和關(guān)閉。
在腔室10的底部表面上提供氣體擴(kuò)散面板12，所述氣體擴(kuò)散面板12用于將腔室10的沉積空間S中存在的氣體擴(kuò)散回到沉積空間S。在腔室10的底部表面的中心部分處形成通孔10b，基座30的支柱32穿過(guò)所述通孔10b。在所述通孔10b周圍形成多個(gè)額外通孔10c，基座支撐件40的桿部分42穿過(guò)所述多個(gè)額外通孔10c。
在腔室10的上部中提供電極16。在所述電極16下方提供氣體分配板17，所述氣體分配板具有多個(gè)小孔且通過(guò)所述氣體分配板注射硅基成分離子。以預(yù)定間隙(例如，幾十毫米(mm))平行于基座30的襯底加載部分31來(lái)配置所述氣體分配板17。
如上所述，平板顯示器G可以是陰極射線管(cathode ray tube，CRT)、液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)、等離子顯示面板(plasma displaypanel，PDP)和有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting diode，OLED)中的任一者。然而，在本實(shí)施例中，用于LCD的大玻璃襯底g被當(dāng)作平板顯示器G。詞“大”意指如上所述的第7或第8代產(chǎn)品的尺寸。在以下描述中，平板顯示器G被描述為玻璃襯底G。
在腔室10外部上方提供遠(yuǎn)程(remote)等離子體18，其供應(yīng)預(yù)定的清洗氣體以移除腔室10中存在的雜質(zhì)。在遠(yuǎn)程等離子體18周圍安裝高頻功率單元20。所述高頻功率單元20通過(guò)連接線22而連接到電極16。在電極16與腔室10的外壁之間提供絕緣體26，以防止電極16與腔室10的外壁之間發(fā)生電連接，當(dāng)電極16直接接觸腔室10的外壁時(shí)會(huì)發(fā)生所述電連接?？赏ㄟ^(guò)使用(例如)特富龍(Teflon)來(lái)制造絕緣體26。在氣體分配板17與電極16之間形成廢氣緩沖空間部分19。
基座30包含襯底加載部分31，其水平地配置在腔室10的沉積空間S中，以支撐加載在其上的玻璃襯底G；以及支柱32，其上端固定在襯底加載部分31的中心部分處，且其下端通過(guò)穿過(guò)通孔10b而配置在腔室10外部。將襯底加載部分31的上表面處理為表面板，使得可精確地將玻璃襯底G加載在水平狀態(tài)中。在襯底加載部分31內(nèi)部安裝加熱器(未圖示)，以將襯底加載部分31加熱到約為400℃的預(yù)定的沉積溫度。
基座30在腔室10的沉積空間S中上升和下降。也就是說(shuō)，當(dāng)加載玻璃襯底G時(shí)，基座30被配置在腔室10的底部表面中。當(dāng)加載玻璃襯底G且正執(zhí)行工藝時(shí)，所述基座30上升以使得玻璃襯底G位于靠近氣體分配板17處。出于此目的，在基座30的支柱32處提供用于提升基座30的提升模塊36。所述提升模塊36使基座30與基座支撐件40一起被提升。
當(dāng)基座30被提升模塊36提升時(shí)，在基座30的支柱32與通孔10b之間必須不產(chǎn)生任何空間。因此，在通孔10b周圍提供用以包圍支柱32外部的波紋管34。所述波紋管34在基座30下降時(shí)延展，且在基座30上升時(shí)收縮以防止在支柱32與通孔10b之間產(chǎn)生空間。
在襯底加載部分31處提供多個(gè)起模頂桿38，所述起模頂桿穩(wěn)定地支撐被加載且被取出的玻璃襯底G的下表面，并在襯底加載部分31上方引導(dǎo)玻璃襯底G。起模頂桿38經(jīng)安裝為穿過(guò)襯底加載部分31。當(dāng)提升模塊36以降低基座30時(shí)，起模頂桿38的下端受腔室10的底部表面擠壓，以使得起模頂桿38的上端從襯底加載部分31的上表面突出。結(jié)果，玻璃襯底G與襯底加載部分31分離。相反地，當(dāng)基座30上升時(shí)，起模頂桿38向下移動(dòng)，以使得玻璃襯底G緊密接觸襯底加載部分31的上表面。因此，起模頂桿38在玻璃襯底G與襯底加載部分31之間形成空間，以使得機(jī)械手(未圖示)可容易地抓住加載在襯底加載部分31上的玻璃襯底G。
如上所述，根據(jù)第7或第8代技術(shù)的基座30相對(duì)較大且沉重，以使得基座30可由于重力而下彎。在此情況下，玻璃襯底G可能因此下彎。因此，可在基座30的襯底加載部分31下方提供基座支撐件40。由于襯底加載部分31略微大于玻璃襯底G，因而從中心支柱32在徑向方向上朝向襯底加載部分31的外側(cè)，襯底加載部分31的下彎變得愈加嚴(yán)重。因此，在基座30的襯底加載部分31的外側(cè)處提供基座支撐件40，所述基座支撐件40彼此分離，以防止基座30的襯底加載部分31下彎。
所述基座支撐件40每一者具有頭部分41，其位于靠近襯底加載部分31的下表面處；以及桿部分42，其平行于基座30的支柱32從所述頭部分41延伸。所述桿部分42的下端部分類似于支柱32而并入提升模塊36中。因此，當(dāng)提升模塊36開始操作時(shí)，基座支撐件40隨基座30而提升。在桿部分42處形成波紋管34a。
圖2是接觸冷卻塊的基座的部分放大圖。圖3是圖2的冷卻塊的橫截面圖。如上所述，當(dāng)關(guān)于玻璃襯底G重復(fù)執(zhí)行沉積工藝時(shí)，需要對(duì)腔室10進(jìn)行維護(hù)和修理工作。需要在將加熱到至少400℃的基座30的溫度降低到約100℃以下之后執(zhí)行維護(hù)和修理工作。因此，為了迅速執(zhí)行維護(hù)和修理工作，需要強(qiáng)行冷卻基座30，以使得可在相對(duì)較短時(shí)間內(nèi)將基座30的溫度降低到適當(dāng)溫度。冷卻部分50用于此目的。
參看圖1、2和3，冷卻部分50堆疊在腔室10的底部表面11上。冷卻塊50不能在腔室10的底部表面11的區(qū)域中任意移動(dòng)。因此，使用螺桿或以焊接方法來(lái)將冷卻塊50固定到腔室10的底部表面11。冷卻塊50可提供為尺寸等于襯底加載部分31的單個(gè)塊，或如圖4和5所示，提供為關(guān)于襯底支撐件40在相對(duì)側(cè)處的兩個(gè)塊。不管塊的數(shù)目和尺寸，只要冷卻塊50能迅速將被加熱到約400℃的基座30的溫度降低到100℃以下，就已足夠。
參看圖3，冷卻塊50差不多具有矩形形狀。然而，本發(fā)明并不限于此。由于當(dāng)冷卻塊50在較大區(qū)域中與襯底加載部分31的下表面具有表面接觸時(shí)，冷卻效率得以改進(jìn)，因而冷卻塊50的至少上表面優(yōu)選平行于所述襯底加載部分31的下表面而形成。
冷卻塊50包括主體部分51和提供在所述主體部分51中的冷卻線路53，預(yù)定的冷卻劑在所述冷卻線路53中進(jìn)行循環(huán)。冷卻線路53可在主體部分51中配置為多個(gè)線路，而以較大區(qū)域與主體部分51接觸。然而，與圖3所示的配置不同，可沿著主體部分51的側(cè)面來(lái)配置冷卻線路53的單線路。
冷卻線路53被提供為管，以使得冷卻劑可在其中流動(dòng)。所述冷卻劑可以是水冷卻方法中的水和空氣冷卻方法中的氮?dú)庵械囊徽摺Ｔ诳諝饫鋮s方法中主要使用在氣體間具有相對(duì)較高熱傳遞性的氮?dú)?。然而，熱傳遞性類似于氮?dú)獾娜魏螝怏w可替代氮?dú)狻?br> 冷卻線路53的相對(duì)兩端需要彼此分離，以使冷卻劑通過(guò)冷卻線路53進(jìn)行循環(huán)。由供應(yīng)冷卻劑的冷卻劑供應(yīng)源(未圖示)和泵(未圖示)將冷卻劑供應(yīng)到冷卻線路53的一端53a。冷卻線路53的另一端53b需要具有一結(jié)構(gòu)來(lái)排出經(jīng)循環(huán)的冷卻劑。在本實(shí)施例中，盡管省略了關(guān)于冷卻線路53的一般結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述，但如需要可采用任何眾所周知的結(jié)構(gòu)。
如上所述，當(dāng)基座30下降以執(zhí)行腔室10的維護(hù)和修理工作時(shí)，沿著冷卻線路53循環(huán)的冷卻劑通過(guò)接觸來(lái)冷卻基座30。然而，當(dāng)被加熱到400℃的基座30接觸冷卻塊50(相對(duì)較冷的冷卻劑在所述冷卻塊50中流動(dòng))以快速耗散熱量時(shí)，快速熱量耗散可對(duì)基座30造成沖擊或由于溫度的突發(fā)性不平衡而在基座30中產(chǎn)生裂縫。
因此，基座30逐漸下降以進(jìn)行維護(hù)和修理工作且與冷卻塊50相距預(yù)定的間隙，用氫氣和氦氣中的任一者來(lái)填充腔室10的內(nèi)部，以使得通過(guò)氣體熱傳遞來(lái)逐漸冷卻基座30。通過(guò)孔24而將氫氣或氦氣注射到腔室10中，所述孔24形成在電極16的中心部分處。在冷卻到一定程度之后，通過(guò)直接接觸在沒(méi)有熱應(yīng)力的情況下快速冷卻基座30。
在如上配置的用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備1的操作和功能中，首先，將由機(jī)械手移動(dòng)的經(jīng)受沉積的玻璃襯底G以一種狀態(tài)配置在基座30的襯底加載部分31上方，在所述狀態(tài)中，由該提升模塊36將基座30和基座支撐件40向下移動(dòng)到腔室10的下部。
由于起模頂桿38的上端從襯底加載部分31的上表面突出到預(yù)定高度，因而機(jī)械手將玻璃襯底G放置在起模頂桿38上且接著縮回。當(dāng)縮回機(jī)械手時(shí)，腔室10的內(nèi)部維持在真空狀態(tài)且同時(shí)用沉積所需的惰性氣體He或Ar來(lái)進(jìn)行填充。
接著，對(duì)于沉積工藝，操作該提升模塊36以使基座30和基座支撐件40一起上升。接著，起模頂桿38下降且玻璃襯底G被加載，同時(shí)緊密接觸襯底加載部分31的上表面。當(dāng)基座30大致上升到圖1所示的位置時(shí)，停止該提升模塊36的操作，且玻璃襯底G位于電極16正下方。此刻，基座30被加熱到約400℃。
接著，通過(guò)與絕緣體26絕緣的電極16來(lái)施加電力。通過(guò)具有大量小孔的氣體分配板17來(lái)發(fā)射硅基成分離子且所述硅基成分離子達(dá)到玻璃襯底G處，以便在玻璃襯底G上執(zhí)行沉積。
在完成針對(duì)玻璃襯底G的沉積工藝之后，為了進(jìn)行腔室10的維護(hù)和修理工作，基座30下降。用氫氣和氦氣中的任一者來(lái)填充腔室10，且冷卻劑在冷卻塊50的冷卻線路53中進(jìn)行循環(huán)。當(dāng)基座30下降且襯底加載部分31的下表面接觸冷卻塊50的上表面時(shí)，通過(guò)冷卻塊50的主體部分51來(lái)傳遞基座30約400℃的熱量且所述熱量耗散到通過(guò)冷卻線路53進(jìn)行循環(huán)的冷卻劑。
通過(guò)這些一連串的熱量傳遞工藝，可將基座30的襯底加載部分31冷卻到100℃以下，100℃以下是所需的恰當(dāng)溫度。與常規(guī)技術(shù)相比，這樣做可極大地縮短處理時(shí)間。當(dāng)將基座30的溫度降低到100℃以下時(shí)，將腔室10的內(nèi)部暴露到外部空氣，且執(zhí)行維護(hù)和修理工作。
根據(jù)本實(shí)施例，由于可在相對(duì)較短時(shí)間內(nèi)將基座30強(qiáng)行冷卻到恰當(dāng)溫度，因而可減少維護(hù)和修理工作的等待時(shí)間。因此，可改進(jìn)設(shè)備的操作速率和生產(chǎn)率，且可防止工藝損失的產(chǎn)生。
圖5是根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備的部分放大圖。在圖1的先前實(shí)施例中，在腔室10的底部表面11上堆疊冷卻塊50。然而，在本實(shí)施例中，凹槽11a形成在腔室10的底部表面11中，且冷卻塊50部分插在所述凹槽11a中。圖5的本實(shí)施例可充分地產(chǎn)生本發(fā)明的效果。同樣，冷卻塊50能夠被完全掩埋，以使得冷卻塊50的上表面與腔室10的底部表面11位于相同平面上。
在上述實(shí)施例中，冷卻塊50的尺寸類似于或略微小于襯底加載部分31。然而，可將冷卻塊50a制作成較小尺寸且提供在腔室10的底部表面11上。在此情況下，安裝許多冷卻塊50a。另外，提供在冷卻塊50a中的冷卻線路53在主體部分51中可以是單一線路或配置成Z形(如圖6所示)。
盡管已參考本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例特別地繪示并描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，在不脫離由所附權(quán)利要求書界定的本發(fā)明精神和范圍的情況下，可在其中做出形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于強(qiáng)行冷卻基座以在相對(duì)較短時(shí)間內(nèi)將基座溫度降低到恰當(dāng)水平，因而可減少設(shè)備維護(hù)和修理時(shí)間的等待時(shí)間。因此，改進(jìn)了設(shè)備的操作速率和其生產(chǎn)率，且防止了工藝損失的產(chǎn)生。同樣，可減少由于快速熱量耗散而對(duì)基座造成的沖擊，且可防止由于溫度的突發(fā)性不平衡而在基座中產(chǎn)生裂縫。
權(quán)利要求
1.一種用于平板顯示器的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于所述設(shè)備包括腔室，在所述腔室中執(zhí)行用于所述平面顯示器的沉積工藝；基座，其安裝在所述腔室中，能夠提升且具有上表面，在所述上表面上加載所述平板顯示器；以及至少一個(gè)冷卻塊，其提供在所述腔室的底部表面上，以在所述基座下降時(shí)接觸所述基座，且冷卻在所述沉積工藝期間被加熱的所述基座。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，其中在所述基座下降并接觸所述冷卻塊之前，用氫氣以及氦氣中的任一者來(lái)填充所述腔室，所述氣體逐漸降低所述基座的溫度，以防止由于與所述冷卻塊接觸而快速冷卻所述基座。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，其中所述基座包括襯底加載部分，其水平地配置在所述腔室中并支撐所述平板顯示器；以及支柱，其具有上端，所述上端固定在所述襯底加載部分的中心處；以及下端，所述下端穿過(guò)所述腔室的下壁以配置在所述腔室外部，其中所述冷卻塊的上表面實(shí)質(zhì)上平行于所述襯底加載部分的下表面，以使得所述冷卻塊與所述襯底加載部分的所述下表面具有表面接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，其中所述冷卻塊包括主體部分，其接觸所述腔室的所述底部表面；以及冷卻線路，其提供在所述主體部分中，預(yù)定的冷卻劑通過(guò)所述冷卻線路進(jìn)行循環(huán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，其中在所述腔室的維護(hù)以及修理工作期間，所述冷卻劑在所述冷卻線路中進(jìn)行循環(huán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，其中所述冷卻劑是水以及氮?dú)庵械娜我徽摺?br> 7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，其進(jìn)一步包括支撐所述基座的基座支撐件，其中所述冷卻塊提供在關(guān)于所述基座支撐件的相對(duì)側(cè)處。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，其中所述冷卻塊堆疊在所述腔室的所述底部表面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，其中所述冷卻塊的至少一部分掩埋在所述腔室的所述底部表面中，以使得從所述腔室的所述底部表面處暴露所述冷卻塊的所述上表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，其中所述平板顯示器是用于液晶顯示器的大玻璃襯底。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種用于平板顯示器(flat display)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備(chemical vapor deposition)包含腔室，在所述腔室中執(zhí)行用于所述平面顯示器的沉積工藝；基座，其安裝在腔室中，能夠提升且具有上表面，在所述上表面上加載所述平板顯示器；以及至少一個(gè)冷卻塊，其提供在腔室的底部表面上，以在基座下降時(shí)接觸基座，且冷卻在沉積工藝期間被加熱的基座。由于強(qiáng)行冷卻基座以在相對(duì)較短時(shí)間內(nèi)將基座溫度降低到恰當(dāng)水平，因而可減少設(shè)備維護(hù)和修理時(shí)間的等待時(shí)間(stand by time)。因此，改進(jìn)設(shè)備的操作速率和其生產(chǎn)率，且防止工藝損失的產(chǎn)生。
文檔編號(hào)C03C17/00GK101016622SQ20071000347
公開日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2007年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月7日
發(fā)明者金南珍, 金俊洙 申請(qǐng)人:Sfa工程股份有限公司